DE19818299B4 - Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor - Google Patents
Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor Download PDFInfo
- Publication number
- DE19818299B4 DE19818299B4 DE19818299A DE19818299A DE19818299B4 DE 19818299 B4 DE19818299 B4 DE 19818299B4 DE 19818299 A DE19818299 A DE 19818299A DE 19818299 A DE19818299 A DE 19818299A DE 19818299 B4 DE19818299 B4 DE 19818299B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- conductivity type
- zone
- semiconductor body
- effect transistor
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
- H01L29/0873—Drain regions
- H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Niederohmiger
Hochvolt-Feldeffekttransistor, mit einem schwach dotieren Halbleiterkörper (1) des
einen Leitungstyps, auf dessen einer Oberseite eine hoch dotierte
Drainzone (2) des einen oder des zum einen entgegengesetzten anderen
Leitungstyps vorgesehen ist und in dessen andere, zur einen Oberseite
gegenüberliegende
Oberseite eine Kanalzone (4) des anderen Leitungstyps mit einer
darin angeordneten hochdotierten Sourcezone (5) des einen Leitungstyps
vorgesehen ist, und mit höher
als der Halbleiterkörper
(1) dotierten Halbleitergebieten (15, 16) des einen und des anderen
Leitungstyps, die im Halbleiterkörper
(1) im Bereich unterhalb von über der
gegenüberliegenden
Oberseite des Halbleiterkörpers (1)
vorgesehenen Gateelektroden (6) von der Kanalzone (4) aus bis zu
der Drainzone (2) verlaufen, wobei an die Kanalzone (4) ein höher als
der Halbleiterkörper
(1) dotierter Halbleiterbereich (17) des einen Leitungstyps angrenzt, und
wobei dieser höher
dotierte Halbleiterbereich (17) an wenigstens ein höher als
der Halbleiterkörper
(1) dotiertes Halbleitergebiet (16) des einen Leitungstyps angrenzt,
das von der Kanalzone (4) bis...
Description
- Die Erfindung betrifft einen niederohmigen Hochvolt-Feldeffekttransistor mit einem schwach dotierten Halbleiterkörper des einen Leitungstyps, auf dessen einer Oberseite eine hoch dotierte Drainzone des einen oder des zum einen entgegengesetzten anderen Leitungstyps vorgesehen ist und in dessen andere, zur einen Oberseite gegenüberliegende Oberseite eine Kanalzone des anderen Leitungstyps mit einer darin angeordneten hochdotierten Sourcezone des einen Leitungstyps vorgesehen ist, und mit höher als der Halbleiterkörper dotierten säulenförmigen Halbleitergebieten des einen und des anderen Leitungstyps, die im Halbleiterkörper im Bereich im wesentlichen unterhalb von einer über der gegenüberliegenden Oberseite des Halbleiterkörpers vorgesehenen Gateelektrode von wenigstens der Kanalzone aus bis zu der Drainzone verlaufen.
