DE19854396C2 - Sensormodul - Google Patents
SensormodulInfo
- Publication number
- DE19854396C2 DE19854396C2 DE19854396A DE19854396A DE19854396C2 DE 19854396 C2 DE19854396 C2 DE 19854396C2 DE 19854396 A DE19854396 A DE 19854396A DE 19854396 A DE19854396 A DE 19854396A DE 19854396 C2 DE19854396 C2 DE 19854396C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit board
- sensor module
- sensor
- module according
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/0091—Housing specially adapted for small components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
Ein solches Sensormodul ist aus der DE 196 51 261 A1 bekannt. Das
Sensormodul umfasst eine Leiterplatte, an der zumindest ein Anschlußflächen
aufweisender Halbleiterbaustein signalleitend festgelegt ist, wobei der
Halbleiterbaustein mit zumindest einem Sensor zur Erfassung externer Signale
versehen ist, wobei der Sensor und die Anschlussflächen auf der selben Seite
des Halbleiterbausteins angeordnet sind, wobei die Leiterplatte zumindest ein
Fenster aufweist und wobei der Halbleiterbaustein mit hinter dem Fenster
befindlichem Sensor an der Leiterplatte hermetisch dicht befestigt ist.
Aus der WO 96/24162 ist zum Schutz vor ungewollten mechanischen und/oder
chemischen äußeren Einflüssen ein elektronisches Bauelement auf einer
flexiblen Leiterplatte angeordnet, das hermetisch dicht verschlossen ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Sensormodul kleiner Abmessungen der eingangs
genannten Art zu zeigen, das sich bei einfacherer Herstellbarkeit durch eine
besonders hohe Zuverlässigkeit während der bestimmungsgemäßen
Verwendung auszeichnet, auch bei mechanischer Belastung des Sensors und
dass nur die tatsächlich zu sensierenden Signale erfasst und Fremdsignale
abgeschirmt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem Sensormodul der eingangs
genannten Art mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Auf vorteilhafte
Ausgestaltungen nehmen die Unteransprüche Bezug.
Bei dem erfindungsgemäßen Sensormodul ist es vorgesehen, dass die
Leiterplatte flexibel ist, dass der Halbleiterbaustein von einem starren
Doppelrahmen umschlossen ist und dass die Leiterplatte zwischen den den
Doppelrahmen bildenden Rahmenhälften zumindest entlang eines ringförmig in
sich geschlossenen Linienzugs eingeklemmt ist. Bei mechanischer Belastung
des Sensors z. B. durch Druckausübung, hat es sich als vorteilhaft erwiesen,
wenn der Halbleiterbaustein von einem starren Doppelrahmen umschlossen ist
und wenn die Leiterplatte zwischen dem den Doppelrahmen bildenden
Rahmenhälften zumindest entlang eines ringförmig in sich geschlossenen
Linienzuges eingeklemmt ist. Hierdurch läßt sich nicht nur der Sensor häufig
besonders einfach und sicher montieren sondern durch entsprechende .
Gestaltung der Rahmenhälften zusätzlich sicherstellen, dass nur die tatsächlich
zu sensierenden Signale erfaßt und Fremdsignale abgeschirmt werden und die
Anschlußflächen zwischen flexibler Leiterplatte und Sensor nicht belastet und
geschädigt werden.
Bei vielen Verwendungen des Sensormoduls kann es zu Relativbewegungen
zwischen dem auf einen Signalgeber ausgerichteten Halbleiterbaustein und der
damit verbundenen flexiblen Leiterplatte kommen. Um in solchen Fällen zu
verhindern, dass sich im Bereich der Übergangszone zwischen dem starren
Teil des Sensormoduls und der flexiblen Leiterplatte Knickeffekte im Bereich
der Leiterplatte ergeben, die zu einem vorzeitigen Ausfall des Sensormoduls
führen können, hat es sich als vorteilhaft bewährt, wenn zumindest eine
Rahmenhälfte in Richtung ihres äußeren Randes einen sich zunehmend
vergrößernden Abstand von der Leiterplatte hat. Zweckmäßigerweise ist der
Rand im Bereich des sich vergrößernden Abstandes von abgerundetem Profil.
Eine spiegelbildliche Ausbildung beider Rahmenhälften im Bereich des Randes
hat sich als vorteilhaft bewährt.
Um den Halbleiterbaustein noch besser zu schützen, hat es sich als vorteilhaft
bewährt, wenn die den Halbleiterbaustein umschließende Rahmenhälfte den
Halbleiterbaustein mit einem flüssigkeitsdichten Boden überdeckt. Störende
Umgebungseinflüsse können hierdurch in besonders vorteilhafter Weise von
dem Halbleiterbaustein ferngehalten werden. Durch den Boden kann außerdem
eine latente Verpressung zwischen dem Halbleiterbaustein und der flexiblen
Leiterplatte bewirkt werden, was die Gefahr vermindert, dass Wasser oder
Fremdstoffe in diesen kritischen Bereich einzudringen vermögen. Der
erforderliche Preßsitz läßt sich erreichen, indem die Tiefe des in der .
