DE19618914C1 - Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines ReferenzpotentialsInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung
eines Referenzpotentials mit einem ersten Transistor, dessen
Emitter mit einem Bezugspotential verbunden ist und dessen
Basis und Kollektor miteinander verschaltet sind, mit einem
zweiten Transistor, dessen Basis mit der Basis des ersten
Transistors verbunden ist, mit einem ersten Widerstand, der
zwischen den Kollektor des ersten Transistors und einem Aus
gangsanschluß zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet
ist, mit einem zweiten Widerstand, der zwischen den Kollektor
des zweiten Transistors und den Ausgangsanschluß geschaltet
ist, mit einem dritten Widerstand, der zwischen den Emitter
des zweiten Transistors und das Bezugspotentials geschaltet
ist, mit einem dritten Transistor, dessen Basis mit dem Kol
lektor des zweiten Transistors und dessen Emitter mit dem Be
zugspotential verbunden ist, und mit einer gesteuerten Strom
quelle, die zwischen ein Versorgungspotential und den Aus
gangsanschluß geschaltet ist und die eingangsseitig mit dem
Kollektor des dritten Transistors gekoppelt ist.
Eine derartige, auch Bandgap-Referenz bezeichnete Schaltungs
anordnung ist beispielsweise aus Paul R. Gray, Robert G.
Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Se
cond Edition, John Wiley and Sons, 1984, S. 293-296 und der
EP 0 411 657 A1 bekannt und wird häufig bei integrierten
Schaltkreisen als interne Referenzspannungsquelle verwendet.
Eine frequenzkompensierte Bandgap-Referenz ist zudem in der
GB 2 256 949 A beschrieben.
In Zukunft wird es bei integrierten Schaltkreisen zunehmend
wichtiger, daß die Schaltkreise sich zum Zwecke der Stromer
sparnis über einen externen Anschluß ein- und ausschalten
lassen. Das Ausschalten sollte dabei möglichst schnell erfol
gen, um effektiv die Stromaufnahme und damit die Verlustlei
stung senken zu können. Ebenso sollte auch die Einschaltzeit
möglichst klein gehalten
werden, um den Schaltkreis binnen kürzester Zeit in den
Arbeitszustand zu bringen. Ein weiteres wichtiges Kriterium
von Schaltungsanordnungen zur Erzeugung eines Referenzpoten
tials ist das Rauschverhalten. Dies kann durch Kondensatoren
zur Bandbegrenzung, die das Rauschen bei hohen Frequenzen
wegfiltern, günstig beeinflußt werden. Jedoch steigen durch
diese Maßnahmen die Ein- und Ausschaltzeiten des jeweiligen
Schaltkreises an.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung der
eingangs genannten Art anzugeben, die trotz guten Rauschver
haltens kurze Ein- und Ausschaltzeiten aufweist.
Die Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung gemäß Patent
anspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des
Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Vorteilhaft ist, daß die günstigen Ein- und Ausschaltzeiten
sowie das günstige Rauschverhalten mit geringstem techni
schen Aufwand erreicht wird. Zu diesem Zweck wird eine Kapa
zität dem zweiten Widerstand parallel geschaltet. Gegenüber
einer Kapazität, die beispielsweise zwischen Basis und Emit
ter des dritten Transistors geschaltet ist, kann der als
Emitterfolger betriebene vierte Transistor mehr Strom liefern
und verkürzt dadurch die Einschaltzeit. Der zur Kapazität
parallel liegende zweite Widerstand trägt hingegen zur Ver
kürzung der Ausschaltzeit bei. Stabilität und Rauschverhalten
bleiben dabei praktisch unverändert. Schließlich wird die Be
triebsspannungsunterdrückung bei hohen Frequenzen verbessert.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung weist die gesteuerte Stromquelle einen
vierten Transistor auf, dessen Kollektor mit dem Versorgungs
potential, dessen Emitter mit dem Ausgangsanschluß und dessen
Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors verbunden
ist. Zwischen Basis und Kollektor des vierten Transistors ist
dabei eine weitere Stromquelle geschaltet.
Weiterhin kann die weitere Stromquelle einen fünften Tran
sistor aufweisen, dessen Basis mit dem Ausgangsanschluß und
dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines vierten Wider
standes mit dem Bezugspotential verbunden ist. Des weiteren
sind ein sechster Transistor, dessen Emitter unter Zwischen
schaltung eines fünften Widerstandes mit dem Versorgungspo
tential verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des
vierten Transistors verschaltet ist und dessen Basis mit dem
Kollektor des fünften Transistors gekoppelt ist, sowie ein
siebter Transistor, dessen Basis und Kollektor miteinander
sowie mit dem Kollektor des fünften Transistors gekoppelt
sind und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines sech
sten Widerstandes mit dem Versorgungspotential verbunden ist,
vorgesehen.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist in die Kollektor
leitung des sechsten Transistors in Reihe zur weiteren Strom
quelle ein achter Widerstand geschaltet. Dies hat den Vor
teil, daß das Rauschen der erfindungsgemäßen Schaltungsanord
nung weiter herabgesetzt wird. Das Rauschen der weiteren
Stromquelle hat insbesondere bei hohen Frequenzen einen Ein
fluß auf das Rauschverhalten der gesamten Schaltungsanord
nung. Dies stört vor allem auch dann, wenn bei der weiteren
Stromquelle pnp-Transistoren verwendet werden, da diese hin
sichtlich des Rauschens und der Größe der parasitären Kapazi
täten weit von einem idealen Transistor entfernt sind. Der
eingefügte achte Widerstand isoliert insbesondere bei hohen
Frequenzen die nicht ideal arbeitende weitere Stromquelle und
verbessert so das Rauschverhalten sowie den Ausgangswider
stand. Darüber hinaus wird die Stabilität verbessert, da die
effektive Kapazität am Ausgang der weiteren Stromquelle nun
nicht mehr in so starkem Maße die Phasenreserve der gesamten
Schaltungsanordnung beeinflußt. Das Einfügen eines Serienwi
derstandes empfiehlt sich insbesondere bei Realisierung von
sechstem und siebtem Transistor als pnp-Transistoren an einem
Stromausgang der Schaltungsanordnung.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand des in der einzigen
Figur der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel näher
erläutert.
Bei der als Ausführungsbeispiel gezeigten erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung ist ein npn-Transistor T1 vorgesehen,
dessen Emitter mit einem Bezugspotential M verbunden ist und
dessen Basis und Kollektor sowohl miteinander verschaltet als
auch über einen gemeinsamen Widerstand R1 mit einem ein Refe
renzpotential führenden Ausgangsanschluß U gekoppelt sind. An
Basis und Kollektor des Transistors T1 ist die Basis eines
npn-Transistors T2 angeschlossen, dessen Emitter über einen
Widerstand R3 mit dem Bezugspotential M und dessen Kollektor
über einen Widerstand R2 mit dem Ausgangsanschluß U gekoppelt
ist.
An dem Ausgangsanschluß U ist darüber hinaus der Emitter ei
nes npn-Transistor T4 angeschlossen, dessen Kollektor mit
einem Versorgungspotential V verbunden ist. Die Basis des
Transistors T4 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistor T3
verbunden, dessen Emitter an das Bezugspotential M und dessen
Basis an den Kollektor des Transistors T2 angeschlossen ist.
Dem Widerstand R2 ist eine Kapazität C1 parallel geschaltet.
Die Basis des Transistors T4 ist darüber hinaus über einen
Widerstand R8 sowie eine Stromquellenschaltung an das Versor
gungspotential V angeschlossen.
Die Stromquellenschaltung weist einen pnp-Transistor T6 auf,
dessen Emitter über einen Widerstand R5 mit dem Versorgungs
potential V und dessen Kollektor über den Widerstand R8 mit
der Basis des Transistors T4 bzw. dem Kollektor des Tran
sistors T3 verbunden ist. Die Basis des Transistors T6 ist
mit Basis und Kollektor eines pnp-Transistors T7 verschaltet,
dessen Emitter über einen Widerstand R6 mit dem Versorgungs
potential V gekoppelt ist. Basis und Kollektor des Tran
sistors T7 sowie die Basis des Transistors T6 sind darüber
hinaus mit dem Kollektor eines npn-Transistors T5 verbunden,
dessen Emitter über einen Widerstand R4 an das Bezugspoten
tial M angeschlossen ist und dessen Basis mit dem Ausgangsan
schluß U verbunden ist.
Neben dem Ausgangsanschluß U, an dem das Referenzpotential
abgreifbar ist, kann darüber hinaus ein Ausgangsanschluß I
vorgesehen werden, der einen Referenzstrom führt. Dazu ist
der Ausgangsanschluß I mit dem Kollektor eines pnp-Tran
sistors T8 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand R7
mit dem Versorgungspotential V verbunden ist und dessen Basis
mit den Basen der Transistoren T6 und T7 verschaltet ist.
Die Bemessung des Kondensators C1 hängt vom jeweiligen Anwen
dungsfall ab, wobei auch hier bei höheren Kapazitäten das
Rauschverhalten und bei niedrigeren Kapazitäten das Ein
schaltverhalten günstiger wird. Der Widerstand R8 wird so
groß wie möglich gewählt, um eine möglichst hohe Isolation zu
gewährleisten.
Claims (2)
1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials
mit einem ersten Transistor (T1), dessen Emitter mit einem
Bezugspotential (M) verbunden ist und dessen Basis und Kol
lektor miteinander verschaltet sind,
mit einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist,
mit einem ersten Widerstand (R1), der zwischen den Kollektor des ersten Transistors (T1) und einem Ausgangsanschluß (U) zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet ist,
mit einem zweiten Widerstand (R2), der zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (T2) und den Ausgangsanschluß (U) ge schaltet ist,
mit einem dritten Widerstand (R3), der zwischen den Emitter des zweiten Transistors (T2) und das Bezugspotential (M) ge schaltet ist,
mit einem dritten Transistor (T3), dessen Basis mit dem Kol lektor des zweiten Transistors (T2) und dessen Emitter mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist, und mit einer gesteu erten Stromquelle (T4), die zwischen ein Versorgungspotential (V) und den Ausgangsanschluß (U) geschaltet ist und die ein gangsseitig mit dem Kollektor des dritten Transistors (T3) gekoppelt ist, wobei
eine Kapazität (C1) vorgesehen ist, die dem zweiten Wider stand (R2) parallel geschaltet ist,
die gesteuerte Stromquelle (T3, T4) einen vierten Transistor (T4) aufweist, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential (V), dessen Emitter mit dem Ausgangsanschluß (U) und dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors (T3) verbun den ist,
zwischen Basis und Kollektor des vierten Transistors (T4) ei ne weitere Stromquelle (T5, T6, T7, R4, R5, R6) geschaltet ist und
die weitere Stromquelle (T5, T6, T7, R4, R5, R6) aufweist:
Einen fünften Transistor (T5), dessen Basis mit dem Ausgangs anschluß (U) und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines vierten Widerstandes (R4) mit dem Bezugspotential (M) verbun den ist;
einen sechsten Transistor (T6), dessen Emitter (T6) unter Zwischenschaltung eines fünften Widerstandes (R5) mit dem Versorgungspotential (V) verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des vierten Transistors (T4) verschaltet ist und dessen Basis mit dem Kollektor des fünften Transistors (T5) gekoppelt ist;
einen siebten Transistor (T7), dessen Basis und Kollektor miteinander sowie mit dem Kollektor des fünften Transistors (T5) gekoppelt sind und dessen Emitter unter Zwischenschal tung eines sechsten Widerstandes (R6) mit dem Versorgungspo tential (V) verbunden ist.
mit einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist,
mit einem ersten Widerstand (R1), der zwischen den Kollektor des ersten Transistors (T1) und einem Ausgangsanschluß (U) zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet ist,
mit einem zweiten Widerstand (R2), der zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (T2) und den Ausgangsanschluß (U) ge schaltet ist,
mit einem dritten Widerstand (R3), der zwischen den Emitter des zweiten Transistors (T2) und das Bezugspotential (M) ge schaltet ist,
mit einem dritten Transistor (T3), dessen Basis mit dem Kol lektor des zweiten Transistors (T2) und dessen Emitter mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist, und mit einer gesteu erten Stromquelle (T4), die zwischen ein Versorgungspotential (V) und den Ausgangsanschluß (U) geschaltet ist und die ein gangsseitig mit dem Kollektor des dritten Transistors (T3) gekoppelt ist, wobei
eine Kapazität (C1) vorgesehen ist, die dem zweiten Wider stand (R2) parallel geschaltet ist,
die gesteuerte Stromquelle (T3, T4) einen vierten Transistor (T4) aufweist, dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential (V), dessen Emitter mit dem Ausgangsanschluß (U) und dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors (T3) verbun den ist,
zwischen Basis und Kollektor des vierten Transistors (T4) ei ne weitere Stromquelle (T5, T6, T7, R4, R5, R6) geschaltet ist und
die weitere Stromquelle (T5, T6, T7, R4, R5, R6) aufweist:
Einen fünften Transistor (T5), dessen Basis mit dem Ausgangs anschluß (U) und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines vierten Widerstandes (R4) mit dem Bezugspotential (M) verbun den ist;
einen sechsten Transistor (T6), dessen Emitter (T6) unter Zwischenschaltung eines fünften Widerstandes (R5) mit dem Versorgungspotential (V) verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des vierten Transistors (T4) verschaltet ist und dessen Basis mit dem Kollektor des fünften Transistors (T5) gekoppelt ist;
einen siebten Transistor (T7), dessen Basis und Kollektor miteinander sowie mit dem Kollektor des fünften Transistors (T5) gekoppelt sind und dessen Emitter unter Zwischenschal tung eines sechsten Widerstandes (R6) mit dem Versorgungspo tential (V) verbunden ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe
zur weiteren Stromquelle (T6, T7) ein achter Widerstand (R8)
geschaltet ist.
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