-
3 zeigt einen bestehenden SIPMOS-Feldeffekttransistor mit einem n–-leitenden Silizium-Halbleiterkörper1 , auf dessen einer Oberseite eine n+-leitende Drainzone2 des einen Leitungstyps vorgesehen ist, die mit einer Drainelektrode3 aus beispielsweise Aluminium kontaktiert und mit einem Anschluß D versehen ist, an dem eine Spannung +UD anliegt. Anstelle der n+-Dotierung für die Drainzone2 kann gegebenenfalls auch eine p+-Dotierung verwendet werden. - In die der einen Oberseite gegenüberliegenden Oberseite des Halbleiterkörpers
1 sind p-dotierte Kanalzonen4 eingelassen, in denen wiederum n+-dotierte Sourcezonen5 angeordnet sind. - Auf der anderen Oberseite des Halbleiterkörpers
1 befinden sich Gateelektroden6 aus n+-dotiertem polykristallinem Silizium, die mit einem Gateanschluß G verbunden und in eine Iso lierschicht7 aus Siliziumdioxid eingebettet sind. Im Bereich eines Randes8 des Feldeffekttransistors sind in die Isolierschicht7 eine Feldplatte9 und ein Kanal- bzw. Channel-Stopper10 eingebettet, wobei der Channel-Stopper10 elektrisch mit dem Halbleiterkörper1 verbunden ist. Die Sourcezonen5 bzw. die Kanalzonen4 sind durch eine Metallisierung11 aus Aluminium verbunden, die an einen geerdeten Sourceanschluß S angeschlossen ist. Diese Metallisierung11 ist elektrisch mit der Feldplatte9 verbunden. - Obwohl
3 eine Schnittdarstellung zeigt, sind hier zur besseren Übersichtlichkeit lediglich die Metallschichten (3 bzw.11 ) schraffiert dargestellt. Auch sei angemerkt, daß die jeweiligen Leitungstypen auch umgekehrt sein können. -
4 zeigt einen weiteren bestehenden niederohmigen Hochvolt-Feldeffekttransistor vom sogenannten HEXFET-Typ (hexagonaler Feldeffekttransistor; vgl.US 5 338 961 ), der sich – abgesehen von seiner hexagonalen Struktur – von dem Feldeffekttransistor von3 im wesentlichen dadurch unterscheidet, daß zusätzlich im Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers1 noch ein n-dotierter Halbleiterbereich12 vorgesehen ist. Solche Halbleiterbereiche12 erstrecken sich dabei zwischen den einzelnen Kanalzonen4 . -
5 zeigt einen weiteren bestehenden niederohmigen Hochvolt-Feldeffekttransistor, bei dem im Halbleiterkörper1 unterhalb der Kanalzonen p-leitende Halbleiterbereiche13 vorgesehen sind, die bis zu der Drainzone2 reichen, während in Gebieten14 zwischen diesen Bereichen13 der Halbleiterkörper n-dotiert ist, also eine höhere Dotierung aufweist als in seinem Randbereich. Durch eine solche Streifenstruktur der Bereiche13 bzw. Gebiete14 wird erreicht, daß bei angelegter Sperrspannung der Halbleiterkörper von Ladungsträgern ausgeräumt ist, so daß ein solcher Feldeffekttransistor für beson ders hohe Sperrspannungen geeignet ist, jedoch im Durchlassbetrieb nur einen niedrigen Bahnwiderstand aufweist (vgl. hierzu auch beispielsweiseUS 5 216 275 ,DE 43 09 764 C2 sowie Siemens Forschungs- und Entwicklungsberichte, Band 9 (1980), Nr. 4, Seiten 181 und 182). - Schließlich wurde auch schon daran gedacht, in den n–-leitenden Halbleiterkörper
1 anstelle der p-leitenden Halbleiterbereiche13 und der n-leitenden Halbleitergebiete14 lediglich säulenförmige p-leitende Halbleiterbereiche15 und n-leitende Halbleiterbereiche16 einzubringen, wie dies in6 gezeigt ist. - Die WO 97/29518 beschreibt ein durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement, bei dem in einer Innenzone Ausräumzonen und komplementär zu den Ausräumzonen dotierte Komplementärausräumzonen vorhanden sind.
- Die
EP 0 118 921 A2 beschreibt einen vertikalen MOSFET an dessen Kanalzone (Bodyzone) sich eine Driftzone und eine höher als die Driftzone dotierte Halbleiterzone anschließt. - Ausgehend von einem derartigen Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen niederohmigen Hochvolt Feldeffekttransistor zu schaffen, der – ähnlich wie die obenbeschriebenen bestehenden Feldeffekttransistoren – relativ einfach herstellbar ist und sich durch eine besonders hohe Spannungsfestigkeit auszeichnet.
- Diese Aufgabe wird bei einem niederohmigen Hochvolt-Feldeffekttransistor der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß an die Kanalzone ei höher als der Halbleiterkörper dotierter Halbleiterbereich des einen Leitungstyps angrenzt.
