DE19828669C2 - Lateraler IGBT in SOI-Bauweise und Verfahren zur Herstellung - Google Patents
Lateraler IGBT in SOI-Bauweise und Verfahren zur HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen lateralen IGBT in SOI-Bauweise
mit einer Ober- und einer Unterseite, wobei an die Oberseite
eine Drainzone eines ersten Leitfähigkeitstyps reicht. In die
Drainzone ist eine an die Oberseite reichende Anodenzone ei
nes zweiten Leitfähigkeitstyps eingelassen. Weiterhin ist in
die Drainzone eine an die Oberseite reichende Basiszone des
zweiten Leitfähigkeitstyps eingelassen, in welcher eine, an
die Oberseite reichende Sourcezone des ersten Leitfähig
keitstyps eingelassen ist. Die Unterseite des lateralen IGBT
(LIGBT) bildet ein Substrat des zweiten Leitfähigkeitstyps.
Zwischen der Drainzone und dem Substrat ist eine laterale
Isolationsschicht vorgesehen. In der Drainzone ist in der Nä
he der Isolationsschicht zumindest ein lateral ausgebildeter
Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen.
Schaltungsanordnungen mit Leistungshalbleiterschaltern werden
im automobilen Bereich, im Telekommunikationsbereich, im Con
sumerbereich sowie zur Laststeuerung und vielen weiteren An
wendungen eingesetzt. Der LIGBT ist einer der meist verwende
ten Bauteile in derartigen Schaltungsanordnungen. Mit LIGBTs
kann aufgrund der langen Driftzone eine hohe Blockierspannung
erzielt werden, wobei jedoch die Stromtragfähigkeit im Ver
gleich zu einem vertikalen IGBT unbefriedigend ist.
Um eine geforderte Sperrspannung bei einer vorgegebenen Dicke
der Drainzone gewährleisten zu können, wird eine geeignete
Dotierung der Drainzone vorgenommen. Dabei wird die Bloc
kierspannung nicht nur von der Drainzone aufgenommen, sondern
auch zu einem bedeutenden Anteil durch die darunter liegende
Isolationsschicht. Fig. 1 zeigt einen Aufbau eines LIGBT
nach dem Stand der Technik. Eine derartige Anordnung ist bei
spielsweise in Proceedings of 1995 International Symposium on
Power Semiconductor Devices & ICs, Yokohama, Pages 325-329
beschrieben.
Fig. 1 zeigt einen lateralen IGBT in SOI-Bauweise mit einer
Oberseite und einer Unterseite, wobei an die Oberseite eine
Drainzone 1, die schwach n-dotiert ist, reicht. In die Drain
zone 1 ist eine an die Oberseite reichende Drainextension 13
eingelassen, die stark n-dotiert ist. Eine p-dotierte Anoden
zone 2 liegt in der Drainextension 13 und reicht ebenfalls an
die Oberseite. Weiterhin ist in die Drainzone 1 eine an die
Oberseite reichende Basiszone 3, die ebenfalls p-dotiert ist,
eingelassen, in welcher ihrerseits eine an die Oberseite rei
chende Sourcezone 4 vom n-Typ eingelassen ist. Die Unterseite
des Halbleiterbauelements bildet ein Substrat 5, das stark
p-dotiert ist. Weiterhin ist eine Sourceelektrode 6 vorgese
hen, die in Kontakt mit der Sourcezone 4 sowie der Basiszone
3 steht. Eine Drainelektrode 7 steht in Kontakt mit der
Anodenzone 2. Auf der Oberseite des Halbleiterbauelements ist
eine Gate-Isolierschicht 9 angeordnet, die zwischen der
Sourcezone 4 und der Anodenzone 2 gelegen ist. Auf dieser
Gate-Isolierschicht 9 befinden sich eine Gateelektrode 8 so
wie eine Feldplatte 14. Weiterhin ist zwischen der Drainzone
1 und dem Substrat 5 eine laterale Isolationsschicht 10 vor
gesehen. Das Halbleiterbauelement weist weiterhin an seiner
Seite einen grabenförmig ausgebildeten Isolationsbereich 12
auf, der von der Oberseite bis zu der lateralen Isolations
schicht 10 reicht. Der LIGBT weist weiterhin eine p-Diffusion 15
an der Seite der Trench-Isolation 12 auf. Die Basiszone 3,
die Sourcezone 4 sowie der unter der Gatelektrode 8 befindli
che Bereich sind mit dem vertikal verlaufenden Bereich 15
(p-Diffusion) verbunden. Die Anodenzone 2 sowie die darauf
befindliche Drainelektrode 7 sind in der Mitte des LIGBT an
geordnet. Der in Fig. 1 im Querschnitt gezeigte LIGBT weist
in seiner Draufsicht in der Regel eine fingerförmige Form
auf.
