DE19854847A1 - Integrierte Verstärkeranordnung - Google Patents

Abstract

In der Nachrichtentechnik ergibt sich häufig die Notwendigkeit, zwei Verstärkerstufen wechselweise zu deaktivieren. Die Verstärkerstufen werden hierzu üblicherweise über getrennte Steuerleitungen im Gegentakt angesteuert. Derartige Steuerleitungen ermöglichen insbesondere in Hochfrequenzanwendungen die unerwünschte Einkopplung von Störungen in die Verstärkerstufen und in nachfolgende Schaltungsteile. Die neue Verstärkeranordnung soll die wechselweise Deaktivierung zweier Verstärkerstufen erlauben und eine hohe Hochfrequenzstörfestigkeit aufweisen. DOLLAR A Die als integrierter Schaltkreis ausgeführte Verstärkeranordnung weist neben den beiden Verstärkerstufen eine Schaltstufe auf, über die die eine Verstärkerstufe zu ihrer Deaktivierung eingangsseitig mit einem auf einem Bezugspotential liegenden Bezugspotentialanschluß niederohmig verbindbar ist. Die eine Verstärkerstufe ist dabei vorzugsweise dann niederohmig mit dem Bezugspotentialanschluß verbunden, wenn die am Verstärkereingang der anderen Verstärkerstufe anstehende Eingangsspannung einen Gleichspannungs-Arbeitspunkt aufweist, bei dem diese andere Verstärkerstufe aktiviert ist. DOLLAR A Verstärkung von Hochfrequenzsignalen.

Description

In der Nachrichtentechnik ergibt sich häufig die Notwendigkeit, zwei Ver­ stärkerstufen wechselweise zu deaktivieren. Die Verstärkerstufen werden hierzu üblicherweise über getrennte Steuerleitungen im Gegentakt ange­ steuert. Derartige Steuerleitungen ermöglichen insbesondere in Hochfre­ quenzanwendungen die unerwünschte Einkopplung von Störungen in die Verstärkerstufen und in nachfolgende Schaltungsteile.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Verstärkeranordnung mit zwei wechselweise deaktivierbaren Verstärkerstufen anzugeben, die ko­ stengünstig herstellbar ist und eine hohe Hochfrequenzstörfestigkeit auf­ weist.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale im Patentanspruch 1 gelöst. Vor­ teilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen ergeben sich aus den Un­ teransprüchen.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß Verstärkerstufen durch niederohmiges Verbinden ihrer Verstärkereingänge mit einem auf einem Bezugspotential liegenden Bezugspotentialanschluß, d. h. durch Kurzschlie­ ßen der Verstärkereingänge gegen Bezugspotential, in einen inaktiven Zu­ stand schaltbar sind. Erfindungsgemäß werden zur Bildung einer integrier­ ten Verstärkeranordnung zwei, jeweils einen Verstärkereingang aufweisen­ de Verstärkerstufen und eine Schaltstufe, über die die Verstärkereingänge der Verstärkerstufen miteinander verbunden sind, in einen Schaltkreis inte­ griert. Bei dieser Verstärkeranordnung wird der Verstärkereingang der zweiten Verstärkerstufe über die Schaltstufe nach Maßgabe einer am Ver­ stärkereingang der ersten Verstärkerstufe anstehenden ersten Eingangs­ spannung, vorzugsweise nach Maßgabe des Gleichspannungs-Arbeitspunktes der ersten Eingangsspannung, niederohmig mit dem Bezugspotentialan­ schluß verbunden, und somit gegen ein Bezugspotential, beispielsweise ge­ gen ein Massepotential, kurzgeschlossen. Hierdurch wird die zweite Verstär­ kerstufe deaktiviert.

Der Verstärkereingang der zweiten Verstärkerstufe ist vorzugsweise dann gegen das Bezugspotential kurzgeschlossen, wenn die erste Eingangsspan­ nung einen Gleichspannungs-Arbeitspunkt aufweist, bei dem die erste Ver­ stärkerstufe aktiviert ist, d. h. dann, wenn der Verstärkereingang der ersten Verstärkerstufe nicht über externe Schaltmittel gegen Bezugspotential kurzgeschlossen ist und der Gleichspannungs-Arbeitspunkt der ersten Ein­ gangsspannung somit größer ist als eine vorgegebene Schaltschwelle. Ist hingegen der Verstärkereingang der ersten Verstärkerstufe gegen Bezugs­ potential kurzgeschlossen, dann liegt der Gleichspannungs-Arbeitspunkt der ersten Eingangsspannung unter der vorgegebenen Schaltschwelle und die erste Verstärkerstufe ist somit deaktiviert. In diesem Fall ist der Verstär­ kereingang der zweiten Verstärkerstufe vom Verstärkereingang der ersten Verstärkerstufe entkoppelt, d. h. die Deaktivierung der zweiten Verstärker­ stufe ist aufgehoben.

Die wesentlichen Vorteile der erfindungsgemäßen Verstärkeranordnung liegen darin, daß zur wechselweisen Deaktivierung der Verstärkerstufen kei­ ne separaten Anschlüsse benötigt werden, daß die Schaltstufe mit wenigen und auf einfache Weise integrierbaren Bauteilen herstellbar ist - das Kurz­ schließen des Verstärkereingangs der zweiten Verstärkerstufe erfolgt vor­ zugsweise über einen, beispielsweise als Feldeffekt-Transistor ausgeführten Schalter -, daß sie aufgrund der geringen Anzahl von Anschlüssen und Schal­ tungsteilen geringe Abmessungen aufweist und daher auf einer Leiterplatte wenig Platz beansprucht, und daß sie sich mit wenigen Leitungen verdrah­ ten läßt, was insbesondere in Hochfrequenzanwendungen, beispielsweise in Fernsehtunern, einen wesentlichen Vorteil darstellt, da aufgrund der gerin­ gen Anzahl von externen Leitungen eine kurze Leitungsführung möglich ist, wodurch Hochfrequenz-Störeinkopplungen vermieden werden.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Verstär­ keranordnung läßt sich die Schaltstufe zusätzlich über den Verstärkerein­ gang der zweiten Verstärkerstufe ansteuern - die Schaltstufe weist hierzu vorzugsweise einen weiteren, beispielsweise als Feldeffekt-Transistor ausge­ führten Schalter -, so daß der Verstärkereingang der ersten Verstärkerstufe über die Schaltstufe nach Maßgabe des Gleichspannungs-Arbeitspunktes einer am Verstärkereingang der zweiten Verstärkerstufe anstehenden zwei­ ten Eingangsspannung gegen Bezugspotential kurzgeschlossen wird. Der Anwender hat dann die Möglichkeit, denjenigen der Verstärkereingänge zur Deaktivierung der Verstärkerstufen zu wählen, der bei der Verdrahtung der Verstärkeranordnung eine möglichst kurze und kreuzungsfreie Leitungsfüh­ rung ermöglicht.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Verstärkeranordnung weist jede der beiden Verstärkerstufen einen als Feldeffekt-Transistor ausgeführten Verstärkertransistor auf, der in Sourceschaltung betrieben ist, und der vor­ zugsweise zwei Gate-Elektroden aufweist, von denen die erste mit dem Ver­ stärkereingang der jeweiligen Verstärkerstufe verbunden ist und die zweite mit einem Verstärkungs-Steueranschluß verbunden ist, über den die Ver­ stärkung oder Steilheit des jeweiligen Verstärkertransistors steuerbar ist. Der wesentliche Vorteil der in Sourceschaltung betriebenen Vestärkertransi­ storen liegt darin, daß diese bei kurzgeschlossenen Verstärkereingängen gesperrt sind, so daß in den Verstärkerstufen im deaktivierten Zustand kein Strom fließt.

Die Verstärkeranordnung ist bestens für den Einsatz in Hochfrequenzschal­ tungen, insbesondere in Fernsehtunern, geeignet, in denen eines von zwei sich in der Frequenz voneinander unterscheidenden Eingangssignalen zur Weiterverarbeitung ausgewählt wird und in jeweils einem von zwei an die Frequenz der Eingangssignale angepaßten Signalzweigen verstärkt wird.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Figuren näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Prinzipdarstellung der erfindungsgemäßen Verstär­ keranordnung,

Fig. 2 ein ersten Ausführungsbeispiel der Verstärkeranordnung aus Fig. 1,

Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel der Verstärkeranordnung aus Fig. 1.

Gemäß Fig. 1 umfaßt die erfindungsgemäße integrierte Verstärkeranord­ nung IC zwei Verstärkerstufen V1, V2 mit jeweils einem Verstärkereingang IN1 bzw. IN2, jeweils einem Verstärkerausgang OUT1 bzw. OUT2 und jeweils einem mit einem Bezugspotentialanschluß GND verbundenen Anschluß, an dem ein Bezugspotential, beispielsweise Massepotential, ansteht, sowie eine mit den Verstärkereingängen IN1, IN2 verbundene Schaltstufe SW auf. Die Verstärkerstufen V1, V2 können ferner jeweils einen mit einem Verstär­ kungs-Steueranschluß AGC verbundenen Anschluß zur Verstärkungssteue­ rung aufweisen.

Die Schaltstufe SW weist einen Schalter M1 auf, dessen Steueranschluß mit dem Verstärkereingang IN1 der ersten Verstärkerstufe V1 verbunden ist und über dessen Schaltstrecke der Verstärkereingang IN2 der zweiten Verstär­ kerstufe V2 mit dem Bezugspotentialanschluß verbunden ist.

Am Verstärkereingang IN1 der ersten Verstärkerstufe V1 stellt sich ein von einer internen Beschaltung der Verstärkerstufe V1 und ggf. von einer exter­ nen Beschaltung abhängiger Gleichspannungs-Arbeitspunkt ein. Diesem wird ein zu verstärkendes Hochfrequenzsignal zur Bildung einer ersten Ein­ gangsspannung U1 überlagert. Der Gleichspannungs-Arbeitspunkt am Ver­ stärkereingang IN1, d. h. der Gleichanteil der zwischen dem Verstärkerein­ gang IN1 und dem Bezugspotential anstehenden ersten Eingangsspannung U1, ist, falls der Verstärkereingang IN1 nicht über externe Schaltungsmittel gegen Bezugspotential kurzgeschlossen ist, größer ist als eine vorgegebene Schaltschwelle des Schalters M1. Der Verstärkereingang IN2 der zweiten Ver­ stärkerstufe V2 ist dann über die Schaltstrecke des Schalters M1 gegen Be­ zugspotential kurzgeschlossen, so daß sich am Verstärkereingang IN2 ein im wesentlichen dem Bezugspotential gleicher Gleichspannungs-Arbeitspunkt einstellt, bei dem die zweite Verstärkerstufe V2 inaktiv ist. Ein dem Verstär­ kereingang IN2 zugeführtes Hochfrequenzsignal wird dann über den Schal­ ter M1 an der Verstärkerstufe V2 vorbeigeleitet und somit nicht verstärkt. Entsprechend stellt sich am Verstärkereingang IN1, falls dieser über externe Schaltungsmittel gegen Bezugspotential kurzgeschlossen wird, ein im we­ sentlichen dem Bezugspotential gleicher Gleichspannungs-Arbeitspunkt ein, so daß die erste Verstärkerstufe V1 deaktiviert wird und die Schaltstrecke des Schalters M1 geöffnet wird. Am Verstärkereingang IN2 stellt sich daher ein von der internen Beschaltung der Verstärkerstufe V2 und ggf. von einer externen Beschaltung abhängiger Gleichspannungs-Arbeitspunkt ein bei dem die zweite Verstärkerstufe V2 aktiv ist. Die am Verstärkereingang IN2 anstehende, aus einem Gleichspannungsanteil und einem Hochfrequenzan­ teil zusammengesetzte zweite Eingangsspannung U2 wird somit in der zwei­ ten Verstärkerstufe V2 verstärkt.

Die Schaltstufe SW kann, wie in der Fig. 1 gestrichelt dargestellt, auch ei­ nen weiteren Schalter M2 aufweisen, dessen Steueranschluß mit dem Ver­ stärkereingang IN2 der zweiten Verstärkerstufe V2 verbunden ist und über dessen Schaltstrecke der Verstärkereingang IN1 der ersten Verstärkerstufe V1 mit dem Bezugspotentialanschluß GND verbunden ist. Die Verstärkerstu­ fen V1, V2 lassen sich dann entweder über den Verstärkereingang IN1 oder über den Verstärkereingang IN2 deaktivieren, was für den Anwender bei der Verdrahtung der Verstärkeranordnung IC vorteilhaft ist.

Gemäß Fig. 2 weisen die Verstärkerstufen V1, V2 jeweils einen Verstärker­ transistor M10 bzw. M20 als Verstärkerelement und jeweils einen Stelltransi­ stor M11 bzw. M21 zur Arbeitspunkteinstellung auf. Die Verstärkertransisto­ ren M10, M20 und Stelltransistoren M11, M21 sind dabei jeweils als Feldef­ fekt-Transistoren mit zwei Gate-Elektroden ausgeführt, von denen die erste jeweils einen Signaleingang und die zweite jeweils einen Steuereingang zur Steuerung der Steilheit des jeweiligen Feldeffekt-Transistors M10 bzw. M20 bzw. M11 bzw. M21 bildet. Der Verstärkertransistor M10 der ersten Verstär­ kerstufe V1 ist dabei mit seiner ersten Gate-Elektrode G11 an den Verstär­ kereingang IN1, mit seiner zweiten Gate-Elektrode G12 an den Verstärkungs- Steueranschluß AGC, mit seiner Source-Elektrode S1 an den Bezugspoten­ tialanschluß GND und mit seiner Drain-Elektrode D1 an den Verstärkeraus­ gang OUT1 angeschlossen, und der Stelltransistor M11 der ersten Verstärker­ stufe V1 ist mit seiner Drain-Elektrode über den Widerstand R1 an den Ver­ stärkerausgang OUT1 und über die Widerstände R10, R11 an den Verstär­ kereingang IN1 angeschlossen, sowie mit seiner ersten Gate-Elektrode an seine Drain-Elektrode, mit seiner zweiten Gate-Elektrode an den Verstär­ kungs-Steueranschluß AGC und mit seiner Source-Elektrode an den Bezugs­ potentialanschluß GND angeschlossen.

Entsprechend ist der Verstärkertransistor M20 der zweiten Verstärkerstufe V2 mit seiner ersten Gate-Elektrode G21 an den Verstärkereingang IN2, mit seiner zweiten Gate-Elektrode G22 an den Verstärkungs-Steueranschluß AGC, mit seiner Source-Elektrode S2 an den Bezugspotentialanschluß GND und mit seiner Drain-Elektrode D2 an den Verstärkerausgang OUT2 angeschlossen, und der Stelltransistor M21 der zweiten Verstärkerstufe V2 ist mit seiner Drain-Elektrode über den Widerstand R2 an den Verstärkerausgang OUT2 und über die Widerstände R20, R21 an den Verstärkereingang IN2 ange­ schlossen, sowie mit seiner ersten Gate-Elektrode an seine Drain-Elektrode, mit seiner zweiten Gate-Elektrode an den Verstärkungs-Steueranschluß AGC und mit seiner Source-Elektrode an den Bezugspotentialanschluß GND ange­ schlossen.

Die Verstärkerausgänge OUT1, OUT2 sind demnach als sogenannte Open- Drain-Anschlüsse ausgeführt, d. h. die Verstärkerstufen V1, V2 werden über die in der Fig. 2 nicht gezeigte äußere Beschaltung der Verstärkerausgänge OUT1, OUT2 mit Strom versorgt. Der wesentliche Vorteil der in Sourceschal­ tung betriebenen Verstärkertransistoren M10, M20 liegt darin, daß deren Schwellenspannungen derart wählbar sind, daß sie bei kurzgeschlossenen Verstärkereingängen IN1, IN2 gesperrt sind, und somit in den Verstärkerstu­ fen V1, V2 im deaktivierten Zustand kein Strom fließt und auch keine even­ tuell noch an den Verstärkereingängen IN1, IN2 anstehende Hochfrequenz­ signalanteile verstärkt werden.

Der Schalter M1 ist ebenso wie die Verstärker und Stelltransistoren als Fel­ deffekt-Transistor ausgeführt. Er ist mit seiner Gate-Elektrode über den Wi­ derstand R11 an den Verstärkereingang IN1 der ersten Verstärkerstufe V1, mit seiner Drain-Elektrode über den Widerstand R21 an den Verstärkerein­ gang IN2 der zweiten Verstärkerstufe V2 und mit seiner Source-Elektrode an den Bezugspotentialanschluß GND angeschlossen. Die Widerstände R11 bzw. R21 dienen dabei der hochfrequenzmäßigen Entkopplung des Schalters M1 von den Verstärkereingängen IN1 bzw. IN2.

Über die Widerstände R1, R10 bzw. R2, R20 werden die Stelltransistoren M11 bzw. M21 von den jeweiligen Verstärkerausgängen OUT1 bzw. OUT2 und den jeweiligen Verstärkereingängen IN1 bzw. IN2 hochfrequenzmäßig entkop­ pelt. Die Stelltransistoren M11, M12 werden somit im wesentlichen nur durch die Gleichspannungsanteile der an den jeweiligen Verstärkereingän­ gen IN1 bzw. IN2 und den jeweiligen Verstärkerausgängen OUT1 bzw. OUT2 anstehenden Spannungen angesteuert. Sie wirken einem Anstieg des Gleichspannungsanteils der an den Verstärkerausgängen OUT1, OUT2 anste­ henden Spannungen entgegen, indem sie vom jeweiligen Verstärkerein­ gang IN1 bzw. IN2 einen größeren Strom zum Bezugspotentialanschluß GND ableiten und bewirken somit eine Stabilisierung der Arbeitspunkte der Ver­ stärkerstufen V1, V2.

Die Verstärkeranordnung aus Fig. 3 unterscheidet sich von jener aus Fig. 2 dadurch, daß die Stelltransistoren M11, M21 drainseitig jeweils nur noch über den Widerstand R10 bzw. R20 mit dem entsprechenden Verstärkerein­ gang IN1 bzw. IN2 verbunden sind, daß die Schaltstufe SW mit dem Feldef­ fekt-Transistor M2 einen weiteren Schalter aufweist, der gateseitig mit dem Verstärkereingang IN2 der zweiten Verstärkerstufe V2, drainseitig mit dem Verstärkereingang IN1 der ersten Verstärkerstufe V1 und sourceseitig mit dem Bezugspotentialanschluß GND verbunden ist, und daß die Feldeffekt- Transistoren M1 und M2 in ihren Drain-Zweigen Widerstände R21a, R21b zur Begrenzung der durch sie fließenden Ströme und in ihren Gate-Zweigen Widerstände R11a, R11b zur hochfrequenzmäßigen Entkopplung ihrer Gate- Elektroden von den jeweiligen Verstärkereingängen IN1, IN2 aufweisen. Die Widerstände R11a und R21a entsprechen dabei den Widerständen R11 bzw. R21 aus Fig. 2. Der zusätzliche Feldeffekt-Transistor M2, der dem in Fig. 1 gestrichelt gezeichneten Schalter M2 entspricht, ermöglicht alternativ die Deaktivierung der Verstärkerstufen auch über den Verstärkereingang IN2. Die Schwellenspannungen der beiden Feldeffekt-Transistoren M1, M2 sind dabei zweckmäßigerweise etwas geringer gewählt als jene der Verstärker­ transistoren M10, M20.

Sämtliche Feldeffekt-Transistoren der Verstärkeranordnungen IC aus den Fig. 2 und 3 weisen N-Leitfähigkeit auf; sie sind vorzugsweise als N-Kanal- MOS-Transistoren ausgebildet und lassen die sich mit geringem technologi­ schen Aufwand in einen Schaltkreis integrieren.

Claims (11)

1. Integrierte Verstärkeranordnung mit einer ersten und einer zweiten, je­ weils einen Verstärkereingang (IN1, IN2) aufweisenden Verstärkerstufe (V1, V2) und mit einer mit den Verstärkereingängen (IN1, IN2) der Verstärkerstu­ fen (V1, V2) verbundenen Schaltstufe (SW), über die der Verstärkereingang (IN2) der zweiten Verstärkerstufe (V2) nach Maßgabe einer am Verstärkerein­ gang (IN1) der ersten Verstärkerstufe (V1) anstehenden ersten Eingangs­ spannung (U1) niederohmig mit einem auf einem Bezugspotential liegenden Bezugspotentialanschluß (GND) verbindbar ist.

2. Integrierte Verstärkeranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, der Verstärkereingang (IN2) der zweiten Verstärkerstufe (V2) dann nie­ derohmig mit dem Bezugspotentialanschluß (GND) verbunden ist, wenn die erste Eingangsspannung (U1) einen Gleichspannungs-Arbeitspunkt aufweist, bei dem die erste Verstärkerstufe (V1) aktiviert ist.

3. Integrierte Verstärkeranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Schaltstufe (SW) einen Schalter (M1) mit einer mit dem Verstärkereingang (IN1) der ersten Verstärkerstufe (V1) verbundenen Steu­ erelektrode und mit einer Schaltstrecke aufweist, über die der Verstär­ kereingang (IN2) der zweiten Verstärkerstufe (V2) mit einem auf dem Be­ zugspotential liegenden Bezugspotentialanschluß (GND) verbunden ist.

4. Integrierte Verstärkeranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schalter (M1) der Schaltstufe (SW) als Feldeffekt-Transistor aus­ geführt ist, der gateseitig mit dem Verstärkereingang (IN1) der ersten Ver­ stärkerstufe (V1), drainseitig mit dem Verstärkereingang (IN2) der zweiten Verstärkerstufe (V2) und sourceseitig mit dem Bezugspotentialanschluß (GND) verbunden ist.

5. Integrierte Verstärkeranordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Schaltstufe (SW) einen weiteren Schalter (M2) mit ei­ ner mit dem Verstärkereingang (IN2) der zweiten Verstärkerstufe (V2) ver­ bundenen Steuerelektrode und mit einer Schaltstrecke aufweist, über die der Verstärkereingang (IN1) der ersten Verstärkerstufe (V1) mit dem Bezugs­ potentialanschluß (GND) verbunden ist.

6. Integrierte Verstärkeranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich­ net, daß der weitere Schalter (SW2) der Schaltstufe (SW) als Feldeffekt- Transistor ausgeführt ist, der gateseitig mit dem Verstärkereingang (IN2) der zweiten Verstärkerstufe (V2), drainseitig mit dem Verstärkereingang (IN1) der ersten Verstärkerstufe (V1) und sourceseitig mit dem Bezugspoten­ tialanschluß (GND) verbunden ist.

7. Integrierte Verstärkeranordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkerstufen (V1, V2) jeweils einen als Feldeffekt-Transistor ausgeführten Verstärkertransistor (M10, M20) in Sour­ ceschaltung als Verstärkerelement aufweisen.

8. Integrierte Verstärkeranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeich­ net, daß der Verstärkertransistor (M10, M20) jeder Verstärkerstufe (V1, V2) eine mit dem Verstärkereingang (IN1, IN2) der jeweiligen Verstärkerstufe (V1, V2) verbundene erste Gate-Elektrode (G11, G21), eine mit einem Verstär­ kungs-Steueranschluß (AGC) verbundene zweite Gate-Elektrode (G12, G22), eine mit dem Bezugspotentialanschluß (GND) verbundenen Source-Elektrode (S1, S2) und eine mit einem Verstärkerausgang (OUT1, OUT2) der jeweiligen Verstärkerstufe (V1, V2) verbundene Drain-Elektrode (D1, D2) aufweist.

9. Integrierte Verstärkeranordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Verstärkerstufe (V1, V2) zur Ar­ beitspunkteinstellung einen als Feldeffekt-Transistor ausgeführten Stelltran­ sistor (M11, M21) mit einer über Widerstände (R1, R10, R2, R20) mit dem Ver­ stärkerausgang (OUT1, OUT2) und dem Verstärkereingang (IN1, IN2) der je­ weiligen Verstärkerstufe (V1, V2) verbundenen Drain-Elektrode, einer mit seiner Drain-Elektrode verbundenen ersten Gate-Elektrode und einer mit dem Bezugspotentialanschluß (GND) verbundenen Source-Elektrode auf­ weist.

10. Integrierte Verstärkeranordnung nach Anspruch 8 und 9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Stelltransistoren (M11, M21) jeweils eine mit dem Ver­ stärkungs-Steueranschluß (AGC) verbundene zweite Gate-Elektrode aufwei­ sen.

11. Integrierte Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldeffekt-Transistoren (M1, M2, M10, M11, M20, M21) als N-Kanal-Transistoren ausgebildet sind.