- Die vorliegende Erfindung schlägt also eine vorteilhafte Kombination von verschiedenen, bereits seit längerer Zeit be kannten Hochvolt-Feldeffekttransistoren vor, um so eine besonders hohe Spannungsfestigkeit bei niedrigem Bahnwiderstand im Durchlassbetrieb zu erreichen.
- Bei diesem niederohmigen Hochvolt-Feldeffekttransistor können sich die Halbleitergebiete von der Kanalzone bis zur Drainzone erstrecken. Dabei kann wenigstens ein Halbleitergebiet des einen Leitungstyps an den höher dotierten Halbleiterbereich angrenzen.
- Auch ist es möglich, daß Halbleitergebiete des anderen Leitungstyps sich von der Kanalzone bis zu der Drainzone erstrecken, während Halbleitergebiete des einen Leitungstyps sich von dem höher dotierten Halbleiterbereich bis zu der Drainzone ausdehnen.
- Wie bei den eingangs erläuterten bestehenden Feldeffekttransistoren ist es auch vorteilhaft, im Randbereich eine Feldplatte vorzusehen und gegebenenfalls einen Kanal- bzw. Channel-Stopper mit dem Halbleiterkörper zu verbinden.
- Besonders zweckmäßig ist, wenn zusätzlich im Randbereich des Halbleiterkörpers noch floatende säulenartige Halbleitergebiete des einen und des anderen Leitungstyps vorgesehen werden, die jeweils höher dotiert sind als der Halbleiterkörper.
- Auch ist es zweckmäßig, für den einen Leitungstyp den n-Leitungstyp und für den anderen Leitungstyp den p-Leitungstyp zu verwenden. Gegebenenfalls ist aber auch der jeweils umgekehrte Leitungstyp anwendbar.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 und2 Schnittbilder durch ein erstes bzw. zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen niederohmigen Hochvolt-Feldeffekttransistors und -
3 bis6 Schnittbilder durch bereits bestehende Hochvolt-Feldeffekttransistoren. - Die
4 bis6 wurden bereits eingangs erläutert. In den1 und2 werden für einander entsprechende Bauteile die gleichen Bezugszeichen wie in den4 bis6 verwendet. -
1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen niederohmigen Hochvolt-Feldeffekttransistors, der sich von dem Feldeffekttransistor von6 zunächst dadurch unterscheidet, daß im Oberflächenbereich des n–-dotierten Halbleiterkörpers im Gebiet unterhalb der Gateelektroden6 noch n+-leitende Halbleiterbereiche – ähnlich wie bei dem Feldeffekttransistor der4 – vorgesehen sind, von denen aus sich die n-dotierten säulenartigen Halbleitergebiete16 bis zu der Drainzone2 erstrecken. Die n+-leitenden Halbleiterbereiche sind dabei in bevorzugter Weise zwischen jeweiligen Kanalzonen4 des Feldeffekttransistor angeordnet. - Eine vorteilhafte Randstruktur ergibt sich für diesen Hochvolt-Feldeffekttransistor, wenn im Randbereich, etwa unterhalb der Feldplatte
9 , noch floatende säulenartige p-dotierte Halbleitergebiete18 und floatende, säulenartige n-dotierte Halbleitergebiete19 vorgesehen werden. -
2 zeigt eine Abwandlung des Ausführungsbeispiels der1 , bei dem sich der n+-leitende Halbleiterbereich17 über die Kanalzone4 hinaus erstreckt und die säulenartigen Halbleitergebiete15 ,16 unterhalb der Kanalzone angeordnet sind, wobei der Halbleiterbereich17 mit einem der säulenartigen Halbleitergebiete16 in Verbindung steht. -
- 1
- Halbleiterkörper
- 2
- Drainzone
- 3
- Drainelektrode
- 4
- Kanalzone
- 5
- Sourcezone
- 6
- Gateelektrode
- 7
- Isolierschicht
- 8
- Rand
- 9
- Feldplatte
- 10
- Channel-Stopper
- 11
- Metallisierung
- 12
- n-leitender Halbleiterbereich
- 13
- p-leitender Halbleiterbereich
- 14
- n-leitendes Halbleitergebiet
- 15
- p-leitendes Halbleitergebiet