Rahmenhälfte ausgesparten Hohlraums 0,1 bis 0,2 mm kleiner ist als die Höhe
des Halbleiterbausteins.
Die Rahmenhälften haben normalerweise keine Sensorfunktion. Sie können
dadurch auf beliebige Weise an der flexiblen Leiterplatte festgelegt werden,
beispielsweise durch eine Einschnappverbindung oder ähnlich. Als vorteilhaft
hat es sich bewährt, wenn die beiden Rahmenhälften durch die Leiterplatte
hindurch vernietet oder verschraubt sind. Zumindest eine Rahmenhälfte kann
dabei gegebenenfalls einen Bestandteil eines sekundären Elementes bilden,
beispielsweise eines Gehäuses.
Der Halbleiterbaustein weist nur eine einzige aktive Oberfläche auf, was es
erleichtert, ihn unter Verwendung mechanischer Montageeinrichtungen auf der
flexiblen Leiterplatte an einer präzise vorherbestimmbaren Stelle zu plazieren
und festzulegen. Die Gefahr, dass der Sensor und/oder die Anschlußfläche
beschädigt werden, ist deutlich reduziert. Außerdem besteht die Möglichkeit,
die flexible Leiterplatte während der Anbringung des Halbleiterbausteins auf
einer elastischen Unterlage federnd abzustützen und während einer
Verklebung ganzflächig federnd an den Halbleiterbaustein anzupressen.
Hierdurch läßt sich die Verklebung optimieren und die Gefahr verringern, dass
sich eine Beschädigung des Sensors und/oder der Anschlußfläche ergibt. Die
Herstellung einer elektrische Signale fehlerfrei leitenden Verbindung zwischen
dem Halbleiterbaustein und der flexiblen Leiterplatte ist dadurch wesentlich
vereinfacht. Für die Erzielung einer möglichst geringen Ausschußquote
während der Herstellung des Sensormoduls ist das von großem Vorteil.
Der Sensor kann eine aktive Sensorfläche haben, die unabhängig von der
Form und Größe des Fensters ausgebildet ist. Bei einer derartigen Auslegung
ergibt sich jedoch im allgemeinen stets entweder eine Nachteil hinsichtlich der
Ausnutzung der an sich zu Verfügung stehenden und zu detektierenden
Signale bzw. der benötigten Baugröße. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung
wird daher eine Ausführung bevorzugt, bei der der Sensor eine aktive
Sensorfläche hat, die mit der Form und Größe des Fensters im wesentlichen
übereinstimmt.
Bei den gebräuchlichen, flexiblen Leiterplatten bilden die Leiter im allgemeinen
Vorsprünge, die die Oberfläche einer Trägerfolie überragen. Für die direkte
Montage des Halbleiterbausteins auf ein Schaltungssubstrat sind
Anschlußhöcker zwischen Sensor- und Schaltungssubstrat-Ausschlußflächen
erforderlich, um definierte Anschlußfläche herstellen zu können, wobei die
Anschlußhöcker vorzugsweise auf den Anschlußflächen des Halbleiterbau
steins hergestellt werden und eine Höhe zwischen 5 bis 120 µm besitzen
können. Dadurch besteht die Möglichkeit, dass sich im Anschlußflächenbereich
zwischen den Leitern, der Trägerfolie und dem Halbleiterbaustein Freiräume
ergeben, in die während der bestimmungsgemäßen Verwendung Feuchtigkeit
und/oder Fremdstoffe aus der Umgebung einzudringen vermögen, was zu
frühzeitigem Ausfall des Sensormoduls führen kann. Im Rahmen der
vorliegenden Erfindung wird daher eine Ausführung bevorzugt, bei der die
Freiräume vollständig mit einer porenfreien, elektrisch nichtleitenden,
polymeren Werkstoffschicht ausgefüllt sind. Das Eindringen von Feuchtigkeit
oder anderen Fremdstoffen aus der Umgebung ist dadurch völlig
ausgeschlossen.
Als zweckmäßig hat es sich erwiesen, wenn die Werkstoffschicht aus Klebstoff
besteht, insbesondere aus einem Klebstoff, der beim Verkleben nicht fließt.
Solche Kleber werden als No-Flow Kleber bezeichnet. Hierdurch wird
verhindert, dass beim Verkleben des Halbleiterbausteins mit der flexiblen
Leiterplatte Kleber austritt und die aktive Sensorfläche verschmutzt. Die
Sicherheit gegen evtl. Funktionsbeeinträchtigungen wird hierdurch weiter
verbessert.
Bei Verwendung niedrigviskoser Klebstoffe zum Ausfüllen des Spaltes
zwischen Sensor und flexibler Leiterplatte, kann das Austreten des Klebers auf
die aktive Sensorfläche sicher verhindert werden, wenn die aktive Sensorfläche
temporär von einer dicken Polymerschicht positionsgenau und spaltfrei
abgedeckt wird. Der Auftrag einer solchen Polymerschicht kann im Sieb- und
Schablonendruck erfolgen oder bei photosensitiver Polymerschicht im
photolithografischen Verfahren, wobei die Dicke der Polymerschicht im
ausgehärteten Zustand gleich oder größer der Spalthöhe ist und sich die
Polymerschicht in diesem Zustand leicht und rückstandsfrei abziehen läßt.
Wenn der Halbleiterbaustein und die Leiterplatte an zumindest einer Stelle
einen Abstand voneinander haben, besteht auch die Möglichkeit, den Abstand
mit einem porenfreien, elektrisch anisotrop nur in Richtung der Anschlußfläche
leitenden Klebstoff auszufüllen. Hierdurch wird in einem Arbeitsgang eine
elektrisch leitende, mechanisch haltbare Verbindung zwischen den
beiderseitigen Anschlußflächen hergestellt und zugleich jeder eventuell
vorhandene Freiraum mit dem Kleber ausgefüllt um den unerwünschten Zutritt
von Sekundärstoffen in den Zwischenraum auszuschließen.
Die Leiter werden auf der flexiblen Leiterplatte im allgemeinen unter
Anwendung von photochemischen Verfahren erzeugt, was es gestattet, sehr
feine, erhabene Strukturen auszubilden. Es ist dadurch mit keinem
Mehraufwand verbunden, wenn das Fenster auf der dem Halbleiterbaustein
zugewandten Seite von zumindest einem ringförmig ausgebildeten Leiter
umschlossen ist, der den Zweck hat, eine Dichtungszone zu bilden, die das
Durchtreten von Klebstoffbestandteilen zu der aktiven Sensorfläche während
der Verklebung des Halbleiterbausteins mit der flexiblen Leiterplatte verhindert.
Die diesbezügliche Sicherheit läßt sich vergrößern, wenn in Richtung des
Fensters mehrere entsprechend ausgebildete, ringförmige Leiter aufeinander
folgen, die einen Abstand voneinander haben und gemeinsam eine Art
Labyrinthdichtung bilden. Entsprechend ausgebildete Leiter können natürlich
zusätzlich auch eine elektrisch leitende Funktion übernehmen, ohne dass sich
eine Beeinträchtigung der Dichtfunktion ergibt. Legt man einen Ringleiter auf
die Außenseite der flexiblen Leiterplatte an Masse, dann kann dieser Ringleiter
als Berührungsschutz dienen, um für Sensor gefährliche, statische
Aufladungen aus Personenkontaktflächen abzuleiten.
Die flexible Leiterplatte wird zweckmäßig mit mindestens einem Verbindungsteil
versehen, dessen Ende für eine Direktkontaktierung in dem Stecker einer
elektronischen Baugruppe geeignet oder für eine Einbeziehung in eine
Lötverbindung geeignet ist.
Um eine ausgezeichnete Funktionssicherheit zu erreichen, ist es grundsätzlich
ausreichend, wenn das Sensormodul lediglich den Halbleiterbaustein umfaßt,
der unlösbar in einer flexiblen Leiterplatte festgelegt ist.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Sensormodul in quergeschnittener Darstellung
Fig. 1a ein Sensormodul ähnlich Fig. 1, bei dem der Sensor nach der "Chip
On Foil Methode" kontaktiert ist.
Fig. 1b ein Sensormodul ähnlich Fig. 1, bei dem der Sensor nach der "Tape
Automated Bonding Methode" kontaktiert ist.
Fig. 1c ein Sensormodul ähnlich Fig. 1, bei dem der Sensor nach der "Flip
Chip Methode" kontaktiert ist.
Fig. 2 eine beispielhafte Leiterplatte in einer Ansicht von oben.
Das in Fig. 1 gezeigte erfindungsgemäße Sensormodul umfaßt eine flexible Leiterplatte 1, an der
ein Halbleiterbaustein 2 signalleitend festgelegt ist, wobei der
Halbleiterbaustein 2 mit einem Sensor 3 zur Erfassung externer Signale
versehen ist. Die Anschlußflächen auf dem Halbleiterbaustein 2 sind mit dem
Bezugszeichen 13, die Anschlußflächen auf der flexiblen Leiterplatte 1 mit
Bezugszeichen 14 versehen. Der Sensor 3 und die Anschlußflächen 13 sind
auf der der flexiblen Leiterplatte 1 zugewandten Seite des Halbleiterbausteins 2
angeordnet, wobei die Leiterplatte 1 ein Fenster 4 aufweist und wobei der
Halbleiterbaustein 2 mit hinter dem Fenster 4 befindlichem Sensor 3 an der
Leiterplatte 1 befestigt ist. Die auf der flexiblen Leiterplatte 1 angeordneten
Leiter 6 überragen die dem Halbleiterbaustein 2 zugewandte Oberfläche
erhaben. Die flexible Leiterplatte 1 ist zusätzlich auf der dem Sensor 3
zugewandten Seite mit einer porenfreien, elektrisch nichtleitenden, polymeren
Werkstoffschicht 5 überdeckt, die aus einem durch zum Beispiel UV-
Bestrahlung voraktivierten Klebstoff 19 besteht, beispielsweise aus
photoreaktivem Epoxidharz. Zur Herstellung einer gegenseitigen, unlösbaren
Verbindung zwischen dem Halbleiterbaustein 2 und der flexiblen Leiterplatte 1
ist es vorgesehen, den Halbleiterbaustein 2 in der in Fig. 1 gezeigten Lage mit
der flexiblen Leiterplatte 1 zusammenzufügen und unter Anwendung von Druck
und Wärme zu verpressen. Dabei wird die Krafteinleitung auf der der flexiblen
Leiterplatte 1 zugewandten Seite unter Zwischenfügung eines elastisch
verformbare Kissens erzeugt. Hierbei ergibt sich vorübergehend eine
thermische Erweichung des Klebstoffs 19 mit der Folge, daß evtl. vorhandene
Zwischenräume zwischen dem Halbleiterbaustein 2 und der flexiblen
Leiterplatte 1 vollständig mit der porenfreien, elektrisch nichtleitenden,
polymeren Werkstoff 5 ausgefüllt werden, so daß zu einem späteren Zeitpunkt
Wasser oder andere Fremdstoffe nicht mehr in den Zwischenraum zwischen
beiden Teilen 1, 2 einzudringen vermögen. Hierdurch ist nicht nur eine sehr
zuverlässige Verbindung für elektrische Signale zwischen dem
Halbleiterbaustein 2 und der flexiblen Leiterplatte 1 gewährleistet sondern
zusätzlich eine hochgradige Funktionssicherheit. Die Ausschußquote bei der
Herstellung des Sensormoduls ist dementsprechend ganz besonders niedrig.
Um gegen mechanische Belastungen des Sensors z. B. durch Druckausübung,
eine bessere Widerstandsfähigkeit zu erhalten, ist es vorgesehen, daß der
Halbleiterbaustein 2 von einem starren Doppelrahmen 8 umschlossen ist,
wobei die Leiterplatte 1 zwischen den den Doppelrahmen 8 bildenden
Rahmenhälften 9, 10 zumindest entlang eines ringförmig in sich geschlossenen
Linienzuges eingeklemmt ist. Hierdurch läßt sich nicht nur der Halbleiterbau
stein 2 besonders einfach und sicher montieren sondern durch entsprechende
Gestaltung der Rahmenhälften 9, 10 zusätzlich sicherstellen, daß nur die
tatsächlich zu sensierenden Signale erfaßt und Fremdsignale abgeschirmt
werden und die Anschlußflächenbereiche 12 zwischen der flexiblen Leiterplatte
1 und dem Halbleiterbaustein 2 nicht belastet und geschädigt werden.
Bei vielen Verwendungen des Sensormoduls kann es zu Relativbewegungen
während der bestimmungsgemäßen Verwendung zwischen dem auf einen
Signalgeber ausgerichteten Halbleiterbaustein 2 und der damit verbundenen
flexiblen Leiterplatte 1 kommen. Um in solchen Fällen zu verhindern, daß sich
im Bereich der Übergangszone zwischen dem starren Halbleiterbaustein 2 und
der flexiblen Leiterplatte 1 Knickeffekte im Bereich der Leiterplatte 1 ergeben,
die zu einem vorzeitigen Ausfall des Sensormoduls führen können, hat es sich
als vorteilhaft bewährt, wenn zumindest eine Rahmenhälfte 9, 10 in Richtung
ihres äußeren Randes 11 einen sich zunehmend vergrößernden Abstand von
der Leiterplatte 1 hat. Zweckmäßigerweise ist der Rand 11 im Bereich des sich
vergrößernden Abstandes von abgerundetem Profil 25. Eine spiegelbildliche
Ausbildung beider Rahmenhälften 9, 10 im Bereich des Randes 11 hat sich als
vorteilhaft bewährt.
