DE102005028935B4 - Bauelement mit variabler Kapazität, welches eine hohe Genauigkeit aufweist - Google Patents

Bauelement mit variabler Kapazität, welches eine hohe Genauigkeit aufweist Download PDF

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Abstract

Kapazitives Bauelement mit:
einer ersten Elektrode (20, 21);
einer zweiten Elektrode (30, 31);
einem Schalttransistor (Tr1-Tr8);
einem dielektrischen Film (4, 12), welcher in Sandwichbauart zwischen der ersten Elektrode (20) und der zweiten Elektrode (30) angeordnet ist;
einem Substrat (10); und
einer Verdrahtungsschicht (60), wobei
eine der zwei Elektroden (20, 21, 30, 31) in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten (2a-2e) geteilt ist und der Schalttransistor (Tr1-Tr8) elektrische Verbindungen zwischen den Abschnitten (2a-2e) herstellt,
die erste Elektrode (20) in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten (2a-2e) geteilt ist,
die zweite Elektrode (30) einstückig ausgebildet ist,
die erste Elektrode (20), der dielektrische Film (4, 12) und die zweite Elektrode (30) auf dem Substrat (10) in dieser Reihenfolge angeordnet sind,
der Schalttransistor (Tr1-Tr4) direkt unter der ersten Elektrode (20) angeordnet ist, und
die Verdrahtungsschicht (60) für eine Verbindung zwischen der ersten Elektrode (20) und dem...

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Bauelement mit variabler Kapazität, welches eine hohe Genauigkeit aufweist.
  • Ein Bauelement mit kapazitivem Widerstand bzw. ein kapazitives Bauelement (capacitance device) mit einem dielektrischen Film und einem Paar von Elektroden, dessen Kapazität eingestellt werden kann, ist beispielsweise in der Veröffentlichung der japanischen Patentanmeldung Nr. H10-190160 und der französischen Patentanmeldung Nr. 2687834 offenbart. 4 zeigt eine Draufsicht auf ein kapazitives Bauelement 90, welches in der Veröffentlichungsschrift der japanischen Patentanmeldung Nr. H10-190160 offenbart ist. Das kapazitive Bauelement 90 enthält einen dielektrischen Film 93, die erste Elektrode 92 und die zweite Elektrode 94. Die erste Elektrode 92 wird auf einem Keramiksubstrat 91 gebildet, und der dielektrische Film 93 wird auf der ersten Elektrode 92 gebildet. Danach wird die zweite Elektrode 94, welche einen durch ein Trimmverfahren gebildeten schmalen Abschnitt 94a aufweist, auf dem dielektrischen Film 93 gebildet. Die erste Elektrode 92, der dielektrische Film 93 und die zweite Elektrode 94 werden alle durch ein Druckverfahren gebildet. Da bei dem kapazitiven Bauelement 90 der schmale Abschnitt 94a, welcher eine schmale Breite aufweist, in der zweiten Elektrode 94 gebildet wird, kann die Trimmprozesszeit zum Bilden des schmalen Abschnitts 94a verringert sein. Somit kann eine durch den dielektrischen Film 93 hervorgerufene Beschädigung durch den Lasertrimmprozess verringert sein.
  • Es ist jedoch möglich, die durch den Lasertrimmprozess hervorgerufene Beschädigung vollständig zu entfernen. Des Weiteren erfordert im Allgemeinen der Lasertrimmprozess viel Zeit und führt zu einem Ansteigen der Herstellungskosten für das kapazitive Bauelement 90. Nachdem die Kapazität eingestellt worden ist, ist es des Weiteren schwierig, die Kapazität wiederum zu ändern.
  • Aus der DE 31 48 968 A1 ist ein kapazitives Bauelement bekannt mit: einer ersten Elektrode; einer zweiten Elektrode; einem Schalttransistor; einem dielektrischen Film, welcher in Sandwichbauart zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist; einem Substrat; und einer Verdrahtungsschicht, wobei eine der zwei Elektroden in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten geteilt ist und der Schalttransistor elektrische Verbindungen zwischen den Abschnitten herstellt und die andere der zwei Elektroden einstückig ausgebildet ist.
  • Die DE 197 58 345 A1 offenbart ein kapazitives Bauelement mit: einer ersten Elektrode; einer zweiten Elektrode; Schalttransistoren; einem dielektrischen Film, welcher in Sandwichbauart zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist; einem Substrat; und einer Verdrahtungsschicht, wobei beide Elektroden in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten geteilt sind und die Schalttransistoren elektrische Verbindungen zwischen den Abschnitten herstellen.
  • Schließlich ist aus der DE 102 07 147 A1 ein kapazitives Bauelement bekannt, bei welchem zwei Elektroden jeweils mit einem gemeinsamen Elektrodenabschnitt und einem Kammzahnelektrodenabschnitt nebeneinander auf derselben Ebene angeordnet sind, wobei die Kammzahnelektrodenab schnitte beider Elektroden mit einem vorbestimmten Abstand wechselweise angeordnet sind.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein aus der DE 197 58 345 A1 bekanntes kapazitives Bauelement derart zu verbessern, dass der für das Bauelement benötigte Raum minimiert wird.
  • Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 2.
  • Das kapazitive Bauelement enthält einen dielektrischen Film, eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode. Wenigstens eine der zwei Elektroden ist in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten geteilt. Jeder der Elektrodenabschnitte ist miteinander durch einen Schalttransistor verbunden.
  • In dem kapazitiven Bauelement können geeignete Elektrodenabschnitte, welche zu der Kapazität beitragen, aus allen Elektrodenabschnitten durch den Schalttransistor ausgewählt werden. Daher kann die Kapazität leicht und genau ohne einen Lasertrimmprozess eingestellt werden. Somit werden die Herstellungskosten verringert. Die elektrische Einstellung der Kapazität unter Verwendung des Schalttransistors kann nicht nur in dem Herstellungsprozess, sondern ebenfalls danach durchgeführt werden. Somit kann die elektrische Einstellung sogar dann durchgeführt werden, wenn das Bauelement als Produkt betrieben wird. Daher kann die Kapazität des kapazitiven Bauelements genau und geeignet eingestellt werden. Des Weiteren kann das Bauelement mit niedrigen Kosten und ohne durch den Lasertrimmprozess hervorgerufene Beschädigung hergestellt werden.
  • Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
  • 1A zeigt eine Draufsicht, welche ein kapazitives Bauelement einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, 1B zeigt eine Querschnittsansicht, welche das Bauelement entlang Linie IB-IB in
  • 1A darstellt, und 1C zeigt eine Querschnittsansicht, welche das Bauelement entlang Linie IC-IC in
  • 1A darstellt;
  • 2A und 2B zeigen Querschnittsansichten, welche die Änderungsrate der Kapazität zusammen mit einer Temperaturänderung bei der ersten Ausführungsform darstellen;
  • 3 zeigt eine Draufsicht, welche ein anderes kapazitives Bauelement einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; und
  • 4 zeigt eine Draufsicht, welche ein herkömmliches kapazitives Bauelement nach dem Stand der Technik darstellt.
  • Erste Ausführungsform
  • Ein kapazitives Bauelement 100 einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in 1A bis 1C dargestellt. Das auf einem Siliziumhalbleitersubstrat 10 gebildete Bauelement 100 besitzt aufgeschichtete bzw. aufgestapelte Elektroden. Das Bauelement 100 enthält eine dielektrische Schicht 50, die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 30. Die Schicht 50 ist in Sandwichbauart zwischen der ersten Elektrode 20 und der zweiten Elektrode 30 angeordnet. Die Schicht 50, die erste Elekt rode 20 und die zweite Elektrode 30 in 1A bis 1C werden durch einen herkömmlichen Halbleiterprozess gebildet, welcher einen Abscheidungs- bzw. Beschichtungsprozess und einen Strukturierungsprozess enthält. Der Strukturierungsprozess setzt sich zusammen aus einem Photolithographieprozess, einem Trockenätzprozess, einem Nassätzprozess und dergleichen.
  • Das Bauelement 100 wird geeignet als Feuchtigkeitssensor verwendet, dessen Kapazität sich entsprechend der Feuchtigkeit ändert. Die dielektrische Schicht 50 ist ein aufeinandergeschichteter Film eines Siliziumnitridfilms 12 und eines Polyimidfilms 4. Der Polyimidfilm 4, welcher ein feuchtigkeitsempfindlicher Film ist, wird gemeinsam für die dielektrische Schicht eines Feuchtigkeitssensors eines Kapazitätstyps verwendet. Die Dielektrizitätskonstante des Films 4 ändert sich deutlich mit der Feuchtigkeit. Wie später beschrieben, ist der Siliziumnitridfilm 12 ein Schutzfilm einer Metallschicht für eine Verdrahtungsschicht 60 auf dem Halbleitersubstrat 10. Die Dielektrizitätskonstante des Films 12 ändert sich etwas mit der Feuchtigkeit im Vergleich mit derjenigen des Polyimidfilms 4.
  • Die erste Elektrode 20 ist zusammen mit der Verdrahtungsschicht 60 auf dem Halbleitersubstrat 10 gebildet. Daher ist der Siliziumnitridfilm 12 auf der ersten Elektrode 20 gebildet. Ein Zwischenschichtisolierfilm 11 ist auf dem Halbleitersubstrat 10 angeordnet und aus einem Siliziumdioxidfilm hergestellt. Ein Verbindungsteil 3s ist auf der zweiten Elektrode 30 angeordnet und aus einer Metallpaste und dergleichen hergestellt.
  • Wie in 1A dargestellt, ist die erste Elektrode 20, welche als untere Schicht unter der zweiten Elektrode 30 gebildet ist, in eine Vielzahl von Elektrodenabschnit ten 2a-2e geteilt und vollständig mit den Filmen 4, 17 bedeckt. Die zweite Elektrode 30 ist eine einstückige Elektrode (one-piece electrode). Die zweite Elektrode 30 als obere Schicht ist beispielsweise aus einem porösen Metall derart hergestellt, dass die zweite Elektrode 30 eine Feuchtigkeitsdurchlässigkeit aufweist.
  • Jeder der geteilten Elektrodenabschnitte 2a-2e der ersten Elektrode 20 ist miteinander durch Schalttransistoren Tr1-Tr4 verbunden. Die Transistoren Tr1-Tr4 sind direkt unter dem zu bildenden Gebiet der ersten Elektrode auf dem Substrat 10 platziert. Im Vergleich mit dem Fall, bei welchem die Transistoren Tr1-Tr4 auf einem unterschiedlichen Gebiet zu dem zu bildenden Gebiet der ersten Elektrode platziert sind, können folglich sowohl die Verdrahtungsschicht 60 für eine Verbindung zwischen den geteilten Elektrodenabschnitten 2a-2e als auch die Transistoren Tr1-Tr4 verringert sein. Des Weiteren kann die Gesamtfläche verringert sein.
  • Wie 1C dargestellt, ist die erste Elektrode 20 in der Metallschicht dort gebildet, wo die Verdrahtungsschicht 60 für eine Verbindung mit den Transistoren Tr1-Tr4 angeordnet ist. Mit anderen Worten, die Verdrahtungsschicht 60 ist mit der ersten Elektrode 20 integriert bzw. vereinigt. Daher kann derselbe Prozess, welcher zur Bildung der Verdrahtungsschicht 60 verwendet wird, gleichzeitig die erste Elektrode 20 bereitstellen, ohne dass ein Extraprozess zur Bildung der ersten Elektrode 20 hinzugefügt wird. Somit können die Herstellungskosten des kapazitiven Bauelements 100 verringert werden. Der Siliziumnitridfilm 12 des Bauelements 100, welcher die Metallschicht auf dem Substrat 10 schützt, wird auf der ersten Elektrode 20 gebildet. Dies liegt daran, dass die erste Elektrode 20 durch denselben Prozess gebildet wird, welcher zur Bildung der Verdrahtungsschicht 60 verwendet wird.
  • In dem Bauelement 100 können geeignete Elektrodenabschnitte, welche zu der Kapazität beitragen, von den geteilten Elektrodenabschnitten durch Schalten der Transistoren Tr1-Tr4 ausgewählt werden.
  • Beispielsweise wird ein Teil der ersten Elektrode 20 in den Elektrodenabschnitt 2a mit einer großen Fläche geteilt, die eine Basis- bzw. Grundkapazität (basic capacitance) aufweist, und danach wird der Restabschnitt der ersten Elektrode 20 in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten 2b-2e geteilt. Die Abschnitte 2b-2e besitzen Kapazitäten, welche die Grundkapazität mit 2N multipliziert. Dabei ist N eine ganze Zahl. Insbesondere dann, wenn die Kapazität des Abschnitts 2a als CB definiert ist, können die Kapazitäten der anderen Abschnitte 2b-2e ausgedrückt werden durch 2N × CB.