Im folgenden wird die Funktionsweise des LIGBT aus Fig. 1
erläutert. Wird an die Gateelektrode 8 eine Spannung angelegt,
so gelangen Elektronen von der Sourcezone 4 in die Drain
zone 1. Damit wird der laterale PNP-Transistor 2, 1, 3 ange
steuert, der seinerseits Löcher in die Drainzone 1 injiziert.
Will man das Bauelement abschalten, müssen die beweglichen
Ladungsträger aus der Drainzone 1 entfernt werden. Dieser
Ausräumvorgang macht sich durch einen Stromfluß nach dem Ab
schalten der Gatespannung bemerkbar.
In Fig. 2 ist ein typischer Verlauf von Drainspannung und
Drainstrom über der Zeit beim Ausschalten dargestellt. Kenn
zeichnend für ein derartiges Bauelement ist, daß während des
Abschaltens die Spannung am Bauelement nicht monoton auf sei
nen Sperrspannungswert ansteigt, sondern zunächst schnell bis
zu einem mittleren Niveau steigt, dann für einige Zeit mit
einem wesentlich geringerem Spannungsanstieg fortfährt, um
dann endgültig auf den Wert der Sperrspannung anzusteigen.
Erst nachdem die volle Sperrspannung am Halbleiterbauelement
anliegt, kann der Strom auf 0 abfallen. Die Ursache des ter
rassenförmigen Spannungsanstiegs liegt im zunächst lateralen,
dann im vertikalen Ausräumen der Speicherladung während des
Abschaltvorganges. Die Folge dieses terrassenförmigen Span
nungsverlaufes ist eine ungünstige Verlustleistungsbilanz des
LIGBT beim Ausschalten.
Eine Lösung dieses Problems läßt sich dadurch erzielen, daß
am Boden der dielektrisch isolierten Wanne eine hochdotierte
p-diffundierte Zone eingebracht wird. Die hochdotierte p-
diffundierte Zone würde folglich zwischen Drainzone 1 und der
lateralen Isolationsschicht 10 liegen und mit dem vertikal
verlaufenden p-dotierten Bereich 15 in Berührung stehen. Ein
LIGBT mit einer derartigen p-diffundierten Schicht ist aus
Proceedings of 1997 International Symposium on Power Semicon
ductor Devices & ICs, Pages 313-316 bekannt. Das Einbringen
einer derartigen hochdotierten p-diffundierten Zone hat zur
Folge, daß die Terrassenphase bei einer wesentlich geringeren
Drainspannung auftritt und somit die Verlustleistung wesent
lich reduziert wird. Bekanntermaßen berechnet sich die Ver
lustleistung während des Ausschaltvorganges nach der Formel
Poff = I.∫U.dt
Der Nachteil dieser Anordnung - im Vergleich zu der in Fig.
1 gezeigten - besteht darin, daß bei gleicher Dicke der
Drainzone 1 die Sperrfähigkeit des LIGBT stark reduziert
wird. Die Ursache für die Verringerung der Sperrfähigkeit
liegt darin, daß durch die hochdotierte Schicht am Boden der
dielektrisch isolierten Wanne kein Eindringen des elektri
schen Feldes in die Oxidisolation des sperrspannungsbelaste
ten LIGBT möglich ist.
Aus der EP 0 338 312 A2 ist ein IGBT bekannt, bei dem in ei
nem Substrat eine wannenförmige Oxidisolationsschicht vorge
sehen ist. Innerhalb der Oxidwanne ist ein Anodenbereich vor
gesehen, der ausgehend von der Oberfläche entlang der Oxid
wanne angeordnet ist, wobei der Anodenbereich am Boden der
Oxidwanne durchbrochen ist. Dort sind Bereiche von dem An
odenbereich entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp vorgesehen,
die auf der von der Oxidisolationsschicht abgewandten Seite
entlang des Anodenbereichs eine weitere Wanne bilden. Es wird
hierdurch ein hoher und gleichmäßiger Stromfluß erzielt, wo
bei der Hauptstrom überwiegend in vertikaler Richtung fließt.
Die der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe besteht deshalb
darin, einen lateralen IGBT in SOI-Bauweise zu entwickeln,
der im Vergleich zum Stand der Technik geringere Ausschalt
verluste aufweist ohne dabei gleichzeitig die Sperrspannung
zu erniedrigen. Weiterhin soll ein Verfahren zur Herstellung
eines derartigen lateralen IGBTs angegeben werden.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1
bzw. mit den Schritten des Patentanspruchs 17 gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteran
sprüchen.
Der erfindungsgemäße laterale IGBT in SOI-Bauweise mit einer
Ober- und einer Unterseite weist eine an die Oberseite rei
chende Drainzone eines ersten Leitfähigkeitstyps auf. In die
Drainzone ist eine an der Oberseite verlaufende Anodenzone
eines zweiten Leitfähigkeitstyps eingelassen. Weiterhin ist
in die Drainzone eine an die Oberseite reichende Basiszone
des zweiten Leitfähigkeitstyps eingelassen, in welcher eine,
an die Oberseite reichende Sourcezone des ersten Leitfähigkeitstyps
eingelassen ist. Die Unterseite des LIGBT bildet
ein Substrat des zweiten Leitfähigkeitstyps. Der LIGBT weist
eine Sourceelektrode auf, die in Kontakt mit der Sourcezone
und der Basiszone steht. Weiterhin beinhaltet er eine Draine
lektrode, die in Kontakt mit der Anodenzone steht. Eine Gate-
Isolierschicht, die auf der Oberseite angeordnet ist, ist
zwischen der Sourcezone und der Anodenzone gelegen. Auf der
Gate-Isolierschicht ist eine Gateelektrode angeordnet. Zwi
schen der Drainzone und dem Substrat ist eine laterale Isola
tionsschicht vorgesehen.
Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, daß in der Drainzo
ne in der Nähe der Isolationsschicht zumindest ein lateral
ausgebildeter Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps vorgese
hen ist. Dieser lateral ausgebildete Bereich ist dabei flä
chenmäßig kleiner als die vorgesehene laterale Isolations
schicht.
Diese Anordnung hat den Vorteil, daß der terrassenförmige
Verlauf im Spannungsanstieg beim Ausschalten des LIGBT zu ei
nem niedrigeren Spannungswert hin verschoben wird und dabei
gleichzeitig die Terrassenphase verkürzt wird. Hieraus resul
tiert eine geringere Verlustleistung. Gleichzeitig bleibt je
doch die maximale Sperrspannung erhalten, wie sie bei einem
LIGBT gemäß Fig. 1 erzielt wird.
Die Ursache, daß die Ausschaltverluste verringert werden kön
nen ohne dabei gleichzeitig die maximale Sperrspannung herab
zusetzen, liegt darin, daß die vorgesehenen lateral ausgebil
deten Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps in der Nähe der
lateralen Isolationsschicht in Source-Drain-Richtung ausge
bildet sind und dabei Unterbrechungen aufweisen und somit
flächenmäßig nicht die gesamte laterale Isolationsschicht
überdecken. Zumindest Teilbereiche der Drainzone stehen somit
in Berührung mit der lateralen Isolationsschicht. Diese Un
terbrechungen ermöglichen es dem elektrischen Feld beim
sperrspannungsbelasteten IGBT in das Isolationsoxid einzudringen.
Das Eindringen des elektrischen Feldes in das Isola
tionsoxid ist vor allem für die Sperrspannungsfestigkeit von
Relevanz. Andererseits ermöglichen es die lateral ausgebilde
ten Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps die Speicherla
dung beim Abschalten des LIGBT schneller auszuräumen und so
mit die Abschaltverluste zu reduzieren.
In einer Weiterbildung weist der LIGBT eine vertikale und
isolierende Begrenzung auf, die grabenförmig ausgebildet ist
und von der Oberseite bis zu der lateralen Isolierschicht
reicht. Dieser vertikale (grabenförmige) Isolationsbereich
ermöglicht es, den LIGBT mit beliebigen anderen Halbleiter
bauelementen (z. B. Logikelementen) auf einem Halbleiter
substrat zu integrieren.
In einer weiteren Ausgestaltung des LIGBT liegt die Anodenzo
ne in einer an die Oberseite angrenzende Drainextension des
ersten Leitfähigkeitstyps. Diese Drainextension weist in Ver
gleich zur Drainzone eine höhere Dotierung auf und dient da
zu, die Raumladungszone beim Abschalten des LIGBT von der
Anodenzone fernzuhalten.
