DE19646976A1 - Teil für eine Herstellungsvorrichtung für Halbleiter - Google Patents

Teil für eine Herstellungsvorrichtung für Halbleiter

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Toshihisa Katamime
Yoshinobu Ono
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Description

Die Erfindung betrifft ein Teil für eine Herstellungs­ vorrichtung für einen Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V und eine Herstellungsvorrichtung, die dieses verwendet.
Als Material für lichtemittierende Vorrichtungen bzw. Bauelemente, z. B. für eine lichtemittierende Diode (nachste­ hend mitunter als "LED" bezeichnet) im ultravioletten, blauen oder grünen Farbbereich oder für eine Laserdiode im ultrovio­ letten, blauen oder grünen Farbbereich, ist bisher ein Verbin­ dungshalbleiter der Gruppe III-V, der durch die allgemeine Formel InxGayAlzN (wobei gilt: x + y + z = 1, 0 x 1, 0 y 1, und 0 z 1) dargestellt wird, bekannt.
Beispiele für das Verfahren zur Herstellung des Verbin­ dungshalbleiters der Gruppe III-V sind u. a. folgende Verfah­ ren: Molekularstrahlepitaxie (nachstehend mitunter als "MBE" bezeichnet), organometallische Dampfphasenepitaxie (nachste­ hend mitunter als "MOVPE" bezeichnet), Hybriddampfphasenepita­ xie (nachstehend mitunter als "HVPE" bezeichnet) und dgl. Von diesen wird das MOVPE-Verfahren besonders bevorzugt, weil im Vergleich zum MBE- und zum HVPE-Verfahren im allgemeinen eine gleichmäßige Ausbildung von Schichten auf einer großen Fläche durchgeführt werden kann.
Beim Dampfphasenbeschichtungsverfahren für Verbindungs­ halbleiter wird ein Teil einer Herstellungsvorrichtung einer Atmosphäre aus Rohgasen (z. B. Wasserstoff, organometallische Verbindungen, Ammoniakgas usw.) ausgesetzt, die bei hoher Tem­ peratur eine große Reaktionsfähigkeit haben. Deshalb muß das Teil für die Herstellungsvorrichtung aus einem Material beste­ hen, das eine hohe Beständigkeit gegen diese Rohgase hat und wenig Verunreinigungen emittiert, um einen hochreinen Halblei­ ter ziehen zu können.
Graphit wird häufig als Teil für eine Herstellungsvor­ richtung für Halbleiter verwendet, die keine Verbindungshalb­ leiter sind, und zwar wegen seiner Merkmale, z. B. Stabilität bei hoher Temperatur, leichte Erwärmung aufgrund seiner hohen Absorptionseffizienz in bezug auf hochfrequente elektromagne­ tische Wellen oder Infrarotstrahlen oder durch Stromwärme auf­ grund des Stromflusses durch das Graphit selbst, wobei wenig Verunreinigungen und dgl. emittiert werden. Es ist jedoch be­ kannt, daß Graphit besonders bei einer hohen Temperatur eine hohe Reaktionsfähigkeit gegenüber Ammoniak hat und sich dra­ stisch verschlechtert, wenn es einer Hochtemperatur-Ammoniak­ atmosphäre ausgesetzt wird. Deshalb wird im allgemeinen so Verfahren, daß Graphit verwendet wird, nachdem die Graphit­ oberfläche mit einem chemisch stabilen Material (z. B. SiC usw.) mit einer Dicke von etwa 100 µm beschichtet worden ist.
Es bestand jedoch ein Problem, nämlich daß das aufge­ brachte Material, z. B. SiC, allmählich Risse bekommt oder daß Nadellöcher entstehen, wenn es für eine lange Zeit einer Hoch­ temperatur-Atmosphäre (nicht unter 1000°C) ausgesetzt wird oder folgender Zyklus wiederholt wird: Aufheizen auf eine Tem­ peratur von nicht unter 1000°C und Abkühlen auf Raumtempera­ tur, auch wenn mit SiC beschichtetes Graphit als Material für das Teil verwendet wird. Es bestand also ein Problem, nämlich daß das aufgebrachte SiC für den gleitfähigen Bereich des Teils nicht verwendet werden kann, da seine Oberfläche nicht glatt ist.
