DE19756941B4 - Halbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtungseinheit und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtungseinheit - Google Patents

Halbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtungseinheit und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtungseinheit Download PDF

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Abstract

Halbleitervorrichtung (20D), die umfaßt:
eine Harzpackung (27B), in der ein Halbleiterchip (21) eingekapselt ist;
Anschlußbeine (24) mit inneren Anschlußbeinteilen (24a), die mit dem Halbleiterchip (21) verbunden sind, und äußeren Anschlußbeinteilen (24b), die außerhalb der Harzpackung positioniert sind, um Außenverbindungsanschlüsse vorzusehen, wobei die äußeren Anschlußbeinteile (24b) längs einer Form der Harzpackung gebogen sind, so daß die äußeren Anschlußbeinteile (24b) von einer Bodenoberfläche (27a) zu wenigstens einer von Seitenoberflächen (27c) und zu einer oberen Oberfläche (27b) der Harzpackung gezogen sind, wobei der Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b), der auf der oberen Oberfläche (27b) der Harzpackung (27B) angeordnet ist, gegen diese geneigt ist; und
einen Positionierungsmechanismus für jedes der äußeren Anschlußbeinteile (24b), der an den Anschlußbeinen (24) und der Harzpackung vorgesehen ist, um die äußeren Anschlußbeinteile (24b) an der Harzpackung zu positionieren, indem er mit einem Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b) im Eingriff steht, wobei der Positionierungsmechanismus Nuten (28B)...

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen eine Halbleitervorrichtung, eine Halbleitervorrichtungseinheit und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit, und im besonderen betrifft sie eine Halbleitervorrichtung, eine Halbleitervorrichtungseinheit und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit, das eine Montage mit hoher Dichte vorsieht, indem. die Halbleitervorrichtungen gestapelt werden.
  • Eine Halbleitervorrichtung muß weiter miniaturisiert werden, um eine höhere Operationsgeschwindigkeit zu erreichen und um komplizierter zu sein, um so dem Trend von neuen elektronischen Vorrichtungen gerecht zu werden. Die Effektivität beim Montieren der Halbleitervorrichtung auf eine Montageplatte muß auch verbessert werden.
  • Um die obigen Anforderungen zu erfüllen, ist eine Mehrheit von Halbleitervorrichtungen, die gegenwärtig verfügbar sind, der Oberflächenmontagetyp, bei dem Anschlußbeine auf der Oberfläche der Montageplatte verbunden werden. Dennoch wird eine Halbleitervorrichtung gewünscht, die eine höhere Montageeffektivität hat.
  • 2. Beschreibung der verwandten Technik
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Halbleitervorrichtung 1 nach Stand der Technik zeigt. 2 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtung nach Stand der Technik längs einer Linie A-A in 1. Die Halbleitervorrichtung 1 ist in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 63-15453 A und 63-15453 A offenbart.
  • Eine Halbleitervorrichtung 1, die in 1 und in 2 gezeigt ist, enthält einen Halbleiterchip 2, eine Harzpackung 3 zum Einkapseln des Halbleiterchips 2, Anschlußbeine 4 und eine Stufe 7, auf die der Halbleiterchip 2 montiert ist. Von jedem der Anschlußbeine 4 ist ein Ende mit dem Halbleiterchip 2 durch Draht 5 verbunden, und das andere Ende ist von einer unteren Oberfläche 3a der Harzpackung 3 exponiert, um einen Außenanschluß 6 zu bilden. Mit anderen Worten, bei der Halbleitervorrichtung 1 sind alle Teile der Anschlußbeine 4, außer den Außenanschlüssen 6, in der Packung 3 eingekapselt.
  • Bei der Halbleitervorrichtung 1 mit der obigen Struktur kann, da die Teile, die die Außenanschlüsse 6 bilden, von der unteren Oberfläche 3a der Harzpackung 3 exponiert sind, das Ausmaß oder die Länge der Anschlußbeine 4, die aus der Seite der Packung 3 herausragen, reduziert werden. Deshalb wird, die Montagedichte der Halbleitervorrichtung erhöht. Ferner ist es bei der obigen Struktur nicht erforderlich, den herausragenden Teil des Anschlußbeines zu biegen, und somit ist keine Form mehr notwendig, die zum Biegen genutzt wird. Deshalb werden verschiedene Vorteile erwartet, wie zum Beispiel die Reduzierung der Herstellungskosten.
  • Bei der Halbleitervorrichtung nach Stand der Technik gibt es jedoch ein Problem. Anschlüsse 4a der Anschlußbeine 4, die durch Drähte zu verbinden sind, sind, wie in 2 gezeigt, auf der Seite des Halbleiterchips 2 positioniert. Deshalb hat die Packung 3 große Abmessungen, und die Halbleitervorrichtung 1 konnte keine ausreichende Miniaturisierung erreichen. Idealerweise wird die Größe der Halbleitervorrichtung miniaturisiert, um im wesentlichen genauso groß wie der Halbleiterchip zu sein. Dagegen ist bei der Halbleitervorrichtung 1 nach Stand der Technik die Größe der Packung 3 mehr als doppelt so groß wie der Halbleiterchip 2.
  • Eine Halbleitervorrichtung, die vorgeschlagen wurde, um das obige Problem zu lösen, ist beschrieben in der offengelegten japani schen Patentanmeldung Nr. 6-132453A, mit dem Titel: "Semiconductor Device and Method of Manufacturing Semiconductor Device". 3A–3B zeigen eine Halbleitervorrichtung, die mit der obigen Patentanmeldung verbunden ist.
  • Eine Halbleitervorrichtung 10A, die in 3A–3B gezeigt ist, ist mit einem Halbleiterchip 11, einer Harzpackung 17 zum Einkapseln dieses Halbleiterchips 11 und einer Vielzahl von Anschlußbeinen 14 versehen. Jedes der Anschlußbeine 14 hat ein inneres Ende 14a, das mit dem Halbleiterchip 11 elektrisch verbunden ist, und ein äußeres Ende, das von einer unteren Oberfläche 17a einer Harzpackung 17 exponiert ist, um einen Außenanschluß 16 zu bilden. Alle Teile der Anschlußbeine 14, außer die Außenanschlüsse 16, sind innerhalb der Packung 17 eingekapselt. Die Halbleitervorrichtung 10A ist dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl der Anschlußbeine 14 wenigstens teilweise mit dem Halbleiterchip 11 vertikal innerhalb der Packung 17 überlappt ist.
  • Durch die obige Struktur wird die Halbleitervorrichtung 10A im Vergleich zu der Halbleitervorrichtung 1, die in 1 und 2 gezeigt ist, um einen Bereich des überlappten Teils (in 3A durch einen Pfeil L1 gekennzeichnet) miniaturisiert. Ferner enthält die Halbleitervorrichtung 10A in 3A auch eine Stufe 12, eine Elektrodeninsel 13 und Drähte 15.
  • Um eine Montage mit einer noch höheren Dichte zu erreichen, können Halbleiter in einem vertikalen Stapel montiert werden. Jedoch ist die Halbleitervorrichtung 10A, die in 3A–3B gezeigt ist, nicht zur vertikalen Montage in einem Stapel geeignet. Dies führt zu dem Problem, daß eine Montage mit einer noch höheren Dichte (d. h., eine dreidimensionale Montage) nicht erreicht werden kann.
  • Eine Halbleitervorrichtung, die vorgeschlagen wurde, um das obige Problem zu lösen, ist beschrieben in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 08-068389 A mit dem Titel: "Semiconductor Device and Semiconductor Device Unit". 4 und 5 zeigen eine Halbleitervorrichtung, die mit der obigen Patentanmeldung verbunden ist.
  • Eine Halbleitervorrichtung 10B, die in 4 und in 5 gezeigt ist, enthält Anschlußbeine 18, von denen jedes einen inneren Anschlußbeinteil 18a und einen äußeren Anschlußbeinteil 18b hat. Die Halbleitervorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Anschluß 18b-1, ein zweiter Anschluß 18b-2 und ein dritter Anschluß 18b-3 gebildet sind, indem der äußere Anschlußbeinteil 18b außerhalb der Harzpackung 17 verlängert wurde und der äußere Anschlußbeinteil 18b längs einer Form der Harzpackung 17 gebogen wurde.
  • Die Halbleitervorrichtung 10B hat solch eine Struktur, daß der erste Anschluß 18b-1 auf der unteren Oberfläche der Harzpackung 17 angeordnet ist und der zweite Anschluß 18b-2 auf der oberen Oberfläche der Harzpackung 17 angeordnet ist. Deshalb ist es nun möglich, die Halbleitervorrichtung 10B in einem Stapel zu montieren, wodurch eine höhere Montagedichte erreicht wird.
  • Die in 4 und 5 gezeigte Halbleitervorrichtung 10B ist jedoch durch einfaches Biegen der äußeren Anschlußbeinteile 18b längs der Form der Harzpackung 17 konstruiert, um die äußeren Anschlußbeinteile 18b bis zu der oberen Oberfläche der Harzpackung 17 zu ziehen. Deshalb sind die zweiten Anschlußteile 18b-2 und die dritten Anschlußteile 18b-3 auf solch eine Weise vorgesehen, daß sie etwas entfernt von der Halbleitervorrichtung 10B angeordnet sind (siehe 5).
  • Daher können die äußeren Anschlußbeinteile 18b leicht deformiert werden, wenn eine äußere Kraft angewendet wird. Wenn in solch einem Fall benachbarte äußere Anschlußbeinteile 18b kurzgeschlossen werden, oder wenn die zweiten Anschlußteile 18b-2 und die dritten Anschlußteile 18b-3 von der vorbestimmten Position versetzt werden, kann es passieren, daß die elektrische Verbindung zwischen den oberen und den unteren Halbleitervorrichtungen 10B nicht gelingt. Deshalb tritt beim Montieren der Halbleitervorrichtungen in einem Stapel ein Zuverlässigkeitsproblem auf.
  • Um das obige Problem zu lösen, kann der gesamte äußere Anschlußbeinteil 18b in der Harzpackung 17 eingebettet werden. Vor dem Einbetten wird der äußere Anschlußbeinteil 18 zum Beispiel durch Einsatzformen gebogen. Die Oberfläche, die zur elektrischen Verbindung verwendet wird, ist von der Harzpackung 17 exponiert. Diese Struktur verhindert, daß der äußere Anschlußbeinteil 18b von seiner vorbestimmten Position unnötigerweise versetzt wird.
  • Wenn jedoch die äußeren Anschlußbeinteile 18b in der Harzpackung 17 eingebettet sind, werden sie innerhalb der Harzpackung 17 nicht frei versetzt. Wenn zum Beispiel ein Temperaturanstieg der Vorrichtung auf Grund der Emission von Wärme durch den Halbleiterchip 11 erfolgt, wird an einer Grenzfläche zwischen den Anschlußbeinen 18 und der Harzpackung 17 eine Spannung erzeugt. Diese wird durch den Unterschied der Wärmeausdehnung zwischen den Anschlußbeinen 18 und der Harzpackung 17 verursacht.
  • Der Wärmeausdehnungskoeffizient der Anschlußbeine 18 ist im allgemeinen größer als der Wärmeausdehnungskoeffizient der Harzpackung 17, Wenn ein Temperaturanstieg erfolgt, wie oben beschrieben, werden daher die Anschlußbeine 18 die Harzpackung 17 zusammenpressen. Deshalb können im schlimmsten Fall Risse in der Harzpackung 17 gebildet werden. Wenn diese Halbleitervorrichtungen ferner unter Verwendung von Lot gestapelt werden, kann die oben beschriebene Spannung auf den Teil ausgeübt werden, der durch das Lot verbunden ist, und das Lot kann sich abschälen.
  • Die Druckschrift JP 8-148635 A zeigt eine Halbleitervorrichtung mit einer Harzpackung sowie äußeren Anschlußbeinteilen, deren Enden auf. der oberen Oberfläche der Harzpackung aufliegen.
  • Aus der Druckschrift JP 2-89355 A ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Harzpackung bekannt, bei der Nuten in der Harzpackung ausgebildet sind, in welche die Spitzen von Anschlussbeinen eingreifen.
  • Das Dokument JP 2-163957 A offenbart eine Halbleitervorrichtung mit einer Harzpackung sowie Anschlussbeinen, welche in Nuten in der Harzpackung eingreifen und gebogene Enden aufweisen.
  • Die Druckschrift JP 6-334099 A zeigt eine Halbleitervorrichtung mit einer Harzpackung sowie Anschlußbeinen, deren Enden mittels eines Haftagens in Aussparungen der Harzpackung befestigt sind.
    •
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Daher ist es eine allgemeine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung, eine Halbleitervorrichtungseinheit und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit vorzusehen, die den oben beschriebenen Bedürfnissen gerecht werden können, Ein anderes und spezifischeres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitervorrichtung, eine Halbleitervorrichtungseinheit und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit vorzusehen, die die Montage mit hoher Dichte mit hoher Zuverlässigkeit erreichen können.
  • Es ist ein anderes Ziel der Erfindung, einfach und leicht zu verhindern, daß die äußeren Anschlußbeinteile deformiert oder kurzgeschlossen werden.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, jede der Halbleitervorrichtungen sicher zu verbinden, wenn die Halbleitervorrichtungen vertikal gestapelt werden.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, eine Schwankung der Gesamthöhe der Halbleitervorrichtung zu verhindern.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, die äußeren Anschlußbeinteile sicherer mit den Nuten in Eingriff zu bringen (sicherer in den Nuten zu befestigen), so daß definitiv verhindert werden kann, daß die äußeren Anschlußbeinteile deformiert oder kurzgeschlossen werden.
  • Die obigen Ziele werden durch eine Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 erreicht.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung enthält eine Halbleitervorrichtung eine Harzpackung, in der ein Halbleiterchip eingekapselt ist, und Anschlußbeine mit inneren Anschlußbeinteilen, die mit dem Halbleiterchip verbunden sind, und äußeren Anschlußbeinteilen, die außerhalb der Harzpackung positioniert sind, die als Außenverbindungsanschlüsse dienen, welche äußeren Anschlußbeinteile längs der Form der Harzpackung gebogen sind, so daß sie zu der Seitenoberfläche und zu der oberen Oberfläche der Harzpackung gezogen werden. Die Halbleitervorrichtung enthält einen Positionierungsmechanismus, der die äußeren Anschlußbeinteile entweder an den Anschlußbeinen oder an der Harzpackung positioniert, indem er mit einem Teil der äußeren Anschlußbeinteile im Eingriff steht.
  • Bei der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung sind die äußeren Anschlußbeinteile längs der Form der Harzpackung gebogen, so daß sie zu der Seitenoberfläche und zu der oberen Oberfläche der Harzpackung gezogen werden. Dies ermöglicht das Herstellen einer elektrischen Verbindung auf jeder der oberen Oberflächen und der Seitenoberflächen der Harzpackung. Deshalb ist es möglich, eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen vertikal zu stapeln, so daß die Montierbarkeit der Halbleitervorrichtung verbessert wird.
  • Ferner werden die äußeren Anschlußbeinteile durch den Positionierungsmechanismus positioniert, der die äußeren Anschlußbeinteile positioniert, indem er mit einem Teil der äußeren Anschlußbeinteile im Eingriff steht. Dies verhindert, daß die äußeren Anschlußbeinteile in dem Fall deformiert oder kurzgeschlossen werden, wenn eine äußere Kraft auf die äußeren Anschlußbeinteile angewendet wird, wenn die Halbleitervorrichtungen zusammengebaut oder montiert werden.
  • Des weiteren wirkt der Positionierungsmechanismus, nicht indem er mit den gesamten äußeren Anschlußbeinteilen im Eingriff steht, sondern indem er mit einem Teil der äußeren Anschlußbeinteile im Eingriff steht. Mit anderen Worten, die äußeren Anschlußbeinteile werden durch den Positionierungsmechanismus positioniert, während sie innerhalb des Bereiches, in dem keine Deformation oder kein Kurzschluß auftritt, versetzt werden können.
  • Wenn eine Differenz hinsichtlich der Wärmeausdehnungsrate zwischen den Anschlußbeinen und der Harzpackung vorhanden ist, kann deshalb eine Spannung, die durch Erhitzen verursacht wird, durch Versetzung oder Deformation der äußeren Anschlußbeinteile gelöst werden. Daher kann die Rißbildung der Harzpackung oder ein Abschälen des Lotes an der Montageposition sicher verhindert werden, wodurch die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung verbessert wird.
  • Der Positionierungsmechanismus der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung enthält Nuten, die auf der Harzpackung gebildet sind und in die die äußeren Anschlußbeinteile eingreifen.
  • In der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind die Nuten auf der oberen Oberfläche der Harzpackung gebildet. Dies bewirkt, daß die äußeren Anschlußbeinteile auf der oberen Oberfläche der Harzpackung positioniert werden und auf der Seitenoberfläche der Harzpackung frei sind. Somit wird die erzeugte Spannung hauptsächlich an der Position des äußeren Anschlußbeinteils absorbiert, die der Seitenoberfläche der Harzpackung gegenüberliegt. Mit anderen Worten, wenn eine Spannung erzeugt wird, werden die äußeren Anschlußbeinteile, die an der Seitenoberfläche der Halbleitervorrichtung positioniert sind, versetzt oder deformiert, und die äußeren Anschlußbeinteile auf der oberen oder unteren Oberfläche werden nicht versetzt oder deformiert.
  • In der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung werden Teile der äußeren Anschlußbeinteile, die auf der oberen Oberfläche der Harzpackung angeordnet sind, geneigt, so daß der Eckteil der äußeren Anschlußbeinteile der unteren Halbleitervorrichtung mit den äußeren Anschlußbeinteilen der oberen Halbleitervorrichtung direkt in Berührung ist. Daher wird kein Lot zwischen den äußeren Anschlußbeinteilen der oberen und unteren Halbleitervorrichtungen vorhanden sein.
  • Die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung enthält ferner ein Haftagens, das an Teilen vorgesehen ist, wo die äußeren Anschlußbeinteile und die Nuten der oberen Oberfläche einander gegenüberliegen, welches Haftagens die äußeren Anschlußbeinteile an den Nuten der oberen Oberfläche befestigt.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, eine elektrische Verbindung zwischen den äußeren Anschlußbeinteilen sicher vorzusehen, wenn die Halbleitervorrichtungen gestapelt werden.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, ist ein Teil der äußeren Anschlußbeinteile so konstruiert, um von der Oberfläche der Harzpackung hervorzustehen, wenn Teile der äußeren Anschlußbeinteile in die Nuten eingreifen.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, jede der Halbleitervorrichtungen sicher zu verbinden, wenn die Halbleitervorrichtungen horizontal gestapelt werden.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, sind Nuten auf der Seitenoberfläche der Harzpackung gebildet. Dies bewirkt, daß die äußeren Anschlußbeinteile auf der Seitenoberfläche der Harzpackung positioniert werden und auf der oberen Oberfläche der Harzpackung frei sind. Somit wird die erzeugte Spannung hauptsächlich an der Position des äußeren Anschlußbeinteils absorbiert, die der oberen Oberfläche der Harzpackung gegenüberliegt. Mit anderen Worten, wenn eine Spannung erzeugt wird, werden die äußeren Anschlußbeinteile, die auf der oberen Oberfläche der Halbleitervorrichtung positioniert sind, versetzt oder deformiert, und die äußeren Anschlußbeinteile auf der Seitenoberfläche werden nicht versetzt oder deformiert.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, sicher zu verhindern, daß die äußeren Anschlußbeinteile deformiert oder kurzgeschlossen werden.
  • Dieses Ziel wird durch die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 5 erreicht. Der Positionierungsmechanismus dieser Vorrichtung enthält erste Eingreifteile in der Form von Eingreifgliedern, die an Teilen der äußeren Anschlußbeinteile gebildet sind, und zweite Eingreifteile in der Form von Vertiefungen, die an der Harzpackung gebildet sind und mit den ersten Eingreifteilen im Eingriff stehen, um die äußeren Anschlußbeinteile zu positionieren. Der Eingriff der ersten und zweiten Eingreifteile bewirkt, daß die äußeren Anschlußbeinteile sicherer mit der Harzpackung im Eingriff stehen.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, die ersten und zweiten Eingreifteile leichter zu bilden.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, sind die ersten Eingreifteile Harzglieder.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, die Bildung der ersten und zweiten Eingreifteile weiter zu vereinfachen.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, sind die Harzglieder aus demselben Material wie die Harzpackung gebildet. Dies ermöglicht die gleichzeitige Bildung der Harzglieder und der Harzpackung.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, einen Stapel von Halbleitervorrichtungen leicht zu bilden und die Montagedichte der Halbleitervorrichtung zu verbessern.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, hat eine Halbleitervorrichtungseinheit eine Struktur, bei der eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen, wie oben beschrieben, in vertikaler Richtung gestapelt ist. Bei dieser Struktur sind äußere Anschlußbeinteile, die auf der unteren Oberfläche einer oberen von den Halbleitervorrichtungen positioniert sind, und äußere Anschlußbeinteile, die auf der oberen Oberfläche einer unteren von den Halbleitervorrichtungen positioniert sind, elektrisch verbunden, um das vertikale Montieren von einer Vielzahl der Halbleitervorrichtungen zu ermöglichen.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, die Montagedichte der Halbleitervorrichtungen zu verbessern.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, sind die äußeren Anschlußbeinteile von jedem Halbleiter mit der Struktur an Positionen, die der Seitenoberfläche der Harzpackung gegenüberliegen, mit einer Montageplatte verbunden, um als Außenverbindungsanschlüsse zu dienen, Deshalb werden die Halbleitervorrichtungen auf stehende Weise montiert, wodurch der Montageraum reduziert wird, der für jede der Halbleitervorrichtungen benötigt wird.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, die Wärmeableitungseffektivität zu verbessern.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, ist zwischen benachbarten der gestapelten Halbleitervorrichtungen Haftmaterial vorgesehen, das eine Wärmeableitungsfunktion hat. Die Wärme, die in jeder Halbleitervorrichtung erzeugt wird, entweicht über das Haftglied zu der Montageplatte. Selbst bei der Halbleitervorrichtungseinheit mit einer Vielzahl von gestapelten Halbleitervorrichtungen wird deshalb die Wärmeableitungseffektivität verbessert.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, das Verbindungsmaterial vorzusehen und die Halbleitervorrichtungen leichter zu verbinden, im Vergleich zu der Struktur, bei der das Verbindungsmaterial vorgesehen wird, nachdem die Halbleitervorrichtungen gestapelt sind.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, enthält ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit, die eine Struktur hat, bei der eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen, wie oben beschrieben, in vertikaler Richtung gestapelt ist, die folgenden Schritte:
    • a) Vorsehen von Verbindungsmaterial an Teilen, die als Außenverbindungsanschlüsse der Halbleitervorrichtung dienen;
    • b) Stapeln einer Vielzahl der Halbleitervorrichtungen, die mit dem Verbindungsmaterial versehen sind; und
    • c) elektrisches und mechanisches Verbinden von benachbarten der Halbleitervorrichtungen unter Verwendung des Verbindungsmaterials durch Implementieren einer Wärmebehandlung an einer Vielzahl der gestapelten Halbleiter.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, die Effektivität beim Vorsehen des Verbindungsmaterials durch gleichzeitiges Vorsehen von Lot bei einer Vielzahl der Halbleitervorrichtungen zu verbessern.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, wird bei dem oben beschriebenen Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtungseinheit Lot als Verbindungsmaterial verwendet, und das Verbindungsmaterial wird entweder durch Tauchlöten oder Lötpastendruck vorgesehen.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, die Wärmeableitungseffektivität der Halbleitervorrichtungseinheit zu verbessern.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, enthält das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung ferner den folgenden Schritt:
  • d) Vorsehen von Haftgliedern, die benachbarte der Halbleitervorrichtungen temporär befestigen und ein Wärmeableitungsvermögen besitzen, wobei dieser Schritt nach dem Schritt a) und vor dem Schritt b) implementiert wird. Die Wärme, die in jeder Halbleitervorrichtung erzeugt wird, wird über das Haftglied in der Montageplatte freigesetzt. Deshalb wird die Wärmeableitungseffektivität der Halbleitervorrichtungseinheit verbessert.
