DE1936746A1

DE1936746A1 - Halbleiterresonanzkreis

Info

Publication number: DE1936746A1
Application number: DE19691936746
Authority: DE
Inventors: Kazumasa Shiga
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1968-07-19
Filing date: 1969-07-18
Publication date: 1970-01-22
Also published as: FR2013295A1; US3629724A; DE1936746B2; FR2013295B1; NL6910977A; GB1273051A; NL144093B

Description

Dr. D. Thomsen H. Tiedtfce G. Bühling

DSpi.-Chem. Dipl.-lng. Dipl.-Ghem,

8000 MÖNCHEN 2

TAL 33

TELEFON 0611/226884

TELEGRAMMADRESSE:THOPATENT MÖNCHEN 18. Juli 1969

case PG25-6911 - T 32ol

Matsushita Electric Industrial Company, Limited Osaka (Japan)

Halbleiterresonanzkreis

Pie vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiter-'resonanzkreis, und insbesondere einen Resonanzkreis,, der dadurch hergestellt wird_f daß ein kapazitives und ein induktives Element zusammenhängend auf derselben Halbleiterunterlage ausgebildet werden.

Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß der Resonanzkreis im wesentlichen besteht aus einer Halbleiterunterlage, die einen negativen Widerstand unter einem starken elektrischen Feld aufweist, aus einer ohmischen Elektrode, die auf einem Teil einer Seite der Unterlage mit Hilfe einer Niederschlags- oder Legierungsverbindung aufgebracht ist, aus einer anderen ohmischen Elektrode, die auf der gesamten anderen Seite der Unterlage ausgebildet ist und mit Hilfe einer

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ähnlichen Verbindung, wie sie oben beschrieben wurde, eine Klemme bildet, aus einer isolierenden Schicht, die aus einer Sperrschicht von 1 um Dicke gebildet wird und die aus einem Oxyd-, Ferrit- oder Halbleiter-Metallübergang besteht„ wodurch ein dielektrisches Material für einen Kondensator geschaffen wird, aus einem Leiter, der mit Gold oder Aluminium auf der isolierenden Schicht aufgebracht und mit einem Ende

κ mit der ohmischen Elektrode verbunden ist, wodurch ein induktives Element und eine,Elektrode eines Kondensators geschaffen wird, und aus einer elektrischen Klemme, die auf der isolierenden Schicht ausgebildet und mit dem anderen Ende des Leiters verbunden ist. Auf diese Weise wird durch die vorliegende Erfindung ein äusserst leichter und kompakter, in der Massenproduktion herstellbarer halbleitender Resonanzkreis geschaffen, der in einem weiten Bereich als örtlicher Oszillator eines Fernsehempfängers oder eines VHF-Öbertragungsempfängers und sogar als Millimeterwellen erzeugendes Element verwandt wer-

"■■-.-■ den kann, indem man eine Streifenleitung vorsieht.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß der Resonanzkreis ein Halbleiterträgermaterial mit vorbestimmtem spezifischen Widerstand, das eine durch einen PN-Übergang gebildete Sperrschicht zurEcmigungeines dielektrischen Material für einen Kondensator auftaels^eine ohmsche Elektrode, die auf einem Teil einer Seite des Trägermaterials mit Hilfe eines Diffusions- oder Legierungsüberganges gebildet

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wird, eine weitere ohmische Elektrode, die auf der gesamten anderen Seite des Trägermaterials ausgebildet ist, die mit Hilfe eines ähnlichen Überganges, wie er oben beschrieben wurde,' eine Klemme bildet, einen Leiter, auf dem ein Metall abgelagert oder der mit einem Metall plattiert ist, das eine Austrittsarbeit aufweist, die größer als die Austrittsarbeit des Halbleiterträgermaterials auf dem Trägermaterial ist/ der mit einem Ende mit der ohmischen Elektrode verbunden ist, um ein induktives Element und eine Elektrode des Kondensators zu bilden, und eine elektrische Klemme aufweist, die auf dem Trägermaterial ausgebildet und mit dem anderen Ende des Leiters verbunden ist, wodurch es möglich wird, die Dicke der Sperrschicht dadurch zu ändern, daß eine Gleichspannung zwischen den Klemmen angelegt wird. Auf diese Weise wird durch die Erfindung £ln äusserst leichter und kompakter, is> der Massenproduktion herstellbarer Halbleiterresonanzkreis geschaffen, dessen Resonanzfrequenz zusätzlich dadurch steuerbar ist, daß eine GLeichspannungsvorspannung zwischen seinen Klemmen angelegt wird, wodurch diese Einrichtung in einem weiten Bereich für Radiofrequenz- und Mittelfrequenzverstärkerschältungen und als örtlicher Oszillator für einen Fernsehempfänger oder als Resonanzkreis für verschiedene Ubertragerelemente verwandt werden kann und weiterhin kann eine solche Vorrichtung für den Spitzenbildenden Kreis, Haftstelienkreis, Verzögerungskreis usw. für verschiedene elektronische Vorrichtungen verwandt werden. ■;-■--