Andererseits hat ein mit SiC-gesintertes Teil eine hohe Be­ ständigkeit gegenüber Ammoniak, war jedoch mit einem Problem behaftet, nämlich daß es nicht ohne weiteres zu einer kompli­ zierten Form ausgebildet werden kann, da SiC ein außergewöhn­ lich hartes Material ist.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Teil für eine Herstellungsvorrichtung eines Verbindungshalbleiters der Grup­ pe III-V bereitzustellen, das höchste chemische und mechani­ sche Stabilität aufweist, so daß eine hochproduktive Herstel­ lungsvorrichtung bereitgestellt wird, die für den Verbindungs­ halbleiter geeignet ist.
Unter diesen Umständen haben die Erfinder der vorlie­ genden Anmeldung das Teil intensiv untersucht. Im Ergebnis ist festgestellt worden, daß ein Teil für eine hochproduktive Her­ stellungsvorrichtung für einen Verbindungshalbleiter der Grup­ pe III-V hergestellt werden kann unter Verwendung von SiC, das hergestellt wird, indem ein Graphitgrundmaterial spezifisch behandelt wird, oder eines Graphit-SiC-Verbundmaterials, wobei mindestens ein Oberflächenschichtteil des Graphitgrundmateri­ als als das Material in SiC umgewandelt wird. Somit wurde die vorliegende Erfindung erreicht.
Das heißt, die Erfindung betrifft folgendes:
  • (1) in einem Teil für eine Herstellungsvorrichtung für einen Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V, der durch die allgemeine Formel InxGayAlzN (wobei gilt: x + y + z = 1, 0 x 1, 0 y 1, 0 z 1) dargestellt wird, weist die Verbesserung die Verwendung von SiC auf, wobei ein Graphitgrundmaterial in SiC umgewandelt wird.
  • (2) in einem Teil für eine Herstellungsvorrichtung für einen Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V, der durch die allgemeine Formel InxGayAlzN (wobei gilt: x + y + z = 1, 0 x 1, 0 y 1 und 0 z 1) dargestellt wird, weist die Verbesse­ rung die Verwendung eines Graphit-SiC-Verbundmaterials auf, wo­ bei mindestens ein Oberflächenschichtteil eines Graphitgrund­ materials in SiC umgewandelt wird.
  • (3) das Teil für die Herstellungsvorrichtung des Ver­ bindungshalbleiter der Gruppe III-V gemäß (1) oder (2), wobei eine Oberflächenrauhigkeit eines Kontaktteils zwischen dem Teil für die Herstellungsvorrichtung des Verbindungshalblei­ ters der Gruppe III-V gemäß (1) oder (2) und dem anderen Teil nicht mehr als 20 µm beträgt.
  • (4) das Teil für die Herstellungsvorrichtung eines Ver­ bindungshalbleiters der Gruppe III-V gemäß (2), wobei die Dic­ ke der Schicht, die in SiC umgewandelt wird, mindestens 500 µm von der Oberfläche beträgt.
  • (5) eine Herstellungsvorrichtung eines Verbindungshalb­ leiters der Gruppe III-V, die gekennzeichnet ist dadurch, daß ein Teil für eine Herstellungsvorrichtung eines Verbindungs­ halbleiters der Gruppe III-V gemäß (1), (2), (3) oder (4) ver­ wendet wird.
Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung, die einen Re­ aktor zeigt, der in einem Vergleichsbeispiel 1 und in einem Beispiel 1 verwendet wird.
Das Teil für die Herstellungsvorrichtung des Verbin­ dungshalbleiters der Gruppe III-V gemäß der Erfindung ist aus SiC, das hergestellt wird, indem ein Graphitgrundmaterial in SiC umgewandelt wird, oder aus einem Graphit-SiC-Komplex, wo­ bei mindestens ein Oberflächenschichtteil des Graphitgrundma­ terials in SiC umgewandelt wird. Graphit hat eine gute Verar­ beitbarkeit und kann mit hoher Genauigkeit verarbeitet werden, und daher kann ein erfindungsgemäßes Teil, das eine kompli­ zierte Form aufweist, hergestellt werden, indem vorher eine Graphitgrundmasse zu einer geeigneten Form geformt wird.
Die SiC-Schicht löst sich im Vergleich zu dem Fall, wo die Oberfläche mit SiC beschichtet ist, nicht leicht ab, und eine Verarbeitung, z. B. Polieren und dgl., kann durchgeführt werden. Insbesondere wenn eine Beschichtung mit SiC erfolgt, treten Risse auf, oder SiC löst sich ab, wenn ein Aufheiz- und Abkühlzyklus wiederholt wird. Dadurch tritt Prozeßgas in den Riß und bewirkt dabei eine Qualitätsminderung, z. B. Erosion des Grundmaterial und dgl. Das erfindungsgemäße Teil verur­ sacht kaum ein solches Problem, und zwar durch Umwandlung in SiC.
Als Verfahren zur Umwandlung von Graphit in SiC können bekannte Techniken verwendet werden. Insbesondere ist ein Ver­ fahren bekannt, bei dem ein Graphitsubstrat mit einem SiO-Gas reagiert, um sich in SiC umzuwandeln (was als CVR-Verfahren bekannt ist, japanisches Patent Kokoku Nr. 61-11 911, japani­ sches Patent Kokai (offengelegt) Nr. 59-3 048), ein Verfahren, bei dem ein Graphitsubstrat mit geschmolzenem Si imprägniert wird, um sich in SiC umzuwandeln (japanisches Patent Kokai (offengelegt) Nr. 1-242 408), ein Verfahren, bei dem die Ober­ fläche eines Graphitgrundmaterials mit Si beschichtet wird und das aufgebrachte Si dann bei einer Hochtemperaturbehandlung mit Graphit reagiert (japanisches Patent Kokai (offengelegt) Nr. 1-249 679), ein Verfahren, bei dem zunächst ein Gra­ phitsubstrat mit SiO reagiert, um sich in SiC umzuwandeln und dann mit geschmolzenem Si imprägniert wird, um sich in SiC um­ zuwandeln (japanisches Patent Kokai (offengelegt) Nr. 6-219 835) und dgl.
Da alle Materialien, die in diesen Verfahren herge­ stellt werden, ausgezeichnete chemische und mechanische Stabi­ lität haben, können sie zweckmäßig als das Material für das erfindungsgemäße Teil verwendet werden. In dem Verfahren, bei dem Graphit mit geschmolzenem Si imprägniert wird, ist jedoch mitunter die Qualität der in SiC umgewandelten Oberfläche schlecht, und Graphit liegt in einem mikroskopischen Ausmaß frei. In dem Verfahren, bei dem Graphit mit SiO-Gas reagiert, ist es schwierig, die Umwandlung in SiC im Inneren des Grund­ materials durchzuführen. Wenn durch eine mechanische Erschüt­ terung Risse auftreten, liegt Graphit im Inneren mitunter frei. In diesem Zusammenhang kann das Graphitteil im Inneren gleichmäßig in SiC umgewandelt werden, und zwar mit dem Ver­ fahren, bei dem ein Graphitgrundmaterial zunächst mit SiO rea­ giert, um in SiC umgewandelt zu werden, und dann mit geschmol­ zenem Si imprägniert wird, um sich in SiC umzuwandeln, und da­ her kann dieses Verfahren zweckmäßig verwendet werden.
Eine Dicke der in SiC umgewandelten Schicht beträgt Vorzugsweise mindestens 55 µm von der Oberfläche des Graphit­ grundmaterials. Eine günstigere Dicke der in SiC umgewandelten Schicht beträgt nicht unter 800 µm, bevorzugt nicht unter 1000 µm. Wenn die Dicke der in SiC umgewandelten Schicht kleiner ist als 500 µm, ist die Haftung zwischen der in SiC umgewandelten Schicht und dem Graphitgrundmaterial nicht ausreichend, und die mechanische Festigkeit ist mitunter nicht ausreichend. In diesem Zusammenhang kann das Graphitteil im Inneren gleichmäßig in SiC umgewandelt werden, und zwar mit dem Verfahren, bei dem das Material imprägniert wird, wobei Graphit oder der Graphit-Oberflächenschichtteil mit geschmol­ zenem Si in SiC umgewandelt wird, und daher ist es besonders bevorzugt.
Ein spezifisches Graphit-SiC-Verbundmaterial, bei dem mindestens ein Oberflächenschichtteil aus Graphitgrundmaterial in SiC umgewandelt wird, beinhaltet u. a. SOLSIX, SOLSIX-N, SOLSIX-G, SOLSIX-GA und dgl. (Handelsname, hergestellt von Toyo Carbon Co. Ltd.). Von diesen ist SOLSIX (Handelsname) ein Material, bei dem der Oberflächenschichtteil aus Graphit mit einem CVR-Verfahren im Inneren in SiC umgewandelt wird, und wird ferner durch Imprägnierung mit geschmolzenem Si im Inneren in SiC um­ gewandelt wird, und es kann zweckmäßig als das Material für das erfindungsgemäße Teil verwendet werden.
Wenn das erfindungsgemäße Teil als das gleitfähige Teil eines Getriebes, Lagers oder dgl. oder als Kugeln oder Kugel­ lager verwendet wird, d. h. wenn ein Kontaktteil zwischen dem Teil und dem anderen vorhanden ist, wird das Kontaktteil vor­ zugsweise nach einer Oberflächenpolierung verwendet. Die Ober­ flächenrauhigkeit (durchschnittliche Unebenheit) beträgt vor­ zugsweise nicht über 20 µm, bevorzugt nicht über 10 µm, mit größter Bevorzugung nicht über 8 µm. Wenn die Oberflächenrauhigkeit des Kontaktteils größer ist als 20 µm, ist die Reibung des Kontaktteils zu groß, und das Teil wird mitunter beschädigt, und das wird nicht bevorzugt.
Das erfindungsgemäße Teil kann auch in einer Atmosphä­ re, die auf etwa 1600°C aufgeheizt ist, stabil sein.
Die erfindungsgemäße Herstellungsvorrichtung für den Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V ist dadurch gekenn­ zeichnet, daß das erfindungsgemäße Teil verwendet wird. Insbe­ sondere wird es zweckmäßig verwendet für eine Haltevorrich­ tung, die als "Aufnehmer" bezeichnet wird.
Bei der Herstellung des Halbleiters mit hoher Produkti­ vität ist eine Dampfphasenverfahrenstechnik erforderlich, die in der Lage ist, mehrere Wafer bzw. Scheiben gleichzeitig zu behandeln und eine hohe Gleichmäßigkeit des Halbleiters innerhalb eine s Wafers und zwischen Wafern zu erreichen. Zu diesem Zweck wird die Scheibe im allgemeinen auf der Haltevorrichtung ange­ ordnet, die als der Aufnehmer bezeichnet wird, und die Scheibe führt aufgrund eines Vorgangs des Aufnehmers eine Dreh- oder Dreh/Umlaufbewegung durch. Die Dreh- oder Dreh/Umlaufbewegung wird so durchgeführt, daß die gute Gleichmäßigkeit der Einwir­ kung eines Prozeßgases auf die Scheibe innerhalb einer Scheibe und zwischen Scheiben erreicht wird. Der Begriff "Drehung" be­ deutet, daß der Wafer sich um seine Achse dreht, der Begriff "Umlauf" bedeutet, daß der Aufnehmer, auf dem mehrere Substra­ te angeordnet sind, um seine Achse umläuft, und der Begriff "Drehung/Umlauf" bedeutet, daß die Drehung des Wafers und das Umlaufen des Aufnehmers gleichzeitig erfolgen.
Es muß ein Mechanismus (z. B. ein Getriebe usw.) zum Übertragen der Umlaufbewegung des Aufnehmers angeordnet wer­ den, um die Dreh- oder Dreh/Umlaufbewegung durchzuführen. Wenn der Aufnehmer unter Verwendung des erfindungsgemäßen Teils hergestellt wird, kann die Dreh- oder Dreh/Umlaufbewegung da­ durch glatt durchgeführt werden, daß das Gleitteil poliert worden ist, so daß die Oberflächenrauhigkeit so eingestellt ist, daß sie innerhalb des oben genannten Bereichs liegt.
Die Gleiteigenschaften können ferner dadurch verbessert werden, daß im Gleitteil Mechanismen angeordnet werden, z. B. Kugellager, Rollenlager und dgl. In diesem Fall bestehen Ku­ geln und Rollen des Lagers vorzugsweise aus dem erfindungsge­ mäßen Teil.
Was die Form des Dreh/Umlaufaufnehmers betrifft, der für die erfindungsgemäße Herstellungsvorrichtung für einen Halbleiter verwendet werden kann, so können solche verwendet werden, die für ein normales Dampfphasenverfahren bekannt sind. Spezifische Beispiele sind u. a. solche, die hergestellt werden, indem mehrere Substrate auf der Ebene angeordnet wer­ den, solche, die hergestellt werden, indem ein Substrat auf der Seite einer gleichseitigen Vieleckpyramide (im allgemeinen als "tonnenartig" bezeichnet) angeordnet wird, und dgl. Ein Unterschied zwischen den oben genannten beiden Arten von Auf­ nehmern ist folgender. Die Drehachse ist im allgemeinen paral­ lel zur Umlaufachse des ersteren, während die Umlaufachse und die Drehachse einen großen Winkel im letzteren bilden. Der Winkel zwischen der Drehachse und der Umlaufachse kann tat­ sächlich innerhalb eines Bereiches von etwa 0° (die Drehachse ist im allgemeinen parallel zur Umlaufachse) bis etwa 90° frei eingestellt werden.
Wenn bei Verwendung des Herstellungsverfahrens des Halbleiters ein Hochtemperaturverfahren angewendet wird, be­ wirkt das Prozeßgas mitunter Konvektion in der Vorrichtung. In diesem Fall wird es schwierig, die Prozeßgase schnell aus zu­ tauschen oder umzuschalten, oder es entsteht mitunter ein Pro­ blem, nämlich daß eine große Menge von Verunreinigungen im Halbleiter aufgenommen wird. Wenn ein solches Problem ent­ steht, wird die Konvektion mitunter durch Zuführen des Prozeß­ gases aus dem unteren Teil verhindert, und zwar unter Verwen­ dung eines Aufnehmers, bei dem die dem Prozeßgas ausgesetzte Oberfläche des Wafers nach unten gewandt ist. Spezifische Beispiele für das Verfahren der Erhöhung einer Strömungsmenge des Prozeßgases sind u. a. ein Verfahren der Erhöhung einer Zufuhr des Prozeßgases, ein Verfahren, das unter verringertem Druck (nicht über 1 Atmosphäre) durchgeführt wird, und dgl. In beiden Fällen kann die hochproduktive Vorrichtung unter Ver­ wendung des erfindungsgemäßen Teils hergestellt werden.
Beispiele
Die folgenden Beispiele stellen ferner die Erfindung ausführlich dar, sind jedoch nicht so zu verstehen, daß sie den Erfindungsumfang einschränken.
Vergleichsbeispiel 1
GaN wurde unter Verwendung einer Herstellungsvorrich­ tung für einen GaN-Halbleiter, der in Fig. 1 dargestellt ist, gezogen. Als Material für einen Aufnehmer wurde eines verwen­ det, das durch Beschichtung von Graphit mit SiC in einer Dicke von 200 µm hergestellt worden ist.
Zunächst wurde ein Saphirsubstrat mit einem organischen Lösungsmittel gewaschen und auf einem Aufnehmer angeordnet, und dann wurde das Innere der Reaktorkammer der Herstellungs­ vorrichtung durch Wasserstoffatmosphäre (1 Atmosphäre) er­ setzt. Der Aufnehmer wurde auf 1100°C erwärmt, und das Innere der Kammer wurde für 5 min mit einem Wasserstoffchloridgas ge­ ätzt. Dann wurde die Temperatur des Aufnehmers auf 550°C her­ abgesetzt, und Ammoniak, Wasserstoff und Trimethylgallium [(CH₃)₃Ga, nachstehend mitunter als "TMG" bezeichnet] wurden in einer Menge von 4 Normliter/min, 4 Normliter/min bzw. 0,15 Normkubikzentimeter/min zugeführt, um eine GaN-Pufferschicht (300 Angström) auszubilden. Dann wurde die Temperatur des Auf­ nehmers auf 1100°C erhöht, und Ammoniak, Wasserstoff und TMG wurden in einer Menge von 4 Normliter/min, 4 Normliter/min bzw. 1 Normkubikzentimeter/min zugeführt, um für 30 min GaN zu ziehen. Das resultierende GaN hatte eine Spiegel fläche, und seine Schichtdicke betrug etwa 2,5 µm.
"Normliter/min" und "Normkubikzentimeter/min" sind Ein­ heiten der Gasmenge. "1 Normliter/min" bedeutet, daß ein Gas, das im Normalzustand 1 l Volumen einnimmt, pro Minute strömt, und "1000 Normkubikzentimeter/min" entspricht "1 Normli­ ter/min".
Das oben beschriebene Ziehen von GaN wurde 20-mal wie­ derholt. Im Ergebnis wurde bestätigt, daß im SiC-Teil der Sei­ tenfläche des Aufnehmers Risse auftraten. Das Graphit im Inne­ ren war an der Peripherie der Risse korrodiert. Bestätigt wur­ de auch das Ablösen der aufgebrachten SiC-Schicht auf der un­ teren Seite des Aufnehmers.
Beispiel 1
Eine Platte aus Graphit-SiC-Verbundmaterial mit einer Dicke von 2 mm (Handelsname: SOLSIX, hergestellt von Toyo Car­ bon Co., Ltd.) wurde ferner auf dem Aufnehmer eines Ver­ gleichsbeispiels 1 angeordnet, und das Ziehen wurde ebenso durchgeführt, wie im Vergleichsbeispiel 1 beschrieben.
Was die Platte betrifft, die aus dem Graphit-SiC- Verbundmaterial besteht, so besteht das Teil, das 0,5 mm von der Oberfläche entfernt ist, ausschließlich aus SiC. Was den inneren Teil betrifft, so besteht 37% davon aus SiC, und der Rest besteht aus Graphit. Auch wenn das Ziehen 20-mal wieder­ holt wurde, wurden keine Veränderungen, z. B. Risse, Ablösen, Korrosion oder dgl., in der Platte aus dem Graphit-SiC- Verbundmaterial beobachtet. Bei jedem Ziehen in diesem Bei­ spiel hatte die resultierende GaN-Schicht eine Spiegelfläche.
Beispiel 2
Unter Verwendung von SOLSIX (Handelsname, hergestellt von Toyo Carbon Co. Ltd.) wurde ein rotierender/umlaufender Aufnehmer hergestellt, der in der Lage ist, gleichzeitig meh­ rere 2-Zoll- Wafer zu behandeln. Das Gleitteil wurde so po­ liert, daß die Oberflächenrauhigkeit nicht über 8 µm lag. Die­ ser Aufnehmer wurde in einer Atmosphäre angeordnet, in der die Teildrücke von Ammoniak, Wasserstoff und TMG die gleichen wa­ ren, wie die im Vergleichsbeispiel 1 bei 1100°C, und es wurde eine Dreh/Umlaufbewegung durchgeführt. Im Ergebnis wurde eine glatte Dreh/Umlaufbewegung des Substrats bestätigt.
Nachdem das Substrat, der Aufnehmer und der Reaktor un­ ter Hinzufügung von Wasserstoffchlorid zum Wasserstoff als Trägergas bei 1100°C unter einem Ziehdruck von 0,1 Atmosphäre geätzt worden sind, wurde GaN (300 Angström) als Pufferschicht bei 550°C und GaN (3 µm) bei 1050°C unter Verwendung von Ammo­ niak, TMG und Wasserstoff als Trägergas gezogen. Im Ergebnis konnte ein ausgezeichnetes Kristallwachstum mit ausgezeichne­ ten Oberflächeneigenschaften erreicht werden. Eine Rocking­ bzw. Schwenkkurve wurde mit Röntgenstrahlen gemessen. Im Er­ gebnis ist festgestellt worden, daß der resultierende Kristall eine ausgezeichnete Kristallisierbarkeit aufweist, d. h. die Halbwertbreite beträgt etwa 5 min.
Das oben beschriebene Ziehen wurde 50-mal wiederholt, doch der resultierende Kristall der GaN-Schicht war dem im oben beschriebenen Fall sehr ähnlich, und eine Verschlechte­ rung, z. B. Risse, Ablösen und dgl. wurden im Aufnehmer nicht beobachtet. Die Dreh/Umlaufbewegung des Substrats war glatt.
Beispiel 3
Unter Verwendung von SOLSIX (Handelsname, hergestellt von Toyo Carbon Co. Ltd.) wurde ein Aufnehmer hergestellt, der die gleiche Form hat wie der im Vergleichsbeispiel 1 verwende­ te. Unter Verwendung dieses Aufnehmers wurde GaN in einem Ver­ fahren gezogen, das fast das gleiche ist wie das Verfahren im Vergleichsbeispiel 1. Auf diesem GaN-Kristall wurden ferner eine InGaN-Schicht, deren InN-Mischkristall-Verhältnis etwa 30 % beträgt, und eine GaAlN-Schicht, deren AlN-Mischkristall- Verhältnis etwa 20% beträgt, gezogen, um eine sogenannte Su­ pergitterstruktur herzustellen. Die für das Ziehen einer Su­ pergitterstruktur verwendeten Materialien waren Trimethylindi­ um, Triethylgallium, Triethylaluminium, Ammoniak und Ar als In-, GA-, Al- bzw. N-Quelle und Trägergas. Die auf dem GaN-Kristall gezogenen Schichten waren 50 bzw. 300 Angström dick. An dieser Supergitterstruktur wurde ein Fotolumineszenzspek­ trum gemessen, und eine überragende Blauemission wurde beob­ achtet, aus der geschlossen wurde, daß die Supergitterstruktur eine hohe Qualität hat.
Beispiel 4
Unter Verwendung des gleichen Aufnehmers wie in Bei­ spiel 3 wurden über 100-mal undotierte n- und p-GaN- Supergitterstrukturen auf dem GaN gezogen, und lichtemittie­ rende Vorrichtungen aus einer Schichtung aus einer Supergit­ terstruktur und einer p-Ladungsinjektionsschicht auf dem n-GaN wurden hergestellt, und es wurden weder ein Ablösen noch Risse in der Oberflächenschicht des Aufnehmers festgestellt.
Bei den auf diese Art erhaltenen Kristallen war keine Ver­ schlechterung der Kristallinität vorhanden, von der angenommen wird, daß sie von einer Verschlechterung des Aufnehmers stammt.
Unter Verwendung des erfindungsgemäßen Teils für eine Dampfphasenbeschichtungsvorrichtung für Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V, die einer Atmosphäre, die bei hoher Temperatur hochreaktiv ist, ausgesetzt wird, kann eine Beschichtungsvor­ richtung mit ausgezeichneter Produktivität hergestellt werden, die in der Lage ist, einen hochqualitativen Verbindungshalb­ leiterkristall zu ziehen. Daher ist die Erfindung äußerst nützlich und hat einen großen industriellen Wert.

Claims (5)

1. Teil für eine Herstellungsvorrichtung für einen Ver­ bindungshalbleiter der Gruppe III-V, der durch die allgemeine Formel InxGayAlzN (wobei gilt: x + y + z = 1, 0 x 1, 0 y 1 und 0 z 1) dargestellt wird, mit SiC, das durch Umwan­ deln eines Graphitgrundmaterials in SiC erhalten wird.
2. Teil für eine Herstellungsvorrichtung für einen Ver­ bindungshalbleiter der Gruppe III-V, der durch die allgemeine Formel InxGayAlzN (wobei gilt: x + y + z = 1, 0 x 1, 0 y 1 und 0 z 1) dargestellt wird, mit einem Graphit-SiC- Verbundmaterial, das durch Umwandeln mindestens eines Oberflä­ chenschichtteils eines Graphitgrundmaterials in SiC erhal­ ten wird.
3. Teil für eine Herstellungsvorrichtung für einen Ver­ bindungshalbleiter der Gruppe III-V nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Oberflächenrauhigkeit eines Kontaktteils zwischen dem Teil für die Herstellungsvorrichtung für den Verbindungs­ halbleiter der Gruppe III-V nach Anspruch 1 oder 2 und dem an­ deren Teil nicht über 20 µm beträgt.
4. Teil für eine Herstellungsvorrichtung für einen Ver­ bindungshalbleiter der Gruppe III-V nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Dicke der in SiC umgewandelten Schicht mindestens 500 µm von der Oberfläche beträgt.
5. Herstellungsvorrichtung für einen Verbindungshalb­ leiter der Gruppe III-V, dadurch gekennzeichnete daß der Teil für eine Herstellungsvorrichtung für einen Verbin­ dungshalbleiter der Gruppe III-V nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4 verwendet wird.
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