- 16
- n-leitendes Halbleitergebiet
- 17
- n-leitender Halbleiterbereich
- 18
- p-leitendes Halbleitergebiet
- 19
- n-leitendes Halbleitergebiet
- D
- Drainanschluß
- G
- Gateanschluß
- S
- Sourceanschluß
Claims (7)
- Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor, mit einem schwach dotieren Halbleiterkörper (
1 ) des einen Leitungstyps, auf dessen einer Oberseite eine hoch dotierte Drainzone (2 ) des einen oder des zum einen entgegengesetzten anderen Leitungstyps vorgesehen ist und in dessen andere, zur einen Oberseite gegenüberliegende Oberseite eine Kanalzone (4 ) des anderen Leitungstyps mit einer darin angeordneten hochdotierten Sourcezone (5 ) des einen Leitungstyps vorgesehen ist, und mit höher als der Halbleiterkörper (1 ) dotierten Halbleitergebieten (15 ,16 ) des einen und des anderen Leitungstyps, die im Halbleiterkörper (1 ) im Bereich unterhalb von über der gegenüberliegenden Oberseite des Halbleiterkörpers (1 ) vorgesehenen Gateelektroden (6 ) von der Kanalzone (4 ) aus bis zu der Drainzone (2 ) verlaufen, wobei an die Kanalzone (4 ) ein höher als der Halbleiterkörper (1 ) dotierter Halbleiterbereich (17 ) des einen Leitungstyps angrenzt, und wobei dieser höher dotierte Halbleiterbereich (17 ) an wenigstens ein höher als der Halbleiterkörper (1 ) dotiertes Halbleitergebiet (16 ) des einen Leitungstyps angrenzt, das von der Kanalzone (4 ) bis zur Drainzone (3 ) verläuft. - Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitergebiete (
15 ,16 ) sich von der Kanalzone (4 ) bis zur Drainzone (2 ) erstrecken. - Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitergebiete (
15 ) des anderen Leitungstyps sich von der Kanalzone (4 ) bis zur Drainzone (2 ) erstrecken, und daß die Halbleitergebiete (16 ) des einen Leitungstyps sich von dem höher dotierten Halbleiterbereich (17 ) bis zur Drainzone (2 ) erstrecken. - Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß im Randbereich wenigstens eine Feldplatte (
9 ) vorgesehen ist. - Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß im Randbereich ein elektrisch mit dem Halbleiterkörper (
1 ) verbundener Channel-Stopper (10 ) vorgesehen ist. - Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß im Randbereich floatende säulenartige Halbleitergebiete (
18 ,19 ) des einen und des anderen Leitungstyps, die höher dotiert sind als der Halbleiterkörper (1 ) in diesem vorgesehen sind. - Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Leitungstyp der n-Leitungstyp und der andere Leitungstyp der p-Leitungstyp ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19818299A DE19818299B4 (de) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor |
PCT/DE1999/000789 WO1999056322A1 (de) | 1998-04-23 | 1999-03-19 | Niederohmiger hochvolt-feldeffekttransistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19818299A DE19818299B4 (de) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19818299A1 DE19818299A1 (de) | 1999-11-04 |
DE19818299B4 true DE19818299B4 (de) | 2006-10-12 |
Family
ID=7865647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19818299A Expired - Fee Related DE19818299B4 (de) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19818299B4 (de) |
WO (1) | WO1999056322A1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1276156A1 (de) * | 2001-07-13 | 2003-01-15 | Abb Research Ltd. | Hochleistungsbipolartransistor |
JP3689420B1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-08-31 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