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Die vorliegender Erfindung bezweckt deshalb einen Halbleiterresonanzkreis anzugeben, der eine Halbleiterträgerschicht, eine ohmische Elektrode, die auf einem Teil einer Seite des Trägermaterials ausgebildet ist, eine andere ohmische Elektrode, die auf der gesamten anderen Seite des Trägermaterials zur Herstellung einer Klemme ausgebildet ist, eine isolierende Schicht, die auf der ein,en Seite des Trägermaterials ausgebildet ist, um ein dielektrisches Material ™ für einen Kondensator zu schaffen, einen Leiter, der auf der Schicht ausgebildet und mit einem Ende mit der ohmischen Elektrode verbunden ist,und eine elektrische Klemme aufweist, die auf der Schicht ausgebildet und mit dem anderen Ende des Leiters verbunden ist.

Im folgenden soll die Erfindung näher anhand von in der Zeichnung dargestellten vorzugsweisen Ausführungsformen erläutert werden. In der Zeichnung zeigt:

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Figur I eine Draufsicht auf einen gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Halbleiterre-■ sonanzkreis;

Figur 2 eine Schnittseitenansicht des in Figur 1 gezeigten Halbleiterresonanzkreises;

Figur 3 eine schematische ladestellung einer Schaltung des Halblelterresonanzkreiees mit einer elektrischen Energiequelle, wobei der Halbleiterresonanzkreis ein HalbleitertrSgerraateri»!

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aufweist, das unter einem starken elektri-" sehen Feld einen negativen Widerstand zeigt;

Figur 4 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen dem Strom und der Spannung in dem in Figur 3 gezeigten -Kreis;

Figur 5 einen äquivalenten Kreis des Halbleiterresonanzkreises;

Figur 6 eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Halbleiterresonanzkreises;

Figur 7 eine Schnittseitenansicht des in Figur 6 gezeigten Halbleiterresonanzkreises;

Figur 8 eine dem in Figur β gezeigten Halbleiterresonanzkreis äquivalente Schaltung;

Figur 9 eine graphische Darstellung, in der die Beziehung zwischen der an den Halbleiterresonanzkreis angelegten Spannung und seiner Resonanzfrequenz dargestellt ist;

Figur Io ein© Schnittseitenansicht einer anderen Ausführungsform eines gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Halbleiterresonanzkreises;

Figur 11 eine zu dem in Figur Io dargestellten Halbleiterresonanzkreis äquivalente Schaltung*

Figur 12 eine Schnittseitenansicht . einer weiteren Ausfuhrungsform eines gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Halbleiterresonanz-109884/1346

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kreises und _

Figur 13 eine dem in der Figur 12 gezeigten Halbleiterresonanzkreis äquivalente Schaltung.

In den Figuren 1 und 2 ist ein Ausführungsbeispiel eines gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildeten Halbleiterresonanzkreises dargestellt. Der Resonanzkreis Io umfaß ein Halbleiterträgermaterial 11, das unter einer höhen elektrischen Feldstärke einen negativen Widerstand aufweist und aus Galiiumarsenit hergestellt ist, eine ohmische Elektrode 12, die auf einem Teil einer Seite des Trägermaterials 11 mit Hilfe eines Ablagerungs- oder eines Legierungsüberganges ausgebildet 1st laadl aus Zinn ceterlfräiumbesteht, eine weitere ohmische Elektrode 13, die auf der gesamten anderen Seite des Trägermaterials 11; ausgebildet ist, um d.ne Klemme mit Hilfe eines ähnlichen Oberganges, wie er oben anhand der ohraischen Elektrode 12 be- ί schrieben ist, auszubilden, eine isolierende Schicht 14, die durch eine Sperrschicht von 1 pn Dicke gebildet wird, die aus einem Oxyd-, Ferrit- oder Halbleiter-Metallübergang besteht, um ein dielektrisches Material zu erhalten, das in einen Kondensator eingesetzt ist, einen Spiralen- oder streifenförmigen Leiter 15, der mit Gold oder Aluminium aufgebracht und mit einem Ende der ohmischen Elektrode 12 ver*· bunden ist, um ein induktives Element und eine Elektrode des Kondensators zu bilden, und eine elektrische Klemme 16, die auf der isolierenden Schicht 14 ausgebildet undmit dem anderen