In einer Weiterbildung weist der LIGBT auf der Gate-
Isolierschicht eine die Drainextension überdeckende Feldplat
te auf. Dadurch wird eine günstige Beeinflussung des elektri
schen Feldes innerhalb des LIGBT erzielt.
In einer weiteren Ausgestaltung weist der LIGBT einen verti
kal verlaufenden Bereich vom zweiten Leitfähigkeitstyp auf,
der an den grabenförmig ausgebildeten Isolationsbereich an
stößt. Der vertikal verlaufende Bereich des zweiten Leitfä
higkeitstyps steht dabei in Verbindung mit der Basiszone.
Diese dient dazu, die Inversionsschicht auf der Unterseite
des LIGBT zu steuern. Wenn der LIGBT sich im Blockierzustand
befindet, wird der Übergang zwischen dem vertikal verlaufen
den Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps und der Drainzone
des ersten Leitfähigkeitstyps rückwärts gesteuert und verhindert
auf diese Weise die Bildung einer Inversionsschicht zwi
schen der Drainzone und der lateralen Isolationsschicht.
Weiterhin ist der LIGBT in einer vorteilhaften Ausgestaltung
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat auf einem festen Po
tential liegt. Dieses kann eine feste Spannung sein oder vor
teilhafterweise die Masse sein. Es ist jedoch auch denkbar,
daß das Potential floatet. In diesem Fall kann das Substrat
eine höhere Sperrspannung aufnehmen. Der grabenförmig ausge
bildete Isolationsbereich sollte auf dem niedrigsten Potenti
al des Bauelements liegen. Vorzugsweise wird der grabenförmig
ausgebildete Isolationsbereich mit dem Massepotential verbun
den.
In einer weiteren Ausgestaltung ist der LIGBT in lateraler
Ausrichtung spiegelsymmetrisch aufgebaut. Dabei liegen die
Anodenzone und die darauf befindliche Drainelektrode in der
Mitte des Halbleiterbauelementes. Die grabenförmig ausgebil
deten Isolationsbereiche bilden dabei die seitliche äußere
Begrenzung des LIGBT. Vorteilhaft ist es, wenn der LIGBT eine
fingerförmige Form aufweist, da bei einer Paralellschaltung
mehrerer LIGBTs auf einem Halbleitersubstrat hierdurch eine
besonderes flächeneffiziente Ausnutzung erzielt werden kann.
Die in der Drainzone vorgesehenen lateralen Bereiche weisen
in einer weiteren Ausgestaltung eine polygonale Form auf und
sind regelmäßig, in einer Ebene liegend, zueinander beabstan
det. Die lateralen Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps
können dabei eine beliebige Form aufweisen, sofern sicherge
stellt ist, daß jeweils zwei nebeneinander liegende laterale
Bereiche in einem gewissen Abstand zueinander beabstandet
sind. Vorteilhaft ist es, wenn die Anordnung in einer regel
mäßigen Abfolge erfolgt. Die Form der lateralen Bereiche kann
dabei quadratisch, rechteckig, achteckig oder auch rund sein.
In einer anderen Ausgestaltung weisen die in der Drainzone
vorgesehenen lateralen Bereiche eine an den Umfang des LIGBT
angepaßte Form auf und sind in einer Ebene liegend, gleich zu
einander beabstandet. Besitzt der LIGBT z. B. eine fingerför
mige Umrandung, so sind die in der Drainzone vorgesehenen la
teralen Bereiche ebenfalls fingerförmig, wobei der dem gra
benförmigen vertikalen Isolationsbereich am nächsten liegende
laterale Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps den größten
Umfang aufweist, während der der Symmetrieachse am nächsten
liegende laterale Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps den
kleinsten Umfang aufweist. Auch bei dieser Anordnung muß wie
derum sichergestellt sein, daß die lateralen Bereiche in ei
nem gewissen Abstand zueinander liegen, so daß das Eindringen
des elektrischen Feldes in die laterale Isolationsschicht
möglich ist. Vorteilhafterweise ist die Beabstandung der ein
zelnen lateralen Bereiche zueinander regelmäßig angeordnet.
Eine besonders leichte Herstellung des erfindungsgemäßen
LIGBTs ist möglich, wenn die in der Drainzone vorgesehenen
lateralen Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps an die la
terale Isolationsschicht angrenzen. Dies ist jedoch nicht
zwangsweise notwendig.
Ebenso ist es denkbar, daß in einer Ausgestaltung des erfin
dungsgemäßen LIGBT die in der Drainzone dem Rand am nächsten
liegenden lateralen Bereiche in Berührung mit dem grabenför
mig ausgebildeten Isolationsbereich stehen.
