DE19651554A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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Description

Die Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf ein Halbleiterbauelement und insbesondere auf ein Halbleiterbauelement, mit dem das Auftreten von Fehlfunktionen aufgrund von elektromagnetischer Interferenz (EMI) minimiert wird.
Falls durch EMI verursachte elektromagnetische Störungen in einen Halbleiterschaltkreis gemischt werden, kann dies zu Fehlfunktionen des Schaltkreises führen. Um das Eintreten dieser Fehlfunktionen zu verringern, wird häufig ein Kondensator, eine Spule oder ähnliches an eine Eingangsleitung oder die Stromversorgungsleitung eines elektronischen Schaltkreises angeschlossen, der beispielsweise ein Operationsverstärker, ein Mikrocomputer oder ähnliches sein kann.
Ein Kondensator oder eine Spule wird manchmal zusammen mit einem Operationsverstärker auf einer gedruckten Platine für einen Schaltkreis angeordnet. Dies erhöht die Anzahl elektronischer Teile, die auf der Platine aufgebracht werden und vergrößert die für die Bestückung mit elektronischen Teilen benötigte Fläche.
Ferner sind bei zusätzlicher Anordnung eines Kondensators auf einer gedruckten Platine die Zuführungsdrähte verlängert, damit das Ende des Kondensators mit dem Eingang des Operationsverstärkers verbunden werden kann. Elektromagnetische Störungen werden dann über die Verdrahtung in den Operationsverstärker gemischt und können zu Fehlfunktionen des Operationsverstärkers führen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Halbleiterbauelement zu schaffen, bei dem das Eintreten von Fehlfunktionen aufgrund von elektronischen Störungen verringert ist.
Die Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art mit mindestens zwei Eingangsanschlüssen gelöst, das gekennzeichnet ist durch ein Halbleitersubstrat, eine über dem Halbleitersubstrat ausgebildete isolierende Schicht, ein über der isolierenden Schicht befindliches Element, das eine erste und eine zweite Elektrode aufweist, wobei die erste und zweite Elektrode jeweils mit einem von den mindestens zwei Eingangsanschlüssen des elektronischen Schaltkreises verbunden sind und die erste Elektrode, die isolierende Schicht und das Halbleitersubstrat einen parasitären Kondensator bilden, und eine dritte Elektrode, die oberhalb der isolierenden Schicht des Elementes geformt und mit der zweiten Elektrode verbunden ist. Weiter wird die Aufgabe bei einem Halbleiterbauelement gelöst durch ein Halbleitersubstrat, eine über dem Halbleitersubstrat ausgebildete isolierende Schicht, einen Kondensator mit einer auf der isolierenden Schicht ausgebildeten ersten Elektrode sowie einer zweiten Elektrode, wobei die erste und zweite Elektrode jeweils mit einem von mindestens zwei Eingangsanschlüssen des elektronischen Schaltkreises verbunden sind, wobei ferner die erste Elektrode, der isolierende Film und das Halbleitersubstrat einen parasitären Kondensator ausbilden, sowie durch eine dritte Elektrode, die über der isolierenden Schicht geformt ist, wobei die dritte Elektrode mit der zweiten Elektrode des Kondensators verbunden ist und wobei der Kondensator in der Nähe von mindestens zwei Eingangsanschlüssen des elektronischen Schaltkreises angeordnet ist. Ferner wird die Aufgabe bei einem Halbleiterbauelement gelöst durch ein Halbleitersubstrat, eine über dem Halbleitersubstrat ausgebildete isolierende Schicht, eine über dieser isolierenden Schicht befindliche erste Elektrode, einen hochdielektrischen dünnen Film, der über der ersten Elektrode geformt ist, eine zweite Elektrode, die über dem hochdielektrischen dünnen Film ausgebildet ist, wobei die erste Elektrode, der hochdielektrische dünne Film und die zweite Elektrode einen ersten Kondensator sowie die erste Elektrode, die isolierende Schicht und das Halbleitersubstrat einen parasitären Kondensator bilden, die erste und zweite Elektrode mit den mindestens zwei Eingangsanschlüssen des elektronischen Schaltkreises verbunden sind, und eine dritte Elektrode über der isolierenden Schicht geformt ist und mit der zweiten Elektrode verbunden ist, wobei die dritte Elektrode, die isolierende Schicht und das Halbleitersubstrat einen zweiten Kondensator ausbilden.
Erfindungsgemäß wird ein verbessertes Halbleiterbauelement mit einem zumindest zwei Eingänge aufweisenden Schaltkreis bereitgestellt. Das Bauelement enthält ein Halbleitersubstrat, einen auf dem Halbleitersubstrat ausgebildeten isolierenden Film sowie ein mit einer ersten und zweiten Elektrode versehenes Element auf dem isolierenden Film. Die erste und zweite Elektrode sind mit mindestens zwei Eingängen des elektronischen Schaltkreises verbunden. Die erste Elektrode, der isolierende Film und das Halbleitersubstrat bilden einen parasitären Kondensator. Das Bauelement weist ebenfalls eine dritte Elektrode auf, die auf dem isolierenden Film ausgebildet und an die zweite Elektrode des Elements angeschlossen ist.
Die dritte Elektrode, der isolierende Film und das Halbleitersubstrat können einen weiteren Kondensator bilden. Die Kapazität des zusätzlichen Kondensators ist im wesentlichen gleich der des parasitären Kondensators. Weiter kann der elektronische Schaltkreis einen Operationsverstärker mit einem nicht-invertierenden und einem invertierenden Eingangsanschluß aufweisen. Die erste und zweite Elektrode des Elements sind mit dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß beziehungsweise dem invertierenden Eingangsanschluß verbunden.
Die vorliegende Erfindung kann auf zahlreiche Weise implementiert werden, beispielsweise in Form einer Vorrichtung oder als Verfahren.
Andere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung deutlicher, die in Verbindung mit der begleitenden Zeichnung beispielhaft die Prinzipien der Erfindung erklärt.
Die Erfindung zusammen mit deren Merkmalen und Vorteilen kann bezugnehmend auf die folgende Beschreibung eines gegenwärtig bevorzugten Ausführungsbeispiels in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung verstanden werden:
Fig. 1 zeigt eine schematische Aufsicht eines Halbleiterchips;
Fig. 2 zeigt ein Schaltschema für ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel eines innerhalb eines wirksamen Bereichs des Halbleiterchips gemäß Fig. 1 befindlichen elektronischen Schaltkreises;
Fig. 3 zeigt eine ein Filter des elektronischen Schaltkreises im Halbleiterchip von Fig. 2 darstellende Aufsicht und
Fig. 4 zeigt einen Querschnitt zur Darstellung des Filters im Halbleiterchip gemäß Fig. 3.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird im folgenden bezugnehmend auf die Fig. 1 bis 4 beschrieben.
Fig. 1 zeigt schematisch einen Halbleiterchip 11 in einer Aufsicht, der als Halbleiterbauelement dient. Eine wirksame Fläche 12 ist im zentralen Teil des Halbleiterchips 11 vorgesehen, in der ein nicht gezeigter elektronischer Schaltkreis angeordnet ist. Eine Vielzahl von Anschlußflächen 13 ist um die wirksame Fläche 12 des Halbleiterchips 11 herum angeordnet, die über nicht dargestellte Drähte mit dem elektronischen Schaltkreis verbunden sind. Jede Anschlußfläche 13 ist ferner über eine Drahtverbindung mit einer entsprechenden Anschlußfläche auf einer gedruckten Schaltungsplatine verbunden. Der elektronische Schaltkreis im aktiven Bereich 12 steht dadurch mit einem elektrischen, nicht gezeigten anderen Schaltkreis auf dieser gedruckten Platine in elektrischer Verbindung.
Fig. 2 zeigt einen einen Teil des elektronischen Schaltkreises in der aktiven Fläche 12 darstellenden Schaltplan. Ein Operationsverstärker 12 und ein Filter 22 sind dabei in der wirksamen Fläche 12 angeordnet. Der Operationsverstärker 12 weist einen nicht­ invertierenden, mit einer Anschlußfläche (ein erster Eingangsanschluß) 13a verbundenen Eingangsanschluß, einen invertierenden, mit einer Anschlußfläche (ein zweiter Eingangsanschluß) 13b verbundenen Eingangsanschluß, einen mit einer Anschlußfläche (ein Ausgangsanschluß) 13d zusammengeschlossenen Ausgangsanschluß, einen Stromversorgungsanschluß für hohes Potential, der mit einer Anschlußfläche (Hochleistungsversorgungsanschluß) 13d verbunden ist, und einem an einem Nulleiter GND angeschlossenen Leistungsversorgungsanschluß bei niedrigem Potential auf. Die Anschlußfläche 13d ist mit dem hohen Potential der Stromversorgung zusammengeschlossen, während der Nulleiter GND über die Anschlußfläche (Niederleistungsversorgungsanschluß) 13e mit einer nicht gezeigten externen Niederspannungsversorgung verbunden ist.
Ein Filter 22 ist zwischen dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß und dem invertierenden Eingangsanschluß des Operationsverstärkers 21 und den Anschlußflächen 13a und 13b angeschlossen. Das Filter 22 besteht aus den Kondensatoren C₁ bis C₃ und ist In der Nähe der Eingangsanschlüsse des Operationsverstärkers 21 angeordnet. Das Filter 22 minimiert elektromagnetische, in den Operationsverstärker einstreuende Störungen. Der Kondensator C₁ weist einen ersten, mit dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß des Operationsverstärkers 21 verbundenen Anschluß und einen zweiten, mit dem invertierenden Eingangsanschluß des Verstärkers 21 verbundenen Anschluß auf. Der Kondensator C₂ hat einen ersten, mit dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß des Verstärkers 21 und einen zweiten, mit dem Nulleiter GND verbundenen Anschluß. Beim Kondensator C₃ ist ein erster, mit dem invertierenden Eingangsanschluß verbundener Anschluß und ein zweiter, mit dem Nulleiter (GND) verbundener Anschluß vorgesehen.
Die Kondensatoren C₁ bis C₃ sind zusammen mit dem Operationsverstärker 21 in der aktiven Fläche 12 integriert. Das bedeutet, die Kondensatoren C₁ bis C₃ sind im Halbleiterchip ausgebildet und befinden sich in der Nähe der Anschlüsse des Operationsverstärkers 21. Dadurch reduziert die erfindungsgemäße Struktur die Fläche zur Bestückung elektronischer Bauteile gegenüber Strukturen nach dem Stand der Technik, bei denen ein Halbleiterchip und Kapazitäten auf einem gedruckten Schaltkreis getrennt voneinander angeordnet waren.
Weiter ist die Verdrahtung zwischen den Kondensatoren C₁ bis C₃ und den Anschlüssen des Operationsverstärkers 21 kürzer als vom Stand der Technik bekannt. Das reduziert elektromagnetische, in den Operationsverstärker 21 über die Verdrahtung einstreuende Störungen, so daß das Auftreten von Fehlfunktionen des Operationsverstärkers 21 verringert ist.
Fig. 3 zeigt eine Teilansicht des Halbleiterchips 11, in dem das Filter 22 näher dargestellt ist. Fig. 4 zeigt einen Teilschnitt des Halbleiterchips 11 zur Darstellung des Filters 22.
Der nicht gezeigte Operationsverstärker 21 und das Filter 22 sind auf vorbestimmten Orten auf einem aus einkristallinem Silizium bestehenden Halbleitersubstrat 31 angeordnet. Das Substrat 31 ist dabei mit dem Nullpotential GND verbunden. Ferner befindet sich ein isolierender Film 32, der mittels thermischer Oxidation als Siliziumdioxid (SiO₂) ausgebildet ist, auf dem Substrat 31 und weist quadratische Dünnfilmbereiche 33, 34 mit gleicher Dicke und Fläche auf. Die Dünnfilmbereiche 33 und 34 haben eine vorgegebene Solldicke und werden beispielsweise mittels thermischer Oxidation nach Ätzen von Teilen des isolierenden Films 32 ausgebildet.
Eine aus zwei Lagen bestehende, aus Titan (Ti) und Platin (Pt) auf dem Dünnfilmbereich 33 ausgebildete erste Elektrode 35 überdeckt teilweise den isolierenden Film 32 im Randbereich des Dünnfilmbereichs 33. Sputter- und Elektronenstrahldepositionstechniken können als Verfahren zur Ausbildung dieser ersten Elektrode 35 eingesetzt werden. Der Dünnfilmbereich 33, der dünner als der isolierende Film 32 ist, ist zwischen der ersten Elektrode 35 und dem Substrat 31 angeordnet und dient als Dielektrikum mit einer vorgegebenen Dielektrizitätskonstante. Die erste Elektrode 35, der Dünnfilmbereich 33 und das Substrat 31 bilden die Kapazität C₃. Mit der ersten Elektrode 35 wurden eine mit der Anschlußfläche (dem zweiten Eingangsanschluß) und eine an den invertierenden Eingangsanschluß des Operationsverstärkers 21 angeschlossene Verdrahtungsstruktur einstückig ausgebildet.
Ein hoch dielektrischer Dünnfilm 36 aus BST (BaTiO₃ + SrTiO₃) wurde auf der ersten Elektrode 35 geformt. Der Dünnfilm 36 wurde durch Sputtern sowie Schleuderbeschichtung mit Sol-Gel-Material und Trocknen sowie Tempern, gefolgt durch einen Trockenätzprozeß unter Verwendung von Photoschichten gebildet. Eine isolierende Schicht 37 als Zwischenschicht, die mit CVD-Technik (Chemical Vapour Deposition - Chemische Deposition aus der Gasphase) auf dem isolierenden Film 32 deponiert ist, besteht aus Nitritfilm (SiN). Der als Zwischenschicht dienende Film 37 weist eine quadratische Öffnung 37a als Zugang zu dem dünnen, hoch dielektrischen Film 36 und eine andere quadratische Öffnung 37b als Zugang zu dem Dünnfilmbereich 34 auf.
Eine Elekrodenschicht 38 aus Aluminium wurde dann auf dem als Zwischenschicht dienenden isolierenden Film 37 aufgebracht. Ein Teil der Schicht 38 dient als zweite Elektrode 39, die den hoch dielektrischen Dünnfilm 36 überdeckt, und ein anderer Teil dient als den Dünnschichtbereich 34 bedeckende dritte Elektrode 40.
Der hoch dielektrische Dünnfilm 36 befindet sich zwischen der unteren ersten Elektrode 35 und der oberen Schicht der zweiten Elektrode 39. Der Dünnfilm 36 hat eine hohe Dielektrizitätskonstante im Bereich von Hunderten bis Tausenden. Die erste Elektrode 35, der hochdielektrische Dünnfilm 36 und die zweite Elektrode 39 bilden einen Kondensator C₁. Das Hochdielektrikum ist aus einem Material hoher Dielektrizitätskonstante gebildet und enthält ferroelektrische Substanzen, die schon ohne angelegtes elektrisches Feld selbsttätig Polarisation erzeugen. Das Hochdielektrikum enthält BST (BaTiO₃ + SrTiO₃), SBT (SrBi₂ Ta₂O₉, STO (SrTiO₃), BTO (BaTiO₃). Die ferroelektrische Substanz enthält PZT (PbZrTiO₃) und PLZT. Der Einsatz dieses Dünnfilms 36 mit hoher Dielektrizitätskonstante ermöglicht die Ausbildung eines Kondensators C₁ kleiner Abmessungen mit hoher Kapazität. Ein derart kleiner Kondensator reduziert die Schaltkreisfläche des Halbleiterchips 11.
Der Dünnfilmbereich 34, der dünner als die isolierende Schicht 32 ist, befindet sich zwischen der dritten Elektrode 40 sowie dem Substrat 31 und dient als Dielektrikum mit vorbestimmter Dielektrizitätskonstante. Die dritte Elektrode 40, der Dünnfilmbereich 34 und das Substrat 31 bilden den Kondensator C₂.
Wie in Fig. 3 gezeigt ist, ist zusammen mit der Elektrodenschicht 38 eine mit der Anschlußfläche (dem ersten Eingangseinschluß) 13a verbundene Verdrahtungsstruktur 38 und eine Verdrahtungsstruktur 38b, die an dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß des Operationsverstärkers 21 angeschlossen ist, einstückig ausgebildet.
Wie in Fig. 4 zu sehen ist, ist weiter ein Passivierungsfilm 41 auf dem Substrat 31 vorgesehen, der als isolierende Schutzschicht zum Bedecken der gesamten Oberfläche des Bauelements dient. Der Passivierungsfilm 41 ist mittels CVD oder ähnlichen Techniken hergestellt und besteht aus Nitritfilm (SiN).
Der Kondensator C₂ kompensiert Phasendifferenzen zwischen einem Signal, das dem invertierenden Eingangsanschluß des Operationsverstärkers 21 und einem Signal, das dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß des Operationsverstärkers 21 zugeführt wird. Die Formung des Kondensators C₁ mit dem hochdielektrischen Dünnfilm 36 als Filter für den Operationsverstärker 21 erzeugt auch eine parasitäre Kapazität, den Kondensator C₃. Der parasitäre Kondensator besteht aus der ersten Elektrode 35 des Kondensators C₁, dem Substrat 31 sowie dem isolierenden Film 32 (Dünnfilmbereich 33). Der parasitäre Kondensator verursacht Phasendifferenzen zwischen den in den Operationsverstärker 21 eingegebenen Signalen. Diese Phasendifferenzen können zu einer Fehlfunktion des Operationsverstärkers 21 führen. Der Kondensator C₂, der aus der dritten Elektrode 40, dem Substrat 31 und dem Dünnfilm 34 besteht, ist an einem Eingangsanschluß (dem nicht­ invertierenden Anschluß) des Verstärkers 21 angeschlossen, mit dem der parasitäre Kondensator nicht verbunden ist. Der Kondensator C₂ hat im wesentlichen dieselbe Kapazität wie der Kondensator C₃. Durch Ausbildung des Kondensators C₂ wird die Phasendifferenz zwischen eingegebenen Signalen ausgeglichen.
Die Dünnfilmbereiche 33 und 34, die Teile der Kondensatoren C₂ bzw. C₃ bilden, haben die gleiche Dicke und Fläche, so daß die Kapazitäten der Kondensatoren C₂ und C₃ im wesentlichen gleich sind. Insbesondere die relativ kleine zweite Elektrode 39 und die relativ große dritte Elektrode 40 sind mit einem Verbindungsteil 38c zwischen ihnen als Einheit ausgeformt. Wenn die erste Elektrode 35 und die Elektrodenschicht 38 auf der isolierenden Schicht 32 ohne die Dünnfilmbereiche 33, 34 ausgeformt worden wären, hätten der Verbindungsteil 38c und die Ausläufer 38a sowie 38b voneinander verschiedenen Kapazitäten C₂ und C₃. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Dicke und die Fläche der Dünnfilmbereiche 33 und 34 im wesentlichen gleich. Dadurch werden die Kapazitäten der Kondensatoren C₂ und C₃ durch den Verbindungsteil 38 und die Ausläufer 38a und 38b nur wenig oder überhaupt nicht beeinflußt. Aufgrund dessen können die Kapazitäten der Kondensatoren C₂ und C₃ im wesentlichen gleich gehalten werden. Mit anderen Worten, das Einstellen der Flächen der Dünnfilmbereiche 33 und 34 steuert die Kapazitäten von jedem Kondensator C₂ und C₃.
Obwohl hier nur ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben wurde, sollte für die Fachleute deutlich sein, daß die Erfindung in vielen verschiedenen spezifischen Ausbildungen angewendet werden kann, ohne daß vom Wesen oder dem Bereich der Erfindung abgewichen wird. Insbesondere kann die Erfindung auch wie folgt ausgeführt werden:
Anstelle des Operationsverstärkers 21 kann die Erfindung auch bei anderen Arten elektronischer Schaltkreise wie Mikrocomputern, Vergleichern, Übertragungsschaltkreisen und Empfängerschaltkreisen, die verschiedene Arten von Elementen enthalten, eingesetzt werden.
Siliziumdioxid (SiO₂) kann als zwischenliegende Isolierschicht 37 anstelle von Siliziumnitrit (SiN) eingesetzt werden.
Rutheniumdioxid (RuO₂) oder Titandioxid (TiO₂) ist ferner zum Ausbilden der ersten Elektrode 35 anstelle von Platin geeignet. Die Verwendung von RuO₂ verbessert die Kristallisation von BST verglichen mit dem Fall, in dem TiO₂ eingesetzt wird.
Deshalb müssen die vorliegenden Beispiele und Ausführungsformen als illustrierend und nicht restriktiv verstanden werden, so daß die Erfindung durch die oben angegebenen Details nicht begrenzt ist, sondern innerhalb des Bereiches und im Äquivalenzbereich der beigefügten Ansprüche modifiziert werden kann.

Claims (13)

1. Halbleiterbauelement, bei dem ein elektronischer Schaltkreis (21) mit mindestens zwei Eingangsanschlüssen vorgesehen ist, gekennzeichnet durch:
ein Halbleitersubstrat (31);
eine über dem Halbleitersubstrat ausgebildete isolierende Schicht (32);
ein über der isolierenden Schicht befindliches Element (C₁), das eine erste und eine zweite Elektrode (35, 39) aufweist, wobei die erste und zweite Elektrode jeweils mit einem von den mindestens zwei Eingangsanschlüssen des elektronischen Schaltkreises verbunden sind und die erste Elektrode, die isolierende Schicht und das Halbleitersubstrat einen parasitären Kondensator (C₃) bilden, und
eine dritte Elektrode (40), die oberhalb der isolierenden Schicht des Elementes geformt und mit der zweiten Elektrode (39) verbunden ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrode, die isolierende Schicht und das Halbleitersubstrat einen zusätzlichen Kondensator (C₂) bilden und die Kapazität von diesem im wesentlichen gleich der Kapazität der parasitären Kapazität (C₃) ist.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronische Schaltkreis einen Operationsverstärker (21) mit einem nicht-invertierenden Eingangsanschluß und einem invertierenden Eingangsanschluß aufweist und die erste und zweite Elektrode (35, 39) mit dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß beziehungsweise dem invertierenden Eingangsanschluß verbunden sind.
4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht (32) einen an dem der ersten Elektrode (35) entsprechenden Ort ersten Dünnfilmbereich (33) sowie einen zweiten Dünnfilmbereich (34) an einem der dritten Elektrode entsprechenden Ort aufweist, wobei die Dicke und die Fläche des ersten und zweiten Dünnfilmbereichs im wesentlichen gleich sind.
5. Halbleiterbauelement, bei dem ein elektronischer Schaltkreis (21) mit mindestens zwei Eingangsanschlüssen vorgesehen ist, gekennzeichnet durch:
ein Halbleitersubstrat (31);
eine über dem Halbleitersubstrat ausgebildete isolierende Schicht (32);
einen Kondensator (C₁) mit einer auf der isolierenden Schicht ausgebildeten ersten Elektrode sowie einer zweiten Elektrode, wobei die erste und zweite Elektrode jeweils mit einem von mindestens zwei Eingangsanschlüssen des elektronischen Schaltkreises (21) verbunden sind, wobei ferner die erste Elektrode, der isolierende Film und das Halbleitersubstrat einen parasitären Kondensator (C₃) ausbilden;
eine dritte Elektrode (40), die über der isolierenden Schicht geformt ist, wobei die dritte Elektrode mit der zweiten Elektrode (39) des Kondensators (C₁) verbunden ist und wobei der Kondensator (C₁) in der Nähe von mindestens zwei Eingangsanschlüssen des elektronischen Schaltkreises (21) angeordnet ist.
6. Bauelement nach Anspruch 5, bei dem die dritte Elektrode, die isolierende Schicht und das Halbleitersubstrat einen zusätzlichen Kondensator (C₂) bilden und die Kapazität von diesem im wesentlichen gleich der Kapazität des parasitären Kondensators (C₃) ist.
7. Bauelement nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronische Schaltkreis einen Operationsverstärker (21) mit einem nicht-invertierenden Eingangsanschluß und einem invertierenden Eingangsanschluß aufweist und die erste und zweite Elektrode (35, 39) mit dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß beziehungsweise dem invertierenden Eingangsanschluß verbunden sind.
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht (32) einen an einem der ersten Elektrode (35) entsprechenden Ort befindlichen ersten Dünnfilmbereich (33) und einen an einem der dritten Elektrode entsprechenden Ort befindlichen zweiten Dünnfilmbereich (34) aufweist, wobei die Dicke und die Fläche des ersten und zweiten Dünnfilmbereichs im wesentlichen gleich sind.
9. Halbleiterbauelement, bei dem ein elektronischer Schaltkreis (21) mit mindestens zwei Eingangsanschlüssen vorgesehen ist, gekennzeichnet durch:
ein Halbleitersubstrat (38);
eine über dem Halbleitersubstrat ausgebildete isolierende Schicht (32); eine über dieser isolierenden Schicht befindliche erste Elektrode (38);
einen hochdielektrischen dünnen Film (36), der über der ersten Elektrode geformt ist;
eine zweite Elektrode (39), die über dem hochdielektrischen dünnen Film ausgebildet ist, wobei die erste Elektrode, der hochdielektrische dünne Film und die zweite Elektrode einen ersten Kondensator (C₁) sowie die erste Elektrode, die isolierende Schicht und das Halbleitersubstrat einen parasitären Kondensator (C₃) bilden und die erste und zweite Elektrode (35, 39) mit den mindestens zwei Eingangsanschlüssen des elektronischen Schaltkreises (21) verbunden sind, und
eine dritte Elektrode (40), die über der isolierenden Schicht geformt und mit der zweiten Elektrode (39) verbunden ist, wobei die dritte Elektrode, die isolierende Schicht und das Halbleitersubstrat einen zweiten Kondensator ausbilden (C₂).
10. Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität des zweiten Kondensators (C₂) im wesentlichen gleich denjenigen des parasitären Kondensators (C₃) ist.
11. Bauelement nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Kondensator (C₁) in der Nähe der mindestens zwei Eingangsanschlüsse des elektronischen Schaltkreises (21) angeordnet ist.
12. Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronische Schaltkreis einen Operationsverstärker (21) aufweist, der einen nicht­ invertierenden Eingangsanschluß sowie einen invertierenden Eingangsanschluß hat und die erste und zweite Elektrode (35, 39) jeweils mit einem von dem nicht-invertierenden Eingangsanschluß und dem invertierenden Eingangsanschluß verbunden sind.
13. Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht (32) einen an einer der ersten Elektrode (35) entsprechenden Stelle befindlichen ersten Dünnfilmbereich (33) und einen an einer der dritten Elektrode (40) entsprechenden Stelle befindlichen zweiten Dünnfilmbereich (35) aufweist, wobei die Dicke und die Fläche der ersten und zweiten Dünnfilmbereiche (33, 34) im wesentlichen gleich sind.
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