DE1952108U - Halbleitervorrichtung. - Google Patents

Halbleitervorrichtung.

Info

Publication number
DE1952108U
DE1952108U DEN17526U DEN0017526U DE1952108U DE 1952108 U DE1952108 U DE 1952108U DE N17526 U DEN17526 U DE N17526U DE N0017526 U DEN0017526 U DE N0017526U DE 1952108 U DE1952108 U DE 1952108U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
zone
semiconductor body
semiconductor device
shielding layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEN17526U
Other languages
German (de)
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1952108U publication Critical patent/DE1952108U/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/14Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of neutralising means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00
    • H10W20/40
    • H10W74/43
    • H10W72/5363
    • H10W72/5522
    • H10W72/59
    • H10W72/932

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DEN17526U 1964-05-15 1965-05-12 Halbleitervorrichtung. Expired DE1952108U (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6405411A NL6405411A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1964-05-15 1964-05-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1952108U true DE1952108U (de) 1966-12-22

Family

ID=19790079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN17526U Expired DE1952108U (de) 1964-05-15 1965-05-12 Halbleitervorrichtung.

Country Status (3)

Country Link
AT (1) AT267610B (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE1952108U (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (1) NL6405411A (cg-RX-API-DMAC10.html)

Also Published As

Publication number Publication date
AT267610B (de) 1969-01-10
NL6405411A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1965-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE961469C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer elektrische UEbertragungsvorrichtungen
DE69224965T2 (de) Verbesserte solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE1514254A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE1197549B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht
DE1216437C2 (de) Verfahren zur herstellung einer mikrominiaturisierten integrierten halbleiterschaltungsanordnung
DE1282196B (de) Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge
DE1127488B (de) Halbleiteranordnung aus Silizium oder Germanium und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1080693B (de) Elektrische Halbleitervorrichtung
DE1151323B (de) Halbleiterbauelement mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper mit mindestens einer plateauartigen Erhoehung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1639262A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode
DE1564534A1 (de) Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1764455A1 (de) Monolithische Darlington-Transistorschaltung
DE1614248C3 (de) Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Verwendung desselben in einer Schaltung zur Verstärkung elektrischer Signale und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1063279B (de) Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden
DE1952108U (de) Halbleitervorrichtung.
DE2444589A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE2064084A1 (de) Transistor mit Schottky-Sperrschicht
EP0397898B1 (de) Bipolarer Bump-Transistor und Verfahren zur Herstellung
DE2444588C2 (de) Integrierte Darlington-Schaltung
AT227779B (de) Gekapselte Halbleiterdiode mit PN-Übergang
DE1912931A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE1514254C (de) Halbleiterbauelement
DE1924845C3 (de) Halbleiteranordnung mit metallischen Kontakten und/oder metallischen Verbindungsschichten
DE1936746A1 (de) Halbleiterresonanzkreis
DE1514859C3 (de) Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiterschaltungsanordnung