DE19756569A1 - Verfahren zum Herstellen eines geschichteten Keramiksubstrats - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines geschichteten Keramiksubstrats durch Schichten und Brennen keramischer Rohlagen.

Ein Verfahren im Stand der Technik zum Herstellen eines geschichteten Keramiksubstrats wird unter Bezugnahme auf die Fig. 10A bis 10C erklärt. Zuerst werden Durchgangs­ löcher in einer keramischen Rohlage 101 ausgebildet, die eine erste Schicht des geschichteten Substrats wird, und wird ein leitendes Material in die Durchgangslöcher einge­ bracht, um Durchgangsabschnitte 102 auszubilden, wie es in Fig. 10A gezeigt ist. Dann wird ein Verdrahtungsmuster 103 auf den Durchgangsabschnitten 102 ausgebildet. Die derart ausgebildete Rohlage 101 wird gepreßt, wodurch sie vervoll­ ständigt wird. Auf eine ähnliche Weise werden Durchgangslö­ cher in einer keramischen Rohlage 111 ausgebildet, die eine zweite Schicht wird, und werden die Durchgangslöcher mit dem leitenden Material gefüllt, wodurch Durchgangsabschnit­ te 112 ausgebildet werden. Dann wird nach einem Ausbilden eines Verdrahtungsmusters 113 auf den Durchgangsabschnitten 112, wie es in Fig. 10B gezeigt ist, die Rohlage 112 durch Pressen vervollständigt. Die anderen Rohlagen, die unter den Rohlagen 101 und 111 liegen, werden genauso herge­ stellt.

Als nächstes werden, wie es in Fig. 10C gezeigt ist, die Rohlagen von der ersten Schicht bis zu der untersten Schicht durch ein Thermokoinpressionsverfahren geschichtet und werden dann gebrannt. Als Ergebnis wird das geschich­ tete Keramiksubstrat erzielt. Das Verdrahtungsmuster 103, das auf der Oberfläche der ersten Schicht des Keramik­ substrats ausgebildet wird, beinhaltet eine Mehrzahl von leitenden Teilen, die als leitende Kontakte dienen, die elektrisch mit Elektrodenanschlüssen eines Halbleiterchips oder dergleichen verbunden sind, der auf dem geschichteten Substrat angebracht ist.

Bei dem zuvor beschriebenen Verfahren ist es jedoch schwierig, das Verdrahtungsmuster genau auf den Durchgangs­ abschnitten auszubilden, was zu einer Verdrahtungsverschie­ bung führt, wie es in Fig. 10B gezeigt ist. Weiterhin tritt ein Schichtungsversatz auf, wie es in Fig. 10C gezeigt ist, wenn die Rohlagen 101, 111, . . . geschichtet werden. Auch dann, wenn eine Druckmaschine verwendet wird, die eine eine Abbildung erkennende Funktion aufweist, um das Verdrah­ tungsmuster auszubilden, ist es schwierig, die Verdrah­ tungsverschiebung von höchstens 25 µm zu verhindern. (Die Abmessung stellt einen Wert nach einem Brennen des Substrats dar und nachfolgend ist sie genauso definiert) Weiterhin ist es auch dann, wenn Führungsstifte verwendet werden, um die Rohlagen zu ihrem Schichten zu positionie­ ren, schwierig, den Schichtungsversatz von höchstens 100 µm zu verhindern.

Deshalb werden im allgemeinen ein Abstand der leitenden Teile des Verdrahtungsmusters auf den Durchgangsabschnitten und ein Abstand der Durchgangsabschnitte unter Berücksich­ tigung der Verdrahtungsverschiebung und des Schichtungsver­ satzes bestimmt. Zum Beispiel müssen in einem Fall, in dem ein Durchmesser von jedem der Durchgangsabschnitte 100 µm beträgt, hinsichtlich der zuvor erwähnten Verdrahtungsver­ schiebung das Verdrahtungsmuster auf den Durchgangs ab­ schnitten bzw. die Verdrahtungsmuster der darunter liegen­ den Rohlagen eine Breite von mindestens 150 µm aufweisen. Weiterhin werden die angrenzenden Durchgangsabschnitte 102 der ersten Rohlage 101 mit dem Verdrahtungsmuster 113 der zweiten Rohlage 111 verbunden. Deshalb ist es hinsichtlich einer Isolationseigenschaft, um den Abstand des Verdrah­ tungsmusters 113 auf der zweiten Rohlage 111 auf mindestens 50 µm zu setzen, notwendig, den Abstand der Durchgangsab­ schnitte 102 der ersten Rohlage 101 in dem Fall auf minde­ stens 300 µm zu setzen, in dem jede Breite des Verdrah­ tungsmusters 113 150 µm beträgt und jeder Durchmesser der Durchgangsabschnitte 100 µm beträgt.

Jedoch ist ein Abstand von Elektroden des Halbleiter­ chips, der auf dem geschichteten Keramiksubstrat angebracht ist, von Jahr zu Jahr verringert worden. Aufgrund dessen ist es erforderlich, den Abstand der Durchgangsabschnitte der ersten Rohlagen zu verringern. Insbesondere in einem Fall, in dem ein Flip-Chip-IC mit den Durchgangsabschnitten der ersten Rohlage verbunden ist, müssen die Durchgangsab­ schnitte an Positionen ausgebildet werden, die im wesentli­ chen Elektroden des Flip-Chip-IC entsprechen. Ein erforder­ licher Abstand der Durchgangsabschnitte beträgt zum Bei­ spiel 250 µm und wird in naher Zukunft 140 µm betragen. Wenn das zuvor erwähnte Verfahren an einem geschichteten Keramiksubstrat verwendet werden würde, das Durchgangsab­ schnitte mit dem zuvor erwähnten erforderlichen Abstand aufweist, würde aufgrund der Verdrahtungsverschiebung und des Schichtungsversatzes, wie es in Fig. 10C gezeigt ist, ein derartiges Problem entstehen, daß angrenzende Durch­ gangsabschnitte kurzgeschlossen werden.

Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf die zuvor erwähnten Probleme geschaffen worden und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines geschichteten Keramiksubstrats zu schaf­ fen, das Durchgangsabschnitte mit einem kleinen Abstand auf einer Oberfläche von ihm aufweist, ohne einen Kurzschluß zwischen den Durchgangsabschnitten zu verursachen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung werden leitende Kon­ takte auf einer Oberfläche einer ersten Rohlage ausgebil­ det, die eine erste Schicht eines geschichteten Kera­ miksubstrats wird, und wird ein Verdrahtungsmuster auf ei­ ner hinteren Oberfläche der ersten Rohlage ausgebildet. Die leitenden Kontakte sind durch erste Durchgangsabschnitte, die in der ersten Rohlage ausgebildet sind, elektrisch mit dem Verdrahtungsmuster verbunden. Dann wird die erste Roh­ lage auf eine zweite Rohlage geschichtet, die darin zweite Durchgangsabschnitte aufweist. Bei dieser Struktur ist es nicht notwendig, einen Schichtungsversatz zwischen den er­ sten und zweiten Rohlagen zu berücksichtigen. Das heißt, ein Trennen oder ein Versatz einer Verbindung zwischen den leitenden Kontakten und dem Verdrahtungsmuster tritt nicht auf. Deshalb kann auch dann, wenn die ersten Durchgangsab­ schnitte in der ersten Rohlage mit einem kleinen Abstand ausgebildet werden, ein Kurzschluß zwischen den angrenzen­ den Durchgangsabschnitten verhindert werden.

Vorzugsweise ist ein Abstand der zweiten Durchgangsab­ schnitte der zweiten Rohlage größer als der der ersten Durchgangsabschnitte der ersten Rohlage. Bevorzugter sind die Teile des Verdrahtungsmusters derart angeordnet, daß sie sich radial von Enden von ihnen ausdehnen, die mit den ersten Durchgangsabschnitten der ersten Rohlage verbunden sind, so daß der Abstand der ersten Durchgangsabschnitte der zweiten Rohlage erhöht ist.

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1A bis 1F Querschnittsansichten zum Erklären von Verfahren zum Herstellen einer eine erste Schicht eines geschichteten Keramik­ substrats werdenden ersten Rohlage gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung;

Fig. 2 eine schematische Ansicht eines auf einer Oberfläche der ersten Rohlage bei einem Verfahren in Fig. 1D ausgebildeten ebenen Verdrahtungsmusters;

Fig. 3 eine schematische Ansicht eines auf einer hinteren Oberfläche der ersten Rohlage bei einem Verfahren in Fig. 1E ausgebil­ deten ebenen Verdrahtungsmusters;

Fig. 4A und 4B Querschnittsansichten von Zuständen der Verdrahtungsmuster vor und nach einem Pressen;

Fig. 5A bis 5C Querschnittsansichten zum Erklären von Verfahren zum Herstellen einer eine zweite Schicht des geschichteten Keramik­ substrats werdenden zweiten Rohlage in dem Ausführungsbeispiel;

Fig. 6 eine schematische Ansicht eines ebenen Musters von in der zweiten Rohlage bei einem Verfahren in Fig. 5C ausgebildeten Durchgangsabschnitten;

Fig. 7A bis 7E Querschnittsansichten zum Erklären von Verfahren zum Herstellen von dritte und vierte Schichten des geschichteten Kera­ miksubstrats werdenden dritten und vier­ ten Rohlagen;

Fig. 8 eine Querschnittsansicht eines Zustands der durch ein Thermokompressionsverfahren in dem Ausführungsbeispiel geschichteten ersten bis fünften Rohlagen;

Fig. 9 eine Querschnittsansicht eines durch die geschichteten Rohlagen durch Brennen in dem Ausführungsbeispiel ausgebildeten ge­ schichteten Keramiksubstrats; und

Fig. 10A bis 10C Querschnittsansichten zum Erklären von Verfahren zum Herstellen eines geschich­ teten Keramiksubstrats im Stand der Tech­ nik.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines Ausführungs­ beispiels der vorliegenden Erfindung.

Zuerst werden Verfahren zum Herstellen einer Rohlage 3, die eine erste Schicht eines geschichteten Substrats wird (einer ersten Rohlage), unter Bezugnahme auf die Fig. 1A bis 1F erklärt. Wie es in Fig. 1A gezeigt ist, beinhaltet die Rohlage 3 Aluminiumoxid als ein Hauptmaterial und ist durch einen Klebestreifen 2 an einem aus rostfreiem Stahl bestehenden Führungsteil 1 befestigt. Dann werden, wie es in Fig. 1B gezeigt ist, Durchgangslöcher 4, die jeweils Durchmesser von 100 µm aufweisen, durch Stanzen in der Roh­ lage 3 ausgebildet. Als nächstes wird, wie es in Fig. 1C gezeigt ist, ein leitendes Material durch Preßpassen in die Durchgangslöcher 4 eingebracht, wodurch Durchgangsab­ schnitte 5 ausgebildet werden. Das leitende Material bein­ haltet Molybdän (Mo), Wolfram (W) oder ein Gemisch aus Mo und W als ein Hauptmaterial.

Dann wird, wie es in Fig. 1D gezeigt ist, ein Verdrah­ tungsmuster 6, das Mo, W oder das Gemisch aus Mo und W als ein Hauptmaterial beinhaltet, durch Drucken auf der Ober­ fläche der Rohlage 3 ausgebildet. Das Verdrahtungsmuster 6 beinhaltet eine Mehrzahl von Kontakten, wie es in Fig. 2 gezeigt ist, und die Kontakte sind jeweils auf den Durch­ gangsabschnitten 5 vorgesehen, um als leitende Kontakte zu dienen, die elektrisch mit den Elektrodenanschlüssen eines Halbleiterchips verbunden sind. Als nächstes wird, wie es in Fig. 1E gezeigt ist, ein Verdrahtungsmuster 7, das Mo, W oder das Gemisch aus Mo und W als ein Hauptmaterial bein­ haltet, auf einer hinteren Oberfläche der Rohlage 3 dem Verdrahtungsmuster 6 gegenüberliegend ebenso durch Drucken ausgebildet. Das Verdrahtungsmuster 7 beinhaltet eine Mehr­ zahl von streifenähnlichen Kontakten, die sich radial von den Durchgangsabschnitten 5 ausdehnen, wie es in Fig. 3 ge­ zeigt ist. Hierbei wird unter der Annahme, daß eine Ver­ drahtungsverschiebung von 25 µm bezüglich den Durchgangs ab­ schnitten 5 auftritt, die einen Durchmesser von 100 µm auf­ weisen, jede Breite der Kontakte der Verdrahtungsmuster 6 und 7 auf 150 µm eingestellt und überlappen alle Kontakte der Verdrahtungsmuster 6 und 7 mit einem entsprechenden der Durchgangsabschnitte 5.

Als nächstes wird die Rohlage 3 gepreßt, so daß die Verdrahtungsmuster 6 und 7 in der Rohlage 3 eingebettet werden, wie es in Fig. 1F gezeigt ist. Durch Durchführen des Pressens werden die Oberflächen der Verdrahtungsmuster 6 und 7 auf einer gepreßten Seite flacher als die anderen Oberflächen der Verdrahtungsmuster 6 und 7 auf einer einge­ betteten Seite, wie es in den Fig. 4A und 4B gezeigt ist. Das heißt, die Verdrahtungsmuster 6 und 7 werden durch das Pressen von dem Zustand, der in Fig. 4A gezeigt ist, zu dem Zustand geändert, der in Fig. 4B gezeigt ist. Demgemäß ist es unwahrscheinlich, daß Hohlräume um die Verdrahtungs­ muster 6 und 7 herum erzeugt werden, wenn die Rohlage 3 in dem nachfolgenden Verfahren geschichtet wird. Auf diese Weise ist die Rohlage 3 für die erste Schicht vervollstän­ digt.

Als nächstes werden Verfahren zum Herstellen einer Roh­ lage 13, die eine zweite Schicht des geschichteten Substrats wird (einer zweiten Rohlage), erklärt. Genauer gesagt wird bei den Verfahren, die in den Fig. 5A bis 5C gezeigt sind, die Rohlage 13 durch einen Klebestreifen 12 an einem Führungsteil 11 befestigt und werden Durchgangslö­ cher 14, die einen Durchmesser von 100 µm aufweisen, durch Stanzen in der Rohlage 13 ausgebildet. Dann wird ein lei­ tendes Material durch Preßpassen in die Durchgangslöcher 14 eingebracht, wodurch Durchgangsabschnitte 15 ausgebildet werden. Diese Verfahren sind zu denjenigen der Rohlage 3 für die erste Schicht ähnlich. Jedoch wird kein Verdrah­ tungsmuster auf der Rohlage 13 für die zweite Schicht aus­ gebildet. Fig. 6 zeigt ein ebenes Muster der Durchgangs­ abschnitte 15, die in der Rohlage 13 ausgebildet werden. Wie es sich aus den Fig. 2 und 6 versteht, ist ein Ab­ stand (ein Intervall) zwischen angrenzenden zwei Durch­ gangsabschnitten 15 größer als der zwischen angrenzenden zwei Durchgangsabschnitten 5, die in der Rohlage 3 für die erste Schicht ausgebildet sind.

Nachfolgend werden Rohlagen für dritte und vierte Schichten hergestellt. Das heißt, wie es in den Fig. 7A bis 7C gezeigt ist, wird eine Rohlage 23 durch einen Klebe­ streifen 22 an einem Führungsteil 21 befestigt und werden Durchgangslöcher 24, die einen Durchmesser von 100 µm auf­ weisen, in der Rohlage 23 ausgebildet. Dann wird ein lei­ tendes Material durch Preßpassen in die Durchgangslöcher 24 eingebracht, um Durchgangsabschnitte 24 auszubilden. Diese Verfahren sind die gleichen wie diejenigen für die ersten und zweiten Schichten. Als nächstes wird bei einem Verfah­ ren, das in Fig. 7D gezeigt ist, ein Verdrahtungsmuster 26 auf der Oberfläche der Rohlage 23 ausgebildet. Dann wird bei einem Verfahren, das in Fig. 7E gezeigt ist, die Rohla­ ge 23 gepreßt. Auf diese Weise sind die Rohlagen 23 für die dritten oder vierten Schichten vervollständigt. Eine andere Rohlage für die dritten oder vierten Schichten wird genauso ausgebildet.

Danach wird eine Rohlage für eine fünfte Schicht herge­ stellt. In diesem Fall wird nach einem Ausbilden eines Ver­ drahtungsmusters auf einer Oberfläche einer Rohlage auf die gleiche Weise wie bei den dritten und vierten Rohlagen ein anderes Verdrahtungsmuster auf der hinteren Oberfläche der Rohlage auf die gleiche Weise wie bei der ersten Rohlage 3 ausgebildet. Die zweiten bis fünften Rohlagen bestehen aus dem gleichen Material wie das der ersten Rohlage 3 und auf eine ähnliche Weise sind das leitende Material, das die Durchgangslöcher füllt, und das Material für die Verdrah­ tungsmuster der zweiten bis fünften Rohlagen die gleichen wie diejenigen der ersten Rohlage 3.

Auf diese Weise werden die ersten bis fünften Rohlagen ausgebildet. Dann werden, wie es in Fig. 8 gezeigt ist, die Rohlagen durch ein Thermokompressionsverfahren geschichtet. Die Führungsteile 1, 11, 21, . . . zum Befestigen der jewei­ ligen Rohlagen daran weisen Löcher zum Aufnehmen von Füh­ rungsstiften 8 darin auf. Durch Einbringen der Führungs­ stifte 8 in die Löcher wird das Positionieren der Rohlagen durchgeführt. Nach einem thermischen Verbinden der Rohlagen werden die geschichteten Rohlagen geschnitten, um von den Führungsteilen getrennt zu werden und werden dann bei einer hohen Temperatur von ungefähr 1300°C bis 1700°C gebrannt. Als Ergebnis kann das geschichtete Keramiksubstrat erzielt werden, das in Fig. 9 gezeigt ist.

Gemäß dem zuvor erwähnten Verfahren zum Herstellen des geschichteten Keramiksubstrats weist die Rohlage 3, die als die erste Schicht dient, die leitenden Kontakte 6 auf der Oberfläche von ihr und das Verdrahtungsmuster 7 auf der hinteren Oberfläche von ihr auf. Deshalb ist es nicht not­ wendig, den Schichtungsversatz zu berücksichtigen, der durch das Schichten der ersten und zweiten Schichten (Schichten der Rohlagen 3 und 13) verursacht wird. Demgemäß kann der minimale Abstand der Durchgangsabschnitte 5 (das minimale Intervall zwischen angrenzenden zwei Durchgangsab­ schnitten 5) der Rohlage 3 um eine Länge verringert werden, die dem Schichtungsversatz (höchstens 100 µm) entspricht. Das heißt, in dem Fall, in dem es herkömmlicherweise erfor­ derlich wäre, daß der Abstand der Durchgangsabschnitte 5 300 µm beträgt, kann der Abstand der Durchgangsabschnitte 5 durch Verwenden der Struktur der vorliegenden Erfindung auf 200 µm verringert werden. Um den Abstand der Durchgangsab­ schnitte 5 mehr zu verringern, kann jeder Durchmesser der Durchgangsabschnitte 5 verringert werden. Zum Beispiel kön­ nen die Durchgangsabschnitte 5 mit einem Abstand von 140 µm ausgebildet werden, wenn jeder Durchmesser der Durchgangs­ abschnitte 5 50 µm beträgt und jede Breite der Kontakte der Verdrahtungsmuster 6 und 7 90 µm beträgt. Das heißt, es ist nicht notwendig, den Schichtungsversatz zu berücksichtigen.

Andererseits beinhaltet das Verdrahtungsmuster 7, das auf der hinteren Oberfläche der Rohlage 3 ausgebildet wird, streifenähnliche Kontakte, die sich radial von den entspre­ chenden Durchgangsabschnitten 5 ausdehnen. Weiterhin ist der Abstand der Durchgangsabschnitte 15 der Rohlage 13 für die zweite Schicht derart festgelegt, daß er größer als der der Durchgangsabschnitte 5 der Rohlage 3 für die erste Schicht ist. Demgemäß kann der Abstand zwischen den angren­ zenden streifenähnlichen Kontakten des Verdrahtungsmusters 7, die mit den angrenzenden Durchgangsabschnitten 5 verbun­ den sind, auf das Maximum sichergestellt werden. Unter Ver­ wendung dieses Herstellungsverfahrens kann der Kurzschluß zwischen den angrenzenden Durchgangsabschnitten 5 auch dann verhindert werden, wenn die Durchgangsabschnitte 5 mit ei­ nem kleinen Abstand in der Rohlage 3 ausgebildet werden.

In dem zuvor erwähnten Ausführungsbeispiel können die Rohlagen, obgleich die Rohlagen hauptsächlich aus Alumi­ niumoxid bestehen, aus anderen Materialien, wie zum Bei­ spiel einer Glaskeramik, bestehen. Wenn die Glaskeramik als das Hauptmaterial für die Rohlagen verwendet wird, ist es bevorzugt, daß die Verdrahtungsmuster hauptsächlich aus Silber oder Gold bestehen. In diesem Fall ist es nicht not­ wendig, eine metallische Plattierschicht auf den Oberflä­ chen der leitenden Kontakte auszubilden. Die leitenden Kon­ takte können durch Löten oder Drahtverbinden direkt mit den Elektroden des Halbleiterchips verbunden werden. Wenn die Glaskeramik für die Rohlagen verwendet wird, ist es bevor­ zugt, daß die Rohlagen bei 800°C bis 1000°C gebrannt werden.

Claims (9)

1. Verfahren zum Ausbilden eines geschichteten Kera­ miksubstrats, das leitende Kontakte (6) auf einer Hauptoberfläche von ihm aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Ausbilden erster Durchgangslöcher (4) in einer ersten keramischen Rohlage (3), wobei die erste Rohlage (3) für eine erste Schicht des Substrats ist und eine Ober­ fläche aufweist, die die Hauptoberfläche des Substrats wird;
Füllen der ersten Durchgangslöcher (4) mit einem lei­ tenden Teil, um erste Durchgangsabschnitte (5) auszu­ bilden;
Ausbilden der leitenden Kontakte (6) auf jeweiligen er­ sten Durchgangsabschnitten (5) auf der Oberfläche der ersten Rohlage (3);
Ausbilden eines Verdrahtungsmusters (7) auf jeweiligen ersten Durchgangsabschnitten (5) auf einer hinteren Oberfläche der ersten Rohlage (3) den leitenden Kontak­ ten gegenüberliegend, um durch die ersten Durchgangsab­ schnitte (5) elektrisch mit den leitenden Kontakten (6) verbunden zu werden;
Ausbilden zweiter Durchgangslöcher (14) in einer zwei­ ten keramischen Rohlage (13) an Positionen, die dem Verdrahtungsmuster (7) entsprechen, wobei die zweite Rohlage (13) für eine zweite Schicht des Substrats ist;
Füllen der zweiten Durchgangslöcher (14) mit einem lei­ tenden Teil, um zweite Durchgangsabschnitte (15) auszu­ bilden;

Schichten der ersten und zweiten Rohlagen (3, 13), um elektrische Kontakte zwischen den zweiten Durchgangs ab­ schnitten (15) und den leitenden Kontakten (6) durch die ersten Durchgangsabschnitte (5) und das Verdrah­ tungsmuster (7) herzustellen; und
Brennen der ersten und zweiten Rohlagen (3, 13).

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Durchgangsabschnitte (5) mit einem ersten Abstand ausgebildet werden und die zweiten Durchgangs­ abschnitte (15) mit einem zweiten Abstand ausgebildet werden, der größer als der erste Abstand ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verdrahtungsmuster (7) derart ausgebildet ist, daß es eine Mehrzahl von streifenähnlichen Teilen aufweist, die mit jeweiligen ersten Durchgangsabschnitten (5) an Enden von ihnen verbunden sind und sich von den Enden auf der hinteren Oberfläche der ersten Rohlage (3) ra­ dial ausdehnen.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die streifenähnlichen Teile des Verdrahtungsmusters (7) an den anderen Enden von ihnen mit den zweiten Durch­ gangsabschnitten (15) verbunden sind.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Abstand zwischen angrenzenden zwei streifenähnli­ chen Teilen des Verdrahtungsmusters (7) an den Enden von ihnen, die mit den ersten Durchgangsabschnitten (5) verbunden sind, größer als der an den anderen Enden von ihnen ist, die mit den zweiten Durchgangsabschnitten (15) verbunden sind.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin einen Schritt eines Pressens der ersten Rohlage (3) nach dem Ausbilden des Verdrahtungsmusters (7) auf der hinteren Oberfläche der ersten Rohlage (3) beinhaltet.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin einen Schritt eines Herstellens einer dritten Rohlage (23) beinhaltet, die darin dritte Durchgangsabschnitte (25) und obere und untere Verdrah­ tungsmuster auf beiden Oberflächen von ihr aufweist, wobei die oberen und unteren Verdrahtungsmuster durch die dritten Durchgangsabschnitte (25) elektrisch mit­ einander verbunden sind,
wobei die dritte Rohlage (23) mit den ersten und zwei­ ten Rohlagen (3, 13) geschichtet wird, um elektrische Kontakte zwischen dem unteren Verdrahtungsmuster der dritten Rohlage (23) und den leitenden Kontakten der ersten Rohlage (3) durch die ersten Durchgangsab­ schnitte (5), das Verdrahtungsmuster (7) der ersten Rohlage (3), die zweiten Durchgangsabschnitte (15) der zweiten Rohlage (13), das obere Verdrahtungsmuster und die dritten Durchgangsabschnitte (25) der dritten Roh­ lage (23) herzustellen.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin einen Schritt eines Herstellens einer Zwi­ schenrohlage beinhaltet, die Zwischendurchgangsab­ schnitte darin und ein Zwischenverdrahtungsmuster auf­ weist, das die Zwischendurchgangsabschnitte auf einer Oberfläche von ihr kontaktiert, wobei die Zwischenroh­ lage zwischen die zweite Rohlage (13) und die dritte Rohlage (23) gelegt wird, wobei das Zwischenverdrah­ tungsmuster die zweiten Durchgangsabschnitte (15) kon­ taktiert, wobei
die Zwischenrohlage mit den ersten, zweiten und dritten Rohlagen (3, 13, 23) geschichtet wird und gebrannt wird.