Die laterale Form des LIGBT kann rund oder fingerförmig sein.
Die fingerförmige Form ist aufgrund einer effektiven Flächen
ausnutzung bei der Paralellschaltung mehrerer IGBTs von Vor
teil. Der IGBT ist jedoch nicht auf diese lateralen Formen
beschränkt. Es sind auch andere Formen denkbar.
Es ist von Vorteil, sowohl die laterale Isolationsschicht als
auch den grabenförmigen Isolationsbereich aus Sio2 herzustel
len, da in diesem Fall bekannte Herstellungsverfahren verwen
det werden können und eine besonderes einfache Herstellung
möglich ist.
Es hat sich herausgestellt, daß es besonders vorteilhaft ist,
die Ladungsträgerdichte der in der Drainzone vorgesehenen la
teralen Bereiche zwischen einmal 1017/cm3 und einmal 1019/cm3 auszu
führen.
Die Herstellung des erfindungsgemäßen LIGBT kann mittels der
folgenden Schritte auf einfache Weise durchgeführt werden,
ohne daß die Herstellungsschritte gegenüber einem konventio
nellen lateralen IGBT stark abgewandelt werden müßten. Aus
den nachfolgenden Herstellungsschritten wird ersichtlich wer
den, daß die Erfindung in einem wafergebondeten Prozeß herge
stellt wird.
Im ersten Schritt wird in der später zum Substrat gewandten
Seite der Drainzone zumindest ein lateral ausgebildeter Be
reich vom zweiten Leitfähigkeitstyp erzeugt. Ist nur ein la
teraler Bereich vorgesehen, so muß dieser kleiner als die
spätere dielektrische Wanne ausgeführt sein. Sind mehrere la
terale Bereiche vorgesehen, so sind diese gegen
einander beabstandet. Die in der Drainzone vorgesehenen late
ralen Bereiche können dabei z. B. eine polygonale oder eine
an die Form des lateralen IGBT angepaßte Form aufweisen und
sind vorteilhaft regelmäßig in einer Ebene liegend zueinander
beabstandet. Die vorgesehenen lateralen Bereiche können dabei
sowohl durch eine Diffusion als auch durch eine photolack
maskierte Implantation hergestellt werden. Die Verwendung von
Bor ist zweckmäßig.
Es ist vorteilhafter, für die vorgesehenen lateralen Bereiche
in der Drainzone eine polygonale Form zu wählen, und diese
regelmäßig zueinander zu beabstanden, da dieser Herstellungs
schritt unabhängig von der späteren Plazierung der auf der
gegenüberliegenden Seite der Drainzone gefertigten IGBT-
Struktur durchgeführt werden kann. Bei einer an die Form des
LIGBT angepaßten lateralen Bereiche ist darauf zu achten, daß
diese derart auf die Drainzone, Anodenzone sowie Basis- und
Sourcezone justiert sind, daß die lateralen Bereiche des
zweiten Leitfähigkeitstyps spiegelsymmetrisch im fertigen
LIGBT angeordnet sind. Für den Fall, daß die Bodendotierung
der lateralen Bereiche in der Drainzone eine polygonale Form
aufweist und die Größe der einzelnen dotierten Polygone deut
lich kleiner als die laterale Ausdehnung des Bauelementes
ist, brauchen demhingegen die dielektrischen Wannen mit den
auf der Oberseite befindlichen Bauelementen nicht auf das Mu
ster der dotierten lateralen Bereiche justiert zu sein.
In einem zweiten Schritt wird die laterale Isolationsschicht
auf eine das Substrat bildende Halbleiterscheibe vom zweiten
Leitfähigkeitstyp aufgebracht. Es ist vorteilhaft die latera
le Isolationsschicht auf die das Substrat bildende Halblei
terscheibe aufzubringen, da aufgrund der unterschiedlich do
tierten Oberflächenbereiche der Drainzone eine unterschied
lich dicke Oxidschicht entstehen würde, die das Aufbringen
des Substrats auf die laterale Isolationsschicht erschweren
würden. Nach dem Rückdünnen der Seite der Drainzone, die die
spätere Oberseite des LIGBT mit der Elektrode bildet, wird
der Verbund von der lateralen Isolationsschicht und dem
Substrat mit der der Oberseite der Drainzone gegenüberliegen
den Seite verbunden. Anschließend werden auf der von der la
teralen Isolationsschicht abgewandten Seite der Drainzone,
die Anodenzone, die Basiszone sowie die Sourcezone in bekann
ter Weise erzeugt. Die weiteren Schritte entsprechen der Her
stellung eines konventionellen lateralen IGBT, z. B. das Er
zeugen eines grabenförmig ausgebildeten Isolationsbereichs
sowie das Anbringen der notwendigen Elektroden bzw. Feldplat
ten.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Fig. 1 bis 4b
erklärt.