  • Danach kann unter Bezugnahme auf die Kapazität des Elektrodenabschnitts 2a eine genaue Einstellung der Kapazität durch Wählen einer geeigneten Kombination der Elektrodenabschnitte aus den Abschnitten 2a-2e durch Verwendung der Transistoren Tr1-Tr4 durchgeführt werden.
  • Das Bauelement 100 ist ein aufgeschichtetes kapazitives Bauelement mit einer großen Kapazität, obwohl die Abmessungen des Bauelements klein sind. Daher ermöglicht eine Kombination des Teilens der Elektroden und des Schaltens der Transistoren eine genaue Einstellung der Kapazität des kapazitiven Bauelements über einen breiten Kapazitätsbereich. Das kapazitive Bauelement, welches ein Feuchtigkeitssensor ist, besitzt unter Verwendung eines Polyimidfilms als dielektrischem Film den Vorteil einer großen Änderung der Dielektrizitätskonstante. Jedoch wird die Kapazitätsabweichung in jedem Bauelement größer, wenn das kapazitive Bauelement mit einer kleinen Kapazität hergestellt wird. Das Bauelement 100, welches die elektrische Einstellung der Kapazität durch Schalten der Transistoren Tr1-Tr4 ermöglicht, ermöglicht das Festlegen einer genauen Kapazität in der Herstellungsstufe. Somit ist das Bauelement 100 für einen Feuchtigkeitssensor mit einem Polyimidfilm als dielektrischem Film geeignet.
  • Die Schalttransistoren Tr1-Tr4 werden mittels eines nicht flüchtigen Speichers wie einem EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) gesteuert. Dies liegt beispielsweise daran, dass dann, wenn die Einstellungsdaten des Festlegens der Kapazität in dem Herstellungsschritt in einem nicht flüchtigen Speicher gespeichert ist, ein elektrisches Einstellverfahren anstatt eines herkömmlichen Lasertrimmverfahrens angewandt werden kann. Ohne Verwendung des herkömmlichen Lasertrimmverfahrens, welches eine Beschädigung eines Bauelements hervorruft, ermöglicht das Bauelement 100 eine einfache und genaue Einstellung der Kapazität ohne Beschädigung.
  • Die obige elektrische Einstellung unter Verwendung der Schalttransistoren Tr1-Tr4 kann nicht nur in dem Herstellungsprozess, sondern ebenfalls nach dem Herstellungsprozess durchgeführt werden. Somit kann die elektrische Einstellung sogar dann durchgeführt werden, wenn das Bauelement als Produkt betriebsbereit ist.
  • 2A und 2B stellen eine Beziehung zwischen einer Kapazitätsänderung und einer Temperatur in dem kapazitiven Bauelement dar. Da in dem Bauelement 100 mit einem aufgeschichteten Film, welcher sich aus dem Siliziumnitridfilm 12 und dem Polyimidfilm 4 zusammensetzt, die Dicke d1 des Siliziumfilms 12 nicht wesentlich verändert wird, ist die Änderung der Kapazität mit einer Änderung der von dem Film 12 abgeleiteten Temperatur unbedeutend. Wenn jedoch die Filmdicke reduziert wird, ist der thermische Ausdehnungskoeffizient des Polyimidfilms 4 nicht geringfügig. Wenn, wie beispielsweise in 2A und 2B dargestellt, die Temperatur von 5°C auf 55°C ansteigt, verringert sich die Kapazität des Bauelements 100 entsprechend der Dickenzunahme bzw. des Dickeninkrements Δd des Polyimidfilms 4 entsprechend der folgenden Gleichung:
    Figure 00090001
    wobei C die Kapazität des Polyimidfilms 4, ε die Dielektrizitätskonstante des Films 4, S den Oberflächenbereich bzw. die Oberfläche des Films 4, d2 die Dicke des Films 4 bei 5°C und Δd die Dickenzunahme des Films 4 darstellen, wenn die Temperatur von 5°C auf 55°C ansteigt.
  • Die Änderung der Kapazität mit der Änderung der Temperatur kann in Realzeit durch Steuern der Transistoren Tr1-Tr4 mit der Überwachungstemperatur um das Bauelement 100 herum korrigiert werden. In diesem Fall kann ein elektrisch löschbarer nicht flüchtiger Speicher zur Steuerung der Transistoren Tr1-Tr4 verwendet werden.
  • Daher kann das Bauelement 100 das kapazitive Bauelement sein, welches eine genaue und wiederholte Einstellung der Kapazität ermöglicht. Des Weiteren wird das Bauelement ohne Beschädigung und mit geringen Kosten hergestellt.
  • Zweite Ausführungsform
  • Ein kapazitives Bauelement 110 einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in 3 dargestellt.
  • Das Bauelement 110 ist ein kapazitives Bauelement mit einem Paar von Kammzahnelektroden (comb-teeth electrodes) und enthält die erste Kammzahnelektrode 21 und die zweite Kammzahnelektrode 31. Die zwei Elektroden sind mit dem Polyimidfilm 4 bedeckt. Jede der zwei Elektroden enthält einen gemeinsamen Elektrodenabschnitt und viele Kammzahnelektrodenabschnitte, welche sich von dem gemeinsamen Elektrodenabschnitt aus in eine Richtung erstrecken. Die zwei Elektroden werden derart angeordnet, dass sie voneinander in einem vorbestimmten Abstand auf derselben Ebene beabstandet sind. Also werden die zwei Elektroden derart angeordnet, dass die Kammzahnelektrodenabschnitte der Elektrode 21 und die Kammzahnelektrodenabschnitte der Elektrode 31 wechselweise mit dem vorbestimmten Abstand angeordnet sind.
  • Die Elektrode 21 und die Elektrode 31 des Bauelements 110 sind in viele Abschnitte geteilt, welche miteinander durch die Schalttransistoren Tr5-Tr8 verbunden sind. Die Transistoren Tr5-Tr8 sind direkt unter der Elektrode 21 und der Elektrode 31 auf dem Halbleitersubstrat angeordnet. Im Vergleich mit dem Fall, bei welchem die Transistoren Tr5-Tr8 auf einem unterschiedlichen Gebiet zu der Elektrode 21 und der Elektrode 31 angeordnet sind, kann die Verdrahtungsschicht 60 für eine Verbindung zwischen den geteilten Elektrodenabschnitten und den Transistoren Tr5-Tr8 verkürzt sein.
  • Bei der in 3 dargestellten Kapazität 110 werden die gemeinsamen Elektrodenabschnitte der Elektrode 21 und der Elektrode 31 jeweils derart geteilt, dass die Kapazität über einen breiten Kapazitätsbereich durch Schalten der Transistoren Tr5-Tr8 eingestellt werden kann. Des Weiteren können die Kammzahnelektrodenabschnitte der Elektrode 21 und der Elektrode 31 derart geteilt werden, dass die Kapazität durch Schalten der Transistoren Tr5-Tr8 fein eingestellt werden kann. Bei dem kapazitiven Bauelement mit den Kammzahnelektroden werden ähnlich wie bei dem kapazitiven Bauelement, welches aufeinandergeschichtete Elektroden aufweist, sind die Elektrode 21 und die Elektrode 31 in viele Elektrodenabschnitte geteilt. Ein geteilter Abschnitt besitzt eine Grund- bzw. Basiskapazität, und die anderen Abschnitte besitzen Kapazitäten, bei denen die Basiskapazität mit 2N multipliziert ist. N stellt eine ganze Zahl dar. Daher kann unter Bezugnahme auf die Grundkapazität eine genaue Einstellung der Kapazität unter Wahl einer geeigneten Kombination der Elektrodenabschnitte unter Verwendung der Transistoren Tr5-Tr8 durchgeführt werden.
  • Das kapazitive Bauelement 110 wird geeignet als Feuchtigkeitssensor verwendet und besitzt einen Polyimidfilm 4 als dielektrischen Film. Die Elektrode 21 und die Elektrode 31 sind in derselben Metallschicht dort gebildet, wo die Verdrahtungsschicht 60 angeordnet ist. Mit anderen Worten, die Verdrahtungsschicht 60 ist mit den zwei Elektroden integriert bzw. vereinigt. Daher bildet derselbe Prozess, welcher zur Bildung der Verdrahtungsschicht 60 verwendet wird, die zwei Elektroden gleichzeitig, ohne dass ein Extraprozess zur Bildung der zwei Elektroden hinzugefügt wird. Somit können die Herstellungskosten des Bauelements 110 verringert werden. Die Elektrode 21 und die Elektrode 31 sind mit dem Polyimidfilm 4 durch den Siliziumnitridfilm 12 bedeckt. Der Siliziumnitridfilm 12 ist ein Schutzfilm zum Schutze der Verdrahtungsschicht 60.
  • Obwohl das Bauelement mit den Kammzahnelektroden eine geringere Kapazität als das Bauelement 100 mit den aufgeschichteten Elektroden besitzt, kann das Bauelement 110 mit geringeren Kosten als das Bauelement mit den aufge schichteten Elektroden hergestellt werden. Das liegt daran, dass die Elektrode 21 und die Elektrode 31 zu einer Zeit gebildet werden können und das Bauelement 110 keine zweite Elektrode 30 besitzt, welche eine bestimmte Aufbringungseinrichtung zur Bildung erfordert. Also ermöglicht das Bauelement 110 mit den Kammzahnelektroden, welches eine elektrische Einstellung der Kapazität durch Schalten der Transistoren Tr5-Tr8 ermöglicht, wiederholt ein genaues und feines Festlegen der Kapazität sogar dann, wenn das kapazitive Bauelement eine geringe Kapazität aufweist.
  • Daher kann das Bauelement 110 das kapazitive Bauelement sein, welches eine genaue und wiederholte Einstellung der Kapazität ermöglicht. Des Weiteren wird das Bauelement ohne Beschädigung und mit geringen Kosten hergestellt.
  • Modifizierungen
  • Obwohl das Bauelement 100 und 110 einen aufgeschichteten Film des Siliziumnitridfilms 12 und des Polyimidfilms 4 als dielektrische Schicht verwendet, kann ein einfach geschichteter oder vielfach geschichteter dielektrischer Film in dem Bauelement verwendet werden.
  • Die dielektrische Schicht 50 und die Elektroden 20, 21, 30, 31 der Bauelemente 100, 110 werden durch den Herstellungsprozess gebildet, welcher einen Abscheide- bzw. Beschichtungsprozess und einen Strukturierungsprozess beinhaltet. Der Strukturierungsprozess setzt sich zusammen aus einem Photolithographieprozess, einem Trockenätzprozess und einem Nassätzprozess. Bei dem kapazitiven Bauelement können des Weiteren die dielektrische Schicht 50, die Elektroden 20, 21, 30, 31 durch einen Siebdruckprozess (screen-printing process) gebildet werden. Des Weiteren können die dielektrische Schicht 50, die Elektroden 20, 21, 30, 31 auf einem gegebenen Substrat mit Ausnahme eines Halbleitersubstrats gebildet werden, und danach können die auf einem anderen Substrat gebildeten Transistoren mit den Elektroden verbunden werden.
  • Die Bauelemente 100 und 110 können geeignet als Feuchtigkeitssensor verwendet werden. Das Vermögen eines genauen Festlegens der Kapazität ist für einen Feuchtigkeitssensor wichtig. Dies liegt daran, dass ein Feuchtigkeitssensor eine Änderung des Kapazitätswerts mit einer Änderung der Feuchtigkeit misst. Folglich ist das kapazitive Bauelement, welches wiederholt ein genaues Festlegen der Kapazität ermöglicht, als Feuchtigkeitssensor geeignet. Des Weiteren kann das kapazitive Bauelement für irgendeine Anwendung über diejenigen der obigen Ausführungsformen hinaus verwendet werden.
  • Derartige Änderungen und Modifizierungen werden im Rahmen der vorliegenden Erfindung befindlich angesehen, welche durch die beigefügten Ansprüche definiert ist.
  • Vorstehend wurde ein Bauelement mit variabler Kapazität offenbart, welches eine hohe Genauigkeit aufweist. Das kapazitive Bauelement enthält einen dielektrischen Film (4, 12), die erste Elektrode (20, 30) und die zweite Elektrode (21, 31). Eine der zwei Elektroden ist in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten (2a-2e) geteilt. Jede der geteilten Elektrodenabschnitte (2a-2e) ist miteinander durch Schalttransistoren (Tr1-Tr4) derart verbunden, dass geeignete Abschnitte, welche zu der Kapazität beitragen, gewählt werden können. Das Bauelement (100, 110) kann seine Kapazität mit hoher Genauigkeit verändern bzw. variieren.

Claims (10)

  1. Kapazitives Bauelement mit: einer ersten Elektrode (20, 21); einer zweiten Elektrode (30, 31); einem Schalttransistor (Tr1-Tr8); einem dielektrischen Film (4, 12), welcher in Sandwichbauart zwischen der ersten Elektrode (20) und der zweiten Elektrode (30) angeordnet ist; einem Substrat (10); und einer Verdrahtungsschicht (60), wobei eine der zwei Elektroden (20, 21, 30, 31) in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten (2a-2e) geteilt ist und der Schalttransistor (Tr1-Tr8) elektrische Verbindungen zwischen den Abschnitten (2a-2e) herstellt, die erste Elektrode (20) in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten (2a-2e) geteilt ist, die zweite Elektrode (30) einstückig ausgebildet ist, die erste Elektrode (20), der dielektrische Film (4, 12) und die zweite Elektrode (30) auf dem Substrat (10) in dieser Reihenfolge angeordnet sind, der Schalttransistor (Tr1-Tr4) direkt unter der ersten Elektrode (20) angeordnet ist, und die Verdrahtungsschicht (60) für eine Verbindung zwischen der ersten Elektrode (20) und dem Transistor (Tr1-Tr4) mit der ersten Elektrode (20) integriert ausgebildet ist.
  2. Kapazitives Bauelement mit: einer ersten Elektrode (20, 21); einer zweiten Elektrode (30, 31); einem Schalttransistor (Tr1-Tr8); einem dielektrischen Film (4, 12), welcher die erste Elektrode (21) und die zweite Elektrode (31) bedeckt; einem Substrat (10); und einer Verdrahtungsschicht (60), wobei eine der zwei Elektroden (20, 21, 30, 31) in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten (2a-2e) geteilt ist und der Schalttransistor (Tr1-Tr8) elektrische Verbindungen zwischen den Abschnitten (2a-2e) herstellt, die erste Elektrode (21) und die zweite Elektrode (31) in einem vorbestimmten Abstand auf derselben Ebene voneinander beabstandet angeordnet sind, sowohl die erste Elektrode (21) als auch die zweite Elektrode (31) einen gemeinsamen Elektrodenabschnitt und einen Kammzahnelektrodenabschnitt enthält, welcher sich von dem gemeinsamen Elektrodenabschnitt aus in eine Richtung erstreckt, die Kammzahnelektrodenabschnitte der ersten Elektrode (21) und der zweiten Elektrode (31) mit dem vorbestimmten Abstand wechselweise angeordnet sind, die erste Elektrode (21), der dielektrische Film (4, 10) und die zweite Elektrode (31) auf dem Substrat (10) in dieser Reihenfolge angeordnet sind, der Transistor (Tr5-Tr8) direkt unter den zwei Elektroden (21, 31) angeordnet ist, und die Verdrahtungsschicht (60) für eine Verbindung zwischen den zwei Elektroden (21, 31) und dem Transistor (Tr5-Tr8) mit den zwei Elektroden (21, 31) integriert ausgebildet ist.
  3. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der gemeinsame Elektrodenabschnitt in jeder Elektrode (21, 31) elektrisch in eine Vielzahl von Abschnitten durch den Transistor (Tr5-Tr8) geteilt ist.
  4. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Kammzahnelektrodenabschnitt in jeder Elektrode (21, 31) elektrisch in eine Vielzahl von Abschnitten durch den Transistor (Tr5-Tr8) geteilt ist.
  5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass entweder die erste Elektrode (20, 21) oder die zweite Elektrode (30, 31) in eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten (2a-2e) geteilt ist, die Abschnitte einen Grundabschnitt (2a) enthalten, welcher eine als CB definierte Grundkapazität aufweist, die Abschnitte des weiteren Abschnitte (2b-2e) enthalten, die Kapazitäten aufweisen, welche als 2N × CB definiert sind, und N eine ganze Zahl darstellt.
  6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch: einen nicht flüchtigen Speicher, welcher den Schalttransistor (Tr1-Tr8) steuert.
  7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Schalttransistor (Tr1-Tr8) von einer Überwachungstemperatur um das Bauelement herum gesteuert wird.
  8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement (100, 110) ein Feuchtigkeitssensor ist.
  9. Bauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrische Film (4, 12) ein Polyimidfilm ist.
  10. Bauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrische Film (4, 12) ein aus ei nem Siliziumnitridfilm (12) und einem Polyimidfilm (4) aufgeschichteter Film ist.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4498836B2 (ja) * 2004-06-23 2010-07-07 株式会社デンソー 容量素子
DE102006030560A1 (de) 2006-07-03 2008-01-10 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Unterstützung eines Einparkvorgangs eines Fahrzeugs
JP4871164B2 (ja) 2007-02-21 2012-02-08 富士通株式会社 半導体集積回路
JP7176676B2 (ja) * 2018-11-16 2022-11-22 ミネベアミツミ株式会社 検出装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3148968A1 (de) * 1980-12-10 1982-07-01 Clarion Co., Ltd., Tokyo Kondensator mit veraenderbarer kapazitaet
FR2687834A1 (fr) * 1992-02-24 1993-08-27 Coreci Condensateur plan ajustable.
DE19758345A1 (de) * 1997-12-22 1999-06-24 Inst Halbleiterphysik Gmbh Digital abstimmbare, elektronische Kapazität
DE10207147A1 (de) * 2001-02-20 2002-08-29 Denso Corp Kapazitiver Feuchtigkeitssensor und dessen Herstellungsverfahren
JP2006012990A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Denso Corp 容量素子

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164351A (ja) 1986-12-26 1988-07-07 Nec Corp 半導体集積回路
JPH01110764A (ja) 1987-10-23 1989-04-27 Sony Corp 半導体メモリ装置
JPH10190160A (ja) 1996-12-24 1998-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 厚膜回路基板
US6013958A (en) 1998-07-23 2000-01-11 Lucent Technologies Inc. Integrated circuit with variable capacitor
US6077738A (en) * 1999-06-25 2000-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Inter-level dielectric planarization approach for a DRAM crown capacitor process
US6535075B2 (en) 1999-12-16 2003-03-18 International Business Machines Corporation Tunable on-chip capacity
US6528366B1 (en) * 2001-03-01 2003-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Fabrication methods of vertical metal-insulator-metal (MIM) capacitor for advanced embedded DRAM applications
US6580600B2 (en) 2001-02-20 2003-06-17 Nippon Soken, Inc. Capacitance type humidity sensor and manufacturing method of the same
JP2002368198A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Sanyo Electric Co Ltd 強誘電体メモリおよびその製造方法
JP2003004683A (ja) * 2001-06-15 2003-01-08 Denso Corp 容量式湿度センサ
JP4161573B2 (ja) * 2001-06-29 2008-10-08 株式会社豊田自動織機 駐車支援装置
JP4501320B2 (ja) 2001-07-16 2010-07-14 株式会社デンソー 容量式湿度センサ
JP4759878B2 (ja) * 2001-08-10 2011-08-31 日産自動車株式会社 車両用駐車支援装置
JP2003156464A (ja) * 2001-11-19 2003-05-30 Denso Corp 容量式湿度センサ
JP4014432B2 (ja) * 2002-03-28 2007-11-28 ユーディナデバイス株式会社 インタディジタルキャパシタ及びその容量調整方法
US6689643B2 (en) * 2002-04-25 2004-02-10 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Adjustable 3D capacitor
EP1738378A4 (de) * 2004-03-18 2010-05-05 Nanosys Inc Auf nanofaseroberflächen basierende kondensatoren

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3148968A1 (de) * 1980-12-10 1982-07-01 Clarion Co., Ltd., Tokyo Kondensator mit veraenderbarer kapazitaet
FR2687834A1 (fr) * 1992-02-24 1993-08-27 Coreci Condensateur plan ajustable.
DE19758345A1 (de) * 1997-12-22 1999-06-24 Inst Halbleiterphysik Gmbh Digital abstimmbare, elektronische Kapazität
DE10207147A1 (de) * 2001-02-20 2002-08-29 Denso Corp Kapazitiver Feuchtigkeitssensor und dessen Herstellungsverfahren
JP2006012990A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Denso Corp 容量素子

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Publication number Publication date
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FR2872334A1 (fr) 2005-12-30
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FR2872334B1 (fr) 2008-06-13
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