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Ende des Leiters 15 verbunden ist.

Wie aus Figur 3 zu ersehen ist, in der die Schaltung des Halbleiterresonanzkreises mit einer Gleichspannungsquelle dargestellt ist, ändert sich, wenn die Spannung V über eine Leitung 17 an die Elektrode 13 und die Klemme 16 von einer Gleichspannungsquelle 18 aus angelegt wird, die Gleichstromkomponente des durch den Halbleiterresonanzkreis Io fließenden Stromes entsprechend der Darstellung in Figur 4, in der die Beziehung zwischen dem Strom und der Spannung in dem in Figur 3 dargestellten Kreis graphisch dargestellt ist. In der in Figur 4 gezeigten Darstellung erreicht die Spannung einen (maximalen) Wert V_c, wenn durch den Halbleiterresonanzkreis der maximale Strom fließt und dies äußert sich entsprechend dem Abstand zwischen den ohmischen Elektroden 12 und 13. Wenn z.B. der Abstand zwischen den ohmischen Elektroden 12 und 13 loyum beträgt, so beläuft sich die Spannung V_c auf annähernd 3 Volt.

Aus der graphischen Darstellung 1st zu ersehen, daß, wenn eine größere Spannung als V an den Halbleiterresonanzkreis Io angelegt wird, die Einheit Io einen negativen Widerstand für durch diese Einheit fließenden Wechsehstrom aufweist. Somit läßt sich unter bestimmten Bedingungen, um aus der Vorrichtung einen Resonanzkreis zu bilden, die Äquivalenzschaltung des Halbleiterresonanzkreises entsprechend der Darstellung in Figur 5 ausdrücken· Die oben erwähnte Bedingung besteht in dem Zustand, in dem die Vorrichtung Io einen negativen Widerstand aufweist und bei dem das elektrische Feld in

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dem Halbleiter gleichförmig gehalten werden sollte. Dieser gleichförmige Zustand kann dadurch aufrechterhalten werden, daß die Ausbildung eines Bereiches hoher elektrischer Feldstärke in dem Halbleiter vermieden wird. Die Bildung eines solchen Bereiches hoher elektrischer Feldstärke hängt von der Größe der elektrischen Ladung (n) und dem Wanderungsabstand (1) des Bereiches ab, so daß, wenn der Wert des Produktes aus der Größe der elektrischen Ladung (n) und dem Wanderungsabstand(1) des Bereiches kleiner als Io cm ist/ P kaum ein Bereich hoher elektrischer Feldstärke gebildet wird. Daraus folgt, daß, wenn der spezifische Widerstand des Halbleiters groß genug ist und noch der Abstand zwischen den ohmischen Elektroden 12 und 13 soweit wie möglich verringert wird, die Vorrichtung Io den Zustand eines Resonanzkreises erreichen ■--".-' kann. -."■■. ' '■ -: ■■-■·-' ~ ~ _ ν

Im folgenden wird Bezug auf die Figuren 6 und 7 genommen, in denen eine andere Ausfuhrungsform eines Halbleiter-. resonanzkreises dargestellt ist, wie er in den Figuren 1 und

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2 gezeigt ist. Die Vorrichtung 2o umfaßt ein Halbleiterträgermateriai 21 mit einem vorbestimmten spezifischen Widerstand, wobei auf diesem Trägermaterial eine elektrische Sperrschicht 22 durch einen PN-Übergang ausgebildet ist, was im folgenden beschrieben werden soll, wodurch ein dielektrisches Material . -gebildet wird, das/in einen Kondensator eingesetzt ist, eine

ohmische Elektrode 23, die auf einem Teil einer Seite des ' Trägermaterials 21 mit Hilfe, eines Diffusions- oder Legierungs-

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Überganges ausgebildet 1st, eine weitere ohmische Elektrode 24, die auf der gesamten anderen Seite des Trägermaterials 21 ausgebildet 1st, um mit Hilfe eines ähnlichen Überganges, wie er oben mit Bezug auf die ohmische Elektrode 23 beschrieben wurde, eine Klemme auszubilden, einen Spiralen- oder streifenförmigen Leiter 25, auf den ein Metall aufgebracht oder der mit einem Metall plattiert ist, das eine Austrittsarbeit X aufweist, die größer als die Austrittsarbeit X m s

des Halbleiterträgermaterials 21 in dem Gründkörper 21 ist, wobei der Leiter 25 an einem Ende mit der ohmischen Elektrode 23 verbunden ist, um ein induktives Element und eine Elektrode des Kondensators zu bilden, und eine elektrische Klemme 26, die auf dem Trägermaterial ausgebildet und mit dem anderen Ende des Leiters 25 verbunden ist.

Die oben erwähnte Sperr- oder Verarmungsschicht 22, wie sie in Figur 7 gezeigt ist, wird durch den übergang zwischen dem Halbleiter des Trägermaterials 21 und dem Leiter des spiralenförmigen oder streifenförmigen Leiters 25 und der Klemme 26, die mit dem Leiter 25 an einem Ende verbunden ist, mit dem Ergebnis erzeugt, daß das Halbleiterträgermaterial 21 im Falle eines Gleichstromes von dem Leiter 25 und der Klemme «26 isoliert ist^und daß beide Elemente bei einem Wechselstrom einen Kondensator bilden. Somitwird die*Äquivalenzschaltung des Halbleiterresonanzkreises 2o zu einem Resonanzkreis mit verteilten Konstanten, wie er In .Figur 8 dargestellt ist. In Figur 8 ist mit dem. Bezugszeichen L eine

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-Io -

Induktivität bezeichnet, die durch die Abmessungen und die Anordnung des Leiters 25, wie er in den Figuren 6 und 7 dargestellt ist, erzeugt bzw. bestimmt wird. Mit C ist eine Kapazität bezeichnet, die zusammen durch die Verarmungsschicht 22, die zwischen den Leiter 25 mit seiner klemme 26 u»*¹ die ohmlsche Elektrode 24 eingefügt i*k end durch denLeiter·^:γ25 und

„die ohmische Elektrode 24 gebildet wird, und mit R ist der Widerstand des Halbleiterträgermaterials 21 bezeichnet.

In dem so aufgebauten Halbleiterresonanzkreis kann, wenn das Material des Helbleiters der Trägerschicht 21 so gewählt wird, daß es einen geeigneten spezifischen Widerstand aufweist, die Dicke der Verarmungsschicht dadurch verändert wird, daß eine Gleichspannungsvorspahnung zwischen den Klemmen der Vorrichtung 20 angelegt wird, und dementsprechend kann auch die Kapazität C,wie sie in der Äquivalenzschaltung in Figur 8 dargestellt ist, geändert werden, sip daß die Resonanzfrequenz des Halbleiterresonanzkreises 2o entsprechend der Darstellung in Figur 9 geändert werden kann. Wenn die ohmischen Elektroden 12, 15 und 16 und die glaJtmde 13 als Bandieitungen ausgebildet werden, erhält der Halbreiterresonanzkreis eine niedrige Impedanz und Kapazität, wodurch man noch höhere Re- ^; sonanzfrequenzen erhalten kann. ■-^-~~^:-"■'--.* '*■'■ -^ *

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Im folgenden soll die Erfindung noch weiter im einzelnen anhand der folgenden Beispiele erläutert werden:

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- 11 -Beispiel 1

Der Halbleiterresonanzkreis dieses Beispiels besaß eine Halbleiterträgersubstanz !lieft einem spezifischen Widerstand von 1 ohm-cm und bestand aus Galliumarsenit. Er besaß eine

Fläche von 1 mm und Io/an Dicke und einen spiralförmigen

Leiter 15 mit Io Windungen, so daß seine Induktivität annähernd ο,25 uHenry betrug und seine Kapazität wies annähernd Io pF auf und seine Resonanzfrequenz betrug annähernd loo MHz. Wenn die ohmischen Elektroden 12, 15 und 16 und die Elektrode 13 aus Bandleitern hergestellt wurden, erhielt der Halbleiterresonanzkreis eine niedrige Induktivität und Kapazität, wodurch sich eine weitere Erhöhung der Resonanzfrequenz ergab. Nachdem sodann die Isolationsschicht 14 durch die Verarmungsschicht des Halbleiter-Metallüberganges ausgebildet worden war, konnte die Kapazität der Vorrichtung Io dadurch verändert werden, daß die an die Vorrichtung Io angelegte Gleichspannungsvorspannung geändert wurde, wodurch gleichfalls die Resonanzfrequenz der Vorrichtung Io geändert werden konnte.

Beispiel 2

Der Halbleiterresonanzkreis bestand bei diesem Beispiel für einen Parallelresonanzkreis aus einer Halbleiterträgersubstanz 21 von annähernd Io ohm-cm aus epitaxial gewachsenem N-Silicium mit einer Größe von 5 ram χ 5 mm und einem η -Bereich

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u.ÄafeLiBcnaer durch eine wahlweise, an sich bekannte Diffusion auegebildet wurde, einer ohmischen Elektrode 23 aus Aluminium oder einem Legierungsüberganges aus Gold-Antimon, der in dem η -Bereich ausgebildet wurde, einer anderen ohmischen Elektrode 24, die mit Micke! plattiert war und die auf der anderen Seite der Unterlage 21 in an sich bekannter Weise aufgebracht war, einem Spiralen-Leiter 25 mit Io Windungen, auf den Gold oder ein anderes geeignetes Metall aufgebracht oder mit dem er plattiert war, wobei dieser Leiter auf der Unterlage 21 angeordnet war. In diesem Zustand besaß der Halbleiterresonanzkreis eine Induktivität von annähernd 1 uF, eine Kapazität von annähernd 4o pFund eine Resonanzfrequenz von annähernd 25 MHz auf. Die diesem Beispiel entsprechende Äquivalenzschaltung ist in Figur 11 dargestellt. Wenn die Elektrode 12, 15 und 16 und die Elektrode 13 als Bandleitungen ausgebildet wurden, erhielt der Halbleiterresonanzkreis eine niedrige Induktivität und Kapazität, wo- * durch eine weitere Erhöhung der Resonanzfrequent erhalten werden konnte.

Beispiel 3

Der Halbleiterresonanzkreis bei diesem Beispiel für einen Serienresonanzkreis besaß eine Halbleiterträgersubstanz 21 von annähernd Io ohm-cm aus epitaxial gewachsenem n-Silicium mit einer Größe von 5 mm χ 5 mm, einen p-Bereich aus Bor oder

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Aluminium, der durch ein wahlweise, an sich bekannte Diffusion gebildet wurde, eine ohmische Elektrode 23 aus Aluminium oder aus einem an sich bekannten Legierungsübergang, der auf dem p-Bereich ausgebildet wurde, eine andere ohmische, mit Nickel plattierte Elektrode 24 auf der anderen Seite der Unterlage 21, was an sich bekannt ist, einen spiralenförmigen Leiter 25 mit 5 Windungen, der auf der Unterlage 21 angebracht war und auf dem Gold oder ein anderes geeignetes Metall aufgebracht war oder der mit Gold oder einem anderen geeigneten Metall plattiert war, so daß seine Induktivität annähernd o,25 uHenry betrug, während seine Kapazität zwischen Io und 4 pF zusätzlich zu 5 pF dadurch geändert werden konnte, daß die angelegte Gleichsspamuungs-TCispmmixig cpBnäextwtxäs uad dementsprechend konnte seine Resonanzfrequenz zwischen loo und 5o MHz verändert werden. Wenn die ohmische Elektrode 12, 15 und 16 und die Elektrode 13 als Streifenleitungen ausgebildet wurden, erhielt der Halbleiterresonanzkreis eine niedrige Induktivität und Kapapzitätj, so daß eine weiter erhöhte Resonanzfrequenz erhalten werden konnte.

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Claims

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Patentansprüche

\1JJ Halbleiterresonanzkreiseinheit, gekennzeichnet durch eine Halleiterträgersubstanz (11, 21) durch eine ohmische Elektrode (12, 23), die auf einem Teil einer Seite die^ ser Trägersubstanz ausgebildet ist, durch eine andere ohmischen Elektrode (13, 24 )_/ die auf der gesamten anderen Seite der Trägersubstanz zur Bildung einer elektrischen Anschlußklemme ausgebildet ist, durch eine Verarmungsschicht (21) die auf einer Seite dieser Trägersubstanz zur Bildung eines Isolators und dementsprechend eines Dielektrikums für einen Kondensator des Resonanzkreises ausgebildet ist, durch einen Leiter (15, 25) der auf dieser Verarmungsschicht ausgebildet und mit einem Ende mit der einen ohmischen Elektrode (12, 23) verbunden ist und durch eine elektrische Anschlußklemme (16, 26) , die auf dieser Verarmungsschicht ausgebildet und mit dem anderen Ende des Leiters verbunden ist.

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2) Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (15, 25) spiralenförmig ausgebildet ist.
3) Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2^ dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (15,25) ein Streif enleiter i*t.
4) Vorrichtung nach eine» der vorhergsh«isden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daft die Balbielterferägereubstanz (11/21) einen negativen Widerstand unter einer elektrischen Feldstärke aufweist.

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■i*. .

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5) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, daß die eine ohmische Elektrode (12, 23), die auf einem Teil einer Seite der Tragersubstanz auegebildet ist, mit Hilfe einer Ablagerung oder eines Legierungsüberganges gebildet ist.
6} Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die andere ohmische Elektrode (13, 24),.die auf der gesamten anderen Seite der Trägersubstanz ausgebildet ist mit Hilfe irgendeiner Ablagerung oder eines Legierungsüberganges gebildet ist.
7) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Verarmungsschicht (21), die durch irgendeinen Oxyd-, Ferrit- oder Halbleiter-Metallübergang geschaffen wird, eine isolierende Schicht (22) gebildet wird, die ein Dielektrikum für einen Kondensator des Resonanzkreises darstellt.
8) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche ,* dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (15, 25) durch Gold oder Aluminium auf die isolierende Schicht aufgebracht und mit einem Ende der einen ohmischen Elektrode (12, 23) verbunden ist, so daß er ein induktives*Element und eine Elektrode des Kondensators bildet.
9) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine elektrische Anschlußklemme' (26) auf dieser isolierenden Schicht ausgebildet und mit dem anderen Ende des Leiters (15, 25) verbunden ist.
10) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine elektrische Gleichstromquelle (18), die zwischen die elektrischen Anschlußklemmen (13, 16; 24, 26) geschaltet ist, wobei die Spannung dieser Quelle ein Maximum erreicht, wenn ein maximaler Strom durch den Resonanzkreis fließt, und die maximale Spannung sich in Abhängigkeit von dem Abstand zwischen den ohmischen Elektroden (12, 13;

23, 24) ändert. ,
11) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Resonanzkreis bei über dieser maximalen Spannung liegenden Spannungen einen negativen Widerstand für durch diesen Resonanzkreis fließenden Wechselstrom aufweist. ,
12) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterträgersubstanz einen vorbestimmten spezifischen Widerstand aufweist, wobei die Verarmungsschicht aus einem pn-übergang besteht, daß die beiden ohmischen Elektroden durch diffusions- oder Legierungsübergänge hergestellt sind, und daß auf den auf die Halbleiterträgersubstanz aufgebrachten Leiter ein Metall aufgebracht

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oder ein Metall aufplattiert ist, d»fe eine Austrittsarbeit aufweist, die größer als die Austrittsarbeit der Trägersubstanz ist.
13) Vorrichtung nach Anspruch 12* dadurch gekennzeichnet, daß die Verarmungsschicht durch den übergang zwischen dem Halbleiter der Trägersubstanz (11, 21) und dem Leiter (15, 25) ausgebildet ist. ^
14) Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Verarmungsschicht durch Anlegung einer Gleichspannungsvorspannung zwischen den elektrischen Klemmen (12 _? 13; 23, 24) und dementsprechend die Kapazität des Kondensators in dem Resonanzkreis in Abhängigkeit hiervon veränderbar ist, so daß die Resonanzfrequenz dieser Vorrichtung in Abhängigkeit von der Änderung der Vorspannungsgleichspannung änderbar 1st.

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