DE19746286A1 - Siliciumnitridwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Siliciumnitridwerkstoff sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung, der ins­ besondere wegen eines verringerten Reibungswiderstan­ des für den Einsatz als Lagerwerkstoff geeignet ist.

Es ist bekannt, auch nichtoxidische Keramikwerkstoffe für die verschiedenen Lagerungen, wie Gleit- und Wälzlager einzusetzen. Dabei haben die bisher verwen­ deten Keramikwerkstoffe Nachteile in ihrem Gleit- und Verschleißverhalten.

Durch Reibung und Verschleiß ist es erforderlich, die jeweiligen Lager bzw. einzelne Lagerkomponenten in mehr oder weniger langen Zeitabständen auszutauschen, was zu einem erhöhten Kosten- und Arbeitsaufwand führt. Außerdem reichen die Trockenlaufeigenschaften der bekannten Lagerwerkstoffe nicht aus und es müssen Schmierungen mit geeigneten Schmiermitteln eingesetzt werden, die ebenfalls die Kosten belasten und außer­ dem die in der Regel verwendeten Schmiermittel unter dem Umweltaspekt aufwendig entsorgt werden müssen. Eine andere Variante bei keramischen Wälzlagern ist die Verringerung der Flächenpressung, was zu erhöhtem Materialaufwand und konstruktiven Problemen führt.

Keramische Lagerkomponenten haben beispielsweise ihr Anwendungsfeld für Gleitringdichtungen aus SiSiC oder SSiC oder keramische Kugellager aus Siliciumnitrid.

SiSiC- oder SSiC-Werkstoffe besitzen zwar einen nied­ rigen Reibkoeffizient, erreichen aber nicht genügend große Bruchzähigkeiten und Festigkeiten, um sie z. B. in Wälzlagern zu verwenden.

Diese haben gegenüber den herkömmlichen metallischen Lagersystemen eine zwar größere Verschleiß- und Kor­ rosionsstabilität sowohl bei Verwendung einer Schmie­ rung mit einem Schmiermittel oder auch bei Trocken­ lauf, die jedoch für viele Anwendungsfälle noch zu verbessern ist.

Siliciumnitridwerkstoffe sind für tribologische Sy­ steme mit Mangelschmierung oder als vollständig schmierstofffreie Systeme für die Verwendung vollke­ ramischer Wälzlager, bei einer Rollreibbeanspruchung, bei der jedoch Gleitreibanteile, die durch Schlupf hervorgerufen werden, auftreten und auch bei gleiten­ der Beanspruchung für z. B. hochbelastete Gelenklager, trockenlaufende Lager in der Lebensmitteltechnik und -verarbeitung, wie dies z. B. in Sternnagel, Kera­ mische Wälzlager, VDI-Werkstoff Tag '97, 10/11. Juni 1997, S 49-60 und J.W. Van Wyk, Ceramic Airframe Bearings; Lubrication Engeneering, 31, (1975) 558-564 zum Ausdruck gebracht worden ist, als geeignete Werk­ stoffe gewünscht.

Die Siliciumnitridwerkstoffe unterliegen jedoch be­ züglich möglicher Anwendungen, insbesondere für Si₃N₄-Si₃N₄-Paarungen ohne Schmierung, wegen der doch relativ hohen Reibwerte oberhalb 0,5, Einschränkungen.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen Siliciumni­ tridwerkstoff zur Verfügung zu stellen, der infolge eines verringerten Reibwertes entsprechend kleinere Reibverluste und verringerten Verschleiß bei Anwen­ dungen mit Roll- und/oder Gleitreibung erreicht.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Silici­ umnitridwerkstoff nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhaf­ te Ausgestaltungsformen und Weiterbildungen der Er­ findung ergeben sich mit den in den untergeordneten Ansprüchen genannten Merkmalen.

Zur Verringerung des Reibkoeffizienten von Silicium­ nitrid ist es wichtig, daß im gesinterten Siliciumni­ tridwerkstoff ein Mol-Verhältnis von Siliciumdioxid zur Summe des Siliciumdioxides mit den anderen im Siliciumnitridwerkstoff enthaltenen Sinteradditiven oberhalb 50%, vorzugsweise oberhalb 55% eingehalten wird. Dabei fallen unter die entsprechenden Sinterad­ ditive die Stoffe, die während der Sinterung mit dem Siliciumdioxid und dem zum Teil gelösten Siliciumni­ trid eine flüssige Phase bilden und anschließend in der Korngrenzenphase verbleiben. Das sind üblicher Weise Y₂O₃, Sc₂O₃, Lantaniden, La₂O₃ Aluminiumoxid, Erdalkalioxide, HfO₂, ZrO₂.

Weiter ist es für den erfindungsgemäßen Siliciumni­ tridwerkstoff wesentlich, daß eine mittlere Korndicke ≦ 0,3 µm und die Anzahl von Defekten mit maximaler linearer Ausdehnung < 3 µm ≦ 5000/mm² im gesinterten Werkstoff eingehalten wird. Dabei sind unter Defekten große Körner, Verunreinigungen, Agglomerate mit ge­ ringem oder mit hohem Glasphasengehalt sowie Fremd­ phasen zu verstehen. Vorteilhafter Weise sollte die Anzahl der Defekte < 3 µm kleiner als 1000/mm² und noch günstiger kleiner als 500/mm² sein.

Der Anteil von Siliciumdioxid mit Sinteradditiven sollte im fertigen Siliciumnitridwerkstoff zwischen 5 und 20, bevorzugt unterhalb 15 Vol.-% liegen.

Günstig ist es außerdem, den Siliciumnitridwerkstoff so herzustellen, daß die Anzahl der Defekte mit maxi­ maler linearer Ausdehnung ≧ 10 µm < 2000/mm², bevor­ zugt < 1000/mm² gehalten wird. Je kleiner die Anzahl der Defekte, um so günstiger wirkt sich dies auf die gewünschten Eigenschaften aus, zu bevorzugen sind Anzahlen für Defekte größer 10 µm < 500/mm² und noch bessere Ergebnisse erreichen Werte < 50/mm².

Das Reibverhalten des erfindungsgemäßen Siliciumni­ tridwerkstoffes kann außerdem durch Zugabe verschie­ dener reibmindernder Zusätze, die im fertigen Werk­ stoff in Form von Dispersionsphasen vorliegen, wie z. B. B, TiC, TiN, SiC erreicht werden, wobei jedoch deren Feinheit, d. h. die mittlere Korndicke sowie die Anzahl und Größe der Defekte entsprechend den vorab genannten Angaben, berücksichtigt werden sollte.

Dabei soll außerdem darauf hingewiesen werden, daß für Siliciumdioxid auch ein äquivalenter Anteil von Si₂N₂O mit entsprechender Körnung enthalten sein kann.

Der Siliciumdioxid- bzw. Sauerstoffgehalt im fertigen Siliciumnitridwerkstoff kann auf verschiedene Art und Weise eingestellt werden, wobei auch Kombinationen davon möglich sind.

Der erfindungsgemäße Siliciumnitridwerkstoff kann dabei so hergestellt werden, daß das Siliciumnitrid­ pulver allein oder in Mischung mit Sinteradditiven thermisch oxidiert wird. Die Oxidation kann in feuch­ ter oder trockener Luft oder in anderen Sauerstoff enthaltenden Atmosphären erfolgen. Die Temperatur sollte im Bereich 400-1200°C liegen. Je feiner das Pulver ist, desto geringer ist die Temperatur zur Oxidation und/oder desto kürzer die Oxidationszeit zu wählen.

Eine andere Möglichkeit zur Beeinflussung des Silici­ umdioxidanteiles im fertigen Siliciumnitridwerkstoff besteht darin, feindispersives Siliciumdioxid-Pulver zuzugeben. Als dritte Möglichkeit kann das Silicium­ nitridpulver oder eine Mischung des Siliciumnitrid­ pulvers mit den Sinteradditiven intensiv aufgemahlen werden und in einer vierten Alternative kann minde­ stens ein Stoff, der eine siliciumdioxidbildende Kom­ ponente enthält vor oder während der Mahlung dem Si­ liciumnitridpulver zugegeben werden. Diese Stoffe können beispielsweise Silazane, Silikonharze, Siloxa­ ne sein.

Eine SiO₂ Bildung ist auch durch Reaktion mit anderen Komponenten während der Sinterung, wie z. B. TiO₂, WO₃, MoO₃ möglich, wobei diese Komponenten in Form von Nitriden oder Siliciden als Einlagerungskomponen­ ten Gefügebestandteil werden.

Das TiO₂ setzt sich im Laufe der Sinterung in TiN um, während viele andere Übergangsmetalloxide sich in Silicide umsetzen. Dadurch können sich entsprechende Komposite bilden. Die Einlagerungskomponenten können zusätzlich positive Wirkungen auf den Verschleiß ha­ ben.

Der erfindungsgemäße Siliciumnitridwerkstoff kann aber auch durch eine Kombination von mindestens zwei der vier genannten Möglichkeiten hergestellt werden.

Im Anschluß an diese Verfahrensschritte wird dann der entsprechend vorbehandelte Siliciumnitridwerkstoff fertig gesintert, druckgesintert, heißgepreßt oder heißisostatisch gepreßt.

Durch teilweise Resorption der Sinteradditive oder des Siliciumdioxids im fertigen Siliciumnitrid kann auch das Verhältnis von Siliciumdioxid zu den Sinteradditiven beeinflußt werden. In diesem Fall ist bei der Bestimmung des Siliciumdioxid/Sinteradditiv­ verhältnisses der Anteil der ursprünglichen Sinterad­ ditive, um den in den einzelnen Körnern eingebauten Anteil zu verringern. Dieser Sachverhalt ist insbe­ sondere bei den α-und β-Sialonen zu beachten. Zusätz­ lich muß beachtet werden, daß die Sinteradditive auch zu einer Reduzierung des Siliciumdioxidanteiles füh­ ren können, so reagiert AlN mit SiO₂ zu β-Sialon nach folgender Gleichung:

z/2SiO₂ + zAlN + (2-3/2z) Si₃N₄ → Si_6-zAl_zO_zN_8-z.

Ein wesentlich geringerer Einbau von Al in das Sili­ ciumnitrid erfolgt, wenn Al₂O₃ unter Bildung von zu­ sätzlichem Siliciumdioxid nach den Gleichungen:

2Al₂O₃ + Si₃N₄ → 4AlN + 3SiO₂ z/3 (Al₂O₃ + AlN) + (2-z/3) Si₃N₄ → Si_6-zAl₂O_zN_8-z

zugegeben wird. Die dabei erreichten z-Werte liegen bei Al₂O₃-Gehalten < 3 bis 4% im Bereich 0,1.

Wird ein Siliciumnitridwerkstoff verwendet, in dem zusätzlich Siliciumcarbid enthalten ist, muß die re­ duzierende Wirkung des Siliciumcarbides berücksich­ tigt werden. Die reduzierende Wirkung des Silicium­ carbides kann im einfachsten Fall durch einen erhöh­ ten Anteil an Siliciumdioxid, der dem Ausgangspulver zugegeben wird, kompensiert werden.

Nachfolgend soll die Erfindung an Ausführungsbeispie­ len näher beschrieben werden.

Dabei zeigen die Fig. 1 bis 5 REM-Abbildungen der Mikrostrukturen von einigen Beispielen des erfin­ dungsgemäßen Werkstoffes mit Vergleichsbeispielen, deren Zusammensetzung, Herstellungsbedingungen und Werkstoffparameter in Tabelle 1 und Tabelle 2 zusam­ mengefaßt sind. Die Gefüge wurden vor der Abbildung plasmachemisch geätzt.

Bei der Auswertung der erfindungsgemäßen und der Ver­ gleichsbeispiele wurde die Korndicke der Si₃N₄-Matrix an plasmachemisch geätzten Schliffen mit einem auto­ matischen Bildauswertesystem bestimmt (P. Obenaus, M. Herrmann; "Methode zur quantitativen Charakterisie­ rung von Stengelkristalliten in Siliciumnitridkera­ mik"; Prakt. Met. 27 (1990) 10, S. 503-513. Je Mes­ sung wurden mindestens 800 Kristallite ausgewertet und zusätzlich eine Fläche von 10 000 µm² bei einer Vergrößerung von 3000 analysiert und die Körner mit einer maximalen Ausdehnung oberhalb 3 µm ausgezählt. Zusätzlich wurde eine Fläche von 0,6 mm² bei einer Vergrößerung von 700 zur Erfassung von Defekten ober­ halb 10 µm analysiert. Bei dem verwendeten Auswerte­ verfahren wurden die Körner flächenmäßig erfaßt. Die Siliciumnitridkörner sind in der Regel gestreckt, daher wurde für die Charakterisierung der Korngrößen­ verteilung die Dicke der Körner bestimmt. Bei der Charakterisierung der Partikel/Defekte < 3 oder 10 µm wurde die maximale Ausdehnung der entsprechenden Par­ tikel, Defekte gewählt.

Die Analyse des Phasenbestandes erfolgte röntgenogra­ phisch (Gerät-RD7 monochromatische Cu-K-α-Strahlung) an den Pulvern bzw. an den fertig gesinterten und geschliffenen Werkstoffen. Die Zuordnung der Netzebe­ nenabstände konnte mit Hilfe der JCPDS durchgeführt werden. Die quantitative Auswertung und Bestimmung der Kristallitgrößen wurde mit Hilfe der Rietveld- Analyse (REFINE⁺⁺; Seifert-FPM) vorgenommen.

Der Sauerstoffgehalt wurde mittels Heißgasextrak­ tionsmethode bestimmt, wobei ein Fehler unterhalb 0,1 Masse-% zu verzeichnen war und aus dem Sauerstoffge­ halt konnte der Siliciumdioxidgehalt berechnet wer­ den. Dabei wurden die anderen Additive in Form von Al₂O₃ und Y₂O₃ entsprechend ihrer Einwaage berücksich­ tigt. Die Biegebruchfestigkeit (σ_4b) wurde bei Raum­ temperatur mittels einer 4-Punktbiegung (Traversenge­ schwindigkeit 0,5 mm/min) an Proben mit den Abmessun­ gen 3,5 × 4 × 60 mm durchgeführt. Die Härtebestimmung nach Vickers (HV10) erfolgte an polierten Proben, um den Eindruck bei diesen spröden Materialien besser ausmessen zu können. Dazu wurden an einer Probe fünf Härtemessungen (Härtemeßgerät HVK-C2 Vickers 50, Fir­ ma Akashi) durchgeführt. Die Bestimmung der Bruchzä­ higkeit K_IC erfolgte mit der SENB-4-Methode (Kerb­ breite 0,2 mm). Für die Messung der Reib- und Ver­ schleißeigenschaften der verschiedenen Beispiele diente ein Tribometer mit oszillierender Gleitbewe­ gung (Hersteller Fraunhofer-Arbeitsgruppe für inte­ grierte Schaltungen, Erlangen), in dem eine Silicium­ nitrid-Kugel mit einem Durchmesser von 6,33 mm aus HIPSN der Qualität TSNO 3 NH (Firma Toshiba) mit de­ finiertem Anpreßdruck und definierter Geschwindigkeit periodisch über die polierte Probenoberfläche glei­ tet. Dabei wurde jeweils der Reibkoeffizient als Funktion des zurückgelegten Weges bestimmt. Die Sili­ ciumnitridkugel wurde mit einer Normalkraft von 2,2 N gegen eine polierte Schliffoberfläche der jeweiligen Probe (Beispiel) gedrückt. Bei einer Frequenz von 3 Hz wurde bei jeder Messung ein Gesamtgleitweg von 40 in zurückgelegt. Die Messung der Breite der Ver­ schleißspur erfolgte mikroskopisch und das Tiefenpro­ fil wurde mit einem Rauhigkeitsmeßgerät gemessen.

Die Analyse der Ergebnisse zeigt, daß mit zunehmender Feinheit und Homogenität des Gefüges der notwendige Gehalt an SiO₂, um ein sehr gutes Verschleißverhalten zu erreichen, sinkt.

Ein tribologisches System besteht immer zumindest aus zwei Partnern. Bei den Tests in den Beispielen er­ füllte nur einer der Partner, die nach der Erfindung geforderten Gefügemerk,male. Das reichte schon aus, um den Effekt der geringen Reibkoeffizienten zu errei­ chen. Um so mehr ist der Effekt einer Verbesserung des Reibkoeffizienten zu erwarten, wenn beide Partner die angestrebten Gefügemerkmale erfüllen.

Insbesondere im Falle des Beispiels 4, in dem der Werkstoff eine geringe Zähigkeit besitzt, kommt es beim Reibverschleiß zu einer verstärkten Zerrüttung des Werkstoffes, was im Falle der erfindungsgemäßen Werkstoffe auf Grund der hohen K_IC-Werte und feinkör­ nigen Gefüge nicht auftritt.

Bei verschiedenen Beispielen, die in der Tabelle 1 zusammengefaßt sind, wurde plasmachemisch hergeste­ lltes Siliciumnitridpulver aus dem Institut für an­ organische Chemie der Lettischen Akademie der Wissen­ schaften in Riga, handelsübliches Siliciumnitridpul­ ver unter dem Namen Baysinid oder Mischungen beider Pulver verwendet. Das Baysinidpulver hat einen α-Si₃N₄ Anteil von 95% und einen β-Si₃N₄ Anteil von 5%, eine spezifische Oberfläche (BET) von 10,7 m²/g und eine mittlere Partikelgröße (d₅₀) von 0,5 µm.

Die Siliciumnitridpulver wurden, wie dies in der Ta­ belle 1 zusammengefaßt worden ist, für die verschie­ denen Beispiele jeweils allein bzw. als Mischung sol­ cher Pulver mit den Sinteradditiven Y₂O₃ und Al₂O₃ gemischt, in Zyklohexan homogenisiert, getrocknet und siebgranuliert. Die gesinterten Werkstoffe wurden isostatisch bei 200 MPa verpreßt.

Bei den Beispielen 13 und 14 wurden 5% eines Sili­ conharzes verwendet, was nach dein Tempern einen zu­ sätzlichen SiO₂-Gehalt von 2,5% ergab.

Beispiel 15 wurde bei 1000 Umdrehungen je Minute 6 h in Wasser (pH 10) gemahlen, dann getrocknet, siebgra­ nuliert und bei 600°C ausgeheizt.

Die Siliciumnitridwerkstoffe wurden dann einer Tempe­ raturbeaufschlagung an Luft unterzogen, wobei das plasmachemisch hergestellte Siliciumnitridpulver bei einer Temperatur von 500°C und das Baysinidpulver oder Mischungen davon mit dem plasmachemisch herge­ stellten Pulver ebenfalls an Luft bei 550°C wärmebe­ handelt wurde, um Reste des Lösungsmittels bzw. des Dispergierhilfsmittels PEG zu beseitigen und den SiO₂-Gehalt einzustellen.

Die Pulver bzw. gegebenenfalls Pulvermischungen konn­ ten vorab getempert werden. Dabei erfolgte die Tempe­ rung des plasmachemischen Pulvers, um die β-Kristal­ litgrößen soweit zu stabilisieren, daß sie sich nicht während der Aufheizphase in der sich bildenden oxid­ nitridischen Schmelze lösen. Beim Tempern erfolgt gleichzeitig ein Wachstum der Kristallite, so daß die im zugemischten Baysinidpulver enthaltenen Kristalli­ te annähernd denen des plasmachemisch hergestellten Siliciumnitridpulvers entsprechen. Dadurch kann er­ reicht werden, daß die zugemischten Keime für die Siliciumnitridkörner tatsächlich zur Ausbildung einer feinen Mikrostruktur des erfindungsgemäßen Silicium­ nitridwerkstoffes beitragen, um die gewünschten Ef­ fekte zu erreichen. Das Tempern erfolgte in einer Stickstoffatmosphäre bei einem Druck von ca. 1 bar. Der Stickstoffdruck während der Temperung sollte je­ doch mindestens so hoch eingestellt sein, daß eine Zersetzung des Siliciumnitrids während des Temperns unterdrückt wird.

Wird Siliciumnitridpulver mit einem hohen β-Silicium­ nitridanteil zugemischt, können mittlere Korndicken (Kristallitgrößen) unterhalb 100 nm in überraschender Weise für die gewünschten feinen Gefüge erreicht wer­ den, wobei bei einer solchen Vorgehensweise die Gefü­ gefeinheit und Dichte der Struktur des Werkstoffes auch bei relativ geringem Sinteradditivgehalt und/- oder auch höheren Sintertemperaturen erreicht werden kann.

Die gewünschten Gefügestrukturen für den erfindungs­ gemäßen Erfolg können auch allein mit den herkömmli­ chen Pulvern (z. B. Baysinid) erreicht werden, wobei in diesem Fall die zusätzliche Zugabe von Siliciumdi­ oxid erforderlich ist und eine Herabsenkung der Sin­ tertemperatur erfolgen muß. Bei den verringerten Sin­ tertemperaturen muß der Anteil an Sinteradditiven erhöht werden, um eine Dichte von oberhalb 99% der theoretischen Dichte zu erreichen, wie dies bei den Beispielen 13 und 14 gemäß Tabelle 1 erfolgt ist.

Bei den Beispielen 1 bis 12 (vergl. Tabelle 1) wurde der Werkstoff bei 1800°C heißgepreßt, bei den Bei­ spielen 13 und 14 wurde bei 1730°C druckgesintert und die Aufheizgeschwindigkeit bei 20 K/min bis zu einer Temperatur von 1450°C eingestellt. Diese Tem­ peratur 1 h gehalten und im Anschluß daran wieder mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 20 K/min bis auf die Endtemperatur von 1730°C erhöht. Während des Aufhei­ zens wurde der Druck bei 1 bar gehalten. Nach dem Erreichen der Endtemperatur von 1730°C wurde diese Temperatur 60 min gehalten. Nach Ablauf von 10 min wurde der Druck auf 60 bar erhöht. Die Haltezeit hierbei betrug 60 min.

Bei dem Beispiel 14 wurde der Gasdruck während der Druckstufe durch die Verwendung von Argon aufge­ bracht.

Das Beispiel 15 wurde bei 1700°C durch heißpressen hergestellt.

Die bereits genannte thermische Behandlung, insbeson­ dere der plasmachemisch hergestellten Pulver, die die Sinteradditive enthielten, hat sich als vorteilhaft erwiesen. Dabei konnte die spezifische Oberfläche der Pulver von einer Ausgangsgröße von ca. 60 m²/g auf eine spezifische Oberfläche zwischen 10 bis 15 m²/g wesentlich verringert werden und so die Hand­ habbarkeit der Pulver verbessert werden. Außerdem konnten die feinen β-Siliciumnitridkeime des plasma­ chemisch hergestellten Siliciumnitridpulvers stabili­ siert werden (Ausheilen von Defekten) und ein langsa­ mes Kornwachstum erreicht werden, das zu einer Ver­ besserung der Gefügestruktur, insbesondere bei Pul­ vermischungen aus plasmachemisch hergestelltem und herkömmlichen Pulver führt. Die entsprechenden Kri­ stallitgrößen der Ausgangspulver sind in der Tabelle 2 genannt worden.

Claims (6)

1. Siliciumnitridwerkstoff, dadurch gekennzeichnet, daß im gesinterten Siliciumnitridwerkstoff ein Mol-Verhältnis von Siliciumdioxid zur Summe des Siliciumdioxides mit den anderen im Siliciumni­ tridwerkstoff enthaltenen Sinteradditiven ober­ halb 50%, eine mittlere Korndicke ≦ 0,3 µm und die Anzahl von Defekten mit maximaler linearer Ausdehnung < 3 µm ≦ 5000/mm² eingehalten sind.

2. Siliciumnitridwerkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Siliciumdioxid und Sinteradditive mit 5 bis 25 Vol.-% enthalten sind.

3. Siliciumnitridwerkstoff nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der De­ fekte mit maximaler linearer Ausdehnung ≧ 10 µm < 2000/mm² ist.

4. Siliciumnitridwerkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß im Siliciumnitrid­ werkstoff Dispersionsphasen enthalten sind.

5. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid­ werkstoffes nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß

• - Siliciumnitridpulver allein oder eine Mi­ schung mit Sinteradditiven thermisch oxi­ diert wird und/oder
• - dem Siliziumnitridpulver feindispersives Siliciumdioxid-Pulver zugegeben wird und/oder
• - eine intensive Aufmahlung des Siliciumni­ tridpulvers allein oder einer Mischung mit Sinteradditiven durchgeführt und/oder
• - mindestens ein Stoff, der eine siliciumdi­ oxidbildende Komponente enthält vor oder während der Mahlung zugegeben wird

und der Werkstoff im Anschluß gesintert, druck­ gesintert, heißgepreßt oder heißisostatisch ge­ preßt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangspulver zumindest anteilig plasmachemisch hergestelltes Siliciumnitrid verwendet wird.