  • Andere Ziele und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung gehen aus der folgenden eingehenden Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen hervor.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung nach Stand der Technik zeigt.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung nach Stand der Technik zeigt.
  • 3A–3B sind schematische Diagramme, die ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung nach Stand der Technik zeigen.
  • 4 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung nach Stand der Technik zeigt.
  • 5 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung nach Stand der Technik zeigt.
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 7 ist ein Querschnittsdiagramm einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist,
  • 8 ist ein Teilquerschnittsdiagramm einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 9 ist ein Querschnittsdiagramm einer zweiten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 10 ist ein Querschnittsdiagramm einer dritten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 11 ist ein Querschnittsdiagramm einer vierten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung.
  • 12 ist ein Querschnittsdiagramm einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit.
  • 13 ist ein Querschnittsdiagramm einer zweiten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit.
  • 14 ist ein Flußdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit zeigt.
  • 15A–15C sind schematische Diagramme, die ein Verfahren zum Herstellen einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit zeigen.
  • 16A–16C sind schematische Diagramme, die eine Variante eines Verfahrens zum Herstellen einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit zeigen.
  • 17 ist eine perspektivische Ansicht einer fünften Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 18 ist ein Querschnittsdiagramm einer fünften Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 19 ist ein Teilquerschnittsdiagramm einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 20 ist ein Querschnittsdiagramm einer sechsten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 21 ist ein Querschnittsdiagramm einer dritten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit.
  • 22 ist ein Querschnittsdiagramm einer siebten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung.
  • 23 ist ein schematisches Diagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer siebten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 24 ist ein Querschnittsdiagramm einer achten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung.
  • 25 ist ein Querschnittsdiagramm einer neunten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung.
  • 26 ist eine perspektivische Ansicht einer zehnten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 27 ist ein Querschnittsdiagramm einer elften Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 28 ist ein Querschnittsdiagramm einer vierten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit.
  • 29 ist ein Querschnittsdiagramm einer zwölften Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 30 ist ein Querschnittsdiagramm einer fünften Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungseinheit.
    •
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im folgenden werden unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen ein Prinzip und eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • 6 bis 8 zeigen eine Halbleitervorrichtung 20A einer ersten Ausführungsform. 6, 7 und 8 sind eine perspektivische Ansicht, ein Querschnittsdiagramm bzw. eine vergrößerte Detailansicht der Halbleitervorrichtung 20A. Ferner zeigt 12 eine Halbleitervorrichtungseinheit 50A einer ersten Ausführungsform. Die Halbleitervorrichtungseinheit 50A ist so konstruiert, daß eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen 20A (zum Beispiel drei Halbleitervorrichtungen in 12) der ersten Ausführungsform vertikal gestapelt ist.
  • Zuerst wird die Struktur der Halbleitervorrichtung 20A beschrieben. Ein Halbleiterchip 21 ist zum Beispiel ein Chip, der als Speicherchip verwendet wird, und ist vergleichsweise groß. Der Halbleiterchip 21 ist mit Elektrodeninseln 23 versehen, die längs der zentralen Längszone auf der Oberfläche des Halbleiterchips 21 angeordnet sind. Ferner enthält die Halbleitervorrichtung 20A in 6–8 eine Vielzahl von Anschlußbeinen 24, von denen jedes einen inneren Anschlußbeinteil 24a und einen äußeren Anschlußbeinteil 24b hat. Drähte 25 verbinden die inneren Anschlußbeinteile 24a mit den Elektrodeninseln 23, die auf dem Halbleiterchip 21 gebildet sind. Die äußeren Anschlußbeinteile 24b sind zusammenhängend mit den inneren Anschlußbeinteilen 24a gebildet. Jeder der äußeren Anschlußbeinteile 24b hat einen ersten Anschlußteil 24b-1, einen zweiten Anschlußteil 24b-2 und einen dritten Anschlußteil 24b-3, wie beschrieben werden wird.
  • Ferner ist in 6-8 eine Harzpackung 27A gezeigt. Der oben beschriebene Halbleiterchip 1, die Drähte 25 und die inneren Anschlußbeinteile 24a der Anschlußbeine 24 sind in dieser Harzpackung 27A eingekapselt, um geschützt zu sein. Angesichts der planaren Konfigurationen hat die Harz packung 27A einen Bereich, der jenem des Halbleiterchips 21 im wesentlichen gleich ist, so daß die Halbleitervorrichtung 20A miniaturisiert wird. Somit wird durch Miniaturisieren der Halbleitervorrichtung 20A die Montageeffektivität auf einer Montageplatte verbessert. Dies führt zur Miniaturisierung und höheren Effektivität der elektronischen Vorrichtungen, die die Halbleitervorrichtungen 10A enthalten.
  • Des weiteren ist eine Vielzahl von oberen Oberflächennuten 28A auf einer oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27A gebildet. Der Klarheit der Beschreibung halber werden die oberen Oberflächennuten 28A später beschrieben.
  • Die äußeren Anschlußbeinteile 24b der Anschlüsse 24 sind so konstruiert, um sich außerhalb der Harzpackung 27A zu erstrecken. Die äußeren Anschlußbeinteile 24b, die sich außerhalb der Harzpackung 27A erstrecken, sind zweifach gebogen, um die ersten Anschlußteile 24b-1, die zweiten Anschlußteile 24b-2 und die dritten Anschlußteile 24b-3 zu bilden, wie beschrieben werden wird.
  • Die ersten Anschlußteile 24b-1 sind so gebildet, um von einer unteren Oberfläche 27a der Harzpackung 27A exponiert zu sein. Die zweiten Anschlußteile 24b-2 sind so gebildet, um der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27A gegenüberzuliegen. Die dritten Anschlußteile 24b-3 sind vertikal aufwärts gebildet, um einer Seitenoberfläche 27c der Harzpackung 27A gegenüberzuliegen. Mit anderen Worten, die äußeren Anschlußbeinteile 24b sind so konstruiert, daß sie von der unteren Oberfläche 27a zu der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27A längs der Form der Harzpackung 17 nach oben gezogen sind.
  • Ferner sind die ersten Anschlußteile 24b-1 in der unteren Oberfläche 27a der Harzpackung 27A teilweise eingebettet, wodurch die Anschlußbeine 24 an der Harzpackung 27A fixiert sind.
  • Bei der Halbleitervorrichtung 20A mit der obigen Struktur sind die äußeren Anschlußbeinteile 24b längs der Form der Harzpackung 27A gebogen und zu der Seitenoberfläche 27c oder zu der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 17A gezogen. Dadurch kann die Halbleitervorrichtung 20A sowohl auf der oberen Oberfläche 27b als auch auf der unteren Oberfläche 27a elektrisch verbunden werden.
  • Dann ist es möglich, eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen 20A vertikal zu stapeln, wodurch die Halbleitervorrichtungseinheit 50A gebildet wird, die in 12 gezeigt ist. Bei der Halbleitervorrichtungseinheit 50A kann eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen 20A auf einen Montagebereich für eine einzelne Halbleitervorrichtung 20A montiert werden. Deshalb kann die Montageeffektivität der Halbleitervorrichtung 20A verbessert werden.
  • Die Halbleitervorrichtungseinheit 50A gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist mit einem Haftagens 31 zwischen benachbarten oberen und unteren Halbleitervorrichtungen 20A versehen. Das Haftagens 31 hat ein Wärmeableitungsvermögen. Auf Grund dieser Struktur entweicht Wärme, die innerhalb jeder Halbleitervorrichtung 20A erzeugt wird, über das Haftagens 31 zu der Montageplatte, auf die die Halbleitervorrichtungseinheit 50A montiert ist. Deshalb kann die Wärmeableitungseffektivität in solch einer Struktur, bei der eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen gestapelt ist, verbessert werden.
  • Ferner sind die Halbleitervorrichtungen 20A durch eine Verbindungskraft von Lot 32 und durch eine Adhäsionskraft des Haftagens 31 zusammen verbunden, so daß die mechanische Festigkeit der Halbleitervorrichtungseinheit 50A verbessert werden kann. Daher bleiben die Halbleitervorrichtungen 20A selbst dann zusammen verbunden, wenn eine externe Kraft angewendet wird. Dies kann die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtungseinheit 50A verbessern.
  • Darüber hinaus sind bei der Halbleitervorrichtung 20A der vorliegenden Ausführungsform die dritten Anschlußteile 24b-3 auf der Seitenoberfläche 27 der Harzpackung 27A vorgesehen. Deshalb ist es möglich, die Halbleitervorrichtungen 20A horizontal zu stapeln. Daher ist es möglich, die Halbleitervorrichtungen 20A auf dreidimensionale Weise zu montieren. Dies verbessert die Montagedichte weiter, wodurch eine weitere Miniaturisierung und höhere Effektivität der elektronischen Vorrichtungen erreicht werden kann, die die Halbleitervorrichtung 20A enthalten. In 6-8 ist die Halbleitervorrichtung 20A ohne Stufe gezeigt. Jedoch ist die Halbleitervorrichtung 20A, die in der Halbleitervorrichtungseinheit 50A genutzt wird, die in 12 gezeigt ist, eine Struktur, bei der der Halbleiterchip 21 auf einer Stufe 49A montiert ist.
  • Jetzt werden die oberen Oberflächennuten 28A eingehend beschrieben, die auf der oberen Oberfläche 24b der Harzpackung 27A gebildet sind.
  • Die oberen Oberflächennuten 28A sind so gebildet, um der vorbestimmten Position der zweiten Anschlußteile 24b-2 auf der oberen Oberfläche 24b der Harzpackung 27A zu entsprechen. Die oberen Oberflächennuten 28A sind so konstruiert, um mit den zweiten Anschlußteilen 24b-2, die einen Teil der äußeren Anschlußbeine 24b bilden, im Eingriff zu stehen. Da die zweiten Anschlußteile 24b-2 mit den oberen Oberflächennuten 28A im Eingriff stehen, sind die zweiten Anschlußteile 24b-2 somit an der vorbestimmten Position auf der oberen Oberfläche 24b der Harzpackung 27A positioniert.
  • Ferner stehen die zweiten Anschlußteile 24b-2 in der vorliegenden Ausführungsform mit den oberen Oberflächennuten 28A lose im Eingriff. Die zweiten Anschlußteile 24b-2 können innerhalb der oberen Oberflächennuten 28A etwas versetzt werden. Die Versetzung der zweiten Anschlußteile 24b-2 sollte innerhalb eines Bereiches liegen, so daß benachbarte zweite Anschlußteile 24b-2 nicht kurzgeschlossen werden.
  • Die oberen Oberflächennuten 28A stehen mit den zweiten Anschlußteilen 24b-2, die ein Teil der äußeren Anschlußbeine 24b sind, im Eingriff, wie oben beschrieben, wodurch sie als Positionierungsmechanismus dienen. Selbst wenn beim Zusammenbauen oder Montieren der Halbleitervorrichtung 20A eine äußere Kraft auf die äußeren Anschlüsse 24b angewendet wird, wird verhindert, daß die äußeren Anschlußbeinteile 24b deformiert oder zwischen den benachbarten äußeren Anschlußbeinteilen 24b kurzgeschlossen werden.
  • Die oberen Oberflächennuten 28A bestimmen die Position nicht durch den Eingriff mit den gesamten äußeren Anschlußbeinteilen 24b, sondern nur durch den Eingriff mit den zweiten Anschlußteilen 24b-2 der äußeren Anschlußbeinteile 24b. Wenn die äußeren Anschlußbeinteile 24b durch den Eingriff mit den oberen Oberflächennuten 28A an der vorbestimmten Position positioniert sind, können die äußeren Anschlußbeinteile 24b innerhalb des Bereiches, in dem eine plastische Deformation oder ein Kurzschluß zwischen den benachbarten äußeren Anschlußbeinteilen 24b nicht auftritt, versetzt oder flexibel deformiert werden.
  • Selbst wenn ein Unterschied hinsichtlich der Wärmeausdehnungsrate zwischen den Anschlußbeinen 24 und der Harzpackung 27A vorhanden ist, kann deshalb eine Spannung, die beim Erhitzen erzeugt wird, durch das Versetzen oder die Deformation der äußeren Anschlußbeinteile 24b gelöst werden.
  • Genauer gesagt, da bei der vorliegenden Ausführungsform die oberen Oberflächennuten 28A nur auf der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27A gebildet sind, werden die äußeren Anschlußbeinteile 24b nur auf der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27A positioniert, und auf der Seitenoberfläche 27c der Harzpackung 27A sind sie frei. Deshalb wird die erzeugte Spannung hauptsächlich an den dritten Anschlußteilen 24b-3 der äußeren Anschlußbeinteile 24b absorbiert, die der Seitenoberfläche 27c der Harzpackung 27A gegenüberliegen. Ferner wird ein Teil der Spannung absorbiert, wenn die zweiten Anschlußteile 24b-2 auf der oberen Oberfläche 27b innerhalb der oberen Oberflächennuten 28A versetzt werden.
  • Mit anderen Worten, wenn die Spannung erzeugt wird, werden hauptsächlich die dritten Anschlußteile 24b-3 auf der Seitenoberfläche der Halbleitervorrichtung 20A versetzt oder deformiert, und die ersten Anschlußteile 24b-1 und die zweiten Anschlußteile 24b-2 auf der oberen Oberfläche bzw. auf der unteren Oberfläche werden kaum versetzt oder deformiert. Daher wird die Bildung von Rissen in der Harzpackung 27A sicher verhindert. Ferner wird bei der Halbleitervorrichtungseinheit 50A verhindert, daß sich das Lot 32, das Halbleitervorrichtungen 20A verbindet, abschält. Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, ist die Struktur der vorlie genden Ausführungsform besonders effektiv, wenn die Halbleitervorrichtungen vertikal gestapelt werden.
  • Ferner positionieren in der vorliegenden Ausführungsform die oberen Oberflächennuten 28A, die auf der Harzpackung 27A gebildet sind, die äußeren Anschlußbeinteile 24b. Dadurch können die oberen Oberflächennuten 28A gleichzeitig mit der Harzpackung 27A gebildet werden. Deshalb ist es nicht erforderlich, einen neuen Prozeß zum Bilden der oberen Oberflächennuten 28A vorzusehen, und so werden die oberen Oberflächennuten 28A leicht gebildet.
  • Nun wird die Beziehung zwischen der Dicke und der Konfiguration der äußeren Anschlußbeinteile 24b und der Tiefe und der Konfiguration der oberen Oberflächennuten 28A beschrieben.
  • In der vorliegenden Ausführungsform stehen die zweiten Anschlußteile 24b-2 (die äußeren Anschlußbeinteile 24b) von der Oberfläche 27b der Harzpackung 27A hervor, wie in 8 gezeigt. Die ersten Anschlußteile 24b-1 (die äußeren Anschlußbeinteile 24b) stehen auch von der unteren Oberfläche 27a der Harzpackung 27A hervor.
  • Mit anderen Worten, das Maß des Hervorstehens der ersten Anschlußteile 24b-1 von der unteren Oberfläche 27a (gezeigt durch einen Pfeil h1 in 8) und das Maß des Hervorstehens der zweiten Anschlußteile 24b-2 von der oberen Oberfläche 27b (gezeigt durch einen Pfeil h2 in 8) ist beide Male positiv (h1>0, h2>0). Deshalb stehen die ersten Anschlußteile 24b-1 und die zweiten Anschlußteile 24b-2 von der Harzpackung hervor. Wenn die Halbleitervorrichtungen 20A vertikal gestapelt werden, um die Halbleitervorrichtungseinheit 50A zu bilden, werden jeweilige äußere Anschlußbeinteile 24b der oberen und unteren Halbleitervorrichtungen 20A mit Sicherheit elektrisch verbunden. In der Praxis ist dies eine elektrische Verbindung zwischen den ersten Anschlußteilen 24b-1 und den zweiten Anschlußteilen 24b-2.
  • Die zweiten Anschlußteile 24b-2 sind so gebildet, um sich in der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27A im wesentlichen horizontal zu erstrecken. Somit sind, wenn die Halbleitervorrichtungen 20A vertikal gestapelt werden, die Bereiche der Anschlußteile 24, die miteinander in Kontakt sind, groß. Deshalb werden die Halbleitervorrichtungen 20A mit hoher Zuverlässigkeit verbunden. Da die Halbleitervorrichtungen 20A mit hoher Stabilität gestapelt werden, wird die Stabilität des temporären Befestigens auch verbessert. Das temporäre Befestigen wird gewöhnlich vor dem eigentlichen Verbindungsprozeß implementiert und wird später beschrieben.
  • Im folgenden wird die zweite Ausführungsform beschrieben.
  • 9 zeigt eine Halbleitervorrichtung 20B der zweiten Ausführungsform. Ferner zeigt 13 eine Halbleitervorrichtungseinheit 50B der zweiten Ausführungsform. In 9 und 13 sind Komponenten, die dieselben wie jene von
  • 6-8 und 12 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20A und die Halbleitervorrichtungseinheit 50A gemäß der ersten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Die oben beschriebene Halbleitervorrichtung 20A der ersten Ausführungsform ist so gebildet, daß sich die zweiten Anschlußteile 24b-2 im wesentlichen horizontal auf der oberen Oberfläche der Harzpackung 27A erstrecken. Die Halbleitervorrichtung 20B der vorliegenden Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Anschlußteile 24b-2 der äußeren Anschlußbeinteile 24b, die auf der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27A angeordnet sind, gegen die obere Oberfläche 27b geneigt sind.
  • Wie in 9 gezeigt, ragen Biegungen der äußeren Anschlußbeine 24b oder Winkelteile 26, die an der Grenze zwischen den zweiten Anschlußteilen 24b-2 und den dritten Anschlußteilen 24b-3 gebildet sind, über die obere Oberfläche 27b der Harzpackung 27A hinaus.
  • Hier wird die Halbleitervorrichtungseinheit 50B, die in 13 gezeigt ist, durch vertikales Stapeln der Halbleitervorrichtungen 20B mit der obigen Struktur gebildet. Dann werden die Winkelteile 26, die auf der unteren Halbleitervorrichtung 20B gebildet sind, die ersten Anschlußteile 24b-1 (die äußeren Anschlußbeine 24b) auf dem Boden der oberen Halbleitervorrichtung 20B berühren. Das heißt, die Winkelteile 26, die auf der unteren Halbleitervorrichtung 20B gebildet sind, sind mit den ersten Anschlußteilen 24b-1 der oberen Halbleitervorrichtung 20B direkt in Kontakt.
  • Dadurch wird zwischen den Winkelteilen 26 der unteren Halbleitervorrichtung 20B und den ersten Anschlußteilen 24b-1 der oberen Halbleitervorrichtung 20B kein Lot vorhanden sein. Deshalb kann, wenn die Halbleitervorrichtungseinheit 50B durch Stapeln der Halbleitervorrichtungen 20B gebildet wird, die Schwankung der Gesamthöhe (angegeben durch einen Pfeil H1 in 13) der Halbleitervorrichtungseinheit 50B reduziert werden.
  • Dagegen ist bei der Halbleitervorrichtungseinheit 50A der ersten Ausführungsform Lot 32 zwischen den zweiten Anschlußteilen 24b-2 der unteren Halbleitervorrichtung 20A und den ersten Anschlußteilen 24b-1 der oberen Halbleitervorrichtung 20A vorhanden. Da die Dicke des Lots 32 mit Sicherheit schwankt, kann auch die Gesamthöhe der Halbleitervorrichtungseinheit 50A (angegeben durch einen Pfeil H2 in 12) schwanken. Deshalb wird durch Einsetzen der Struktur der vorliegenden Ausführungsform die Gesamthöhe H1 der Halbleitervorrichtungseinheit 50B einheitlich gemacht.
  • Bei der Struktur der vorliegenden Ausführungsform sind im wesentlichen dreieckige Räume zwischen den zweiten Anschlußteilen 24b-2 der unteren Halbleitervorrichtung 20B und den ersten Anschlußteilen 24b-1 der oberen Halbleitervor richtungen 20B sowohl auf den rechten als auch auf den linken Seiten von der Position vorhanden, an der die Winkelteile 26 und die ersten Anschlußteile 24b-1 in Kontakt sind. Wenn eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen 20B durch das Lot 32 verbunden wird, wird in diesen Räumen eine Lötkehlnaht gebildet. Auf Grund dieser vergleichsweise großen Räume mit einer im wesentlichen dreieckigen Form können ausreichende Mengen an Lot 32 zwischen die ersten Anschlußteile 24b-1 und die zweiten Anschlußteile 24b-2 gefüllt werden, um durch Lot verbunden zu werden. Dadurch kann das Verbindungsvermögen des Lots verbessert werden.
  • Nun wird die dritte Ausführungsform beschrieben.
  • 10 zeigt eine Halbleitervorrichtung 20C der dritten Ausführungsform. In 10 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 9 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20B gemäß der zweiten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Wie die Halbleitervorrichtung 20B der zweiten Ausführungsform ist die Halbleitervorrichtung 20C der vorliegenden Ausführungsform so konstruiert, daß die zweiten Anschlußteile 24b-2 der äußeren Anschlußbeinteile 24b gegen die obere Oberfläche 27b der Harzpackung 27A geneigt sind. Ferner sind in dieser Ausführungsform die oberen Oberflächennuten 28B, mit denen die zweiten Anschlußteile 24b-2 im Eingriff stehen, gegen die obere Oberfläche 27b der Harzpackung 27A geneigt.
  • Bei der Halbleitervorrichtung 20C der vorliegenden Ausführungsform ragen die Winkelteile 26 auch über die obere Oberfläche 27b der Harzpackung 27A hinaus. Wenn eine Halbleitervorrichtungseinheit (nicht gezeigt) durch Stapeln der Halbleitervorrichtungen 20C gebildet wird, kann deshalb die Schwankung der Gesamthöhe der Halbleitervorrichtungseinheit reduziert werden. Ferner können ausreichende Mengen an Lot 32 zwischen die ersten Anschlußteile 24b-1 und die zweiten Anschlußteile 24b-2 gefüllt werden, um durch Lot verbunden zu werden. Dies kann das Verbindungsvermögen des Lots verbessern.
  • Bei der Halbleitervorrichtung 20C der vorliegenden Ausführungsform sind die oberen Oberflächennuten 28b gegen die obere Oberfläche 27b der Harzpackung 27A geneigt. Der Winkel der Neigung der oberen Oberflächennuten 28B entspricht dem Winkel der Neigung der zweiten Anschlußteile 24b-2. Somit können die zweiten Anschlußteile 24b-2 durch Biegen der äußeren Anschlußbeinteile 24b längs der oberen Oberflächennuten 28B gebildet werden, um sich zu neigen.
  • Demzufolge sind keine separaten Instrumente oder Formen zum Bilden der zweiten Anschlußteile 24b-2 erforderlich. Somit können die zweiten Anschlußteile 24b-2, die einen vorbestimmten Neigungswinkel haben, leicht und kosteneffektiv gebildet werden.
  • Nun wird die vierte Ausführungsform beschrieben.
  • 11 zeigt eine Halbleitervorrichtung 20D der vierten Ausführungsform. In 11 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 10 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20C gemäß der dritten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Wie die Halbleitervorrichtung 20C der dritten Ausführungsform ist die Halbleitervorrichtung 20D der vorliegenden Ausführungsform so konstruiert, daß die zweiten Anschlußteile 24b-2 und die oberen Oberflächennuten 28B gegen die obere Oberfläche 27b der Harzpackung 27B geneigt sind. Ferner ist in der Halbleitervorrichtung 20D der vorliegenden Ausführungsform ein Haftagens 30 an Teilen, wo die äußeren Anschlußbeinteile 24b und die oberen Oberflächennuten 28B einander gegenüberliegen, zum Befestigen der äußeren Anschlußbeinteile 24b an den oberen Oberflächennuten 28B vorgesehen. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Haftagens 30 an dem vorderen Ende von jedem der zweiten Anschlußteile 24b-2 vorgesehen.
  • Daher stehen die vorderen Enden der zweiten Anschlußteile 24b-2 mit den oberen Oberflächennuten 28B sicher im Eingriff (sind an ihnen sicher befestigt). Dadurch wird sicher verhindert, daß die äußeren Anschlußbeinteile 24b deformiert und kurzgeschlossen werden, wenn Spannung angewendet wird.
  • Im folgenden wird unter Bezugnahme auf 14-15 ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit beschrieben. Als Beispiel wird ein Verfahren zum vertikalen Stapeln einer Vielzahl der oben beschriebenen Halbleitervorrichtungen 20B der zweiten Ausführungsform angenommen.
  • 14 ist ein Flußdiagramm, das einen grundlegenden Prozeß zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit zeigt. Der Prozeß beginnt, wie gezeigt, entweder mit Schritt 10A ("Schritt" ist in der Figur mit "S" abgekürzt) oder mit Schritt 10B. Bei Schritt 10A erfolgt ein Tauchlöten, und bei Schritt 10B erfolgt der Lötpastendruck. Durch beide Schritte wird Lot, das ein Verbindungsmaterial sein wird, an Teilen vorgesehen, die als Außenverbindungsanschlüsse der Halbleitervorrichtung dienen.
  • Nach dem Vorsehen des Verbindungsmaterials wird im Schritt 12 das Haftagens, welches ein Harz zum temporären Befestigen sein wird, auf die untere Oberfläche oder die obere Oberfläche der Harzpackung der Halbleitervorrichtung angewendet. Nach dem Vorsehen des Haftgliedes wird bei Schritt 14 eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen, die mit Verbindungsmaterial versehen sind, gestapelt. Nach dem Stapeln erfolgt bei Schritt 16 eine Wärmebehandlung, wie Warmluft und Infrarotrückfluß, um das Lot zu schmelzen und die vertikal benachbarten Halbleitervorrichtungen elektrisch und mechanisch zu verbinden.
  • So können durch Verbinden der vertikal benachbarten Halbleitervorrichtungen nach dem Vorsehen von Lot (Verbindungsmaterial) an Teilen, die als Außenverbindungsanschlüsse von jeder Halbleitervorrichtung dienen, das Vorsehen des Verbindungsmaterials und das Verbinden im Vergleich zu dem Vorsehen des Verbindungsmaterials nach dem Stapeln der Halbleitervorrichtungen leicht ausgeführt werden.
  • Unter Bezugnahme auf 15A–15C und 16A–16C wird eine Halbleitervorrichtungseinheit eingehend beschrieben. 15A–15C zeigen eine Ausführungsform, bei der ein Löttauchprozeß als Prozeß zum Vorsehen des Verbindungsmaterials eingesetzt wird. In der vorliegenden Ausführungsform werden, wie in 15A gezeigt, die zweiten Anschlußteile 24b-2 mit dem Lot 32 versehen, das als Verbindungsglied dienen wird, indem die zweiten Anschlußteile 24b-2, die als Außenverbindungsanschlüsse der Halbleitervorrichtung 20B dienen, in einen Lotbehälter 33 getaucht werden. Dieser Löttauchprozeß gestattet das gleichzeitige Vorsehen des Lots 32 an einer Anzahl von Positionen. Deshalb werden die Verbindungsmaterialien mit verbesserter Effektivität vorgesehen.
  • 15B zeigt die Schritte zum Vorsehen des Haftgliedes und das Stapeln. Bei dem Schritt zum Vorsehen des Haftgliedes wird das Haftagens 31 auf der Halbleitervorrichtung 20B vorgesehen. Dieser Schritt zum Vorsehen des Haftgliedes wird nach dem oben beschriebenen Schritt zum Vorsehen von Verbindungsmaterial implementiert, und ihm folgt das Stapeln.
  • In der vorliegenden Ausführungsform wird das Haftagens 31 auf der unteren Oberfläche 27a der Halbleitervorrichtung 20B vorgesehen. Das Haftagens 31, das bei diesem Schritt zum Vorsehen des Haftgliedes verwendet wird, besitzt ein Wärmeableitungsvermögen sowie Klebevermögen.
  • Nachdem das Haftagens 31 auf der Halbleitervorrichtung 20B vorgesehen ist, wird eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen 20 gestapelt. Auf Grund des Haftagens 31, das auf jeder Halbleitervorrichtung 20B vorgesehen ist, werden Halbleitervorrichtungen 20B in gestapelter Weise temporär befestigt. Deshalb kann eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen 20B bei dem folgenden Prozeß leicht gehandhabt werden.
  • Dem temporären Befestigen der Halbleiter 20B folgt der Schritt zum Verbinden von Halbleitervorrichtungen. Bei dem Schritt zum Verbinden von Halbleitervorrichtungen werden, wie in 15C gezeigt, gestapelte Halbleitervorrichtungen 20B einer Wärmebehandlung wie z. B. Warmluft und einem Infrarotrückfluß ausgesetzt. Als Resultat der Wärmebehandlung schmilzt das Lot 32, wodurch vertikal benachbarte Halbleitervorrichtungen 20B elektrisch und mechanisch verbunden werden. Die ersten Anschlußteile 24b-1 und die zweiten Anschlußteile 24b-2 werden verbunden, und somit ist die Halbleitervorrichtungseinheit vollendet.
  • Selbst nachdem die Halbleitervorrichtungseinheit gebildet ist, ist das Haftagens 31, das bei dem Schritt zum Vorsehen des Haftgliedes vorgesehen wird, zwischen jeder Halbleitervorrichtung 20B noch vorhanden. Da das Haftagens 31, wie oben beschrieben, aus wärmeableitendem Material hergestellt ist, wird Wärme, die innerhalb jeder Halbleitervorrichtung 20B erzeugt wird, über das Haftagens 31 zu der Montageplatte abgeleitet. Durch Vorsehen des Haftagens 31 wird deshalb die Wärmeableitungseffektivität der Halbleitervorrichtungseinheit verbessert.
  • 16A–16C zeigen eine Ausführungsform, bei der ein Lötpastendruck als Schritt zum Vorsehen von Verbindungsmaterial Anwendung findet. In der vorliegenden Ausführungsform wird die Halbleitervorrichtung 20B zuerst durch Montieren in eine Schale 34 positioniert, wie in 16A gezeigt. Dann wird auf der Oberfläche, auf der die ersten Anschlußteile 24b-1 vorgesehen sind, die als Außenverbindungsanschlüsse der Halbleitervorrichtung 20B dienen, eine Druckmaske 36 vorgesehen. Die ersten Anschlußteile 24b-1 sind oben positioniert, wenn die Halbleitervorrichtung 20B in die Schale 34 montiert ist.
  • In der Druckmaske 36 sind Öffnungen an Bereichen gebildet, die den ersten Anschlußteilen 24b-1 gegenüberliegen. Durch Drucken von Lötpaste 35 unter Verwendung einer Rakel (nicht gezeigt) wird die Lötpaste 35 nur auf die ersten Anschlußteile 24b-1 angewendet, wie gezeigt. Durch das Drucken von Lötpaste wird das Lot 32 ferner an einer Anzahl von Positionen gleichzeitig vorgesehen. Deshalb wird der Schritt zum Vorsehen von Verbindungsmaterial mit verbesserter Effektivität implementiert.
  • 16B zeigt die Schritte zum Vorsehen des Haftagens und zum Stapeln der Halbleitervorrichtungen. Bei dem Schritt zum Vorsehen des Haftagens wird ein bandartiges Haftagens 31A auf der Halbleitervorrichtung 20B vorgesehen. In der vorliegenden Ausführungsform wird das bandartige Haftagens 31A einfach auf der unteren Oberfläche 27a der Halbleitervorrichtung 20B angeordnet. Deshalb kann der Schritt zum Vorsehen des Haftgliedes leicht ausgeführt werden. Das bandartige Haftagens 31A besitzt ein Wärmeableitungsvermögen sowie Klebevermögen.
  • Eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen wird gestapelt, nachdem das bandartige Haftagens 31A auf der Halbleitervorrichtung 20B vorgesehen ist. Da das bandartige Haftagens 31A auf jeder der Halbleitervorrichtungen 20B vorgesehen wird, werden die Halbleitervorrichtungen 20B auf gestapelte Weise temporär befestigt. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform können deshalb gestapelte Halbleitervorrichtungen 20B bei dem folgenden Prozeß leicht gehandhabt werden.
  • Nach dem temporären Befestigen der Halbleitervorrichtungen 20B wird der Schritt zum Verbinden von Halbleitern implementiert. Da die verbleibenden Schritte dieselben sind, wie sie unter Bezugnahme auf 15A–15C beschrieben wurden, wird die Beschreibung weggelassen.
  • Nun wird eine Halbleitervorrichtung 20E der fünften Ausführungsform beschrieben.
  • 17-19 zeigen die Halbleitervorrichtung 20E der fünften Ausführungsform. 17, 18 und 19 sind eine perspektivische Ansicht, ein Querschnittsdiagramm bzw. eine vergrößerte Detailansicht der Halbleitervorrichtung 20E. Ferner zeigt 21 eine Halbleitervorrichtungseinheit 50C der dritten Ausführungsform. Die Halbleitervorrichtungseinheit 50C ist so konstruiert, daß eine Vielzahl der Halbleitervorrichtungen 20E (zum Beispiel drei Halbleitervorrichtungen in 21) der fünften Ausführungsform vertikal gestapelt wird.
  • In 17-19 und 21 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 6-8 und 12 sind, die verwendet wurden; um die Halbleitervorrichtung 20A und die Halbleitervorrichtungseinheit 50A gemäß der ersten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Zuerst wird die Struktur der Halbleitervorrichtung 20E beschrieben. Bei der Halbleitervorrichtung 20A gemäß der ersten Ausführungsform sind nur die oberen Oberflächennuten 28A auf der Harzpackung 27C gebildet. Dagegen sind bei der Halbleitervorrichtung 20E der vorliegenden Ausführungsform sowohl die oberen Oberflächennuten 28A als auch Seitenoberflächennuten 29 auf der Harzpackung 27C gebildet.
  • Auf ähnliche Weise wie bei der Halbleitervorrichtung 20A gemäß der ersten Ausführungsform sind die oberen Oberflächennuten 28A, die gemäß der vorliegenden Ausführungsform auf der Halbleitervorrichtung 20E vorgesehen sind, gebildet, um den vorbestimmten Positionen der zweiten Anschlußteile 24b-2 auf der oberen Oberfläche 24b der Harzpackung 27C zu entsprechen. Die oberen Oberflächennuten 28A sind so konstruiert, um mit den zweiten Anschlußteilen 24b-2, die Teile der äußeren Anschlußbeinteile 24b bilden, im Eingriff zu stehen. Da die zweiten Anschlußteile 24b-2 mit den oberen Oberflächennuten 28A im Eingriff stehen, werden demzufolge die zweiten Anschlußteile 24b-2 an ihrer vorbestimmten Position auf der oberen Oberfläche 24b der Harzpackung 27C positioniert.
  • Die Seitenoberflächennuten 29 sind so gebildet, um der vorbestimmten Position der dritten Anschlußteile 24b-3 auf der Seitenoberfläche 24c der Harzpackung 27C zu entsprechen. Die Seitenoberflächennuten 29 sind so konstruiert, um mit den dritten Anschlußteilen 24b-3, die Teile der äußeren Anschlußbeinteile 24b bilden, im Eingriff zu stehen. Da die dritten Anschlußteile 24b-3 mit den Seitenoberflächennuten 29 im Eingriff stehen, werden demzufolge die dritten Anschlußteile 24b-3 an ihrer vorbestimmten Position auf der Seitenoberfläche 24c der Harzpackung 27C positioniert.
  • Ferner stehen in der vorliegenden Ausführungsform die zweiten und die dritten Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 lose mit den oberen Oberflächennuten 28A bzw. den Seitenoberflächennuten im Eingriff. Dadurch können die zweiten und die dritten Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 innerhalb der oberen Oberflächennuten 28A und der Seitenoberflächennuten 29 etwas versetzt werden. Die Versetzung der zweiten und dritten Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 sollte innerhalb des Bereiches liegen, in dem benachbarte zweite und dritte Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 nicht kurzgeschlossen werden.
  • Die oberen Oberflächennuten 28A stehen mit den zweiten Anschlußteilen 24b-2 im Eingriff, wie oben beschrieben, die Teile der äußeren Anschlußbeine 24b sind, und die Seitenoberflächennuten 29 stehen mit den dritten Anschlußteilen 24b-3 im Eingriff, die Teile der äußeren Anschlußbeine 24b sind. Somit dienen die oberen Oberflächennuten 28A und die Seitenoberflächennuten 29 als Positionierungsmechanismus. In dem Fall, wenn beim Zusammenbauen oder Montieren der Halbleitervorrichtung 20E eine äußere Kraft auf die äußeren Anschlußbeine 24b angewendet wird, wird deshalb verhindert, daß die äußeren Anschlußbeinteile 24b deformiert oder zwischen den benachbarten äußeren Anschlußbeinteilen 24b kurzgeschlossen werden.
  • Da bei der Halbleitervorrichtung 20E der vorliegenden Ausführungsform auch die dritten Anschlußteile 24b-3, ebenso wie die zweiten Anschlußteile 24b-2, mit den Seitenoberflächennuten 29 im Eingriff stehen, wird im besonderen verhindert, daß die dritten Anschlußteile 24b-3 deformiert oder kurzgeschlossen werden.
  • Die zweiten und die dritten Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 stehen mit den oberen Oberflächennuten 28A bzw. den Seitenoberflächennuten 29 lose im Eingriff und sind nicht in die oberen Oberflächennuten 28A und die Seitenoberflächennuten 29 eingebettet oder eingepaßt. Wenn die zweiten und die dritten Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 an der vorbestimmten Position positioniert sind, indem sie mit den oberen Oberflächennuten 28A und den Seitenoberflächennuten 29 im Eingriff stehen, können die zweiten und die dritten Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 versetzt oder flexibel deformiert werden. Die Versetzung und die flexible Deformation sind innerhalb des Bereiches begrenzt, in dem keine plastische Deformation oder kein Kurzschluß zwischen den benachbarten äußeren Anschlußbeinteilen 24b auftreten wird.
  • Selbst wenn ein Unterschied hinsichtlich der Rate der Wärmeausdehnung zwischen den Anschlußbeinen 24 und der Harzpackung 27A vorhanden ist und auf Grund des Unterschiedes hinsichtlich der Rate der Wärmeausdehnung beim Erhitzen eine Spannung erzeugt wird, kann deshalb die erzeugte Span nung durch das Versetzen oder Deformieren der äußeren Anschlußbeinteile 24b gelöst werden.
  • Bei der Halbleitervorrichtung 20E gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind die Versetzung und die Deformation der äußeren Anschlußbeinteile 24b im Vergleich zu denen der Halbleitervorrichtung 20A der ersten Ausführungsform begrenzt, da die dritten Anschlußteile 24b-3 mit den Seitenoberflächennuten 29 im Eingriff stehen. Wenn der Halbleiterchip 21 mit hoher Dichte montiert wird, nimmt die Anzahl der äußeren Anschlußbeinteile 24b zu. Dies führt dazu, daß die Breite und die Dicke der äußeren Anschlußbeinteile 24b reduziert werden. In diesem Fall wird die mechanische Festigkeit der äußeren Anschlußbeinteile 24b reduziert, wodurch verursacht wird, daß die äußeren Anschlußbeinteile 24b zum Beispiel durch eine äußere Kraft leicht deformiert werden.
  • Selbst in dem obigen Fall wird bei der Halbleitervorrichtung 20E der vorliegenden Ausführungsform sicher verhindert, daß die äußeren Anschlußbeinteile 24b deformiert oder kurzgeschlossen werden, da die zweiten und die dritten Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 mit den oberen Oberflächennuten 28A und den Seitenoberflächennuten 29 im Eingriff stehen. Da die zweiten und die dritten Anschlußteile 24b-2 und 24b-3 mit den oberen Oberflächennuten 28A bzw. den Seitenoberflächennuten 29 lose im Eingriff stehen, wie oben beschrieben, wird ferner die Spannung, die beim Erhitzen erzeugt wird, sicher absorbiert oder gelöst. Deshalb wird eine Rißbildung der Harzpackung 27C verhindert. Wenn die Halbleitervorrichtungseinheit 50C unter Verwendung der Halbleitervorrichtungen 20E der fünften Ausführungsform hergestellt wird, wie in 21 gezeigt, wird deshalb verhindert, daß sich das Lot 32 an den Verbindungsteilen abschält.
  • Die oberen Oberflächennuten 28A und die Seitenoberflächennuten 29 können bei dem Schritt zum Bilden der Harzpac kung 27C gleichzeitig gebildet werden. Deshalb werden die oberen Oberflächennuten 28A und die Seitenoberflächennuten 29 leicht gebildet.
  • Im folgenden wird die Beziehung zwischen der Dicke und Konfiguration der äußeren Anschlußbeinteile 24b und der Tiefe und Konfiguration der oberen Oberflächennuten 28A und der Seitenoberflächennuten 29 beschrieben.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind die ersten Anschlußteile 24b-1 (die äußeren Anschlußbeinteile 24b) so gebildet, um von der unteren Oberfläche 27a der Harzpackung 27C hervorzustehen, wie in 8 gezeigt. Die zweiten Anschlußteile 24b-2 sind so gebildet, um von der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27C hervorzustehen, wenn sie mit den oberen Oberflächennuten 28A im Eingriff sind. Ferner sind die dritten Anschlußteile 24b-3 so gebildet, um von der Seitenoberfläche 27c der Harzpackung 27C hervorzustehen, wenn sie mit den Seitenoberflächennuten 29 im Eingriff sind. Das heißt, das Maß des Hervorstehens der ersten Anschlußteile 24b-1 von der unteren Oberfläche 27a, angegeben durch einen Pfeil h1 in 8, das Maß des Hervorstehens der zweiten Anschlußteile 24b-2 von der oberen Oberfläche 27b, angegeben durch einen Pfeil h2 in 8, und das Maß des Hervorstehens der dritten Anschlußteile 24b-3 von der Seitenoberfläche 27c, angegeben durch einen Pfeil h3 in 19, besitzen alle positive Werte (h1>0, h2>0, h3>0).
  • Durch Einsatz der obigen Struktur stehen die ersten, die zweiten und die dritten Anschlußteile 24b-1, 24b-2 und 24b-3 von der Harzpackung 27A hervor. Wenn die Halbleitervorrichtungseinheit durch vertikales und horizontales Stapeln der Halbleitervorrichtungen 20E gebildet wird, wird deshalb die elektrische Verbindung zwischen jedem der äußeren Anschlußbeinteile 24b der vertikal und horizontal benachbarten Halbleitervorrichtungen 20E gewährleistet. Die Halbleitervorrichtungseinheit 50C, die in 21 gezeigt ist, hat solch eine Struktur, daß die Halbleitervorrichtungen 20E vertikal gestapelt sind.
  • Nun wird eine Halbleitervorrichtung 20F gemäß der sechsten Ausführungsform beschrieben.
  • 20 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtung 20F der sechsten Ausführungsform. In 20 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 17-19 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20E gemäß der fünften Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Bei der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung 20E gemäß der fünften Ausführungsform sind sowohl die oberen Oberflächennuten 28A als auch die Seitenoberflächennuten 29 auf der Harzpackung 27C gebildet. Dagegen sind bei der Halbleitervorrichtung 20F gemäß der vorliegenden Ausführungsform nur die Seitenoberflächennuten 29 auf einer Harzpackung 27D gebildet.
  • Da nur die Seitenoberflächennuten 29 auf der Harzpackung 27D gebildet sind, werden die äußeren Anschlußbeinteile 24b nur auf der Seitenoberfläche 27c der Harzpackung 27D positioniert, und auf der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27D sind sie frei. Deshalb wird die Spannung, die beim Erhitzen erzeugt wird, hauptsächlich durch das Versetzen und die Deformation der zweiten Anschlußteile 24b-2 der äußeren Anschlußbeinteile 24b absorbiert.
  • Das heißt, wenn die Spannung erzeugt wird, werden hauptsächlich die zweiten Anschlußteile 24b-2 versetzt oder deformiert, so daß die Position der dritten Anschlußteile 24b-3, die auf der Seitenoberfläche 27c angeordnet sind, begrenzt ist. Dies sichert, daß die Halbleitervorrichtungen 20F sicher verbunden werden, wenn die Halbleitervorrichtungen horizontal gestapelt werden.
  • Nun wird eine Halbleitervorrichtung 20G gemäß der siebten Ausführungsform beschrieben.
  • 22 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtung 20G der siebten Ausführungsform. In 22 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 6-8 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20A gemäß der ersten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Bei den Halbleitervorrichtungen 20A-20F gemäß jeder oben beschriebenen Ausführungsform werden die äußeren Anschlußbeinteile 24b positioniert, indem Teile der äußeren Anschlußbeinteile 24b mit den oberen Oberflächennuten 28A, 28B oder den Seitenoberflächennuten 29 im Eingriff stehen.
  • Dagegen sind bei der Halbleitervorrichtung 20G gemäß der vorliegenden Ausführungsform Eingreifglieder 37A (erste Eingreifteile) an den äußeren Anschlußbeinteilen 24b gebildet, und Eingreifvertiefungen 38A (zweite Eingreifteile) sind auf einer Harzpackung 27E gebildet. Die Eingreifglieder 37A stehen mit den Eingreifvertiefungen 38A im Eingriff, so daß die äußeren Anschlußbeinteile 24b positioniert werden. Mit anderen Worten, die Eingreifglieder 37A und die Eingreifvertiefungen 38A kooperieren, um einen Positionierungsmechanismus zu bilden.
  • Die Eingreifglieder 37A sind aus Harzmaterial, das auch verwendet wird, um die Harzpackung 27E zu bilden. Die Eingreifglieder 37A sind an den äußeren Anschlußbeinteilen 24b befestigt. Die Eingreifglieder 37A können an jedem der äußeren Anschlußbeinteile 24b individuell vorgesehen werden, oder vorgesehen werden, um zwischen einer Vielzahl der äußeren Anschlußbeinteile 24b zusammenzuhängen. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Eingreifglieder 37A an den zweiten Anschlußteilen 24b-2 der äußeren Anschlußbeinteile 24b gebildet. Ferner sind die Eingreifvertiefungen 38A auf der Harzpackung 27E an der Position gebildet, die den Eingreifgliedern 37A gegenüberliegt, wenn die äußeren Anschlußbeinteile 24b gebogen sind.
  • Damit die äußeren Anschlußbeinteile 24b mit der Harzpackung 27E im Eingriff stehen, werden bei der oben beschriebenen Struktur die Eingreifglieder 37A mit den Eingreifvertiefungen 38A beim Biegen der äußeren Anschlußbeinteile 24b in Eingriff gebracht. Deshalb wird verhindert, daß die äußeren Anschlußbeinteile 24b deformiert oder kurzgeschlossen werden.
  • 23 zeigt ein Verfahren zum Herstellen der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung 20G der siebten Ausführungsform, und im besonderen einen Schritt zum Verkapseln eines Harzes, das die Harzpackung 27E bildet. Wenn die Harzpackung 27E gebildet wird, wie in 23 gezeigt, werden der Halbleiterchip 21 und die Anschlußbeine 24 in eine Form 40 eingesetzt, die eine obere Form 40a und eine untere Form 40b enthält. Der Halbleiterchip 21 wird innerhalb eines Hohlraumes 43 angeordnet, der durch die obere Form 40a und die untere Form 40b gebildet wird, und die äußeren Anschlußbeinteile 24b werden zwischen der oberen Form 40a und der unteren Form 40b gehalten.
  • Ferner sind in dem Hohlraum 43, der in der oberen Form 40a gebildet ist, Vorsprünge 41 gebildet. Die Vorsprünge 41 sind so positioniert, um der vorbestimmten Position der Eingreifvertiefungen 38A zu entsprechen. Ferner sind Vertiefungen 42 an einer Position in der oberen Form 40a gebildet, die der Position von Eingreifgliedern 37A an den äußeren Anschlußbeinteilen 24b entspricht.
  • Ferner stehen die Vertiefungen 42 mit dem Hohlraum 43 in Verbindung, und das Harz, das in den Hohlraum 43 gefüllt wird, wird auch in den Vertiefungen 42 vorgesehen. Somit werden auch die Eingreifglieder 37A aus demselben Material wie die Harzpackung 27E gebildet.
  • Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, werden durch Bilden der Harzpackung 27E unter Verwendung der Form 40 die Eingreifglieder 37A und die Eingreifvertiefungen 38A mit der Form 40 gleichzeitig gebildet. Deshalb wird die Halbleitervorrichtung 20G im Vergleich zu einem Herstellungsverfahren, bei dem die Eingreifglieder 37A und die Eingreifvertiefungen 38A separat gebildet werden, leicht und kosteneffektiv hergestellt.
  • Nun wird eine Halbleitervorrichtung 20H gemäß der achten Ausführungsform beschrieben.
  • 24 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtung 20H der achten Ausführungsform. In 24 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 22 sind, die verwendet würden, um die Halbleitervorrichtung 20G gemäß der siebten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Bei der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung 20G gemäß der siebten Ausführungsform sind die Eingreifglieder 37A an den zweiten Anschlußteilen 24b-2 gebildet, und die Eingreifvertiefungen 38A sind auf der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27E gebildet. Somit greifen die äußeren Anschlußbeinteile 24b in die Harzpackung 27E auf der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27E ein, indem die Eingreifglieder 37A mit den Eingreifvertiefungen 38A in Eingriff gebracht werden.
  • Wenn bei der obigen Struktur die äußere Kraft und die Spannung angewendet werden, werden sie hauptsächlich an den dritten Anschlußteilen 24b-3 der äußeren Anschlußbeinteile 24b absorbiert. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die dritten Anschlußteile 24b-3 im Vergleich zu den zweiten Anschlußteilen 24b-2 leicht deformiert werden.
  • Dagegen sind bei der Halbleitervorrichtung 20H gemäß der vorliegenden Ausführungsform Eingreifglieder 37B an den dritten Anschlußteilen 24b-3 gebildet, während Eingreifvertiefungen 38B auf der Seitenoberfläche 27c einer Harzpackung 27F gebildet sind.
  • Somit stehen die äußeren Anschlußbeine 24b mit der Harzpackung 27F auf der Seitenoberfläche 27c im Eingriff, wenn die Eingreifglieder 37B in die Eingreifvertiefungen 38 eingreifen. Wenn bei der Halbleitervorrichtung 20H der vorliegenden Ausführungsform die äußere Kraft und die Spannung angewendet werden, werden sie deshalb hauptsächlich an den zweiten Anschlußteilen 24b-2 der äußeren Anschlußbeinteile 24b absorbiert. Das ist darauf zurückzuführen, daß die zweiten Anschlußteile 24b-2 im Vergleich zu den dritten Anschlußteilen 24b-3 leicht deformiert werden. Die Positionen der Eingreifglieder 37A, 37B und der Eingreifvertiefungen 38A, 38B sind nicht auf eine spezifische Position auf den Harzpackungen 27E, 27F begrenzt, sondern können selektiert werden, um den Positionen zu entsprechen, an denen wahrscheinlich eine äußere Kraft angewendet wird und eine thermische Spannung erzeugt wird.
  • Nun wird eine Halbleitervorrichtung 20I gemäß der neunten Ausführungsform beschrieben.
  • 25 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtung 20I gemäß der neunten Ausführungsform. In 25 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 22 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20G gemäß der siebten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Bei der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung 20G und 20H gemäß den siebten und achten Ausführungsformen werden Teile der äußeren Anschlußbeine 24b auf den Harzpackungen 27E, 27F nur durch das Eingreifen der Eingreifglieder 37A, 37B in die Eingreifvertiefungen 38A, 38B positioniert.
  • Dagegen sind bei der vorliegenden Ausführungsform Eingreifglieder 37C an einem vorderen Ende von jedem der zweiten Anschlußteile 24b-2 gebildet. Breite Eingreifvertiefungen 38C sind auf der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27B gebildet, und Stufen sind auf beiden Seiten der Eingreifvertiefungen 38C gebildet. Die Eingreifglieder 37C, die an den vorderen Enden der zweiten Anschlußteile 24b-2 vorge sehen sind, sind so konstruiert, um mit den Stufen der Eingreifvertiefungen 38C im Eingriff zu stehen.
  • Die Anschlußbeine 24, die bei der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden, sind aus einem federartigen, leitfähigen Material. Wenn ferner die Eingreifglieder 37C mit der Stufe der Eingreifvertiefungen 38C im Eingriff stehen, sind die zweiten Anschlußteile 24b-2 so gebildet, um eine elastische Kraft in der Richtung eines Pfeils X in 25 auszuüben. Diese Struktur gestattet es, daß die zweiten Anschlußteile 24b-2 auf einer Harzpackung 27G ohne Verwendung des Haftagens 30 wie bei der oben beschriebenen. Halbleitervorrichtung 20D gemäß der vierten Ausführungsform (siehe 11) positioniert werden.
  • Nun wird eine Halbleitervorrichtung 20J gemäß der zehnten Ausführungsform beschrieben.
  • 26 ist eine perspektivische Ansicht einer Halbleitervorrichtung 20J der zehnten Ausführungsform. In 26 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 6-8 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20A gemäß der ersten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Bei der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung 20A gemäß der ersten Ausführungsform ist eine Vielzahl der oberen Oberflächennuten 28A auf der oberen Oberfläche 27b der Harzpackung 27A gebildet. Die Struktur ist so, daß die äußeren Anschlußbeinteile 24b positioniert werden, indem die zweiten Anschlußteile 24b-2 in die oberen Oberflächennuten 28A eingreifen.
  • Dagegen sind bei der Halbleitervorrichtung 20J gemäß der vorliegenden Ausführungsform anstelle der oberen Oberflächennuten 28A Vorsprünge 44 an vier Ecken einer Harzpackung 27H gebildet. Die Höhe der Vorsprünge 44 ist höher als die obere Oberfläche 27b der Harzpackung 27H und niedriger als die Dicke der zweiten Anschlußteile 24b-2 (äußere Anschlußbeinteile 24b).
  • Deshalb werden periphere Teile (vier Ecken der Peripherie) des Bereiches, wo die äußeren Anschlußbeinteile vorgesehen sind, durch die Vorsprünge 44 geschützt. Wenn somit eine äußere Kraft auf der Seitenoberfläche (äußere Kraft der Seitenoberfläche) angewendet wird, kann die äußere Kraft der Seitenoberfläche durch die Vorsprünge 44 aufgenommen werden. Deshalb werden die äußeren Anschlußbeinteile 24b die äußere Kraft der Seitenoberfläche nicht aufnehmen, und es kann verhindert werden, daß sie deformiert oder kurzgeschlossen werden.
  • Durch den Einsatz der Struktur der vorliegenden Ausführungsform ist es nicht erforderlich, Komponenten wie z. B. Nuten zu bilden, die jedem der äußeren Anschlußbeinteile 24b entsprechen, wie es bei einer Halbleitervorrichtung gemäß jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen notwendig war. Deshalb kann die Halbleitervorrichtung der vorliegenden Ausführungsform selbst in dem Fall eingesetzt werden, wenn die Halbleiterchips 21 mit hoher Dichte montiert werden und eine Anzahl der Anschlußbeine 24 zunimmt, wodurch die Anschlußbeinteilung eingeengt wird.
  • Nun werden eine Halbleitervorrichtung 20K gemäß der elften Ausführungsform und eine Halbleitervorrichtungseinheit 50D gemäß der vierten Ausführungsform beschrieben.
  • 27 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtung 20K der elften Ausführungsform, und 28 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtungseinheit 50D der vierten Ausführungsform. In 27 und 28 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 6-8 und 12 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20A und die Halbleitervorrichtungseinheit 50A gemäß der ersten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Die oben beschriebene Halbleitervorrichtung 20A ist so auf die Montageplatte montiert, daß die Harzpackung 27A horizontal ist, oder die ersten Anschlußteile 24b-1 sind als Außenverbindungsanschlüsse mit der Montageplatte verbunden.
  • Bei dieser Struktur ist jedoch ein Montagebereich der Halbleitervorrichtung 20A vergleichsweise groß. Deshalb ist die Halbleitervorrichtung 20K gemäß der vorliegenden Ausführungsform auf die Montageplatte 45 montiert, um auf ihrer Seitenoberfläche zu stehen.
  • Deshalb sind die Anschlußbeine 24, die als Außenverbindungsanschlüsse dienen, alle auf einer einzelnen Seitenoberfläche der Harzpackung 27A vorgesehen (auf der Oberfläche, die der Montageplatte 45 in 27 gegenüberliegt). Auf der Seitenoberfläche, die der Seitenoberfläche gegenüberliegt, auf der die Anschlußbeine vorgesehen sind, ist eine Wärmeableitungsplatte 46A vorgesehen, die die Wärme ableitet, die in dem Halbleiterchip 21 erzeugt wird.
  • Die Halbleitervorrichtung 20K mit der obigen Struktur wird, wie in 27 gezeigt, auf die Montageplatte 45 montiert, indem die dritten Anschlußteile 24b-3 mit der Montageoberfläche 45 unter Verwendung von Lot 47 verbunden werden. Daher kann die Halbleitervorrichtung 20K auf die Montageplatte 45 montiert werden, um auf ihrer Seitenoberfläche zu stehen, und der Raum, der zur Montage erforderlich ist, wird somit reduziert.
  • Ferner ist bei der Halbleitervorrichtung 20K der vorliegenden Ausführungsform eine Stufe 49B, auf die der Halbleiterchip 21 montiert ist, von der Harzpackung 27A exponiert. Deshalb wird die Wärme, die in dem Halbleiterchip 21 erzeugt wird, von der Stufe 49B sowie von der oben beschriebenen Wärmeableitungsplatte 46A abgeleitet, und die Wärme wird effektiver abgeleitet.
  • Die Halbleitervorrichtungseinheit 50D, die in 28 gezeigt ist, kann durch horizontales Stapeln der Halbleitervorrichtungen 20K mit der obigen Struktur gebildet werden. Die Halbleitervorrichtung 20K, die am weitesten links angeordnet ist, ist mit der Montageplatte 45 unter Verwendung von Lot 47 an den dritten Anschlußteilen 24b-3 verbunden. Andere Halbleitervorrichtungen 20K werden gestapelt, indem die benachbarten ersten Anschlußteile 24b-1 und die zweiten Anschlußteile 24b-2 unter Verwendung von Lot 47 verbunden werden.
  • Bei der Halbleitervorrichtungseinheit 50D gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist jede Halbleitervorrichtung 20K so montiert, um auf ihrer Seitenoberfläche und dicht bei dem benachbarten Halbleiter 20K zu stehen. Ein Raum, der für eine einzelne Halbleitereinheit 20K erforderlich ist, wird reduziert, und die Montagedichte wird verbessert.
  • Nun werden eine Halbleitervorrichtung 20L gemäß der zwölften Ausführungsform und eine Halbleitervorrichtungseinheit 50E gemäß der fünften Ausführungsform beschrieben.
  • 29 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtung 20L der zwölften Ausführungsform, und 30 ist ein Querschnittsdiagramm einer Halbleitervorrichtungseinheit 50E der fünften Ausführungsform. In 29 und 30 sind Komponenten, die dieselben wie jene von 17-19 und 21 sind, die verwendet wurden, um die Halbleitervorrichtung 20E und die Halbleitervorrichtungseinheit 50C gemäß der dritten Ausführungsform zu beschreiben, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Erläuterungen werden weggelassen.
  • Die oben beschriebene Halbleitervorrichtung 20E ist so auf die Montageplatte montiert, daß die Harzpackung 27C horizontal ist, oder die ersten Anschlußteile 24b-1 sind als Außenverbindungsanschlüsse mit der Montageplatte verbunden.
  • Dagegen ist die Halbleitervorrichtung 20L gemäß der vorliegenden Ausführungsform so auf die Montageplatte 45 montiert, um auf ihrer Seitenoberfläche zu stehen.
  • Deshalb sind Anschlußbeine 48, die als Außenverbindungsanschlüsse dienen, alle auf einer einzelnen Seitenoberfläche der Harzpackung 27C vorgesehen (auf der Oberfläche, die der Montageplatte 45 in 29 gegenüberliegt). Auf der Seitenoberfläche, die der Seitenoberfläche gegenüberliegt, auf der die Anschlußbeine 48 vorgesehen sind, ist eine Wärmeableitungsplatte 46B vorgesehen, die die Wärme ableitet, die in dem Halbleiterchip 21 erzeugt wird.
  • Ferner sind auf der Halbleitervorrichtung 20L keine zweiten Anschlußteile 24b-2 vorgesehen, wie sie bei jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen vorgesehen waren. Deshalb enthalten äußere Anschlußbeinteile 48b die ersten Anschlußteile 48b-1, die auf der unteren Oberfläche der Harzpackung 27A vorgesehen sind, und zweite Anschlußteile 48b-2, die auf der Seitenoberfläche 27c der Harzpackung 27A vorgesehen sind.
  • Die Halbleitervorrichtung 20L mit der obigen Struktur wird, wie in 29 gezeigt, auf die Montageplatte 45 montiert, indem die zweiten Anschlußteile 48b-2 mit der Montageoberfläche 45 unter Verwendung von Lot 47 verbunden werden. Daher kann die Halbleitervorrichtung 20L auf die Montageplatte 45 montiert sein, um auf ihrer Seitenoberfläche zu stehen, und der Platz, der zur Montage erforderlich ist, wird somit reduziert.
  • Die in 30 gezeigte Halbleitervorrichtungseinheit 50E kann durch horizontales Stapeln der Halbleitervorrichtungen 20L mit der obigen Struktur gebildet werden. Jede Halbleitervorrichtung 20L wird mit der Montageplatte 45 unter Verwendung von Lot 47 an den zweiten Anschlußteilen 48b-2 verbunden.
  • Bei der Halbleitervorrichtungseinheit 50E gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist jede Halbleitervorrichtung 20L so montiert, um auf ihrer Seitenoberfläche und dicht bei dem benachbarten Halbleiter 20L zu stehen. Ein Raum, der für eine einzelne Halbleitereinheit 20L erforderlich ist, wird reduziert, und die Montagedichte wird verbessert.
  • Ferner ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen begrenzt, sondern Veränderungen und Abwandlungen können vorgenommen werden, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims (13)

  1. Halbleitervorrichtung (20D), die umfaßt: eine Harzpackung (27B), in der ein Halbleiterchip (21) eingekapselt ist; Anschlußbeine (24) mit inneren Anschlußbeinteilen (24a), die mit dem Halbleiterchip (21) verbunden sind, und äußeren Anschlußbeinteilen (24b), die außerhalb der Harzpackung positioniert sind, um Außenverbindungsanschlüsse vorzusehen, wobei die äußeren Anschlußbeinteile (24b) längs einer Form der Harzpackung gebogen sind, so daß die äußeren Anschlußbeinteile (24b) von einer Bodenoberfläche (27a) zu wenigstens einer von Seitenoberflächen (27c) und zu einer oberen Oberfläche (27b) der Harzpackung gezogen sind, wobei der Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b), der auf der oberen Oberfläche (27b) der Harzpackung (27B) angeordnet ist, gegen diese geneigt ist; und einen Positionierungsmechanismus für jedes der äußeren Anschlußbeinteile (24b), der an den Anschlußbeinen (24) und der Harzpackung vorgesehen ist, um die äußeren Anschlußbeinteile (24b) an der Harzpackung zu positionieren, indem er mit einem Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b) im Eingriff steht, wobei der Positionierungsmechanismus Nuten (28B) umfaßt, die auf der oberen Oberfläche der Harzpackung (27B) gebildet sind und mit denen der genannte Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b) im Eingriff steht; und ein Haftagens (30), das an Kontaktpunkten zwischen den äußeren Anschlußbeinteilen (24b) und den Nuten vorgesehen ist, zum Befestigen der äußeren Anschlußbeinteile (24b) an den Nuten (28B).
  2. Halbleitervorrichtung (20D) nach Anspruch 1, wobei der Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b) so konstruiert ist, dass sie von der oberen Oberfläche (27b) der Harzpackung hervorstehen, wenn der Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b) mit den Nuten (28B) im Eingriff steht.
  3. Halbleitervorrichtung (20D) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Nuten (28B) nur auf der oberen Oberfläche (27b) der Harzpackung (27B) gebildet sind.
  4. Halbleitervorrichtung (20D) nach Anspruch 1 oder 2, wobei weitere Nuten (29) auf wenigstens einer der Seitenoberflächen (27c) der Harzpackung (27C, 27D) gebildet sind.
  5. Halbleitervorrichtung (20G, 20H; 20I), die umfaßt: eine Harzpackung (27E, 27F, 27G), in der ein Halbleiterchip (21) eingekapselt ist; Anschlußbeine (24) mit inneren Anschlußbeinteilen (24a), die mit dem Halbleiterchip (21) verbunden sind, und äußeren Anschlußbeinteilen (24b), die außerhalb der Harzpackung positioniert sind, um Außenverbindungsanschlüsse vorzusehen, wobei die äußeren Anschlußbeinteile (24b) längs einer Farm der Harzpackung gebogen sind, so daß die äußeren Anschlußbeinteile (24b) von einer Bodenoberfläche (27a) zu wenigstens einer von Seitenoberflächen (27c) und zu einer oberen Oberfläche (27b) der Harzpackung gezogen sind; und einen Positionierungsmechanismus für jedes der äußeren Anschlußbeinteile (24b), der an den Anschlußbeinen (24) und der Harzpackung vorgesehen ist, um die äußeren Anschlußbeinteile (24b) an der Harzpackung zu positionieren, indem er mit einem Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b) im Eingriff steht, wobei der Positionierungsmechanismus umfaßt: erste Eingreifteile (37A, 37B, 37C), welche Eingreifglieder sind, die an dem Teil der äußeren Anschlußbeinteile (24b) befestigt sind; und zweite Eingreifteile (38A, 38B, 38C), die Vertiefungen sind, die in der Harzpackung (27E, 27F, 27G) gebildet sind und mit den ersten Eingreifteilen im Eingriff stehen, um die äußeren Anschlußbeinteile (24b) zu positionieren.
  6. Halbleitervorrichtung (20G, 20H, 20I) nach Anspruch 5, wobei die ersten Eingreifteile (37A, 37B, 37C) Harzglieder umfassen.
  7. Halbleitervorrichtung (20G, 20H, 20I) nach Anspruch 6, wobei die Harzglieder aus demselben Material wie die Harzpackung (27E, 27F, 27G) gebildet sind.
  8. Halbleitervorrichtungseinheit (50A, 50B, 50C, 50D, 50E) mit einer Struktur, bei der eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen (20D, 20G, 20H, 20I) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 in einer vertikalen Richtung gestapelt sind, wobei äußere Anschlußbeinteile (24b), die auf einer unteren Oberfläche von einer oberen der Halbleitervorrichtungen positioniert sind, und äußere Anschlußbeinteile (24b), die auf einer oberen Oberfläche (27b) von einer unteren der Halbleitervorrichtungen positioniert sind, elektrisch verbunden sind.
  9. Halbleitervorrichtungseinheit (50D, 50E) nach Anspruch 8, wobei die äußeren Anschlußbeinteile (24b) von jeder Halbleitervorrichtung an Positionen, die der Seitenoberfläche der Harzpackung gegenüberliegen, mit einer Montageplatte (45) verbunden sind, um als Außenverbindungsanschlüsse zu dienen.
  10. Halbleitervorrichtungseinheit (50A, 50B, 50C, 50D, 50E) nach Anspruch 8 oder 9, wobei ein wärmeableitendes Haftmaterial (31, 31A) zwischen benachbarten der gestapelten Halbleitervorrichtungen vorgesehen ist.
  11. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit (50A, 50B, 50C, 50D, 50E) mit einer Struktur, bei der eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen (20D, 20G, 20H, 20I) nach den Ansprüchen 1 bis 7 in einer vertikalen Richtung gestapelt sind, wobei es die folgenden Schritte umfaßt: a) Vorsehen von Verbindungsmaterial (32) an Teilen, die als Außenverbindungsanschlüsse der Halbleitervorrichtung dienen; b) Stapeln einer Vielzahl der Halbleitervorrichtungen (20D, 20G, 20H, 20I), die mit dem Verbindungsmaterial versehen sind; und c) elektrisches und mechanisches Verbinden von benachbarten der Halbleitervorrichtungen (20D, 20G, 20H, 20I) unter Verwendung des Verbindungsmaterials (32) durch Implementieren einer Wärmebehandlung an einer Vielzahl der gestapelten Halbleiter.
  12. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit (50A, 50B, 50C, 50D, 50E) nach Anspruch 11, wobei das Vorsehen des Verbindungsmaterials (32) gemäß Schritt a) entweder durch Tauchlöten oder durch Lötpastendruck erfolgt.
  13. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungseinheit (50A, 50B, 50C, 50D, 50E) nach Anspruch 11 oder 12, wobei es ferner den folgenden Schritt umfaßt: d) Vorsehen von Wärmeableitungshaftgliedern (31, 31A), die benachbarte der Halbleitervorrichtungen temporär befestigen, wobei der Schritt d) nach dem Schritt a) und vor dem Schritt (b) implementiert wird.
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