Um den Halbleiterbaustein 2 noch besser zu schützen, überdeckt die
Rahmenhälfte 9 den Halbleiterbaustein 2 mit einem flüssigkeitsdichten Boden
24. Störende Umgebungseinflüsse können hierdurch in besonders vorteilhafter
Weise von dem Halbleiterbaustein 2 ferngehalten werden. Durch den Boden 24
wird außerdem eine latente Verpressung zwischen dem Halbleiterbaustein 2
und der flexiblen Leiterplatte 1 bewirkt, was die Gefahr vermindert, daß Wasser
oder Fremdstoffe in diesen kritischen Bereich einzudringen vermögen. Der
erforderliche Preßsitz läßt sich erreichen, indem die Tiefe 26 des in der
Rahmenhälfte 9 ausgesparten Hohlraums 0,1 bis 0,2 mm kleiner ist als die
Höhe 28 des Halbleiterbausteins 2.
Die Rahmenhälften 9, 10 haben normalerweise keine Sensorfunktion. Sie
können dadurch auf beliebige Weise an der flexiblen Leiterplatte 1 festgelegt
werden, beispielsweise durch in Fig. 1 die gezeigte Nietverbindung 29, eine
gegenseitige Verschraubung oder ähnlich. Zumindest eine Rahmenhälfte 9, 10
kann dabei gegebenenfalls einen Bestandteil eines sekundären Elementes
bilden, beispielsweise eines Gehäuses.
Die Oberflächen der Rahmenhälfte 10 können metallisiert sein
beziehungsweise die Rahmenhälfte 10 kann aus einem Metallteil bestehen, um
einen Berührungsschutz auszubilden, der für den Sensor 3 gefährliche
statische Aufladungen durch Personenkontakte ableitet.
Die Fig. 1a bis 1c zeigen verschiedene Kontaktierungsmethoden für die
Direktmontage des Senors 3 auf einer flexiblen Leiterplatte 1, die im Rahmen
der vorliegenden Erfindung zur Anwendung gelangen können.
Fig. 1a zeigt eine Methode zur Direktmontage ungehäuster Halbleiterbausteine
2, bei der die Anschlußfläche 13, 14 zwischen dem Halbleiterbaustein 2 und
der Leiterplatte 1 mit angebondeten Drähten 15 hergestellt werden. Der
Anschlußflächenbereich 12 wird mit einer polymeren Kapselmasse 16
versiegelt.
Fig. 1b zeigt eine Methode zur Direktmontage ungehäuster Halbleiterbausteine
2, wobei die Leiterplatte 1 freistehende Kontaktleiter 14 aufweist, die direkt mit
den Anschlußflächen 13 des Halbleiterbausteins 2 kontaktiert werden. Der
Kontaktbereich 12 wird mit einer polymeren Kapselmasse 16 versiegelt.
Fig. 1c zeigt eine Methode zur Direktmontage ungehäuster Halbleiterbausteine
2, wobei die Anschlußfläche 13 der Halbleiterbausteine 2 direkt gegenüber den
Anschlußflächen 14 der Leiterplatte 1 liegen und die Anschlußfläche 13, 14
zwischen Halbleiterbaustein 2 und Leiterplatte 1 mit Hilfe von Anschlußhöckern
18 hergestellt werden. Der Spalt zwischen dem Halbleiterbaustein 2 und der
Leiterplatte 1 wird mit einem isolierenden Klebstoff 19 ausgefüllt. Die Leiter 6
sind außerhalb des Anschlußflächenbereichs mit Deckfolie oder Decklack 22
abgedeckt.
Bei allen Ausführungsformen ist es erforderlich, die Anschlußfläche 13, 14 vor
einem direkten Zugriff und der Einwirkung von Schubkräften zu schützen, die
sich beispielsweise bei Temperaturwechseln als Folge von unterschiedlichen
Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leiterbahn 1 und des Halbleiterbausteins
2 ergeben können. Deswegen sind der Halbleiterbaustein 2 und die flexible
Leiterbahn 1 bei allen vorstehend beschriebenen Ausführungen miteinander zu
verkleben.
Bei den Methoden 1a und 1b gelangt bevorzugt zu diesem Zweck eine
polymere Werkstoffschicht 5, die als Klebefolie mit No-Flow Charakteristik
ausgebildet ist, zur Anwendung. Dabei wird auf der flexiblen Leiterplatte 1 vor
dem Freilegen des Fensters und der Anschlußbereiche 12 ein nichtfließender
Kleber (sogenannte No-Flow-Kleber) in Form einer Kleberfolie angeheftet.
Nach dem gemeinsamen Herstellen der Durchbrüche für das Fenster 4 und der
Anschlußbereiche schließt die Kleberfolie randscharf die Durchbrüche ab.