US9070765B2 (en) | 2013-02-06 | 2015-06-30 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with low on resistance and high breakdown voltage |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0118921A2 (de) * | 1983-03-14 | 1984-09-19 | Nissan Motor Co., Ltd. | MOSFET mit hoher Integrationsdichte und niegrigem ON-Widerstand |
US5338361A (en) * | 1991-11-04 | 1994-08-16 | Measurex Corporation | Multiple coat measurement and control apparatus and method |
WO1997029518A1 (de) * | 1996-02-05 | 1997-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0460251B1 (de) * | 1990-06-05 | 1998-11-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellverfahren für einen Leistungs-MISFET |
CN1019720B (zh) * | 1991-03-19 | 1992-12-30 | 电子科技大学 | 半导体功率器件 |
GB2309336B (en) * | 1996-01-22 | 2001-05-23 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
US6081009A (en) * | 1997-11-10 | 2000-06-27 | Intersil Corporation | High voltage mosfet structure |
-
1998
- 1998-04-23 DE DE19818299A patent/DE19818299B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-19 WO PCT/DE1999/000789 patent/WO1999056322A1/de active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0118921A2 (de) * | 1983-03-14 | 1984-09-19 | Nissan Motor Co., Ltd. | MOSFET mit hoher Integrationsdichte und niegrigem ON-Widerstand |
US5338361A (en) * | 1991-11-04 | 1994-08-16 | Measurex Corporation | Multiple coat measurement and control apparatus and method |
WO1997029518A1 (de) * | 1996-02-05 | 1997-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1999056322A1 (de) | 1999-11-04 |
DE19818299A1 (de) | 1999-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1051756B1 (de) | Mos-feldeffekttransistor mit hilfselektrode | |
DE19848828C2 (de) | Halbleiterbauelement mit kleiner Durchlaßspannung und hoher Sperrfähigkeit | |
DE19828191C1 (de) | Lateral-Hochspannungstransistor | |
DE3046749C2 (de) | MOS-Transistor für hohe Betriebsspannungen | |
DE69937101T2 (de) | Laterale-dünnfilm-silizium-auf-isolator (soi) anordnung mit mehreren gebieten im drift-gebiet | |
WO1999035695A1 (de) | Soi-hochspannungsschalter | |
DE10127885A1 (de) | Trench-Leistungshalbleiterbauelement | |
DE19541497B4 (de) | Lateraler Feldeffekttransistor | |
DE10309400B4 (de) | Halbleiterbauelement mit erhöhter Spannungsfestigkeit und/oder verringertem Einschaltwiderstand | |
EP1264350B1 (de) | Vertikales hochvolt-halbleiterbauelement | |
EP1027735B1 (de) | Siliziumcarbid-junction-feldeffekttransistor | |
DE19923466B4 (de) | Junctionsisolierter Lateral-MOSFET für High-/Low-Side-Schalter | |
DE19818299B4 (de) | Niederohmiger Hochvolt-Feldeffekttransistor | |
DE10301939B4 (de) | Feldeffekttransistor | |
EP0966761B1 (de) | Vertikal igbt mit einer soi-struktur | |
DE10005772B4 (de) | Trench-MOSFET | |
DE10319515B4 (de) | Trench-IGBT | |
DE19839971C2 (de) | Randstruktur für Halbleiterbauelemente | |
DE19900648B4 (de) | Leistungs-MOSFET | |
DE10108046B4 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE10317383B4 (de) | Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET) mit Kompensationsgebiet und Feldplatte | |
DE10014384B4 (de) | Mittels Feldeffekt steuerbare Halbleiteranordnung mit lateral verlaufender Kanalzone | |
DE19838108B4 (de) | Randstruktur für Hochvolt-Halbleiterbauelemente | |
DE19919130B4 (de) | Monolithisch integrierte Halbleiteranordnung mit einem Steuerbereich und einem spannungsaufnehmenden Bereich | |
DE10157510B4 (de) | MOS-Halbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |