DE19740772A1 - SiC-Engobe zum Beschichten silikatkeramischer Werkstoffe sowie silikatkeramische Bauteile mit einer SiC-Engobe - Google Patents
SiC-Engobe zum Beschichten silikatkeramischer Werkstoffe sowie silikatkeramische Bauteile mit einer SiC-EngobeInfo
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Description
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Engobe zum Beschichten von
dichtbrennenden silikatkeramischen Materialien, silikatkeramische Bauteile mit
einer SiC-Engobe, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung.
Siliziumkarbid (SiC) und dichtbrennende Silikatkeramik gelten allgemein als un
vereinbare Gegensätze. Porzellan- und Steinzeug-herstellende Betriebe sind
strengstens darauf bedacht, pulverförmiges SiC aus ihren Räumen fernzuhalten.
Der Grund dafür liegt in folgender chemischen Reaktion des SiC, die bei erhöhter
Temperatur in oxidierender Atmosphäre abläuft:
SiC + 2 O2 → SiO2 + CO2
Bauteile aus reinem SiC, wie z. B. Brennhilfsmittel, überziehen dadurch ihre Ober
fläche mit einer dünnen Schicht aus Kieselglas, die den Werkstoff vor weiterer
Oxidation schützt. Als Werkstoff für feuerfeste Anwendungen ist SiC daher durch
aus geeignet.
Im Kontakt mit Silikatkeramik, die bei erhöhter Temperatur während des Brandes
hohe Schmelzphasenanteile entwickelt, wird die das SiC schützende Kieselglas
schicht aufgelöst. Die Oxidation des SiC kann deshalb fortschreiten. Auch nach
dem Dichtbrennen der Silikatkeramik setzt sich die Oxidation eines eingeschlos
senen SiC-Partikels fort, da eine Diffusion von Gasen durch die flußmittelhaltige
Schmelzphase möglich ist. Dabei wird ständig Gas (CO2) gebildet. Da Sauerstoff
(O2) kleinere Moleküle bildet, erfolgt die Diffusion von Sauerstoff zum SiC-Partikel
schneller als die Diffusion von Kohlendioxid in die entgegengesetzte Richtung. In
unmittelbarer Nähe des SiC-Partikels entsteht bei diesem Prozeß ein Gasdruck,
der zur Bildung der gefürchteten Blähporen führt.
Bereits 0,3 µg CO2 reichen aus, um bei 1300°C 1 mm3 Porenvolumen zu bilden.
Das entspricht nach obiger Gleichung weniger als 0,4 µg SiC. Auf diese Weise
können bereits sehr kleine Spuren von SiC einen silikatkeramischen Werkstoff
nachhaltig schädigen.
Dieser Effekt führte beispielsweise bei der Herstellung von Hochspannungsisola
toren wiederholt zu Störungen in der Glasur. Bereits Spuren von SiC-Verunreini
gungen in einem Glasurrohstoff führten bei Hochspannungsisolatoren aus Silikat
keramik zu nadelstichigen Glasuren, die deshalb reklamiert wurden. Selbst Ver
suche bei der Verwendung von Eigenscherben mußten unterbrochen werden, bis
ein Mahlbetrieb für die Scherben gefunden wurde, der nicht, auch nicht gelegent
lich, SiC auf seiner Anlage verarbeitet. Die Spuren SiC, die trotz Reinigen der
Anlage in das Scherbenmehl gelangten, reichten aus, um ein Dichtbrennen der
Versuchsmassen unmöglich zu machen.
Es ist daher mittlerweile Stand der Technik, die Herstellung von silikatkerami
schen, dichtbrennenden Bauteilen und die Verarbeitung von SiC in keramischen
Betrieben räumlich streng zu trennen.
Aufgrund dieses Chemismus ist eine fehlerfreie, dichte Beschichtung beispiels
weise von Porzellan mit SiC kaum vorstellbar. Es gilt bisher als unmöglich, dicht
brennende Silikatkeramik mit hohem Glasphasenanteil monolithisch mit SiC-halti
ger Keramik zu verbinden.
Auf der anderen Seite weist das SiC aber Eigenschaften auf, die es auch für den
Einsatz bei silikatkeramischen Materialien interessant erscheinen lassen. Eine
besondere Eigenschaft des SiC ist dabei sein elektrisches Verhalten. Bei niedri
ger angelegter Spannung verhält es sich wie ein Isolator. Mit steigender Span
nung nimmt die Leitfähigkeit exponentiell zu. Bei Spannungen im kV-Bereich zeigt
es halbleitendes Verhalten.
Das US Patent 3,982,048 beschreibt zwar SiC-haltige Überzüge für Silikatkera
mik, doch beträgt der SiC-Anteil nur 10 bis 30%. Durch diesen geringen Anteil
kommt es nur zu wenigen SiC-Korn/SiC-Korn-Kontakten. Zwischen den SiC-Kör
nern bilden sich isolierende Schichten aus Glas, so daß die Leitfähigkeit der
Schicht nicht sehr hoch werden kann. Zur Vermeidung des Blähverhaltens ist ge
mäß US-Patent 3,982,048 eine Schutzgasatmosphäre während des Brandes er
forderlich. Die Bauteile können daher auch nicht in den in der silikatkeramischen
Industrie üblichen Öfen gebrannt werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung war daher die Bereitstellung einer Engobe
auf Basis von SiC zum Beschichten von dichtbrennenden silikatkeramischen
Werkstoffen, bzw. von silikatkeramischen Bauteilen mit einer Engobe aus SiC, die
die Nachteile der aus dem Stand der Technik bekannten Überzüge nicht aufweist.
Gelöst wurde diese Aufgabe durch eine Engobe mit den Kennzeichen des An
spruchs 1, bzw. durch ein silikatkeramisches Bauteil mit den Kennzeichen des
Anspruchs 6. Vorzugsweise Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen cha
rakterisiert.
Überraschenderweise war es möglich, durch geeignete Auswahl der SiC-Korn
größe und Abstimmung der Bindephase nach ihrem Ton- und Feldspatgehalt ei
nen Überzug für einen dichtbrennenden silikatkeramischen Werkstoff bereitzu
stellen, der wie eine Engobe vor dem Brand oder wie eine Glasur nach einem
Glühbrand aufgetragen wird.
Die erfindungsgemäße Engobe besteht aus einem Versatz, der zu 30 bis 90%,
vorzugsweise zu 60 bis 90% SiC und zu 10 bis 70%, vorzugsweise zu 10 bis 40%
eine silikatkeramische Masse enthält, wobei das SiC aus einer Körnung mit
mittlerem Korndurchmesser zwischen 5 und 100 µm, vorzugsweise zwischen 8
und 35 µm besteht. Dabei enthält das SiC weniger als 5% Staubfraktion kleiner
2 µm. Die silikatkeramische Masse enthält eine Mischung aus Tonmineralien, ge
gebenenfalls einem oder mehreren Flußmitteln und/oder keramischen Füllstoffen.
Als Flußmittel können alkalihaltige Verbindungen, beispielsweise Feldspat,
Nephelin, Gesteinsmehle und/oder Fritten oder Verbindungen, die Erdalkali, Bor
oder Schwermetalle enthalten, beispielsweise Speckstein, Sepiolith, Wollastonit,
Kalkspat, Colemannit und/oder Erze, vorzugsweise kann Feldspat eingesetzt
werden. Die keramischen Füllstoffe können Quarz, Tonerde, Schamotte oder
Scherbenmehl sein.
Der erfindungsgemäße Überzug ist mikroporös, so daß das im Brand, insbeson
dere in der Kontaktzone silikatkeramischer Werkstoff/Engobe entstehende Koh
lendioxid entweichen kann, ohne zu Bläherscheinungen zu führen. Der silikatke
ramische Werkstoff wird unbeeinflußt davon dicht gebrannt, so daß es überra
schenderweise möglich ist, gas- und wasserdichte Bauteile herzustellen.
Der Wärmeausdehnungskoeffizient des erfindungsgemäßen Überzuges ist ge
genüber dem silikatkeramischen Werkstoff leicht erniedrigt, so daß in der Abkühl
phase des Brandes, wie bei einer Glasur, eine Druckspannung in der Oberfläche
des Bauteiles gebildet wird, die die Festigkeit erhöht.
Die erfindungsgemäße Lösung liefert erstmalig eine Rezeptur, die dem silikatke
ramischen Werkstoff so ähnlich ist, daß sie das spezielle Dehnungs-Schwin
dungs-Verhalten von silikatkeramischem Werkstoff im Brand ohne Rißbildung und
Abplatzungen erträgt, um einen guten Sitz der Engobe auf dem Bauteil zu ge
währleisten, eine Rezeptur, die so viel Flußmittel enthält, daß die Engobe fest mit
dem silikatkeramischen Werkstoff verschmilzt, die andererseits aber so wenig
Flußmittel enthält, daß die Engobe nicht ganz dicht sintert, sondern Mikroporosität
behält, um Bläherscheinungen zu verhindern. Sie enthält außerdem so viel Ton
daß die Engobe nach dem Auftrag auf das Bauteil nicht abblättert, aber trotzdem
keine Schwindungsrisse erleidet. Dabei ist der SiC-Gehalt so hoch, daß die elek
trische Spannungs-Widerstands-Charakteristik des reinen SiC auch in der
Engobe deutlich wirksam wird.
Erfindungsgemäß aufgetragen wird die Engobe entweder auf den feuchten silikat
keramischem Werkstoff, auf den getrockneten, ungebrannten silikatkeramischem
Werkstoff oder auf den bei einer Temperatur zwischen 500 und 1200°C vorge
glühten silikatkeramischen Werkstoff. Ebenfalls möglich ist in einem 2. Brand die
gemeinsame Versinterung des bei 1000 bis 1400°C vorgebrannten silikatkera
mischen Werkstoffes und der erfindungsgemäßen Engobe bei niedrigeren Tem
peraturen, beispielsweise bei Temperaturen von 500 bis 1000°G.
Dabei wird die Engobe durch eines der an sich in der Silikatkeramik üblichen
Verfahren, beispielsweise durch Suspendieren der Engobe in Wasser oder einem
anderen Suspensionsmittel zu einem Schlicker und Tauchen des Bauteiles, Sprit
zen des Schlickers auf das Bauteil oder Pinseln des Schlickers auf das Bauteil
aufgetragen.
Gegebenenfalls kann der Schlicker auch mit Haft- oder Glasierhilfsmitteln ver
setzt werden.
Der Brand erfolgt unter für Silikatkeramik üblichen Bedingungen. Von besonderer
Bedeutung ist, daß die erfindungsgemäße Engobe ohne Verwendung von
Schutzgas in oxidierender und/oder reduzierender Atmosphäre gebrannt werden
kann.
Die erfindungsgemäße Engobe und die damit versehenen silikatkeramischen
Bauteile weisen wunschgemäß das elektrische Verhalten des SiC auf. Bei niedri
ger angelegter Spannung verhält sich die erfindungsgemäße Engobe damit wie
ein Isolator. Mit steigender Spannung nimmt die Leitfähigkeit der erfindungsge
mäßen Engobe exponentiell zu. Bei Spannungen im kV-Bereich zeigt sie halblei
tendes Verhalten.
Von besonderer Bedeutung für den Einsatz der mit der erfindungsgemäßen
Engobe versehenen Bauteile ist, daß die Lage der Spannungs-Widerstands-Cha
rakteristik durch SiC-Gehalt und SiC-Feinheit beeinflußt werden kann. Dadurch
bestehen spezielle Anwendungsmöglichkeiten in der Elektrotechnik, beispiels
weise bei der Ableitung von Überspannungen.
Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Engobe können erstmalig silikatkeramische
Bauteile mit einer SiC-Engobe, die mehr als 30% SiC enthält, hergestellt werden,
die vielfältig einsetzbar sind.
Die der erfindungsgemäßen Engobe eigenen Leitfähigkeit kann beispielsweise
zur Konstruktion von Heizleitern genutzt werden. Überraschenderweise wurde
nämlich festgestellt, daß die erfindungsgemäße Engobe unter einer Spannung
von mehreren kV zu glühen begann, ohne daß sie beschädigt wurde.
Darüber hinaus kann die erfindungsgemäße Engobe auch zur Herstellung von
silikatkeramischen Bauteilen, beispielsweise aus Porzellan, mit einer Verschleiß
schutzschicht verwendet werden.
Claims (21)
1. Engobe zum Beschichten von silikatkeramischen Werkstoffen, dadurch
gekennzeichnet, daß sie aus einem Versatz besteht, der zu 30 bis 90%,
vorzugsweise zu 60 bis 90% SiC und zu 10 bis 70%, vorzugsweise zu 10
bis 40% eine silikatkeramische Masse enthält, wobei das SiC aus einer
Körnung mit mittlerem Korndurchmesser zwischen 5 µm und 100 µm be
steht.
2. Engobe gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das SiC weniger
als 5% Staubfraktion kleiner 2 µm enthält.
3. Engobe gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die silikatkeramische Masse eine Mischung aus Tonmineralien, gege
benenfalls einem oder mehreren Flußmitteln und/oder keramischen Füll
stoffen enthält.
4. Engobe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet
daß als Flußmittel alkalihaltige Verbindungen oder Verbindungen, die
Erdalkali, Bor oder Schwermetalle enthalten, vorzugsweise Feldspat einge
setzt werden/wird.
5. Engobe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die keramischen Füllstoffe Quarz, Tonerde, Schamotte oder Scher
benmehl sind.
6. Silikatkeramisches Bauteil mit einer SiC-Engobe, dadurch gekennzeichnet
daß die Engobe mehr als 30% SiC enthält.
7. Silikatkeramisches Bauteil gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Engobe aus einem Versatz besteht, der zu 30 bis 90%, vorzugs
weise 60 bis 90% SiC und zu 10 bis 70%, vorzugsweise zu 10 bis 40%
eine silikatkeramische Masse enthält, wobei das SiC aus einer Körnung
mit mittlerem Korndurchmesser zwischen 5 und 100 µm, vorzugsweise zwi
schen 8 und 35 µm besteht.
8. Silikatkeramisches Bauteil gemäß einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das SiC weniger als 5% Staubfraktion kleiner 2 µm
enthält.
9. Silikatkeramisches Bauteil gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die silikatkeramische Masse eine Mischung aus
Tonmineralien, gegebenenfalls einem oder mehreren Flußmitteln und/oder
keramischen Füllstoffen enthält.
10. Silikatkeramisches Bauteil gemäß einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß als Flußmittel alkalihaltige Verbindungen wie Feld
spat oder Verbindungen, die Erdalkali, Bor oder Schwermetalle enthalten,
vorzugsweise Feldspat eingesetzt wird.
11. Silikatkeramisches Bauteil gemäß einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die keramischen Füllstoffe Quarz Tonerde, Scha
motte oder Scherbenmehl sind.
12. Verfahren zur Herstellung eines silikatkeramischen Bauteiles gemäß einem
der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Engobe gemäß
einem der Ansprüche 1 bis 5, in einem geeigneten Suspensionsmittel, vor
zugsweise in Wasser zu einem Schlicker suspendiert wird, der silikatke
ramische Werkstoff mit diesem Schlicker versehen, vorzugsweise in diesen
Schlicker getaucht, mit diesem Schlicker gespritzt oder bepinselt wird und
unter an sich üblichen Bedingungen gebrannt wird.
13. Verfahren gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Engobe
auf den feuchten silikatkeramischem Werkstoff, auf den getrockneten, un
gebrannten silikatkeramischen Werkstoff oder auf den bei einer Tempera
tur zwischen 500 und 1200°C vorgeglühten silikatkeramischem Werkstoff
aufgetragen wird.
14. Verfahren gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der bei ho
her Temperatur vorgebrannte silikatkeramische Werkstoff und die Engobe
bei niedriger Temperatur gemeinsam versintert werden.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeich
net, daß dem Schlicker Haft und/oder Glasierhilfsmittel zugesetzt werden.
16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeich
net, daß der engobierte Werkstoff unter den für Silikatkeramik üblichen
Bedingungen ohne Verwendung von Schutzgas in oxidierender und/oder
reduzierender Atmosphäre gebrannt wird.
17. Verwendung einer Engobe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, zur Her
stellung von elektrotechnischen Bauteilen.
18. Verwendung einer Engobe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, zur Her
stellung von elektrischen Heizleitern.
19. Verwendung einer Engobe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, als Ver
schleißschutz für Bauteile aus silikatkeramischen Werkstoffen.
20. Verwendung eines silikatkeramischen Bauteils gemäß einem der Ansprü
che 6 bis 11, zur Herstellung von elektrotechnischen Bauteilen.
21. Verwendung eines silikatkeramischen Bauteils gemäß einem der Ansprü
che 6 bis 11, zur Herstellung von elektrischen Heizleitern.
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DE19758578A DE19758578C2 (de) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | Silikatkeramische Bauteile mit einer SiC-Engobe, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
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