DE10301939B4 - Feldeffekttransistor - Google Patents

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Abstract

Feldeffekttransistor mit einer Sourcezone und einer Drainzone, die jeweils in einer Halbleiterschicht (2) vorgesehen sind und einen ersten Leitungstyp aufweisen, und einem Gate (6, 7), das von der Sourcezone und der Drainzone durch eine Isolierschicht (4, 5) elektrisch isoliert ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Gate (6, 7) aus dem gleichen, monokristallinen Halbleitermaterial wie die Sourcezone und/oder die Drainzone gebildet und von der Sourcezone und/oder der Drainzone durch die in Trenches eingebrachte Isolierschicht (4, 5) elektrisch isoliert ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor und insbesondere einen MOS-Transistor mit einer Sourcezone und einer Drainzone, die jeweils in einer Halbleiterschicht vorgesehen sind und einen ersten Leitungstyp aufweisen, und einem Gate, das von der Sourcezone und der Drainzone durch eine Isolierschicht elektrisch isoliert ist. Vorzugsweise ist die Halbleiterschicht auf einem Substrat gelegen, und das Substrat ist insbesondere ein Halbleitersubstrat eines zweiten, zum ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps. Die Halbleiterschicht und das Halbleitersubstrat bilden in diesem Fall einen Halbleiterkörper.
  • Bisher wird in MOS-Feldeffekttransistoren als Gatematerial bevorzugt hochdotiertes polykristallines Silizium verwendet, das oberhalb des Kanalbereiches zwischen der Sourcezone und der Drainzone auf der Isolierschicht vorgesehen ist. Für diese Isolierschicht wird in bevorzugter Weise Siliziumdioxid eingesetzt und gewöhnlich als Gateoxid bezeichnet.
  • Das hochdotierte polykristalline Silizium des Gates muss dabei gesondert abgeschieden und fotolithografisch strukturiert werden. Dieses gesonderte Abscheiden und Strukturieren des Gatematerials ist auch dann erforderlich, wenn anstelle von hochdotiertem polykristallinem Silizium ein anderes Gatematerial, wie beispielsweise Metall, verwendet wird. Denn bei einer MOS-Struktur muss das metallische Leitfähigkeit aufweisende Gate (”M”) zwingend in einem gesonderten Prozess auf der auf dem Halbleiterkörper (”S”) vorgesehenen und aus Oxid (”O”) bestehenden Isolierschicht aufgetragen und strukturiert werden. Obwohl ein Feldeffekttransistor vorteilhaft wäre, bei dem Abscheidung und Strukturierung von Gate keine gesonderten, zusätzlichen Verfahrensschritte erfordern, ist dessen Realisierung bisher nicht ernsthaft erwogen worden.
  • Im einzelnen ist aus der DE 198 25 524 A1 ein Feldeffekttransistor mit einer Sourcezone und einer Drainzone, die jeweils in einer Halbleiterschicht vorgesehen sind und einen ersten Leitungstyp aufweisen, und mit einem Gate, das von der Sourcezone und der Drainzone durch eine Isolierschicht elektrisch isoliert ist, bekannt. Das Gate könnte dabei aus dem gleichen polykristallinen Halbeitermaterial wie die Sourcezone und/oder die Drainzone gebildet und von der Sourcezone und/oder der Drainzone durch die in Trenches eingebrachte Isolierschicht elektrisch isoliert sein.
  • Weiterhin ist aus der JP H10-190002 A ein SOI-Transistor (”Silicon-on-Insulator”) bekannt, bei dem Source- und Drainzonen in einer an ein Trench angrenzenden aktiven Schicht gelegen sind.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Feldeffekttransistor anzugeben, der insoweit besonders einfach herstellbar ist, als für die Erzeugung seines Gates keine gesonderten, zusätzlichen Verfahrensschritte benötigt werden.
  • Diese Aufgabe wird bei einem Feldeffekttransistor der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das Gate aus dem gleichen monokristallinem Halbleitermaterial wie die Sourcezone und/oder die Drainzone gebildet und von der Sourcezone und/oder der Drainzone durch die in Trenches eingebrachte Isolierschicht elektrisch isoliert ist.
  • Dabei wird das Gate aus Halbleitermaterial gebildet, das den gleichen Leitungstyp wie die Sourcezone und die Drainzone hat.
  • Das Gate ist in vorteilhafter Weise zwischen zwei ein Paar bildenden und jeweils mit der Isolierschicht gefüllten Trenches vorgesehen. Das Gate kann dann zwischen wenigstens zwei voneinander beabstandeten Trenchpaaren vorgesehen sein.
  • In einer Weiterbildung der Erfindung werden die Sourcezone, die Drainzone und Gate durch eine auf einem Halbleitersubstrat des zweiten Leitungstyps vorgesehene Halbleiterschicht des ersten Leitungstyps gebildet. Die Isolierschicht kann dabei die Halbleiterschicht durchsetzen und bis zum Halbleitersubstrat reichen.
  • In einer anderen zweckmäßigen Weiterbildung der Erfindung ist die Isolierschicht an ihrem von der Oberfläche der Halbleiterschicht abgewandten Ende auf der dem Halbleitersubstrat zugewandten Seite des Trenches mit stark dotierten Gebieten des zweiten Leitungstyps umgeben. Diese stark dotierten Gebiete weisen eine höhere Dotierungskonzentration als das Halbleitersubstrat auf und verhindern ein Durchgreifen des elektrischen Feldes von der Halbleiterschicht in das Halbleitersubstrat.
  • Weiterhin ist zweckmäßig, wenn im Gate vorzugsweise an dessen Oberfläche ein Gebiet des zweiten Leitungstyps gelegen ist. Ist dieses Gebiet p-leitend, so schließt es eine Löcherinversionsschicht an Gate an, falls Drain ein positiveres Potential als Source hat.
  • Schließlich kann in einer anderen Weiterbildung der Erfindung die Isolierschicht eine zwischen der Sourcezone und der Drainzone in Richtung auf die Drainzone zunehmende Schichtdicke haben. Durch eine solche zunehmende Schichtdicke wird ein ähnlich günstiger Verlauf des elektrischen Feldes wie mit Feldplatten bei herkömmlichen MOS-Transistoren erreicht.
  • Der erfindungsgemäße Feldeffekttransistor kann ohne weiteres in beliebiger Technologie von integrierten Schaltungen hergestellt werden. Dabei ist auch eine SOI-Struktur (”Silicon-on-Insulator”) möglich, welche besonders einfach erzeugt werden kann, da sich hier die Halbleiterschicht direkt auf dem Isolator befindet und ein Halbleitersubstrat. entfällt.
  • Auch kann der erfindungsgemäße Feldeffekttransistor als Kompensationsbauelement hergestellt werden, wenn in seiner Driftstrecke zwischen Source und Drain Kompensationsgebiete des anderer Leitungstyps vorgesehen werden. Diese Kompensationsgebiete können floatend sein oder auf einem festen Potential liegen.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen Feldeffekttransistor,
  • 2 einen Schnitt II-II durch den Feldeffekttransistor von 1,
  • 3 einen Schnitt III-III durch den Feldeffekttransistor von 1,
  • 4 eine schematische Draufsicht auf ein anderes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Feldeffekttransistors,
  • 5 eine schematische Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Feldeffekttransistors, bei dem dessen Rückseite und Gate auf 0 V gelegt sind, und
  • 6 einen Schnitt VI-VI durch den Feldeffekttransistor von 5.
  • Die 1 bis 3 veranschaulichen ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Feldeffekttransistors mit verschiedenen Varianten. Zunächst sind bei diesem Ausführungsbeispiel in eine auf einem p-leitenden Siliziumsubstrat 1 aufgebrachte und beispielsweise epitaktisch abgeschiedene n-leitende Siliziumschicht 2 verschiedene Trenches eingebracht, die mit einem Isolierstoff, vorzugsweise Siliziumdioxid, gefüllt sind und als ”Oxidtrenches” bezeichnet werden. im Einzelnen umgibt so ein Randoxidtrench 3 ein eigentliches Bauelementegebiet, in welchem zwei Gateoxidtrenches 4, 5 vorgesehen sind, die ihrerseits Gateelektroden 6, 7 umgeben, die mit einem Gateanschluss G versehen sind. Die Gateelektroden 6, 7 bestehen dabei aus Bereichen der einkristallinen Siliziumschicht 2. Das heißt, anstelle des üblichen polykristallinen Siliziums wird hier monokristallines Silizium für die Gateelektroden 6, 7 eingesetzt.
  • Die Gateoxidtrenches 4, 5 bilden ein Trenchpaar. Gegebenenfalls kann auch mehr als ein Trenchpaar vorgesehen sein.
  • In dem durch den Randoxidtrench 3 umgebenen eigentlichen Bauelementegebiet befinden sich noch eine hochdotierte n+-leitende Sourceanschlusszone 8 und eine ebenfalls hochdotierte, n+-leitende Drainanschlusszone 9, die jeweils mit einem Sourceanschluss S bzw. einem Drainanschluss D versehen sind.
  • Damit wird bei dem Feldeffekttransistor des Ausführungsbeispiels der 1 bis 3 eine Driftstrecke durch den Bereich der Siliziumschicht 2 zwischen der Sourceanschlusszone 8 und dem Drainanschluss 9 und zwischen den Gateoxidtrenches 4, 5 gebildet, während die Gateelektroden 6, 7 durch die Oxidtrenche 4, 5 von der Sourcezone bzw. Drainzone isoliert sind.
  • Es sei angemerkt, dass die angegebenen Leitfähigkeitstypen selbstverständlich auch umgekehrt sein können, so dass beispielsweise eine p-leitende Siliziumschicht 2 auf einem n-leitenden Siliziumsubstrat 1 gelegen ist. Weiterhin kann anstelle von Silizium auch ein anderes geeignetes Halbleitermaterial, wie beispielsweise Siliziumcarbid oder Verbindungshalbleiter, eingesetzt werden.
  • Der Bereich außerhalb des Randoxidtrenches 3 kann, wie auch das Siliziumsubstrat 1 in vorteilhafter Weise auf Bezugspotential, wie insbesondere Masse, liegen.
  • Der Feldeffekttransistor des Ausführungsbeispiels der 1 ist in bevorzugter Weise vom Verarmungstyp, da bei ihm ein Stromfluss zwischen dem Sourceanschluss S und dem Drainanschluss D bei fehlendem Steuersignal ohne weiteres durch die Driftstrecke, das heißt, das Bauelementegebiet bzw. durch die Siliziumschicht 2 im Innenbereich des Randoxidtrenches 3 fließt.
  • Die 1 bis 3 veranschaulichen auch zwei weitere Varianten des ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung, die gemeinsam oder auch getrennt angewandt werden können:
    So ist es möglich, unterhalb der Gateoxidtrenche 4, 5 p+-leitende Gebiete 10, 11 (strichliert dargestellt) im sonst p-leitenden Siliziumsubstrat 1 vorzusehen, welche ein Durchgreifen des elektrischen Feldes von den Gateelektroden 6, 7 in das Substrat 1 verhindern. Diese p+-leitenden Gebiete 10, 11 können beispielsweise durch Ionenimplantation in die Trenche eingebracht werden, bevor diese mit der Isolierschicht bzw. Siliziumdioxid gefüllt werden.
  • Alternativ oder zusätzlich zu der obigen Variante des Ausführungsbeispiels der 1 bis 3 kann in die Gateelektrode 6 bzw. 7, die aus n-dotiertem Silizium der Schicht 2 besteht, noch ein p-leitendes Gebiet 12 eingebracht werden, das ebenfalls mit dem Gateanschluss G verbunden ist. Dieses Gebiet 12 schließt eine Löcherinversionsschicht an Gate an, falls Drain positiver als Source ist. Selbstverständlich ist es auch möglich, das Gebiet 12 nur in einer Gateelektrode, beispielsweise in der Gateelektrode 6 vorzusehen und die Gateelektrode 7 nicht mit einem derartigen Gebiet 12 auszustatten.
  • Die 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das sich vom Ausführungsbeispiel der 1 dadurch unterscheidet, dass hier die Isolierschicht im Gateoxidtrench 4' bzw. 5' in Richtung auf die Drainanschlusszone 9 hin dicker wird, also die Durchbruchsfeldstärke erhöht. Selbstverständlich kann das Ausführungsbeispiel der 4 auch entsprechend den verschiedenen Varianten des Ausführungsbeispiels der 1 bis 3 ausgestattet sein.
  • Die 5 und 6 zeigen ein letztes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Gateelektrode 6 bzw. 7 ebenso wie die Rückseite bzw. das Siliziumsubstrat 1 und die den Randoxidtrench 3 umgebende Halbleiterschicht 2 auf 0 V bzw. Bezugspotential gelegt sind. In diesem Fall arbeitet die insoweit beschriebene Struktur als strombegrenzender Verarmungs-MOS-Feldeffekttransistor und kann beispielsweise als Driftstrecke für einen Hochvolt-Lateral-MOS-Feldeffekttransistor eingesetzt werden. Dieser Hochvolt-Lateral-MOS-Feldeffekttransistor weist dann unterhalb des Sourceanschlussgebietes 8' eine p-leitende Wanne 13 auf, welche eine Kanalzone fur eine herkömmliche Gateelektrode 14 aus beispielsweise polykristallinem Silizium bildet, die mit einem Gateanschluss G' verbunden ist. In diesem Fall kann anstelle des Siliziumsubstrates 1 auch ein Isolator (isolierendes Substrat) 1' verwendet werden, so dass eine SOI-Scheibe vorliegt. In diesem Fall erstrecken sich die Trenche 3, 4, 5 nur bis zur Oberfläche des Isolators 1' und brauchen nicht in diesen einzudringen.
  • In die n-leitende Siliziumschicht 2 können auch p-leitende Kompensationsgebiete 15, 15' eingebettet sein, die floatend (15) oder auch mit dem Siliziumsubstrat verbunden (15') sein können.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Siliziumsubstrat
    1'
    isolierendes Substrat
    2
    Siliziumschicht
    3
    Randoxidtrench
    4, 4'
    Gateoxidtrench
    5, 5'
    Gateoxidtrench
    6
    Gateelektrode
    7
    Gateelektrode
    8, 8'
    Sourceanschlusszone
    9
    Drainanschlusszone
    10
    p-leitendes Gebiet
    11
    p-leitendes Gebiet
    12
    p-leitendes Gebiet
    13
    p-leitende Wanne
    14
    Gateelektrode
    15, 15'
    Kompensationsgebiete

Claims (11)

  1. Feldeffekttransistor mit einer Sourcezone und einer Drainzone, die jeweils in einer Halbleiterschicht (2) vorgesehen sind und einen ersten Leitungstyp aufweisen, und einem Gate (6, 7), das von der Sourcezone und der Drainzone durch eine Isolierschicht (4, 5) elektrisch isoliert ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Gate (6, 7) aus dem gleichen, monokristallinen Halbleitermaterial wie die Sourcezone und/oder die Drainzone gebildet und von der Sourcezone und/oder der Drainzone durch die in Trenches eingebrachte Isolierschicht (4, 5) elektrisch isoliert ist.
  2. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gate (6, 7) den gleichen Leitungstyp wie die Sourcezone und die Drainzone hat.
  3. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Gate (6, 7) zwischen zwei ein Paar bildenden und jeweils mit der Isolierschicht gefüllten Trenches vorgesehen ist.
  4. Feldeffekttransistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Gate (6, 7) zwischen wenigstens zwei voneinander beabstandeten Trenchpaaren vorgesehen ist.
  5. Feldeffektransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Sourcezone, die Drainzone und das Gate (6, 7) durch eine auf einem Halbleitersubstrat (1) des zweiten Leitungstyps vorgesehene Halbleiterschicht (2) des ersten Leitungstyps gebildet sind.
  6. Feldeffekttransistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht (4, 5) die Halbleiterschicht (2) durchsetzt und bis zum Halbleitersubstrat (1) reicht.
  7. Feldeffekttransistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht (4, 5) an ihrem von der Oberfläche der Halbleiterschicht (2) abgewandten Ende auf der dem Halbleitersubstrat (1) zugewandten Seite des Trenches mit Gebieten (10, 11) des zweiten Leitungstyps umgeben ist.
  8. Feldeffekttransistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass im Gate (6, 7) ein Gebiet (12) des zweiten Leitungstyps vorgesehen ist.
  9. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht (4', 5') eine zwischen Sourcezone und Drainzone in Richtung auf die Drainzone zunehmende Schichtdicke hat.
  10. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Gateelektrode (6, 7) auf Bezugspotential liegt, eine Sourceanschlusszone (8') von einer Wanne (13) des zweiten Leitungstyps umgeben ist und oberhalb dieser Wanne (13) eine weitere Gateelektrode (14) angeordnet ist.
  11. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch Kompensationsgebiete (15, 15') des zweiten Leitungstyps in der Halbleiterschicht (2).
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