Es zeigen:
Fig. 1 einen lateralen IGBT gemäß dem Stand der
Technik im Querschnitt,
Fig. 2 den Verlauf von Drainspannung und Drain
strom über der Zeit beim Abschalten eines
lateralen IGBT im Prinzip,
Fig. 3 einen erfindungsgemäßen lateralen IGBT im
Querschnitt und
Fig. 4a und 4b Ausführungsbeispiele einer Anordnung der
lateral ausgebildeten Bereiche des zweiten
Leitfähigkeitstyps in der Drainzone in
Draufsicht.
Fig. 3 zeigt einen erfindungsgemäßen lateralen IGBT im Quer
schnitt. Dieser weist eine an die Oberseite reichende Drain
zone 1 eines ersten Leitfähigkeitstyps auf. In die Drainzone
1 ist eine an der Oberseite verlaufende Anodenzone 2 eines
zweiten Leitfähigkeitstyps eingelassen. Weiterhin ist in die
Drainzone 1 eine an die Oberseite reichende Basiszone 3 des
zweiten Leitfähigkeitstyps eingelassen in welcher eine, an
die Oberseite reichende Sourcezone 4 des ersten Leitfähig
keitstyps eingelassen ist. Die Unterseite des LIGBT bildet
ein Substrat 5 des zweiten Leitfähigkeitstyps. Eine Source
elektrode 6 steht im Kontakt mit der Sourcezone 4 und der Ba
siszone 3. Eine Drainelektrode 7 steht im Kontakt mit der
Anodenzone 2. Auf der Oberseite des LIGBT ist eine Gate-
Isolierschicht 9 angeordnet, die zwischen der Sourcezone 4
und der Anodenzone 2 gelegen ist. Auf der Gate-Isolierschicht
9 ist eine Gatelektrode 8 angeordnet. Zwischen der Drainzone
1 und dem Substrat 5 ist eine laterale Isolationsschicht 10
vorgesehen. Weiterhin weist der LIGBT eine grabenförmige,
vertikale Isolationsschicht 12 auf, die von der Oberseite des
LIGBT bis zu der lateralen Isolationsschicht 10 reicht. Diese
weist das niedrigste Potential des Halbleiterbauelements auf,
sie liegt vorzugsweise auf Massepotential. An diese graben
förmige Isolationsschicht 12 grenzt ein Bereich vom zweiten
Leitfähigkeitstyp 15, der auch mit der Basiszone 3 in Verbin
dung ist. Die Anodenzone 2 liegt in einer an die Oberseite
angrenzenden Drainextension 13 des ersten Leitfähigkeitstyps,
wobei die Dotierung der Drainextension 13 im Vergleich zur
Drainzone 1 wesentlich höher ist. Weiterhin ist auf der Gate-
Isolierschicht 9 eine die Drainextension überdeckende Feld
platte 14 vorgesehen.
Der LIGBT weist weiterhin lateral ausgebildete Bereiche 11
des zweiten Leitfähigkeitstyps auf, welche in einer Ebene
liegend gleich zueinander beabstandet sind. Die lateral aus
gebildeten Bereiche 11 des zweiten Leitfähigkeitstyps grenzen
an die laterale Isolationsschicht 10. Dies hat zur Folge, daß
die lateral ausgebildeten Bereiche 11 auf dem gleichen Poten
tial wie die laterale Isolationsschicht 10 liegen.
Es ist auch denkbar, daß sich die lateral ausgebildeten Bereiche
11 innerhalb der Drainzone 1 in einer Ebene liegend und
gleich zueinander beabstandet befinden. Jedoch ist es
notwendig, daß die lateral ausgebildeten Bereiche 11 in der
Nähe der lateralen Isolationsschicht 10 liegen. Der LIGBT
weist einen bezüglich der Achse A-A' spiegelsymmetrischen
Aufbau auf. In Fig. 3 sind drei nebeneinander liegende late
rale Bereiche 11 des zweiten Leitfähigkeitstyps dargestellt.
Insgesamt liegen folglich sechs lateral ausgebildete Bereiche
11 in der Drainzone in einer Ebene nebeneinander. Es ist je
doch auch denkbar, daß mehr oder weniger dieser lateral aus
gebildeten Bereiche 11 in der Drainzone 1 vorgesehen sind. Es
muß dabei nur sichergestellt sein, daß an manchen Stellen die
laterale Isolationsschicht 10 in Berührung mit der Drainzone
1 steht. Diese Unterbrechungen sind notwendig, um das Ein
dringen des elektrischen Feldes bei dem sperrspannungsbela
steten IGBT in die laterale Isolationsschicht 10 zu ermögli
chen, da ansonsten die Sperrfähigkeit des Bauelementes herab
gesetzt werden würde. Die lateral vorgesehenen Bereiche 11
tragen andererseits dazu bei, die Speicherladung beim Aus
schalten des LIGBTs schneller aus der Raumladungszone auszu
räumen und somit die Abschaltverluste zu verringern.
Fig. 4a und Fig. 4b zeigen den erfindungsgemäßen lateralen
IGBT in Draufsicht gemäß Fig. 3 entlang der Linie B-B'.
Fig. 4a zeigt die in die Drainzone 1 eingelassenen lateralen
Bereiche 11 vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Die lateralen Be
reiche 11 weisen dabei eine an die Form des LIGBT angepaßte
Form auf, d. h. sie sind fingerförmig. In der Figur sind vier
fingerförmige lateral ausgebildete Bereiche 11 in einer Ebene
liegend gleich zueinander beabstandet. In dieser Ansicht geht
der spiegelsymmetrische Aufbau des LIGBT vor.
Fig. 4b zeigt die in der Drainzone 1 liegenden lateralen Be
reiche 11. Diese lateral ausgebildeten Bereiche 11 weisen ei
ne rechteckige Form auf und sind gleich zueinander beabstan
det. Die Form der lateral ausgebildeten Bereiche 11 könnte
auch rund, dreieckig oder aber polygonal sein.
In beiden Fällen ermöglichen die zueinander beabstandeten la
teralen Bereiche 11 vom zweiten Leitfähigkeitstyp das Ein
dringen des elektrischen Feldes in die laterale Isolations
schicht 10 (nicht gezeigt). Der Vorteil der Anordnung der la
teralen Bereiche 11 gemäß Fig. 4b gegenüber Fig. 4a besteht
darin, daß wenn die Größe der einzelnen lateral ausgebildeten
Bereiche deutlich kleiner als die laterale Ausdehnung des
LIGBT ist, diese lateralen Bereiche nicht auf die Anordnung
von Basiszone, Anodenzone usw. justiert sein müssen. Das Mu
ster der lateral ausgebildeten Bereiche 11 kann bereits wäh
rend der Waferfertigung über die gesamte Oberfläche aufge
bracht werden. Dies hat zur Folge, daß die lateral ausgebil
deten Bereiche auch auf der Unterseite an Stellen, an denen
eine Logik-Schaltungs-anordnung vorgesehen ist, vorhanden
sind. Sie haben jedoch keine Auswirkungen auf die Logikschal
tung, da deren Funktion hauptsächlich von oberflächennahen
Wirkungen bestimmt ist.
Bei einer an die laterale Ausdehnung des IGBT angepaßte Form
der lateral ausgebildeten Bereiche 11 ist darauf zu achten,
daß diese auf die auf der Oberseite angeordneten Bereiche ju
stiert ist, da die Forderung eines spiegelsymmetrischen Auf
baus erfüllt sein muß. Diese Forderung erhöht die Komplexität
bei der Herstellung des erfindungsgemäßen LIGBTs.
In Fig. 3 ist der LIGBT mit einer n-dotierten Drainzone dar
gestellt. Die Dotierungen der anderen Bereiche sind in entsprechender
Form angegeben. Es ist jedoch auch denkbar, daß
die Dotierung der Drainzone vom entgegengesetzen Leitungstyp,
d. h. vom p-dotierten Typ, ist. Die übrigen Bereiche sind
entsprechend dotiert.
