DE19800196A1 - Verfahren zur Herstellung von Flächenwiderstandsschichten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von FlächenwiderstandsschichtenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
einer Flächenwiderstandsschicht, die ein als Träger
wirkendes erstes Material und ein elektrisch leitendes
oder halbleitendes zweites Material enthält und einen
vorgegebenen Flächenwiderstandswert hat.
Flächenwiderstandsschichten können z. B. zur Herstellung
breitbandiger Absorber zur Dämpfung elektromagnetischer
Wellen verwendet werden. Derartige Absorber sind in dem
deutschen Patent Nr. 44 04 071 der gleichen Erfinder
näher beschrieben. Bisher werden die
Flächenwiderstandsschichten auf vielfältige Weise
physikalisch oder chemisch hergestellt. Nachteilig bei
den bekannten Verfahren ist, daß
Flächenwiderstandsschichten mit hohen Widerständen nur
mit großem technischen Aufwand und entsprechend hohen
Herstellungskosten realisiert werden können, die
Reproduzierbarkeit jedoch trotzdem gering ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, den
Aufwand bei der Herstellung von Flächenwiderstands
schichten, insbesondere von Flächenwiderstandsschichten
mit hohen Widerstandswerten, zu verringern.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs
genannten Art dadurch gelöst,
daß eine Ausgangswiderstandsschicht aus dem ersten und
zweiten Material hergestellt wird, die einen
Flächenwiderstandswert hat, der niedriger als der
vorgegebene Flächenwiderstandswert ist,
daß die Oberfläche der Ausgangswiderstandsschicht
derart thermisch und/oder chemisch und/oder mechanisch
behandelt wird, daß der Flächenwiderstandswert den
vorgegebenen Wert erreicht.
Auf diese Weise kann auf die verschiedenen bekannten
und erprobten Herstellungstechnologien zur Herstellung
einer geeigneten Ausgangswiderstandsschicht
zurückgegriffen werden. Da der erfindungsgemäß
benötigte Flächenwiderstandswert der Ausgangsschicht
niedriger als der vorgegebene Flächenwiderstandswert
ist, ist der technische Aufwand entsprechend geringer.
Insbesondere können Flächenwiderstandsverteilungen von
Schichten mit niedrigerem Widerstandswert genauer und
wesentlich reproduzierbarer eingestellt werden.
Überraschenderweise hat sich gezeigt, daß bei
Durchführung eines zweiten zusätzlichen
Herstellungsschrittes, nämlich einer nachträglichen
thermischen, chemischen oder mechanischen
Oberflächenbehandlung, der Aufwand und die Kosten bei
der Herstellung von Flächenwiderstandsschichten,
insbesondere von Schichten mit hohem
Flächenwiderstandswert, deutlich gesenkt werden können.
Die Flächenwiderstandsverteilung kann mit Hilfe der
nachträglichen Behandlung beliebig, insbesondere sehr
reproduzierbar, eingestellt werden. Eine
Flächenwiderstandsschicht mit variierendem
Flächenwiderstandswert kann hergestellt werden, indem
die Oberfläche einer Ausgangswiderstandsschicht mit
gleichmäßiger Flächenwiderstandsverteilung
unterschiedlich stark behandelt wird.
Dabei muß die Ausgangswiderstandsschicht keine
besonderen mechanischen Anforderungen erfüllen, da
lediglich die Oberfläche der Ausgangswiderstandsschicht
behandelt wird. Die mechanischen Eigenschaften des als
Träger wirkenden ersten Materials bleiben der
Flächenwiderstandsschicht somit im wesentlichen
erhalten.
Zur großtechnischen Herstellung ist es vorteilhaft, die
Flächenwiderstandsschicht als Flächenwiderstandsbahn
herzustellen. Bei der großtechnischen Herstellung ist
es zudem besonders günstig, die Oberfläche einer
Ausgangswiderstandsbahn kontinuierlich oder quasi-
kontinuierlich zu behandeln. Z. B. kann die
Ausgangswiderstandsbahn durch ein chemisches Bad, an
einer Sprüheinrichtung für chemische Substanzen oder an
einer Heizeinrichtung vorbei geführt werden.
Ein besonders kostengünstiges Herstellungsverfahren ist
dadurch gekennzeichnet, daß als erstes Material ein
Polymer, Karton oder ein anorganisches Material
verwendet wird.
Eine Weiterbildung der Erfindung ist dadurch gekenn
zeichnet, daß zur Herstellung der Ausgangswider
standsschicht aus dem ersten Material eine vorzugsweise
mechanisch flexible Trägerbahn hergestellt wird und das
zweite Material auf die Trägerbahn aufgetragen wird.
Vorteilhafterweise wird die Trägerbahn mit einer Dicke
unterhalb von 5 mm, vorzugsweise zwischen 5 bis 500 µm,
hergestellt. Das Gewicht und der Platz- bzw.
Lagerbedarf der derart hergestellten Flächenwi
derstandsbahn sind äußerst gering.
Alternativ können zur Herstellung der Ausgangswider
standsbahn Fasern, die das erste Material enthalten, zu
einer Bahn verbunden und wenigstens teilweise mit dem
zweiten Material beschichtet werden. Selbstverständlich
können die Fasern auch das zweite Material zusätzlich
enthalten. Wichtig ist, daß wenigstens ein Teil der
Oberfläche der Ausgangswiderstandsbahn aus dem zweiten
Material besteht, damit die Oberflächenbehandlung zu
einer Erhöhung des Flächenwiderstandswertes führt.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel ist dadurch ge
kennzeichnet, daß zur Herstellung der Ausgangswider
standsschicht das zweite Material aus der Dampfphase im
Vakuum oder unter Zusatz reaktiver Gase niederge
schlagen wird. Genauso kann das zweite Material zur
Herstellung der Ausgangswiderstandsschicht im Vakuum
oder unter Zusatz reaktiver Gase aufgestäubt werden.
Eine Weiterbildung der Erfindung ist dadurch gekenn
zeichnet, daß das zweite Material mit oder ohne
weiteren reaktiven Anteil erzeugt wird aus einem
Reinmetall, einer Metallegierung oder einem Halbleiter
unter Verwendung eines oder mehrerer der Elemente Al,
Cr, Fe, In, Ni, Sb, Sn, Ta, Ti oder Zn.
Vorteilhafterweise wird die Ausgangswiderstandsschicht
derart hergestellt, daß sie eine gleichmäßige und
einheitliche Flächenwiderstandsverteilung aufweist.
Flächenwiderstandsschichten mit einheitlichem und
gleichmäßigem Flächenwiderstandswert können aus diesen
Ausgangswiderstandsschichten bei gleichmäßiger
Behandlung der Oberfläche hergestellt werden.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel ist dadurch ge
kennzeichnet, daß die Oberfläche der Ausgangswider
standsschicht mit einer reaktiven Chemikalie, z. B.
einer Säure oder Base, benetzt wird. Die Zusammenset
zung der Chemikalie sollte in Abhängigkeit von dem
Material der Ausgangswiderstandsbahn und dem zu er
zielenden Flächenwiderstandswert gewählt werden. Wird
als zweites Material Aluminium verwendet, kann dieses
mit vorzugsweise zehnprozentiger Salzsäure benetzt
werden.
Eine alternative Weiterbildung der Erfindung ist da
durch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Aus
gangswiderstandsschicht durch Reibung mechanisch an
gegriffen wird. Eine weitere Verfahrensalternative ist
dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der
Ausgangswiderstandsschicht durch Infrarotbestrahlung,
durch Heißluft oder durch mechanischen Kontakt mit
einer heißen Oberfläche thermisch behandelt wird.
Vorzugsweise wird die Oberfläche der
Ausgangswiderstandsschicht einer Temperatur ausgesetzt,
die in der Nähe der Schmelztemperatur des ersten oder
zweiten Materials liegt.
Bei einem Ausführungsbeispiel werden nur Teilbereiche
der Ausgangsflächenwiderstandsschicht behandelt, welche
regelmäßig oder statistisch verteilt sind.
Vorteilhafterweise haben die behandelten Teilbereiche
eine Größe von 1 bis 10 000 mm2 und untereinander einen
Abstand von 0,01 mm bis 100 mm, vorzugsweise von 1 mm bis
20 mm.
Besonders geeignet ist das erfindungsgemäße Herstel
lungsverfahren zur Herstellung von Flächenwider
standsschichten, die einen vorgegebenen Flächenwi
derstandswert zwischen 1 Ohm pro Quadrat und 1000 kOhm
pro Quadrat, vorzugsweise zwischen 10 Ohm pro Quadrat
und 100 kOhm pro Quadrat haben. Besonders bewährt hat
sich das Verfahren bisher im Wertebereich von 50 Ohm
pro Quadrat bis 10 kOhm pro Quadrat.
Im Rahmen der Erfindung sind zahlreiche Abwandlungen
möglich. Die Zusammensetzung des ersten und des zweiten
Materials kann beliebig variiert werden. Auch die Art,
Dauer und Intensität der Oberflächenbehandlung kann für
jeden zu erzielenden Flächenwiderstandswert frei
gewählt werden.
Claims (19)
1. Verfahren zur Herstellung einer Flächenwiderstandsschicht, die ein als Träger wirkendes
erstes Material und ein elektrisch leitendes oder halbleitendes zweites Material enthält und
einen vorgegebenen Flächenwiderstandswert hat,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Ausgangswiderstandsschicht aus dem ersten und zweiten Material hergestellt wird, die einen Flächenwiderstandswert hat, der niedriger als der vorgegebene Flächenwider standswert ist,
daß die Oberfläche der Ausgangswiderstandsschicht derart thermisch und/oder chemisch und/oder mechanisch behandelt wird, daß der Flächenwiderstandswert den vorgegebenen Wert erreicht.
daß eine Ausgangswiderstandsschicht aus dem ersten und zweiten Material hergestellt wird, die einen Flächenwiderstandswert hat, der niedriger als der vorgegebene Flächenwider standswert ist,
daß die Oberfläche der Ausgangswiderstandsschicht derart thermisch und/oder chemisch und/oder mechanisch behandelt wird, daß der Flächenwiderstandswert den vorgegebenen Wert erreicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flächenwiderstandsschicht
als Flächenwiderstandsbahn hergestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als erstes Material ein
Polymer, Karton oder ein anorganisches Material verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung
der Ausgangswiderstandsschicht aus dem ersten Material eine vorzugsweise mechanisch
flexible Trägerbahn hergestellt wird und das zweite Material auf die Trägerbahn aufgetragen
wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerbahn mit einer Dicke
unterhalb von 5 mm, vorzugsweise zwischen 5 bis 500 µm, hergestellt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung
der Ausgangswiderstandsbahn Fasern, die das erste Material enthalten, zu einer Bahn
verbunden und wenigstens teilweise mit dem zweiten Material beschichtet werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung
der Ausgangswiderstandsschicht das zweite Material aus der Dampfphase im Vakuum oder
unter Zusatz reaktiver Gase niedergeschlagen wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung
der Ausgangswiderstandsschicht das zweite Material im Vakuum oder unter Zusatz reaktiver
Gase aufgestäubt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Ma
terial mit oder ohne weiteren reaktiven Anteil erzeugt wird aus einem Reinmetall, einer
Metallegierung oder einem Halbleiter unter Verwendung eines oder mehrerer der Elemente
Al, Cr, Fe, In, Ni, Sb, Sn, Ta, Ti oder Zn.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Aus
gangswiderstandsschicht derart hergestellt wird, daß sie eine gleichmäßige und einheitliche
Flächenwiderstandsverteilung aufweist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Flächen
widerstandsschicht kontinuierlich oder quasikontinuierlich behandelt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die
Oberfläche der Ausgangswiderstandsschicht mit einer reaktiven Chemikalie, z. B. einer Säure
oder Base, benetzt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als zweites
Material Aluminium verwendet wird und dieses mit vorzugsweise zehnprozentiger Salzsäure
benetzt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die
Oberfläche der Ausgangswiderstandsschicht durch Reibung mechanisch angegriffen wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die
Oberfläche der Ausgangswiderstandsschicht durch Infrarotbestrahlung, durch Heißluft oder
durch mechanischen Kontakt mit einer heißen Oberfläche thermisch behandelt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die
Oberfläche der Ausgangswiderstandsschicht einer Temperatur ausgesetzt wird, die in der
Nähe der Schmelztemperatur des ersten oder zweiten Materials liegt.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß nur Teil
bereiche der Ausgangsflächenwiderstandsschicht behandelt werden, welche regelmäßig oder
statistisch verteilt sind.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß Teilbereiche der Oberfläche
behandelt werden, die eine Größe von 1 bis 10000 mm2 und untereinander einen Abstand von
0,01 mm bis 100 mm, vorzugsweise von 1 mm bis 20 mm, aufweisen.
19. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 18, zur Herstellung von
Flächenwiderstandsschichten, die einen vorgegebenen Flächenwiderstandswert zwischen
1 Ohm pro Quadrat und 1000 kOhm pro Quadrat, vorzugsweise zwischen 10 Ohm pro Quadrat
und 100 kOhm pro Quadrat, haben.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998100196 DE19800196C2 (de) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | Verfahren zur Herstellung von Flächenwiderstandsschichten |
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Publications (2)
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DE19800196C2 DE19800196C2 (de) | 1999-10-28 |
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DE (1) | DE19800196C2 (de) |
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- 1998-01-07 DE DE1998100196 patent/DE19800196C2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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DE19800196C2 (de) | 1999-10-28 |
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