DE19856084A1 - Verfahren zur Herstellung einer Metalloxidschicht bzw. einer strukturierten Metalloxidschicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Metalloxidschicht bzw. einer strukturierten MetalloxidschichtInfo
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Abstract
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung einer Metalloxidschicht bereitgestellt. Dabei umfaßt das erfindungsgemäße Verfahren folgende Schritte: DOLLAR A a) eine Barriereschicht wird bereitgestellt, DOLLAR A b) auf die Barriereschicht wird eine Metallschicht aufgebracht, und DOLLAR A c) die Metallschicht wird in einer Sauerstoffatomosphäre thermisch oxidiert, so daß eine Metalloxidschicht (3') erzeugt wird.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
Metalloxidschicht bzw. einer strukturierten Metalloxid
schicht, insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Me
talloxidschicht als Gatedielektrikum eines Feldeffekttransi
stors bzw. als sogenanntes "storage node dielektrikum" in ei
ner Speicherzelle.
Zur Erhaltung bzw. Steigerung der internationalen Wettbe
werbsfähigkeit ist es notwendig, die Kosten, die zur Reali
sierung einer bestimmten elektronische Funktion aufzuwenden
sind, ständig zu senken und somit die Produktivität kontinu
ierlich zu steigern. Der Garant für die Produktivitätssteige
rung in den letzten Jahren war und ist dabei die CMOS-
Technologie bzw. die DRAM-Technologie. Die CMOS-Technologie
verdankt ihre herausragende Stellung vor allem dem kleinen
Platzbedarf der MOS-Transistoren selbst sowie der Möglich
keit, die MOS-Transistoren in einer integrierten Schaltung
mit höchster Packungsdichte anzuordnen. Hinzu kommen der ge
ringe Leistungsverbrauch und, mit fortschreitender Struktur
verkleinerung, auch eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Die fortschreitende Strukturverkleinerung der Transistoren
bringt es jedoch mit sich, daß zur wirksamen Ansteuerung der
Transistoren immer dünnere dielektrische Schichten als Gate
dielektrika verwendet werden müssen. Wird, wie heute allge
mein üblich, Siliziumdioxid als Gatedielektrikum verwendet,
so müßte die Schichtdicke des Gatedielektrikums in einer 0,1
µm Technologie weniger als 1,5 nm betragen. Es ist jedoch
sehr schwer, derartig dünne Siliziumdioxidschichten mit aus
reichender Genauigkeit, reproduzierbar herzustellen. Abwei
chungen von nur 0,1 nm bedeuten Schwankungen in der Schicht
dicke in der Größenordnung von 10%. Darüber hinaus kommt es
bei derartig dünnen Siliziumdioxidschichten zu hohen Leck
strömen durch die Siliziumdioxidschicht, da durch den Effekt
des quantenmechanischen Tunnels die Ladungsträger die durch
die Siliziumdioxidschicht erzeugte Potentialbarriere überwin
den können.
Es wurde daher vorgeschlagen, die übliche Siliziumdioxid
schicht durch ein Material mit einer höheren Dielektrizitäts
konstanten zu ersetzen. Mit einem derartigen Material können
vergleichsweise dicke Schichten von mehr als 5 nm als Gate
dielektrika verwendet werden, die jedoch elektrisch einer Si
liziumdioxidschicht von deutlich kleiner als 5 nm entspre
chen. Die Dicke einer derartigen Schicht ist leichter zu kon
trollieren und der Tunnelstrom durch die Schicht ist deutlich
vermindert. Als Materialien für das Gatedielektrikum wurden
beispielsweise Siliziumnitrid, Titanoxid oder Tantalpentoxid
vorgeschlagen.
Zur Herstellung dieser Materialschichten werden bisher CVD-
Prozesse eingesetzt. Die so hergestellten Schichten weisen
jedoch Verunreinigungen auf, die auf die bei den CVD-
Verfahren verwendeten Prozeßgase zurückzuführen sind. Diese
Verunreinigungen führen zu Ladungen und sogenannten "Traps"
in den Schichten, die wiederum die Funktion des Transistors
negativ beeinflussen.
Es ist daher eine der Aufgaben der vorliegenden Erfindung,
ein Verfahren zur Herstellung von Metalloxidschichten anzuge
ben, das die genannten Probleme vermeidet oder deutlich ver
mindert. Diese Aufgabe wird von dem Verfahren gemäß Patentan
spruch 1 gelöst.
Darüber hinaus lassen sich derartige Metalloxidschicht nur
sehr schlecht strukturieren. Dies ist insbesondere deshalb
der Fall, weil sich diese Schichten im wesentlichen nur durch
eine physikalischen Ätzkomponente ätzen lassen, die dement
sprechend gegenüber anderen Schichten nur eine geringe bzw.
gar keine Selektivität aufweist. Daher ist es eine weitere
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstel
lung einer strukturierten Metalloxidschicht anzugeben. Diese
Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß Anspruch 8 gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen, Ausgestaltungen und
Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Un
teransprüchen der Beschreibung und den beiliegenden Zeichnun
gen.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung einer Me
talloxidschicht bereitgestellt. Dabei umfaßt das erfindungs
gemäße Verfahren folgende Schritte:
- a) eine Barriereschicht wird bereitgestellt,
- b) auf die Barriereschicht wird eine Metallschicht aufge bracht, und
- c) die Metallschicht wird in einer Sauerstoffatmosphäre ther misch oxidiert, so daß eine Metalloxidschicht (3') erzeugt wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den Vorteil, daß zur
Erzeugung der eigentliche Metalloxidschicht keine CVD-
Verfahren eingesetzt werden müssen, wodurch sich störende
Verunreinigungen der Metalloxidschicht deutlich reduzieren
lassen. Weiterhin führt das erfindungsgemäße Verfahren zu ei
ner sehr homogenen Grenzflächen des Metalloxides. Die bisher
verwendeten CVD-Abscheidungen ergeben hingegen, wegen unkon
trollierter Kristallbildung zu Beginn der Abscheidung, an der
Substratoberfläche eine inhomogene, rauhe Grenzfläche. Dar
über hinaus läßt sich das erfindungsgemäße Verfahren leicht
in die bereits bestehenden Prozesse zur Herstellung von CMOS-
Transistoren und/oder Speicherkondensatoren integrieren und
ist daher sehr kostengünstig zu realisieren. Die thermische
Oxidation der Metallschicht führt zu einer sehr reinen und
stöchiometrischen Metalloxidschicht.
Weiterhin wird erfindungsgemäß ein Verfahren zur Herstellung
einer strukturierten Metalloxidschicht bereitgestellt. Dabei
umfaßt das erfindungsgemäße Verfahren folgende Schritte:
- a) eine Metalloxidschicht wird bereitgestellt,
- b) auf die Metalloxidschicht wird eine Maske aufgebracht, und
- c) die Metalloxidschicht wird entsprechend der Maske in einer oxidierenden Atmosphäre bei einer Temperatur größer als 130°C trocken geätzt, wobei die oxidierende Atmosphäre zu mindest eine Halogenverbindung, insbesondere CF4, auf weist.
Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den Vorteil, daß das
Metalloxid chemisch auch ohne physikalische Ätzkomponente
trocken geätzt werden. Dementsprechend weist das erfindungs
gemäße Verfahren eine hohe Selektivität gegenüber anderen Ma
terialien wie beispielsweise Silizium oder Siliziumoxid auf.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es insbesondere be
vorzugt, wenn als Barriereschicht Siliziumdioxid oder nitri
diertes Siliziumdioxid verwendet wird.
Weiterhin ist es bevorzugt, wenn als Metall Titan, Tantal
oder Aluminium verwendet wird. Ebenso ist es bevorzugt, wenn
das Metall durch Sputtern auf die Barriereschicht aufgebracht
wird.
Weiterhin ist es bevorzugt, wenn die Barriereschicht zwischen
1 und 3 nm dick bzw. die Metallschicht zwischen 5 und 15 nm
dick ist.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es insbesondere be
vorzugt, wenn die Barriereschicht bei der thermischen Oxida
tion der Metallschicht im wesentlichen entfernt wird.
Bei der Strukturierung der Metalloxidschicht ist es bevor
zugt, wenn die Maske eine Polysiliziummaske ist.
Weiterhin ist es bevorzugt, wenn die Ätztemperatur zwischen
200°C und 300°C, insbesondere etwa 250°C beträgt.
Darüber hinaus ist es bevorzugt, wenn der Anteil der Halogen
verbindung in der oxidierenden Atmosphäre zwischen 1 und 10%
beträgt.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren der Zeich
nung näher dargestellt. Die Fig. 1 bis 4 zeigen eine sche
matische Darstellung einer Ausführungsform der erfindungsge
mäßen Verfahren.
Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt eines Siliziumwafers mit einem
Siliziumsubstrat 1. Der in Fig. 1 gezeigte Zustand eines Si
liziumwafers entspricht beispielsweise dem Zustand, den ein
Siliziumwafer in einem Standard-CMOS-Prozeß annimmt, nachdem
die Wannen der CMOS-Transistoren und die Isolation (nicht ge
zeigt) der einzelnen Transistoren bereits erzeugt worden ist.
Auf die Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 wird nun eine etwa
2 nm dicke Siliziumdioxidschicht 2 als Barriereschicht. Diese
Oxidschicht 2 kann beispielsweise durch eine thermische Oxi
dation erzeugt werden. Wird die thermische Oxidation in einer
Atmosphäre durchgeführt, die zusätzlich NO- bzw. N2O-Moleküle
enthält, so läßt sich eine nitridierte Siliziumdioxidschicht
2 herstellen.
Wie bereits in der Einleitung erwähnt ist es schwierig, die
Dicke einer solch dünnen Oxidschicht genau zu kontrollieren.
Da diese Oxidschicht jedoch nur eine Vorstufe zur Erzeugung
des eigentlichen Gatedielektrikums ist, können Schwankungen
in der Schichtdicke der Oxidschicht 2 hingenommen werden, oh
ne daß dies negative Auswirkungen auf die Funktion des noch
zu erzeugenden Transistors hat.
Auf die Oxidschicht 2 wird nachfolgend eine Titanschicht oder
Tantalschicht 3 als Metallschicht aufgebracht. Diese Titan
schicht oder Tantalschicht 3 wird durch eine Sputterprozeß
erzeugt. Die Schichtdicke der Titanschicht oder Tantalschicht
3 beträgt etwa 6 nm. Die sich daraus ergebende Situation ist
in Fig. 2 gezeigt.
Anschließend wird die Titanschicht oder Tantalschicht 3 durch
eine thermische Oxidation in eine Metalloxidschicht 3' umge
wandelt. Die Umwandlung findet einer Sauerstoffatmosphäre bei
etwa 600°C statt. Die thermische Oxidation der Metallschicht
führt zu einer sehr reinen und stöchiometrischen Metalloxid
schicht, die kaum Verunreinigungen aufweist. Außerdem werden
bei der thermischen Oxidation Sauerstoffatome aus der Silizi
umdioxidschicht 2 in die Metallschicht 3 gezogen, so daß die
Siliziumdioxidschicht 2 bei der thermischen Oxidation der Me
tallschicht nahezu vollständig entfernt wird. Auf diese Weise
entsteht eine sehr saubere Grenzfläche zwischen dem Silizium
substrat 1 und der Metalloxidschicht 3', was positiv auf die
Eigenschaften des späteren Feldeffekttransistors auswirkt.
Durch eine nachfolgende Temperung bei etwa 900°C läßt sich
eine Titanoxidschicht 3' in der sogenannten Rutile-Phase er
zeugen. Diese Temperung kann bereits bei der Erzeugung der
Titanoxidschicht erfolgen. Sie kann aber erst in einem späte
ren Prozeßschritt in der Herstellung einer integrierten
Schaltung durchgeführt werden.
Es folgt die Erzeugung einer Polysiliziumschicht 4 auf der
Metalloxidschicht 3'. Die sich daraus ergebende Situation ist
in Fig. 3 gezeigt. Je nach verwendetem Prozeß können auf die
Polysiliziumschicht 4 noch weitere Schichten beispielsweise
eine TEOS-Oxidschicht (nicht gezeigt) abgeschieden werden.
Es folgt eine Phototechnik, bei der die Polysiliziumschicht 4
strukturiert wird, so daß die Gatebahnen 5 erzeugt werden.
Die Gatebahnen 5 bilden wiederum eine Maske zur nachfolgenden
Ätzung der Metalloxidschicht 3'. Als Ätzgas wird eine Mi
schung aus CF4 und O2 verwendet. Die Temperatur der Ätzung
beträgt etwa 250°C. Dabei wird das Ätzgas durch eine HF-
Einkopplung oder eine Mikrowellenanregung zur Bildung eines
Plasmas angeregt. Das Verhältnis von CF4 zu O2 beträgt etwa
2% zu 98%.
Für die Ätzung selbst ist das frei werdende Fluor und die da
mit verbunden Reaktion des Metalloxids mit dem Fluor verant
wortlich. Es bilden sich flüchtige Metall-Fluor-Verbindungen.
Der Sauerstoff übernimmt die Aufgabe als Passivator für das
(Poly)Silizium. Durch Sauerstoff bildet sich SiO2 dessen
Bindungsenergie (ohne den Einsatz von zusätzlicher Ionenener
gie) zu hoch ist um durch den geringen Fluoranteil signifi
kant geätzt zu werden. Die Ätzung der Metalloxidschicht er
folgt daher sehr selektiv zu (Poly)Silizium bzw. zu Silizium
oxid. Die daraus ergebende Situation ist in Fig. 4 gezeigt.
Der Prozeß zur Herstellung des Transistors kann dann gemäß
einem Standard-CMOS-Verfahren fortgesetzt werden, um den
vollständigen Transistor zu erzeugen. Diese Schritte sind an
sich bekannt, so daß auf sie nicht weiter eingegangen werden
muß.
Claims (12)
1. Verfahren zur Herstellung einer Metalloxidschicht mit den
Schritten:
- a) eine Barriereschicht (2) wird bereitgestellt,
- b) auf die Barriereschicht (2) wird eine Metallschicht (3) aufgebracht, und
- c) die Metallschicht (3) wird in einer Sauerstoffatmosphäre thermisch oxidiert, so daß eine Metalloxidschicht (3') er zeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
als Barriereschicht (3) Siliziumdioxid oder nitridiertes Si
liziumdioxid verwendet wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
als Metall Titan, Tantal oder Aluminium verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Metall durch Sputtern auf die Barriereschicht (2) aufge
bracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Barriereschicht (2) zwischen 1 und 3 nm dick ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Metallschicht zwischen 5 und 15 nm dick ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Barriereschicht bei der thermischen Oxidation der Metall
schicht entfernt wird.
8. Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metalloxid
schicht mit den Schritten:
- a) eine Metalloxidschicht (3') wird bereitgestellt,
- b) auf die Metalloxidschicht (3') wird eine Maske (5) aufge bracht, und
- c) die Metalloxidschicht (3') wird entsprechend der Maske (5) in einer oxidierenden Atmosphäre bei einer Temperatur grö ßer als 130°C trocken geätzt, wobei die oxidierende Atmo sphäre zumindest eine Halogenverbindung, insbesondere CF4, aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Metalloxidschicht (3') gemäß einem Verfahren nach einem
der Ansprüche 1 bis 7 erzeugt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Maske (5) eine Polysiliziummaske ist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Ätztemperatur zwischen 200°C und 300°C, insbesondere etwa
250°C beträgt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Anteil der Halogenverbindung in der oxidierenden Atmo
sphäre zwischen 1 und 10% beträgt.
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