DE1950439A1 - Verfahren zur Herstellung einer Kapillarstruktur fuer Waermerohre - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Kapillarstruktur fuer WaermerohreInfo
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Description
BROWN, BOVERI & CIE - AKTIENGESELLSCHAFT
MANNHEIM BROWN BOVERI
Mp.-Nr. 657/69 Mannheim, den 24. Sept. 1969
Pat/P/Bu.
"Verfahren zur Herstellung einer Kapillarstruktur für
Wärmeröhre"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
Kapillarstruktur für Wärmerohre, die einen von außen wärmeaufnehmenden ersten Abschnitt, in dem Arbeitsflüssigkeit
verdampft, und einen nach außen wärmeabgebenden zweiten Abschnitt aufweisen, in dem der Dampf kondensiert, wobei
die beiden Abschnitte für die Arbeitsflüssigkeit zu einem geschlossenen Kreislauf vereinigt sind und die Kapillarstruktur,
die in Form einer dünnen porösen Schicht auf die Innenwandung des Wärmerohres aufgebracht ist, als Leitmittel
für den Rücklauf des Kondensats dient.
Die bisher bekannten Wärmerohre weisen verschiedene Kapillarstrukturen
auf:
a) einen KapillarStruktureinsatz, der aus einem der Geometrie
der Wärmerohre angepaßten, hohlen, einstückigen Grundkörper mit Kapillarrillen in der Außen- und Innenfläche
besteht (OS 1 501 505);
b) Rillen auf der Innenseite der Rohrwandung und der Stirnflächen;
c) Metallnetze u.a.:
1. angedrückte Netze, Drahtgeflecht oder G-lasfritte
(DAS 1 264 461);
2. mehrere Schichten eines Molybdännetzes (G. YaIe
Eastman "The heat pipe", Scientific american, Mai 1968, υ. 38-46, insb. S. 46);
10 9 816/1215
. - .2 - 657/69
3. filzartiger lickelfaserbelag (G-. Yale Eastman "The
heat pipe", Scientific american, Mal 1968, S. 38-46, insb. S. 4-6);
d) poröse Kupferschicht, die auf die Innenwandung aufgebracht
ist (G. Yale Eastman, "The heat pipe", Scientific american, Mai 1968, S. 38-46, insb. S. 46).
Die Möglichkeiten nach a) und b) begrenzen das herstellbare
Kapillarvolumen und damit die förderbar-e Flüssigkeitsmenge. Gekreuzte Rillen sind insbesondere an der Heizfläche
unzweckmäßig, weil an den Kreuzungspunkten diagonale Porenquerschnitte
auftreten, die größer sind als die normalen Porenquerschnitte.
Bei der Verwendung von Netzen erfolgt die Wärmeleitung wegen des fehlenden metallischen Kontaktes zwischen Ne.tz und Wand
bzw. zwischen mehreren Netzen durch die wesentlich schlechter
leitende Flüssigkeit. Dadurch wird das Temperaturgefälle zwischen Anfang und Ende des Wärmerohres unzulässig vergrößert.
Den besten Wärmekontakt- zur Innenwandung und eine homogene
Verteilung bietet eine poröse Metallschicht, die auf die Innenwand des Wärmeröhres aufgebracht ist.
Für das Aufbringen von Überzugsschichten eignen sich verschiedene,
aus anderen Anwendungsbereichen bekannte Verfahren: Bedampfen, Elektrolyse, Kathodenzerstäubung, Flamm- _-
spritzen, Spritzschweißen und das Aufwachsen aus der Gasphase (BBO-Nachrichten, Sept. 19'64, H. 9, S. 476). Das
letztgenannte Verfahren, d.h. die thermische Zersetzung oder Reduktion von Metallhalogeniden in einer Wasserstoff-
— 3 —
+09816/1215 —- bad origiNäE"
+09816/1215 —- bad origiNäE"
t-
. " - 3 - 657/69
atmosphäre am erhitzten Werkstoff nach van Arkelde Boer
(vgl. DAS 1 253 991) bezweckt die Herstellung einer gut
haftenden, dichten, weitgehend einheitlich orientierten Metallschicht, z.B. Wolframüberzüge an Emitteroberflächen
von thermionischen.. Wandlern (vgl. die genannte BBC-Veröfientlichung).
Weiterhin, ist eine Anwendung dieses Verfahrens (im englischen Sprachgebrauch "vapor-plating")
zur Herstellung eines nahtlosen, festen, stabilen Wolframrohres bekannt (DAS 1 251 617).
Die Aufgabe der Erfindung besteht jedoch darin, eine Kapillarstruktur
für Wärmerohre in Form einer porösen Schicht herzustellen. Die Schicht soll gut an der Innenwa'ndung
des Wärmerohres haften und einen günstigen Wärmeübergang bilden.
Nach der erfindungsgemäßen lösung entsteht die Kapillarstruktur
als poröse schwammartige Schicht durch Niederschlag einer flüchtigen Verbindung des Überzugswerkstoffes aus
der Gasphase und Zersetzung bzw. Reduktion mittels eines
\ireiteren, in der Gasphase befindlichen Stoffes an der erhitzten
Fläche der^ Trägerschicht, und die Porengrößenverteilung
der Kapillarstruktur wird durch variable Arbeitsbedingungen
beeinflußt. In vorteilhafter, verblüffend einfacher V/eise wird mit Hilfe eines Verfahrens, das ursprünglich
extrem dichte, einheitlich orientierte Hetallschichten bezweckte, eine stabile, gut haftende, zusammenklebende,
schwammig-poröse Kapillarstruktur in gut wärmeleitende Verbindung
mit der Innenwandung des Wärmerohres gebracht. Der an sich bekannte Reduktionsvorgang an der erhitzten,
überzuziehenden Oberfläche, der sich z.B. bei dem erwähnten "vapor-plating"-Verfahren zum Überzug von Emitterflächen
mit Wolfram zwischen 600 und 1000 0G abspielt, wird er-
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— A —
657/69
findungsgemäß "bei erhöhter Temperatur der erhitzten Oberfläche,
verändertem Druck in der Vakuumapparatur, variablem
Abstand der Düse von uer Metalloberfläche oder geänderter Relativgeschwindigkeit zwischen der zu beschichtenden Oberfläche
und der Austrittsdüse der flüchtigen Verbindung o'der unter Änderung mehrerer Parameter gleichzeitig so beeinflußt,
daß eine poröse bis bröckelige, zusammenklebende Schicht aufwächst, die zusätzlich durch eine.dichte, feste
Schicht in einem weiteren Verfahrensschritt versiegelt werden kann.
Weiterhin lassen sich mehrere Metalle oder Verbindungen
gleichzeitig oder nacheinander aus der Gasphase abscheiden., so daß beliebig zusammengesetzte Strukturen entstehen, die
beispielsweise von der unteren zur oberen Schicht hin fallende oder steigende Porenradien aufweisen. Eine unterschiedliche
Porenverteilung empfiehlt sich für verschiedene Betriebsbedingungen und das Startverhalten des Wärmerohres,
wobei jeweils andere Porengrößen den Hauptante.il des Kondensatstromes übernehmen. ■ ■
Mit dem "vapor-plating"-Verfahren läßt sich auch die Heizfläche des Wärmerohres beschichten, so daß man hier durch
Wahl des Schichtstoffes in Abhängigkeit von der Arbeitsflüssigkeif
und dem erreichbaren guten Wärmeübergang von dem Material der Heizfläche zum Schichtstoff extrem gute
Verdampfungseigensehaften einstellen kann.
1 0 98 1 6/1 2|i
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung einer Kapillarstruktur für"
Wärinerohre, die einen von außen wärme auf nehmenden ersten
Abschnitt, in dem Arbeitsflüssigkeit verdampft, und einen nach außen wärmeabgebenden zweiten Abschnitt
aufweisen, in dem der Dampf kondensiert, wobei die beiden Abschnitte für die Arbeitsflüssigkeit zu einem
geschlossenen Kreislauf vereinigt sind und die Kapil- ·
. larstruktur, die in Form einer dünnen porösen Schicht
auf die Innenwandung des Wärmerohres aufgebracht ist, als Leitmittel für den Rücklauf des Kondensats dient,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kapillarstruktur als poröse, schwammartige Schicht durch Niederschlag einer
flüchtigen Verbindung des tJberzugswerkstoff es aus der Gasphase und Zersetzung bzw. Reduktion mittels eines
weiteren, in der Gasphase befindlichen Stoffes an der
erhitzten Fläche der Trägerschicht entsteht und daß die Porengrößenverteilung der Kapillarstruktur durch
variable Arbeitsbedingungen beeinflußt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nacheinander verschiedene Schichten aufgebracht werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß sich gleichzeitig mindestens zwei Komponenten in geeignetem Verhältnis an der zu beschichtenden Oberfläche
zersetzen und Verbindungen aufwachsen.
j
4. Verfahren nach Anspruch 1,2 und/oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß anschließend eine dünne Schicht aufgebracht wird, durch die die poröse Schicht versiegelt
iö I,.
1098Ί-6/Ί2Τ5
- 6 - . . 657/69
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch·-gekennzeichnet,
daß Ar "belts temper a tür und -druck, der Abstand einer Gasaustrittsdüse
von der zu beschichtenden Oberfläche und die Relativgeschwindigkeit zwischen Oberfläche und Düse beeinflußbar
sind. ■
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß· die flüchtigen Verbindungen Metallhalogenide sind und mittels Wasserstoff an der erhitzten Oberfläche
reduziert werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Metalldämpfe zur Reduktion der flüchtigen Verbindungen
verwendet werden.
10 58TB/TTTF
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