Claims (18)
1. Lateraler IGBT in SOI-Bauweise mit einer Oberseite und ei
ner Unterseite mit
- a) einer an die Oberseite reichenden Drainzone (1) eines er sten Leitfähigkeitstyps,
- b) eine in die Drainzone (1) eingelassene, an der Oberseite verlaufende Anodenzone (2) eines zweiten Leitfä higkeitstyps,
- c) einer in die Drainzone (1) eingelassenen und an die Ober seite reichenden Basiszone (3) des zweiten Leitfähigkeits typs, in welcher eine, an die Oberseite reichende Source zone (4) des ersten Leitfähigkeitstyp eingelassen ist,
- d) einem die Unterseite bildenden Substrat (5) des zweiten Leitfähigkeitstyps,
- e) einer Sourceelektrode (6), die in Kontakt mit der Source zone (4) und der Basiszone (3) steht,
- f) einer Drainelektrode (7), die in Kontakt mit der Anodenzo ne (2) steht,
- g) einer Gate-Isolierschicht (9), die auf der Oberseite ange ordnet ist und die zwischen der Sourcezone (4) und der An odenzone (2) gelegen ist,
- h) einer Gateelektrode (8), die auf der Gate-Isolierschicht (9) angeordnet ist,
- i) einer zwischen der Drainzone (1) und dem Substrat (5) vor gesehenen lateralen Isolationsschicht (10)
2. Lateraler IGBT nach Patentanspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als vertikale Begrenzung ein grabenförmig ausgebildeter,
von der Oberseite bis zu der lateralen Isolierschicht (10)
reichender Isolationsbereich (12) vorgesehen ist.
3. Lateraler IGBT nach Patentanspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Anodenzone (2) in einer an die Oberseite angrenzende
Drainextension (13) des ersten Leitfähigkeitstyps liegt.
4. Lateraler IGBT nach Patentanspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf der Gate-Isolierschicht (9) eine die Drainextension
(13) überdeckende Feldplatte (14) vorgesehen ist.
5. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat (5) auf einem festen Potential liegt.
6. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 2 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß der grabenförmig ausgebildete Isolationsbereich (12) an
einen vertikal verlaufenden Bereich (15) vom zweiten Leitfä
higkeitstyp stößt.
7. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 2 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß der grabenförmig ausgebildete Isolationsbereich (12) auf
dem niedrigsten Potential liegt.
8. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Aufbau in lateraler Ausrichtung spiegelsymmetrisch
ist.
9. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die in der Drainzone (1) vorgesehenen lateralen Bereiche
(11) eine polygonale Form aufweisen und regelmäßig in einer
Ebene liegend zueinander beabstandet sind.
10. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die in der Drainzone (1) vorgesehenen lateralen Bereiche
(11) eine an den Umfang angepaßte Form aufweisen und in einer
Ebene liegend, gleich zueinander beabstandet sind.
11. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die in der Drainzone (1) vorgesehenen lateralen Bereiche
(11) an die laterale Isolationsschicht (10) angrenzen.
12. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 6 bis 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die in der Drainzone (1) den Rand am nächsten liegenden
lateralen Bereiche (11) in Berührung mit dem vertikal ausge
bildeten Bereich (15) des zweiten Leitfähigkeitstyps stehen.
13. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die laterale Form des IGBT rund oder fingerförmig ist.
14. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß die laterale Isolierschicht (10) aus SiO2 besteht.
15. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß der grabenförmige Isolationsbereich (12) aus SiO2 besteht.
16. Lateraler IGBT nach einem der Patentansprüche 1 bis 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ladungsträgerdichte der in der Drainzone (1) vorgese
henen lateralen Bereiche (11) zwischen 1.1017/cm3 und 1.1019/cm3
liegt.
17. Verfahren zum Herstellen eines lateralen IGBTs mit den
Merkmalen des Patentanspruchs 1, gekennzeichnet durch die
Schritte:
- a) in der zum Substrat (5) gewandten Seite der Drainzone (1) wird zumindest ein lateral ausgebildeter Bereich (11) vom zweiten Leitfähigkeitstyp erzeugt,
- b) die laterale Isolationsschicht (10) wird auf eine das Sub strat (5) bildende Halbleiterscheibe vom zweiten Leitfähig keitstyp aufgebracht,
- c) der Verbund von der lateralen Isolationsschicht (10) und dem Substrat (5) wird mit der der Oberseite der Drainzone (1) gegenüberliegenden Seite verbunden,
- d) auf der von der lateralen Isolationsschicht abgewandten Seite der Drainzone (1) werden die Anodenzone (2), die Ba siszone (3) und die Sourcezone (4) in bekannter Weise er zeugt.
18. Verfahren zum Herstellen eines lateralen IGBTs nach Pa
tentanspruch 17, gekennzeichnet durch den nach Schritt d)
folgenden Schritt:
- a) Erzeugen eines grabenförmig ausgebildeten Isolationsbe reichs (12).
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