Registrierprobleme zwischen Leiterplatte 1 und Klebefolie können somit nicht
auftreten. Der Sensor 3 wird dann mit Hilfe kommerzieller Bestücker
positionsgenau mit der aktiven Seite auf der Werkstoffschicht 5 plaziert und z. B.
durch vorübergehende, thermische Erweichung und nachfolgende
Verfestigung der Werkstoffschicht 5 mit Hilfe eines beheizbaren Stempels
verklebt. Der No-Flow-Kleber zeigt beim Verkleben keinen merklichen
Kleberfluß, so daß die Fenster 4 und Anschlußbereiche 12 sicher kleberfrei
bleiben. Anschließend erfolgt die elektrische Verbindung der Anschlußfläche 13
des Halbleiterbausteins 2 mit den Kontakten 14 der Leiterbahn in den
freigelegten Anschlußbereichen 12 der flexiblen Leiterplatte 1. Diese Bereiche
sind allseitig durch die Klebefolie abgedichtet und bilden Kavitäten, die zum
Schutz der Anschlußflächen 13, 14 und der Anschlußleiter 15 mit
Kapselmasse 16 ausgefüllt werden können, ohne daß die Gefahr besteht, daß
die Kapselmasse 16 in den Bereich des Sensors 3 des Halbleiterbausteins 2
fließt.
Bei der Methode 1c wird ein hochflüssiger, aushärtbarer Klebstoff 19 bevorzugt.
Dieser kann im flüssigen Zustand entlang der äußeren Kanten 20 zugeführt
werden. Durch die im Spalt wirksamen Kapillarwirkungen wird der verflüssigte
- Klebstoff 19 von der Kante 20 bis zum Fensterrand der flexiblen Leiterplatte 1
fließen und dort stoppen. Dadurch läßt sich eine randscharfe Verklebung bis
zum Fenster 4 ohne zusätzliche Maßnahmen erreichen.
Die Verklebung kann auch unter Verwendung einer anisotrop leitenden
Klebefolie mit No Flow Charakteristik bewirkt werden, die mit elektrisch
leitenden Partikeln gefüllt und nur in Richtung der Anschlußflächen elektrisch
leitend ausgebildet ist. Die Verwendung einer solchen Klebefolie hat den
Vorteil, daß sich die Kontaktierung und mechanische Verbindung in einen
Arbeitsgang herstellen läßt. Die Applikation entspricht Fig. 1c, wobei die
Anschlußhöcker 18 entfallen und die aushärtbare Klebeschicht 19 anisotrop
leitend ist.
Für die Verklebung von Halbleiterbaustein 2 und Leiterplatte 1 kann der Sensor
3 des Halbleiterbausteins 2 vor dem Verkleben mit einer Polymerschicht 21
versehen werden, die zum Beispiel im Siebdruckverfahren aufgebracht wird,
wobei die Polymerschicht 21 im ausgehärteten Zustand 0,05 bis 0,2 mm dicker
sein sollte als die Kleberschicht 15, 19. Die Polymerschicht 21 ist leicht
abziehbar und kann vorteilhaft auf der Sensorfläche solange verbleiben, bis die
Sensorfunktion erstmalig benötigt wird.
Fig. 2 verdeutlicht die Ausbildung der zur Anwendung gelangenden, flexiblen
Leiterplatte 1 in einer Ansicht von oben. Aus Gründen der besseren
Anschaulichkeit ist der Rahmen 10 weggelassen worden. Es ist zu erkennen,
daß das Fenster 4, welches hinsichtlich seiner Form und Größe mit der aktiven
Sensorfläche des Sensors 3 im wesentlichen übereinstimmt, von einem
ringförmig ausgebildeten Leiter 7 umschlossen ist, der die Oberfläche des in
der flexiblen Leiterplatte 1 enthaltenen Kunststoffträgers erhaben überragt. Bei
der gegenseitigen Verpressung zwischen der flexiblen Leiterplatte 1 und dem
Halbleiterbaustein 2 während der gegenseitigen Verklebung wird hierdurch eine
Versteifung gebildet, die das positionsgenaue Verkleben erleichtert.
Der das Fenster 4 bei der Ausbildung der flexiblen Leiterplatte 1 nach Fig. 2
umschließende Leiter 7 bildet primär einen Bestandteil der elektrischen
"Verdrahtung" und kann als Massenleiter zur Ableitung von für den Sensor 3
gefährlichen, elektrostatischen Aufladungen dienen.
Claims (17)
1. Sensormodul, umfassend eine Leiterplatte (1), an der zumindest ein
Anschlußflächen (13) aufweisender Halbleiterbaustein (2) signalleitend
festgelegt ist, wobei der Halbleiterbaustein (2) mindestens einen Sensor
(3) zur Erfassung externer Signale beinhaltet, wobei der Sensor (3) und
die Anschlußflächen (13) auf derselben Seite des Halbleiterbausteins (2)
angeordnet sind, wobei die Leiterplatte (1) zumindest ein Fenster (4)
aufweist und wobei der Halbleiterbaustein (2) mit hinter dem Fenster (4)
befindlichem Sensor (3) an der Leiterplatte (1) hermetisch dicht befestigt
ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterplatte (1) flexibel ist, dass der
Halbleiterbaustein (2) mit dem Sensor (3) von einem starren
Doppelrahmen (8) umschlossen ist und dass die Leiterplatte (1) zwischen
den den Doppelrahmen (8) bildenden Rahmenhälften (9, 10) zumindest
entlang eines ringförmig in sich geschlossenen Linienzuges eingeklemmt
ist, wobei der Doppelrahmen (8) nur die tatsächlich zu sensierenden
Signale zum Sensoren (3) durchläßt und die Fremdsignale abschirmt.
2. Sensormodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest
eine Rahmenhälfte (9, 10) in Richtung ihres äußeren Randes (11) einen
sich zunehmend vergrößernden Abstand von der Leiterplatte (1) hat.
3. Sensormodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Rand
(11) im Bereich des sich vergrößernden Abstandes von abgerundetem
Profil ist.
4. Sensormodul nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die
den Halbleiterbaustein (2) umschließende Rahmenhälfte (9) den
Halbleiterbaustein (2) mit einem flüssigkeitsdichten Boden (24) überdeckt.
5. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, dass die beiden Rahmenhälften (9, 10) durch die
Leiterplatte (1) hindurch vernietet oder verschraubt sind.
6. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, dass die beiden Rahmenhälften (9, 10) und die
Leiterplatte (1) durch zumindest eine Einschnappvorrichtung miteinander
fixiert sind.
7. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, dass der Halbleiterbaustein (2) und die Leiterplatte (1)
mittels der Rahmenhälften (9, 10) verpreßt sind.
8. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, dass zumindest eine Rahmenhälfte (9, 10) einen
Bestandteil eines Sekundärgehäuses bildet.
9. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, dass die Rahmehälfte (10) aus metallischem Werkstoff
besteht und als Berührungsschutz zur Ableitung statischer Aufladung bei
Personenkontakt ausgebildet ist.
10. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, dass die Rahmenhälfte (10) aus einem polymeren
Werkstoff besteht, der metallisiert ist und als Berührungsschutz zur
Ableitung statischer Aufladung bei Personenkontakt ausgebildet ist.
11. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, dass der Halbleiterbaustein (2) eine aktive Sensorfläche
(23) hat, die mit der Form und Größe des Fensters (4) im wesentlichen
übereinstimmt.
12. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, dass der Halbleiterbaustein (2) und die Leiterplatte (1) an
zumindest einer Stelle einen Abstand voneinander haben und dass der
Abstand mit einer porenfreien, elektrisch nicht leitenden, polymeren
Werkstoffschicht (5) ausgefüllt ist.
13. Sensormodul nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die
beiderseitigen Anschlußflächen (13, 14) mit Hilfe von Anschlußhöckern
(18) aus metallischen oder leitenden polymeren Werkstoffen signalleitend
verbunden sind, und dass die Zwischenräume zwischen den
Anschlußhöckern (18) mit der porenfreien, elektrisch nicht leitenden,
polymeren Werkstoffschicht (5) ausgefüllt sind.
14. Sensormodul nach einem der Ansprüche 12 oder 13, dadurch
gekennzeichnet, dass die Werkstoffschicht (5) aus Klebstoff (19) besteht.
15. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, dass der Halbleiterbaustein (2) und die Leiterplatte (1) an
zumindest einer Stelle einen Abstand voneinander haben und dass der
Abstand mit einem porenfreien, elektrisch anisotrop nur in Richtung der
Anschlußfläche (13, 14) leitenden Klebstoff (19) ausgefüllt ist.
16. Sensormodul nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch
gekennzeichnet, dass der Klebstoff (19) durch eine UV-Bestrahlung
voraktiviert ist.
17. Sensormodul nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch
gekennzeichnet, dass die Leiterplatte (1) auf der dem Halbleiterbaustein
(2) zugewandten Seite mit zumindest einem erhaben vorspringenden,
elektrischen Leiter (6) versehen ist und dass das Fenster (4) von dem (6)
oder zumindest einem weiteren Leiter (7) ringförmig umschlossen ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19854396A DE19854396C2 (de) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | Sensormodul |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19854396A DE19854396C2 (de) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | Sensormodul |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19854396A1 DE19854396A1 (de) | 2000-06-08 |
DE19854396C2 true DE19854396C2 (de) | 2002-02-07 |
Family
ID=7888991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19854396A Expired - Fee Related DE19854396C2 (de) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | Sensormodul |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19854396C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004013733A1 (de) * | 2004-03-18 | 2005-12-29 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil in Stapelbauweise mit einem optisch aktiven Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10137749A1 (de) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Conti Temic Microelectronic | Elektronische Baugruppe |
DE10205127A1 (de) | 2002-02-07 | 2003-08-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit Sensor- bzw. Aktoroberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10303263B4 (de) * | 2003-01-28 | 2012-01-05 | Infineon Technologies Ag | Mikrophonanordnung |
WO2005073717A1 (en) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | H2Scan Corporation | Method and apparatus for thermal isolation of a gas sensor |
CN1938588B (zh) | 2004-01-27 | 2011-11-09 | H2Scan公司 | 隔离的气体传感器结构 |
DE102006038302A1 (de) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Atmel Germany Gmbh | Sensoreinheit und optischer Aufnehmer für eine Abtasteinrichtung |
DE102008040676A1 (de) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | Robert Bosch Gmbh | Abdichtrahmen sowie Verfahren zum Abdecken eines Bauteils |
DE102018204764A1 (de) | 2018-03-28 | 2019-10-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter- packagesystem |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19507124A1 (de) * | 1994-03-10 | 1995-09-14 | Murata Manufacturing Co | Elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstellung |
US5495450A (en) * | 1994-06-20 | 1996-02-27 | Motorola, Inc. | Method and assembly for mounting an electronic device having an optically erasable surface |
WO1996024162A1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-08-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Chip-gehäusung sowie verfahren zur herstellung einer chip-gehäusung |
DE19651260A1 (de) * | 1996-12-10 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Bildsensor-Chip und entsprechendes Trägerelement |
-
1998
- 1998-11-25 DE DE19854396A patent/DE19854396C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19507124A1 (de) * | 1994-03-10 | 1995-09-14 | Murata Manufacturing Co | Elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstellung |
US5495450A (en) * | 1994-06-20 | 1996-02-27 | Motorola, Inc. | Method and assembly for mounting an electronic device having an optically erasable surface |
WO1996024162A1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-08-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Chip-gehäusung sowie verfahren zur herstellung einer chip-gehäusung |
DE19651260A1 (de) * | 1996-12-10 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Bildsensor-Chip und entsprechendes Trägerelement |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
BENNINGHOFF, H.: "Optimale Klebekraft durch UV- Licht", in: TR Transfer, Nr. 41, 1996, S. 24-26 * |
SLYMAN, D.: "Anisotrop leitende Kleber", in: Productronic 10/96, S. 30, 32, 34, 36 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004013733A1 (de) * | 2004-03-18 | 2005-12-29 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil in Stapelbauweise mit einem optisch aktiven Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102004013733B4 (de) * | 2004-03-18 | 2006-04-06 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil in Stapelbauweise mit einem optisch aktiven Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19854396A1 (de) | 2000-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0946861B1 (de) | Verfahren zum aufbringen eines mikrosystems oder wandlers auf ein substrat und nach diesem verfahren herstellbare vorrichtung | |
DE69209772T2 (de) | Gehäuseanordnung für ein funktionales bauelement und herstellungsverfahren | |
DE19758891B4 (de) | Halbleitersensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19911916B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Schutzlage | |
DE69530037T2 (de) | Automatische Bandmontage für Halbleiteranordnung | |
DE10045043B4 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102010002545B4 (de) | Herstellverfahren für eine Sensorvorrichtung | |
DE69909667T2 (de) | Optisches Modul | |
DE3937996A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen | |
DE19854396C2 (de) | Sensormodul | |
DE102009010199B4 (de) | Halbleiterpackage mit Formschlossentlüftung und Verfahren zu dessen Hersstellung | |
DE69205945T2 (de) | Schnittstellenapparat zwischen einem Substrat und einer Wärmesenke und Verfahren. | |
DE69832104T2 (de) | Verbindung durch Aufbringen eines dem Relief entsprechenden viskosen Produktes | |
DE112016002445T5 (de) | Sensorvorrichtung | |
DE69215771T2 (de) | Verfahren zur Montage elektronischer Bauteile auf einem Schaltkreissubstrat und Schaltkreissubstrat mit darauf montierten elektronischen Bauteilen | |
DE2253627A1 (de) | Elektrisches bauelement in mikrotechnik, vorzugsweise halbleiterbauelement | |
DE102007025338A1 (de) | Verfahren zum Abdichten eines Gehäuses | |
DE4441931C1 (de) | Chipkarte | |
EP3520585B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe und elektronische baugruppe, insbesondere für ein getriebesteuermodul | |
DE69935945T2 (de) | Montage eines Halbleiterchips in eine Schaltungsplatte | |
WO2007042497A2 (de) | Sensorbaugruppe | |
DE10151657C1 (de) | Verfahren zur Montage eines Chips auf einem Substrat | |
DE112018003765B4 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen der halbleitervorrichtung | |
DE112021004943T5 (de) | Halbleitervorrichtung und elektronische vorrichtung | |
DE10012882C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung eines Halbleiterchips auf ein Trägerelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |