DE19726966C1 - Verfahren zur Herstellung einer transparenten Silberschicht mit hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit , Glasscheibe mit einem Dünnschichtsystem mit einer solchen Silberschicht und deren Verwendung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer transparenten Silberschicht mit hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit , Glasscheibe mit einem Dünnschichtsystem mit einer solchen Silberschicht und deren VerwendungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsystems mit einer
transparenten Silberschicht und einer äußeren Entspiegelungsschicht mittels Magnetron-Katho
denzerstäubung, bei dem zwischen dem Substrat und der Silberschicht eine mehrlagige untere
Entspiegelungsschicht angeordnet wird, die eine unmittelbar auf das Substrat aufgebrachte
Titanoxidschicht sowie eine an die Silberschicht angrenzende Zinkoxidschicht umfaßt. Sie bezieht
sich außerdem auf eine Glasscheibe mit einem durch Magnetron-Kathodenzerstäubung auf
gebrachten transparenten Dünnschichtsystem, bestehend aus einer mehrlagigen unteren Entspie
gelungsschicht, die eine Titanoxidschicht unmittelbar auf der Glasscheibe sowie eine an die Sil
berschicht angrenzende Zinkoxidschicht umfaßt, einer transparenten Silberschicht, gegebenenfalls
mindestens einem Schichtpaar aus einer Abstandsschicht und einer weiteren transparenten Silber
schicht sowie einer äußeren Entspiegelungsschicht sowie auf die Verwendung einer solchen Glas
scheibe zur Herstellung einer Isolierglasscheibe.
Glasscheiben mit Dünnschichtsystemen zur Beeinflussung ihrer Transmissions- und Reflexions
eigenschaften werden in immer größerer Zahl für die Verglasung von Gebäuden und Fahrzeugen
eingesetzt. Dabei sind in der Praxis neben pyrolytisch aufgebrachten Schichtsystemen auf Basis
halbleitender Metalloxide vor allem Schichtsysteme mit mindestens einer transparenten Silber
schicht von Bedeutung. Diese Schichtsysteme haben typischerweise den Aufbau: Glas/ untere
Entspiegelungsschicht/ Silberschicht/ äußere Entspiegelungsschicht. Sie werden großtechnisch in
aller Regel mittels Magnetron-Kathodenzerstäubung aufgebracht (US 41 66 018).
Die Silberschicht dient in derartigen Schichtsystemen vor allem als IR-Reflexionsschicht, während
die Entspiegelungsschichten über eine geeignete Material- und Dickenauswahl primär dazu ver
wendet werden, die Transmissions- und Reflexionseigenschaften im sichtbaren Spektralbereich je
nach Anwendungsbereich gezielt zu beeinflussen. Es wird dabei in der Regel angestrebt, die
beschichtete Glasscheibe mit einem hohen Lichttransmissionsgrad sowie einer möglichst farb
neutralen Durchsicht und Außenansicht auszustatten.
Eine Weiterentwicklung dieser Schichtsysteme besteht darin, mehr als eine Silberschicht zu ver
wenden, wobei zwischen den einzelnen Silberschichten zusätzliche transparente Abstandsschich
ten vorgesehen werden (EP 0 332 717 A1). Die Silberschichten und die Abstandsschichten bilden
dabei eine Art Fabry-Perot-Interferenzfilter. Diese Mehrfachsilberschichtsysteme erlauben dem
Fachmann eine noch bessere Feinabstimmung der optischen Daten so beschichteter Glasscheiben.
Schichtsysteme mit zwei oder mehr Silberschichten werden vor allem als Sonnenschutzschichten
eingesetzt, bei denen es auf eine besonders hohe Selektivität ankommt. Selektivität bezeichnet das
Verhältnis von Lichttransmissionsgrad zu Gesamtenergiedurchlaßgrad
Dünnschichtsysteme mit nur einer Silberschicht werden in der Praxis vor allem als relativ kosten
günstig großflächig herstellbare Wärmeschutzschichten eingesetzt, bei denen es vor allem auf
einen hohen Lichttransmissionsgrad und einen hohen Reflexionsgrad im langwelligen IR-Bereich
entsprechend einer niedrigen Emissivität ankommt. Aus Glasscheiben mit derartigen Dünnschicht
systemen kann durch Verbindung mit einer im Normalfall unbeschichteten zweiten Glasscheibe
ein vor allem im Baubereich einsetzbares Wärmeschutzisolierglas hergestellt werden, dessen k-
Wert 1,3 W/m2K oder weniger beträgt.
Als Materialien für die Entspiegelungsschichten werden bei marktüblichen Produkten vor allem
Metalloxide wie SnO2, ZnO und Bi2O3 verwendet, die mittels Magnetron-Kathodenzerstäubung
besonders kostengünstig aufgebracht werden können. Eine Vielzahl anderer Materialien ist bereits
für diesen Zweck genannt worden. Der Beschichtungsfachmann muß bei der Auswahl der Mate
rialien für die einzelnen Teilschichten des Dünnschichtsystems eine beachtliche Zahl von Bedin
gungen berücksichtigen. So spielen für die Eigenschaften des Dünnschichtsystems nicht nur die
Brechungsindices der einzelnen Teilschichten und deren Dicke zur gezielten Einstellung der opti
schen Eigenschaften über Interferenz eine maßgebliche Rolle. Die Teilschichten weisen auch
unterschiedliche Eigenschaften hinsichtlich Brechungsindex, Kristallstruktur, Kristallitgröße,
Rauhigkeit, Porosität, Oberflächenenergie etc. auf, je nach dem, mit welchem Verfahren sie auf
gebracht werden und welche Teilschicht zuvor aufgebracht wurde. Bekanntermaßen werden die
Eigenschaften dünner Schichten, die häufig nur aus wenigen Atomlagen bestehen, sehr stark von
den Aufwachsbedingungen und von ihren Grenzflächen bestimmt.
Besondere Aufmerksamkeit hat die Fachwelt in der Vergangenheit der Verbesserung der Eigen
schaften der Silberschichten gewidmet. Silberschichten sind empfindlich gegen eine Reihe chemi
scher und physikalischer Einflüsse zunächst während der Herstellung der Dünnschichtsysteme,
sodann bei der Weiterverarbeitung und dem Transport der beschichteten Glasscheiben und
schließlich während ihrer bestimmungsgemäßen Benutzung. Es ist bereits bekannt, die Silber
schicht gegen die aggressive Beschichtungsatmosphäre beim Aufbringen der äußeren Entspiege
lungsschicht eines Low-E-Dünnschichtsystems durch reaktive Kathodenzerstäubung durch das
Aufbringen dünner metallischer oder metalloxidischer Schutzschichten zu schützen (EP 0 104
870, EP 0 120 408). Es ist außerdem bekannt, Silberschichten gegen den Einfluß von Sauerstoff
bei einer Wärmebehandlung, z. B. beim Biegen oder Vorspannen von Glasscheiben, zu schützen,
indem besondere Hilfsschichten mit größerer Dicke als derjenigen der vorgenannten Schutz
schichten auf die Silberschicht aufgebracht werden, die die Diffusion von Sauerstoff zur Silber
schicht hemmen (EP 0 233 003). Sowohl die erstgenannten Schutzschichten wie auch die letzt
genannten Hilfsschichten werden bevorzugt so ausgelegt, daß sie im fertigen Produkt möglichst
weitgehend oxidiert sind, so daß sie den Lichttransmissionsgrad möglichst wenig reduzieren und
als transparente dielektrische Schicht Bestandteil der äußeren Entspiegelungsschicht auf der Sil
berschicht werden.
Es ist außerdem bereits bekannt, daß die Korrosionsbeständigkeit der Silberschicht durch eine
geeignete Auswahl der Materialien für die untere Entspiegelungsschicht verbessert werden kann.
DE 39 41 027 A1, von der die Erfindung als gattungsbildendem Stand der Technik ausgeht, lehrt
in diesem Zusammenhang, die untere Entspiegelungsschicht als mehrlagige Schicht auszugestal
ten, wobei als an die Silberschicht angrenzende Teilschicht eine maximal 15 nm dicke Zinkoxid
schicht vorgesehen wird. Die untere Entspiegelungsschicht soll nach dieser Veröffentlichung
mindestens eine weitere Teilschicht aufweisen, für die als Materialien Zinnoxid, Titanoxid, Alu
miniumoxid und Wismutoxid genannt werden. Bevorzugt und in den Ausführungsbeispielen
ausschließlich behandelt wird dabei ein Schichtaufbau, bei dem die untere Entspiegelungsschicht
drei Teilschichten aufweist, und zwar eine erste, 2-14 nm dicke Schicht aus Titanoxid, eine
zweite, 15-25 nm dicke Schicht aus Zinnoxid sowie als dritte die besagte Zinkoxidschicht mit
einer Dicke von maximal 15 nm. Auf die sich hieran anschließende Silberschicht wird gemäß
dieser Veröffentlichung eine äußere Entspiegelungsschicht aufgebracht, die aus einer das Biegen
oder Vorspannen ermöglichenden, im Zuge der Wärmebehandlung oxidierenden metallischen
Schicht aus besonders ausgewählten Metallen sowie aus einer oder mehreren weiteren metall
oxidischen Schicht(en) besteht.
Einen ähnlichen Aufbau zeigt die EP 0 773 197, wobei dieser Veröffentlichung allerdings die
Lehre zu entnehmen ist, zur Erzielung einer hohen Lichtdurchlässigkeit und einer niedrigen
Emissivität die an die Silberschicht angrenzende Zinkoxidschicht mindestens in einer Dicke von
16 nm aufzubringen. Als Materialien für mindestens eine weitere Teilschicht der unteren Entspie
gelungsschicht werden Metalloxide wie Wismutoxid, Zinnoxid oder Siliziumnitrid genannt. Beide
Veröffentlichungen lehren das Aufbringen der benötigten Einzelschichten mittels herkömmlicher
Magnetron-Kathodenzerstäubung, bei denen Metalltargets durch Anlegen einer Gleichspannung
zerstäubt werden (DC-Kathodenzerstäubung).
Die Erfinder haben diese und weitere vorbekannte Dünnschichtsysteme eingehend untersucht und
festgestellt, daß diese hinsichtlich der Eigenschaften der Silberschicht und damit hinsichtlich der
erreichbaren optischen Eigenschaften weiterhin verbesserungsbedürftig sind. Sie haben sich insbe
sondere mit dem Problem befaßt, daß die transparenten Silberschichten nach dem Stand der Tech
nik eine spezifische Leitfähigkeit haben, die weit unter derjenigen liegt, die für eine fehlerfreie
Silberschicht entsprechender gleichförmiger Dicke erreichbar sein sollte. Diese Verminderung der
spezifischen Leitfähigkeit zeigt sich besonders deutlich bei relativ dünnen Silberschichten. So
wurde beobachtet, daß bei nach dem Stand der Technik hergestellten und aufgebauten Dünn
schichtsystemen eine meßbare elektrische Leitfähigkeit erst bei Silberschichtdicken von 4 nm oder
mehr einsetzt, wobei die Leitfähigkeit mit zunehmender Schichtdicke zwar zunimmt, aber immer
noch weit unter dem theoretisch erreichbaren Wert bleibt. Für Silberschichten im für Wärme
schutz- und Sonnenschutzanwendungen besonders interessanten Dickenbereich von 10-15 nm
konnten mit den bekannten und herkömmlich hergestellten Schichtaufbauten spezifische Leit
fähigkeiten von bestenfalls etwa 2 . 105 S/cm erreicht werden. Zur Einstellung eines vorgegebenen
elektrischen Flächenwiderstands oder einer vorgegebenen Emissivität war der Fachmann bisher
gezwungen, deutlich dickere Silberschichten als theoretisch erforderlich einzusetzen. Dies führte
zu Problemen bei der Einstellung der Farbe in der Außenansicht und reduzierte den Lichttrans
missionsgrad des Dünnschichtsystems in unerwünschter Weise. Zwar kennt der Stand der Technik
Verfahren zur nachträglichen Verbesserung der Leitfähigkeit von Silberschichten, z. B. durch eine
Wärmebehandlung oder eine Bestrahlung (DE 42 39 355, DE 43 23 654, DE 44 12 318, EP 0 585
166). Die Anwendung dieser Verfahren erhöht aber die Herstellkosten für derartige Produkte
beträchtlich und sollte nach Möglichkeit vermieden werden.
Der EP 0 464 789 A1 ist ein Dünnschichtsystem mit Silberschicht zu entnehmen, bei dem die
untere Entspiegelungsschicht aus ZnO, SnO2 oder TiO2, aus einer mindestens zwei dieser Materia
lien umfassenden Mehrfachschicht, aus einer Mischoxidschicht oder aus dotierten Metalloxiden
besteht.
Der Erfindung liegt das technische Problem zugrunde, die bekannten Dünnschichtsysteme mit
mindestens einer Silberschicht und deren Herstellverfahren so zu verbessern, daß die Silberschicht
eine besonders hohe spezifische Leitfähigkeit aufweist. Im Bereich von 10-15 nm für die Silber
schichtdicke soll die spezifische Leitfähigkeit mindestens 2,1 . 105 S/cm betragen. Die Silberschicht
soll bei vorgegebener Dicke über eine möglichst hohe elektrische Leitfähigkeit und damit mög
lichst geringe Emissivität verfügen. In letzter Konsequenz soll die Erfindung die Bereitstellung
von möglichst farbneutralen Dünnschichtsystemen für Isolierglasscheiben mit im Falle von
Wärmeschutzanwendungen besonders hohem Lichttransmissionsgrad bei vorgegebener Emissivi
tät oder im Falle von Sonnenschutzanwendungen mit einer besonders hohen Selektivität, insbe
sondere einer Selektivität von 2 oder mehr, ermöglichen. Dabei soll die Anwendung nachträgli
cher Wärmebehandlungen oder anderer kosten- und zeitaufwendiger Verfahren zur Nachbehand
lung des Dünnschichtsystems zur Erzielung dieser Eigenschaften nicht erforderlich sein.
Die Lösung dieses Problems ist hinsichtlich des Herstellverfahrens Gegenstand von Anspruch 1
sowie hinsichtlich beschichteter Glasscheiben Gegenstand von Anspruch 7. Vorteilhafte Weiter
bildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche. Anspruch 14 umfaßt die Verwendung
solchermaßen beschichteter Glasscheiben zur Herstellung von Isolierglasscheiben.
Überraschenderweise können Silberschichten mit extrem hoher spezifischer Leitfähigkeit dadurch
bereitgestellt werden, daß zum einen mit der Schichtfolge Glas/ Titanoxid/ Zinkoxid eine beson
dere zweilagige untere Entspiegelungsschicht verwendet wird und daß zum anderen die erste
dieser Teilschichten durch die Anwendung des Mittelfrequenzsputterverfahrens hergestellt wird.
Der Fachmann, der den vorgenannten Stand der Technik kannte, konnte nicht damit rechnen, daß
gerade diese Schichtfolge zu so herausragenden Ergebnissen hinsichtlich der Silberschichteigen
schaften führt.
Wie Versuche der Erfinder zeigten, können weder mit einlagigen unteren Entspiegelungs
schichten, z. B. aus Titanoxid, Zinnoxid, Zinkoxid oder Wismutoxid, noch mit anderen als den
beanspruchten zweilagigen Aufbauten vergleichbar gute Werte für die spezifische Leitfähigkeit
der Silberschicht erreicht werden. Die erfindungsgemäße Anwendung des Mittelfrequenzsputter
verfahrens zur Herstellung der ersten Teilschicht aus Titanoxid führt dabei zu einer weiteren deut
lichen Verbesserung der Silberschichtqualität gegenüber herkömmlich aufgebrachten Titanoxid
schichten. Dies ist um so überraschender, als sich beim erfindungsgemäßen Schichtaufbau zwi
schen der so aufgebrachten Titanoxidschicht und der Silberschicht noch die bis zu 18 nm dicke
Zinkoxidschicht befindet, so daß eine derart deutliche Auswirkung der Herstelltechnik für die erste
auf die Glasscheibe aufgebrachte Schicht aus Titanoxid auf die Silberschichtqualität nicht erwartet
werden konnte. Diese deutliche Verbesserung der Schichtqualität war auch deswegen nicht zu
erwarten, weil auch die Anwendung des Mittelfrequenzsputterverfahrens zur Herstellung einer
einlagigen Entspiegelungsschicht aus Titanoxid zu deutlich schlechteren Silberschichteigenschaf
ten führt als das Arbeiten nach der Lehre der Erfindung.
Das Mittelfrequenzsputterverfahren ist beispielsweise in DD 252 205, J. Vac. Sci. Technol. A
10(4), Jul/Aug 1992 sowie in DE 195 48 430 C1 beschrieben. Es zeichnet sich durch die Verwen
dung eines Paares von Magnetronkathoden mit davor angeordneten Targets aus, die im Regelfall
beide aus dem gleichen zu zerstäubenden Material bestehen, wobei die Polarität der Kathoden mit
einer Frequenz im Kilohertz-Bereich periodisch wechselt. Im Rahmen der Erfindung wird bevor
zugt mit einer Frequenz von etwa 5-100 kHz, insbesondere 10-40 kHz, gearbeitet. Das Mittel
frequenzsputterverfahren erlaubt das reaktive Aufbringen der Titanoxidschicht ausgehend von
zwei Titantargets mit hoher Beschichtungsrate, wobei die Anwendung dieses Verfahrens offenbar
zu einer besonderen mikroskopischen Struktur und/oder Oberflächencharakteristik der Titanoxid
schicht führt, die sich letztlich im angestrebten Sinne auf die Eigenschaften der Silberschicht
auswirkt.
Die Zinkoxidschicht wird bevorzugt ebenfalls durch Mittelfrequenzsputtern hergestellt. Es liegt
jedoch ebenfalls im Rahmen der Erfindung, die Zinkoxidschicht mittels herkömmlicher DC-
Kathodenzerstäubung herzustellen.
Besonders gute Silberschichteigenschaften können dadurch erreicht werden, daß anstelle einer
reinen Titanoxidschicht eine stickstoffhaltige Titanoxidschicht (manchmal auch als Titanoxinitrid
schicht bezeichnet) mit einem Stickstoffanteil N/(N + O) in der Schicht von 5-50 Atomprozent in
einer Argon, Stickstoff und Sauerstoff enthaltenden Beschichtungsatmosphäre aufgebracht wird.
Dabei geht man bevorzugt so vor, daß die stickstoffhaltige Titanoxidschicht in einer Argon und
Stickstoff im Mengenverhältnis von 3 : 1 bis 1 : 5 sowie außerdem Sauerstoff enthaltenden
Beschichtungsatmosphäre aufgebracht wird. Der Zusatz von Stickstoff zur Beschichtungs
atmosphäre beim Aufbringen der Titanoxidschicht erlaubt nicht nur das Arbeiten mit einer erhöh
ten Beschichtungsrate, sondern es verbessert auch die Qualität der später aufgebrachten Silber
schicht. Der Stickstoffgehalt an der Beschichtungsatmosphäre wird tunlichst so nach oben
begrenzt, daß die hergestellte stickstoffhaltige Titanoxidschicht noch keine nennenswerte Absorp
tion im sichtbaren Spektralbereich aufweist, wie sie bei reinen Titannitridschichten beobachtet
wird. Der Sauerstoffanteil an der Beschichtungsatmosphäre wird dabei so eingestellt, daß aus
reichend Sauerstoff zur Oxidation des Titans zur Verfügung steht und die Beschichtungsrate mög
lichst hoch ist.
Soweit im Zusammenhang mit der Erfindung zur Vereinfachung der Terminologie von Titanoxid
schichten die Rede ist, so sollen regelmäßig stickstoffhaltige Titanoxidschichten mit umfaßt sein,
sofern nicht ausdrücklich auf reine Titanoxidschichten Bezug genommen wird.
Das Verfahren zum Aufbringen der Titanoxidschicht wird bevorzugt so geführt, daß eine
Beschichtungsrate von mindestens 30 nm/min, bevorzugt mehr als 50 nm/min, erreicht wird.
Unter Beschichtungsrate wird dabei die Aufwachsgeschwindigkeit auf dem Glassubstrat verstan
den. Die Höhe der Beschichtungsrate hat offensichtlich einen Einfluß auf die mikroskopischen
Eigenschaften der Titanoxidschicht, wobei höhere Beschichtungsraten für die Titanoxidschicht
tendenziell zu verbesserten Eigenschaften der Silberschicht führen.
Besonders bevorzugte Glasscheiben nach der Erfindung zeichnen sich dadurch aus, daß die erste
Schicht der unteren Entspiegelungsschicht eine durch Anwendung des Mittelfrequenzsputter
verfahrens auf die Glasscheibe aufgebrachte, vorzugsweise stickstoffhaltige Titanoxidschicht mit
einer Dicke von 15-50 nm ist, daß sich an die Titanoxidschicht unmittelbar eine Zinkoxidschicht
mit einer Dicke von 2-18 nm anschließt und daß die Silberschicht eine Dicke von 7-20 nm
aufweist. Dabei liegt die Dicke der Titanoxidschicht bevorzugt zwischen 18 und 40 nm, die Dicke
der Zinkoxidschicht bevorzugt zwischen 4 und 12 nm und die Dicke der Silberschicht bevorzugt
zwischen 8 und 15 nm. Als vorteilhaft für die Bereitstellung kompletter Dünnschichtsysteme hat
sich herausgestellt, wenn die äußere Entspiegelungsschicht aus einer 2-5 nm dicken Schutz
schicht aus einem Oxid mindestens eines der Metalle In, Sn, Cr, Ni, Zn, Ta, Nb, Zr, Hf, insbeson
dere aus In(90)Sn(10)-Oxid, sowie aus einer äußeren Schicht aus einem aus Oxiden von Sn, Zn,
Ti, Nb, Zr und/oder Hf und Siliziumnitrid ausgewählten Material, insbesondere aus SnO2, mit
einer optischen Dicke von 60-120 nm, vorzugsweise 80-100 nm, besteht. Dabei kann es insbe
sondere für Sonnenschutzschichtsysteme bevorzugt sein, wenn zwischen der an die untere Ent
spiegelungsschicht angrenzenden Silberschicht und der äußeren Entspiegelungsschicht mindestens
ein Schichtpaar aus einer Abstandsschicht und einer weiteren Silberschicht vorgesehen ist. Mit
solchen Schichtsystemen können durch eine Optimierung der Schichtdicken der Einzelschichten
bislang nicht für möglich gehaltene Kombinationen der Werte für den Lichttransmissionsgrad, die
Emissivität sowie die Neutralität der Außenansicht erreicht werden.
Es versteht sich, daß die Anwendung der Erfindung nicht auf den Einsatz bei anorganischen Glas
scheiben, insbesondere Floatglasscheiben, beschränkt ist. Unter Glasscheiben werden im Rahmen
der Erfindung vielmehr alle transparenten Scheiben aus anorganischem oder organischem glasarti
gem Material verstanden. Es liegt im Rahmen der Erfindung, den einzelnen Schichten des Dünn
schichtsystems geringe Mengen anderer Materialien zuzusetzen, um deren chemische oder physi
kalische Eigenschaften zu verbessern, solange hierdurch keine nennenswerte Verschlechterung bei
der spezifischen Leitfähigkeit der Silberschicht verursacht wird. Insbesondere liegt es im Rahmen
der Erfindung, anstelle reiner Metalloxide für die verwendeten oxidischen Teilschichten stick
stoffhaltige Metalloxidschichten zu verwenden.
Die Erfindung umfaßt die Verwendung solchermaßen beschichteter Glasscheiben zur Herstellung
von Wärmeschutzisolierglasscheiben, die bei einer Glasdicke von 4 mm der beiden Einzelglas
scheiben, einer Argon-Gasfüllung, einem Scheibenabstand von 16 mm sowie bei Anordnung des
Dünnschichtsystems auf der zum Scheibenzwischenraum weisenden Oberfläche der raumseitigen
Glasscheibe einen Lichttransmissionsgrad von mindestens 76%, einen k-Wert von maximal 1,1
W/m2K, eine Emissivität von maximal 0,04 sowie als Farbkoordinaten der Außenansicht die
Werte a* zwischen -2 und +1 sowie b* zwischen -6 und -2 aufweisen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Figuren und Beispielen weiter erläutert.
Es zeigen
Fig. 1 eine graphische Darstellung des Verlaufs der spezifischen Leitfähigkeit eines Schicht
systems aus Titanoxid, Zinkoxid und Silber in Abhängigkeit von der Dicke der Silber
schicht,
Fig. 2 eine graphische Darstellung des Verlaufs des elektrischen Widerstands eines Schicht
systems entsprechend Fig. 1 bei konstanter Silberschichtdicke in Abhängigkeit von der
Dicke der Zinkoxidschicht,
Fig. 3 eine graphische Darstellung des Verlaufs von Reflexions- und Transmissionsgrad zwischen
400 und 2500 nm für eine Glasscheibe mit einem erfindungsgemäßen Wärmeschutz
schichtsystem,
Fig. 4 eine graphische Darstellung entsprechend Fig. 3 für eine Glasscheibe mit einem erfin
dungsgemäßen Sonnenschutzschichtsystem.
In Fig. 1 ist der Verlauf der spezifischen Leitfähigkeit einer Silberschicht für verschiedene
Schichtdicken für die Anordnung der Silberschicht auf zwei verschieden hergestellten unteren
Entspiegelungsschichten wiedergegeben. Die durchgezogene Kurve zeigt den Verlauf der spezifi
schen Leitfähigkeit für eine erfindungsgemäß hergestellte untere Entspiegelungsschicht aus einer
Titanoxidschicht, die mittels Mittelfrequenzsputterverfahren auf die Glasscheibe aufgebracht
wurde, sowie einer an die Silberschicht und an die Titanoxidschicht angrenzenden Schicht aus
Zinkoxid. Schon ab einer Dicke von etwa 3,5 nm zeigt sich eine meßbare Leitfähigkeit. Für
dickere Silberschichten nähert sich der Wert der spezifischen Leitfähigkeit einem Grenzwert von
etwa 3,5 . 105 S/cm.
Die gestrichelte Linie in Fig. 1 gibt den Verlauf der spezifischen Leitfähigkeit für ein Vergleichs
beispiel wieder, bei dem die Titanoxidschicht mittels der herkömmlichen Technik der DC-Katho
denzerstäubung hergestellt wurde. In diesem Falle setzt eine meßbare Leitfähigkeit erst ab einer
Schichtdicke von mehr als 4,0 nm ein. Für dickere Silberschichten ergibt sich ein Grenzwert von
nur 2,5 . 105 S/cm, also rund ein Drittel unter dem Wert, der nach der Erfindung erreicht wird.
Die Ursache für diese überraschend hohe spezifische Leitfähigkeit der erfindungsgemäß herge
stellten Silberschicht besteht vermutlich in den besonders günstigen Aufwachsbedingungen für das
Silber, die durch die erfindungsgemäß hergestellte untere Entspiegelungsschicht geschaffen wer
den. Die Versuche der Erfinder lassen den Schluß zu, daß sowohl die Auswahl der Materialien für
die beiden Teilschichten der unteren Entspiegelungsschicht maßgebend ist als auch das besondere
Herstellverfahren für die Titanoxidschicht. Bei dem Doppelkathoden verwendenden Mittelfre
quenzsputterverfahren kann die Beschichtungsrate für Titanoxid deutlich höher als bei der kon
ventionellen DC-Kathodenzerstäubung liegen. Vermutlich wird durch die erhöhte Beschichtungs
rate und andere mit dem Einsatz dieses besonderen Sputterverfahrens verbundene veränderte
Beschichtungsbedingungen die Schichtstruktur der Titanoxidschicht und damit indirekt der Silber
schicht im gewünschten Sinne beeinflußt.
Daß es aber nicht nur auf das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der Titanoxidschicht
ankommt, wenn besonders hochwertige Silberschichten hergestellt werden sollen, zeigt Fig. 2. In
dieser Figur ist der Verlauf des elektrischen Widerstands (in willkürlichen Einheiten) einer auf
einer unteren Entspiegelungsschicht aus einer 25 nm dicken Titanoxidschicht und einer Zinkoxid
schicht abgeschiedenen Silberschicht mit einer Dicke von 12,5 nm wiedergegeben. Der Darstel
lung dieser Figur liegt eine Versuchsreihe zugrunde, bei dem die Dicke der Silberschicht und die
Dicke der Titanoxidschicht jeweils konstant gehalten wurden, während die Dicke der Zinkoxid
schicht verändert wurde. Die durchgezogene Kurve gibt die Werte des elektrischen Widerstands
für eine untere Entspiegelungsschicht mit einer Titanoxidschicht wieder, die mit dem Mittel
frequenzsputterverfahren erstellt wurde. Die gestrichelte Linie zeigt die Werte für eine Titanoxid
schicht, die nach dem herkömmlichen DC-Kathodenzerstäubungsverfahren hergestellt wurde. Es
ist zunächst erkennbar, daß die Werte für die erfindungsgemäß hergestellte Titanoxidschicht deut
lich, nämlich um bis zu 10%, unter denjenigen für eine herkömmlich aufgebrachte Titanoxid
schicht liegen. Außerdem wird deutlich, daß sich für den elektrischen Widerstand ein bei der
erfindungsgemäßen Schicht besonders ausgeprägtes Minimum bei einer Dicke der Zinkoxid
schicht von etwa 8 nm einstellt, wobei der Widerstand zwischen etwa 2 nm und 18 nm unterhalb
der mit herkömmlicher Technik erreichbaren Werte liegt.
Nicht dargestellt wurden der Übersichtlichkeit halber bereits zuvor erwähnte Versuche mit ande
ren Schichtfolgen für die untere Entspiegelungsschicht, die in allen Fällen zu schlechteren Ergeb
nissen als bei der Anwendung der Erfindung führten.
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren und die damit herstellbaren beschichteten Glasschei
ben werden im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen erläutert.
Auf eine 4 mm dicke Floatglasscheibe aus Natronkalksilikatglas mit den Abmessungen 40 × 40 cm2
wurde in einer Vakuumkammer zunächst mit einer Mittelfrequenz-Doppelkathodenanordnung eine
25 nm dicke Titanoxidschicht aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/N2/O2-Gasgemisch im Volumen
verhältnis 12 : 8 : 3 in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 2,2 . 10-3 mbar einstellte.
Die Leistung der Doppelkathode betrug 8,4 kW, die Wechselfrequenz der Spannung betrug 25
kHz. Auf die Titanoxidschicht wurde anschließend mit Hilfe einer DC-Kathode eine 8 nm dicke
Zinkoxidschicht aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/O2-Gasgemisch in die Kammer eingelassen, so
daß sich ein Druck von 2,4.10-3 mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug 4,1 kW. Als
letztes wurde eine 12,5 nm dicke Silberschicht aufgebracht. Dazu wurde Argon in die Kammer
eingelassen, so daß sich ein Druck von 1,4 . 10-3 mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug
1,4 kW.
Die so beschichtete Glasscheibe hatte auf der Schichtseite einen Flächenwiderstand von 2,9 Ω und
einen IR-Reflexionsgrad von 97% bei 8 µm. Die spezifische Leitfähigkeit der Silberschicht lag
bei 2,75 . 105 S/cm.
Auf eine Glasscheibe entsprechend Beispiel 1 wurde in einer Vakuumkammer zunächst eine 25
nm dicke Titanoxidschicht mit einer Mittelfrequenz-Doppelkathode aufgebracht. Dazu wurde ein
Ar/O2-Gasgemisch in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 2,1 . 10-3 mbar einstellte.
Die Leistung der Kathode betrug 8,8 kW, die Wechselfrequenz der Spannung betrug 25 kHz. Auf
die Titanoxidschicht wurde - anders als in Beispiel 1 - unmittelbar eine Silberschicht aufgebracht.
Dazu wurde Argon in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 1,4.10-3 mbar einstellte.
Die Leistung der Kathode betrug 1,4 kW. Die Dicke der Silberschicht betrug wie im ersten Bei
spiel 12,5 nm.
Die so beschichtete Glasscheibe hatte auf der Schichtseite einen Flächenwiderstand von 3,9 Ω und
einen IR-Reflexionsgrad von 96,2% bei 8 µm. Die spezifische Leitfähigkeit der Silberschicht war
2,0 . 105 S/cm und lag damit fast 30% unter derjenigen der erfindungsgemäß hergestellten Schicht
gemäß Beispiel 1.
Auf eine Glasscheibe entsprechend Beispiel 1 wurde in einer Vakuumkammer zunächst unmittel
bar auf die Glasscheibe eine 20 nm dicke Zinkoxidschicht aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/O2-
Gasgemisch in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 2,4 . 10-3 mbar einstellte. Die
Leistung der Kathode betrug 4,1 kW. Auf die Zinkoxidschicht wurde unmittelbar eine 13,0 nm
dicke Silberschicht aufgebracht. Dazu wurde Argon in die Kammer eingelassen, so daß sich ein
Druck von 1,4 . 10-3 mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug 1,4 kW.
Die so beschichtete Glasscheibe hatte auf der Schichtseite einen Flächenwiderstand von 3,6 Ω und
einen IR-Reflexionsgrad von 96,6% bei 8 µm. Die spezifische Leitfähigkeit der Silberschicht war
2,1 . 105 S/cm und lag damit fast ein Viertel unter derjenigen der erfindungsgemäß hergestellten
Schicht gemäß Beispiel 1.
Auf eine Glasscheibe entsprechend Beispiel 1 wurde in einer Vakuumkammer zunächst eine 25
nm dicke Titanoxidschicht mit einer herkömmlichen DC-Kathode aufgebracht. Dazu wurde ein
Ar/N2/O2-Gasgemisch im Verhältnis 3 : 10 : 2 in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von
5,0 . 10-3 mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug 10,0 kW. Auf die Titanoxidschicht
wurde anschließend eine 8 nm dicke Zinkoxidschicht aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/O2-Gas
gemisch in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 6,8 . 10-3 mbar einstellte. Die Lei
stung der Kathode betrug 8,3 kW. Als letztes wurde eine 12,6 nm dicke Silberschicht aufgebracht.
Dazu wurde Argon in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 1,4 . 10-3 mbar einstellte.
Die Leistung der Kathode betrug 1,8 kW.
Die so beschichtete Glasscheibe hatte auf ihrer Schichtseite einen Flächenwiderstand von 3,8 Ω
und einen Infrarotreflexionsgrad von 96% bei 8 µm. Die spezifische Leitfähigkeit der Silber
schicht war 2,1 . 105 S/cm und lag damit um knapp ein Viertel unter derjenigen der Silberschicht
gemäß dem ersten Beispiel
Die Beispiele 1-4 zeigen, daß nur durch die Verwendung der erfindungsgemäß aufgebauten und
hergestellten unteren Entspiegelungsschicht ein Flächenwiderstand der Silberschicht von weniger
als 3 Ω bei einer Schichtdicke von etwa 12,5-13 nm erreicht werden konnte. Der spezifische
Widerstand der Silberschicht lag in allen drei Vergleichsbeispielen deutlich unter demjenigen der
erfindungsgemäß hergestellten Schicht. Dies bedeutet wegen der bekannten Zusammenhänge zwi
schen elektrischer Leitfähigkeit der Silberschicht und deren Emissivität bzw. IR-Reflexionsgrad,
daß mit einer Silberschicht vorgegebener Dicke und dadurch nach oben begrenztem Lichttransmis
sionsgrad mit der Erfindung ein besonders hoher IR-Reflexionsgrad und somit eine besonders
niedrige Emissivität erreichbar wird.
Die vorteilhaften Auswirkungen der Erfindung für praktische Anwendungen werden besonders
deutlich im Zusammenhang mit der Beschreibung der folgenden zwei Beispiele zur Herstellung
von Glasscheiben mit kompletten Dünnschichtsystemen. Diese weisen jeweils zusätzlich zu dem
Grundaufbau gemäß Beispiel 1 zumindest eine äußere Entspiegelungsschicht sowie gegebenen
falls mindestens eine weitere, von der ersten über eine Abstandsschicht getrennte Silberschicht
auf. Die Angaben zur Emissivität und zum k-Wert beruhen auf den Berechnungsmethoden der
ISO-Norm 10292. Für die Ermittlung des Lichttransmissionsgrades und des Gesamtenergiedurch
laßgrades wurde auf die ISO-Norm 9050 zurückgegriffen, während die Farbkoordinaten a* und b*
gemäß DIN 6174 bestimmt wurden.
Um eine für die Herstellung einer hochwirksamen und hoch lichtdurchlässigen Wärmeschutz
isolierglasscheibe geeignete Wärmeschutzbeschichtung mit hohem Reflexionsgrad im lang
welligen IR-Bereich zu erhalten, wurde in einer Magnetron-Kathodenzerstäubungsanlage zunächst
auf eine 4 mm dicke Glasscheibe mit den Abmessungen 40 × 40 cm2 eine 22,9 nm dicke Titanoxid
schicht mit Hilfe einer Mittelfrequenz-Doppelkathode aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/N2/O2-
Gasgemisch im Verhältnis 6 : 20 : 3 in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 2,6 . 10-3
mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug 8,4 kW, die Wechselfrequenz der Spannung
betrug 25 kHz. Die Beschichtungsrate für die Titanoxidschicht betrug 50 nm/min. Anschließend
wurde auf die Titanoxidschicht mittels einer DC-Kathode eine 5 nm dicke Zinkoxidschicht auf
gebracht. Dazu wurde ein Ar/O2-Gasgemisch in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck
von 2,4 . 10-3 mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug 4,1 kW. Im Anschluß daran wurde
eine 11,8 nm dicke Silberschicht aufgebracht. Dazu wurde Argon in die Kammer eingelassen, so
daß sich ein Druck von 1,4.10-3 mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug 1,4 kW. Auf die
Silberschicht wurde zunächst eine 3 nm dicke In(90)Sn(10)-Schicht als Schutzschicht für das
nachfolgende reaktive Aufbringen der äußeren Entspiegelungsschicht aufgebracht. Dazu wurde ein
Ar/O2-Gasgemisch in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 2,4 . 10-3 mbar einstellte.
Die Leistung der Kathode betrug 0,7 kW. Als Hauptschicht der äußeren Entspiegelungsschicht
wurde schließlich eine 44,8 nm dicke Zinnoxidschicht aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/O2 Gas
gemisch in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 4,4 . 10-3 mbar einstellte. Die Lei
stung der Kathode betrug 4,7 kW.
Die so beschichtete Glasscheibe hatte als Einzelscheibe einen Lichttransmissionsgrad von 84,8%.
Die Emissivität auf der Schichtseite betrug 0,04. Die beschichtete Glasscheibe wurde mit der
Schichtseite zum Scheibenzwischenraum weisend mit einer zweiten, 4 mm dicken, unbeschichte
ten Floatglasscheibe zu einer Wärmeschutzisolierglasscheibe mit einem Scheibenabstand von 16
mm sowie einer Argon-Gasfüllung verarbeitet. Bei der Anordnung der beschichteten Glasscheibe
auf der Raumseite (Dünnschichtsystem auf Position 3) hatte die Isolierglasscheibe einen Licht
transmissionsgrad von 76,3% und einen k-Wert von 1,1 W/m2K. Der Farbort der Außenreflexion
war durch die Farbkoordinaten a* = -0,1 und b* = -4,4 gegeben. Die Außenansicht der Wärme
schutzisolierglasscheibe war damit nahezu farbneutral.
Der Spektralverlauf des Transmissionsgrads der beschichteten Einzelglasscheibe im sichtbaren
Wellenlängenbereich und im nahen IR-Bereich ist in Fig. 3 als durchgezogene Kurve dargestellt.
Der Verlauf des Reflexionsgrads der Schicht auf der Schichtseite ist gestrichelt wiedergegeben.
Um eine für die Herstellung einer Sonnenschutzisolierglasscheibe mit hoher Selektivität (Verhält
nis von Lichttransmissionsgrad zu Gesamtenergiedurchlaßgrad) geeignete Sonnenschutz
beschichtung zu erhalten, wurde in einer Magnetron-Kathodenzerstäubungsanlage zunächst auf
eine 6 mm dicke Floatglasscheibe mit den Abmessungen 40 × 40 cm2 eine 31,8 nm dicke
Titanoxidschicht mit Hilfe einer Mittelfrequenz-Doppelkathode aufgebracht. Dazu wurde ein
Ar/N2/O2-Gasgemisch im Verhältnis 12 : 8 : 3 in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von
2,2 . 10-3 mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug 8,4 kW, die Frequenz der Spannung
betrug 25 kHz. Im Anschluß wurde eine 5 nm dicke Zinkoxidschicht aufgebracht. Dazu wurde ein
Ar/O2-Gasgemisch in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 2,4 . 10-3 mbar einstellte.
Die Leistung der Kathode betrug 4,1 kW. Es folgte eine 11 nm dicke erste Silberschicht. Dazu
wurde Argon in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 1,4 . 10-3 mbar einstellte. Die
Leistung der Kathode betrug 1,4 kW. Auf die erste Silberschicht wurde eine 3 nm dicke
In(90)Sn(10)-Oxidschicht als Schutzschicht aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/O2-Gasgemisch in
die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 2,4 . 10-3 mbar einstellte. Die Leistung der
Kathode betrug 0,7 kW. Darauf wurde eine als Abstandsschicht zur folgenden zweiten Silber
schicht dienende 84,9 nm dicke Zinnoxidschicht aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/O2-Gasgemisch
in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 4,4-103 mbar einstellte. Die Leistung der
Kathode betrug 4,7 kW. Auf diese SnO2-Abstandsschicht wurde eine zweite, 14 nm dicke Silber
schicht aufgebracht. Dazu wurde Argon in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von
1,4 . 10-3 mbar einstellte. Die Leistung der Kathode betrug 1,4 kW. Auf die zweite Silberschicht
wurde wie auf die erste Silberschicht und mit den gleichen Verfahrensparametern eine 3 nm dicke
In(90)Sn(10)-Oxidschicht aufgebracht. Als letztes wurde als Hauptschicht der äußeren Entspiege
lungsschicht eine 37,8 nm dicke Zinnoxidschicht aufgebracht. Dazu wurde ein Ar/O2-Gasgemisch
in die Kammer eingelassen, so daß sich ein Druck von 4,4 . 10-3 mbar einstellte. Die Leistung der
Kathode betrug 4,7 kW.
Die so beschichtete Glasscheibe hatte als Einzelscheibe einen Lichttransmissionsgrad von 79,6%.
Sie wurde mit einer weiteren, unbeschichteten Floatglasscheibe der Dicke 6 mm zu einer Sonnen
schutzisolierglasscheibe mit einem Scheibenabstand von 16 mm und einer Argon-Gasfüllung ver
arbeitet. Es ergab sich bei der Anordnung des Dünnschichtsystems auf der Raumseite der Außen
scheibe (Position 2) ein Lichttransmissionsgrad von 71,0% und ein Gesamtenergiedurchlaßgrad
(g-Wert) von 35,2%. Damit ergab sich für diese Sonnenschutzisolierglasscheibe eine außer
gewöhnlich hohe Selektivität von 2,02. Die Außenansicht war mit den Reflexions-Farbkoordi
naten a* = -0,3 und b* = -1,15 sehr farbneutral.
Der Spektralverlauf des Transmissionsgrads der beschichteten Einzelglasscheibe im sichtbaren
Wellenlängenbereich und im nahen IR-Bereich ist in Fig. 4 als durchgezogene Kurve dargestellt.
Der Verlauf des Reflexionsgrads bei Betrachtung von der Schichtseite her ist gestrichelt wiederge
geben.
Die Anwendung der Erfindung ist nicht auf Aufbauten der Beispiele 5 und 6 beschränkt. Diese
dienen vielmehr nur der beispielhaften Darstellung, welche Eigenschaften von Endprodukten
durch die Anwendung der Lehre der Erfindung erreichbar sind.
Claims (14)
1. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsystems mit einer transparenten Silberschicht
und einer äußeren Entspiegelungsschicht mittels Magnetron-Kathodenzerstäubung, bei
dem zwischen dem Substrat und der Silberschicht eine mehrlagige untere Entspiegelungs
schicht angeordnet wird, die eine unmittelbar auf das Substrat aufgebrachte Titanoxid
schicht sowie eine an die Silberschicht angrenzende Zinkoxidschicht umfaßt,
dadurch gekennzeichnet,
daß die 15-50 nm dicke Titanoxidschicht durch Mittelfrequenzsputtern von zwei Titan
kathoden in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre auf das Substrat aufgebracht wird und daß
die 2-18 nm dicke Zinkoxidschicht unmittelbar auf die Titanoxidschicht aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Titanoxidschicht unter An
wendung einer Sputterfrequenz von 5-100, vorzugsweise 10-40 kHz, aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Titanoxidschicht als
stickstoffhaltige Titanoxidschicht mit einem Stickstoffanteil N/(N + O) in der Schicht von 5
bis 50 Atomprozent in einer Argon, Stickstoff und Sauerstoff enthaltenden Beschich
tungsatmosphäre aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die stickstoffhaltige Titanoxid
schicht in einer Argon und Stickstoff im Mengenverhältnis von 3 : 1 bis 1 : 5 sowie außerdem
Sauerstoff enthaltenden Beschichtungsatmosphäre aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Titanoxidschicht mit einer Beschichtungsrate von mind. 30 nm/min, vorzugsweise mehr
als 50 nm/min, aufgebracht wird.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Zinkoxidschicht durch Mittelfrequenzsputtern von zwei Zinktargets in einer sauerstoff
haltigen Atmosphäre aufgebracht wird.
7. Glasscheibe mit einem durch Magnetron-Kathodenzerstäubung aufgebrachten transparen
ten Dünnschichtsystem, bestehend aus einer mehrlagigen unteren Entspiegelungsschicht,
die eine Titanoxidschicht unmittelbar auf der Glasscheibe sowie eine an die Silberschicht
angrenzende Zinkoxidschicht umfaßt, einer transparenten Silberschicht, gegebenenfalls
mindestens einem Schichtpaar aus einer Abstandsschicht und einer weiteren transparenten
Silberschicht sowie einer äußeren Entspiegelungsschicht,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Titanoxidschicht eine durch Mittelfrequenzsputtern von zwei Titankathoden in
einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre aufgebrachte Titanoxidschicht mit einer Dicke von 15
-50 nm ist, daß sich an die Titanoxidschicht unmittelbar eine Zinkoxidschicht mit einer
Dicke von 2-18 nm anschließt und daß die an die untere Entspiegelungsschicht angren
zende Silberschicht eine Dicke von 7-20 nm aufweist.
8. Glasscheibe nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Titanoxidschicht Stickstoff
enthält mit einem Anteil von Stickstoff N/(N + O) in der Schicht von 5 bis 50 Atomprozent.
9. Glasscheibe nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Titanoxidschicht
eine Dicke von 18-40 nm aufweist.
10. Glasscheibe nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Zinkoxid
schicht eine Dicke von 4-12 nm aufweist.
11. Glasscheibe nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die an die
untere Entspiegelungsschicht angrenzende Silberschicht eine Dicke von 8 bis 15 nm auf
weist.
12. Glasscheibe nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die äußere
Entspiegelungsschicht aus einer 2-5 nm dicken Schutzschicht auf der Silberschicht aus ei
nem Oxid mindestens eines der Metalle In, Sn, Cr, Ni, Zn, Ta, Nb, Zr, Hf, insbesondere
aus In(90)Sn(10)-Oxid, sowie aus einer äußeren Schicht aus einem aus Oxiden von Sn, Zn,
Ti, Nb, Zr und/oder Hf und Siliziumnitrid ausgewählten Material, insbesondere aus SnO2,
mit einer optischen Dicke von 60-120 nm, vorzugsweise 80-100 nm, besteht.
13. Glasscheibe nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
der an die untere Entspiegelungsschicht angrenzenden Silberschicht und der äußeren Ent
spiegelungsschicht mindestens ein Schichtpaar aus einer Abstandsschicht und einer weite
ren Silberschicht vorgesehen ist.
14. Verwendung einer beschichteten Glasscheibe nach einem der Ansprüche 7 bis 12 zur
Herstellung einer Isolierglasscheibe, wobei die Isolierglasscheibe bei einer Glasdicke von 4
mm der beiden Einzelglasscheiben, einer Argon-Gasfüllung, einem Scheibenabstand von
16 mm sowie bei Anordnung des Dünnschichtsystems auf der zum Scheibenzwischenraum
weisenden Oberfläche der raumseitigen Glasscheibe einen Lichttransmissionsgrad von
mindestens 76%, einen k-Wert von maximal 1,1 W/m2K, eine Emissivität von maximal
0,04 sowie als Farbkoordinaten der Außenansicht die Werte a* zwischen -2 und +1 sowie
b* zwischen -6 und -2 aufweist.
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