DE10022159A1 - Substrathalterung für Beschichtungseinrichtungen - Google Patents
Substrathalterung für BeschichtungseinrichtungenInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf eine Substrathalterung für Beschichtungseinrichtungen mit mindestens einem Substrate aufnehmenden Halter und mit mindestens einer Temperiereinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, daß der Halter ein inneres Kammersystem mit mindestens einem Kammerbereich aufweist, der ein Fluid enthält, das in einem Teilkammerbereich verdampft und in einem anderen Teilkammerbereich kondensiert, und daß die Beschichtung auf einem Abschnitt des Halters erfolgt, der mindestens einem der beiden Teilkammerbereiche zugeordnet ist.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Substrathalterung für Beschichtungseinrichtungen
mit mindestens einem Substrate aufnehmenden Halter und mit mindestens einer Tempe
riereinrichtung.
In Beschichtungseinrichtungen werden üblicherweise die zu beschichtenden Substrate an
Halterungen befestigt, um sie geeignet positionieren und fixieren zu können. Um sowohl
die Abscheidungsrate als auch die Morphologie und somit die Qualität der abzuscheiden
den Schichten positiv beeinflussen zu können, werden Substrate bei solchen Beschich
tungsprozessen häufig temperiert, d. h. gekühlt oder beheizt. Hierzu werden die Substrate
an speziellen Halterungen bzw. Substrathalterungen angebracht, die von Fluiden, zum
Beispiel Wasser, Öle, durchflossen werden; die Substrathalterungen selbst werden auf die
gewünschten Temperaturen sowohl vor dem als auch während des Beschichtungsvor
gangs gebracht. Eine weitere, bekannte Maßnahme ist die Beheizung durch elektrische
Heizpatronen, die in die Halterung eingebracht werden. In einigen Fällen werden auch La
ser eingesetzt, um partiell vorzuheizen.
Systembedingt können bei den derzeit üblichen Temperiereinrichtungen beträchtliche
Temperaturunterschiede (auf einige 100 K) in der Substrathalterung und den zu beschichtenden
Substraten bzw. in der Schicht selbst auftreten, die sich in der Regel negativ
auf die Beschichtung auswirken, indem Risse in der Beschichtung oder sogar ein Abplat
zen ganzer Schichten zu beobachten sind. Elektrische Heizeinrichtungen sind auch einge
setzt worden; bei elektrischen Beheizungen im Vakuum treten allerdings Begrenzungen
bei der Versorgungsspannung auf und somit werden die Heizleistungen technisch einge
schränkt. Dadurch sind Substrattemperaturen bzw. Heiztemperaturen begrenzt. Zudem
sind elektrische Heizpatronen stark belastete Bauteile, die anfällig für Ausfälle sind. Han
delt es sich bei den zu beschichtenden Bauteilen um sich bewegende (rotierende) Bautei
le, so entstehen zusätzlich Leitungsprobleme. Bei den erwähnten Strahlungsheizern ent
stehen darüber hinaus Probleme hinsichtlich der Verschmutzung durch sogenanntes
Overspray (Fein- und Feinststaub) sowie bei der Positionierung und möglicher Mitführung
dieser Strahlquellen. Eine homogene Temperierung ist hierbei meist nicht gewährleistet.
Ausgehend von dem vorstehend beschriebenen Stand der Technik liegt der Erfindung die
Aufgabe zugrunde, eine Substrathalterung für Beschichtungseinrichtungen zu schaffen,
die die angegebenen Nachteile vermeidet. Weiterhin soll ein Verfahren zur Herstellung
einer Kapillarstrukturschicht für eine solche Substrathalterung angegeben werden.
Gelöst wird die Aufgabe durch eine Substrathalterung für Beschichtungseinrichtungen mit
mindestens einer Temperiereinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, daß der Halter
ein inneres Kammersystem mit mindestens einem Kammerbereich aufweist, der ein Fluid
enthält, das in einem Teilkammerbereich verdampft und in einem anderen Teilkammerbe
reich kondensiert, und daß die Beschichtung auf einem Abschnitt des Halters erfolgt, der
mindestens einem der beiden Teilkammerbereich zugeordnet ist.
Erfindungsgemäß wird die Substrathalterung in Form eines Zweiphasen-Wärmetauschers
aufgebaut. In einem solchen Zweiphasen-Wärmetauscher, bei dem es sich in der Regel
um ein geschlossenes System handelt, finden Verdampfung und Kondensation eines
Wärmeträgermediums statt. Durch die Nutzung der latenten Verdampfungs- bzw. Konden
sationswärme lassen sich große Wärmemengen transportieren, die bis zu 1000mal so
groß sind, wie sie von den besten, wärmeleitenden Feststoffen bekannt sind. Charakteri
stisch für Zweiphasen-Wärmetauscher sind weiter ihr isothermes Verhalten und die Puffe
rung bzw. der Ausgleich von Temperaturspitzen, was von besonderem Vorteil in Beschichtungseinrichtungen
ist. Dadurch können Gradienten von nur wenigen Zehntel bis ca.
1 Kelvin erreicht werden. Der Einsatz solcher Substrathalterungen in Form von Zweipha
sen-Wärmetauschern hat den Vorteil, daß bei Beschichtungsprozessen, insbesondere
thermischen Beschichtungsprozessen, unter höheren Substrattemperaturen beschichtet
werden kann. Die Homogenität und die Qualität der Beschichtung verbessern sich und die
Vielfalt an Einsatzstoffen, die verwendet werden kann, vergrößert sich. Falls im Vakuum
beschichtet wird, unter Einsatz von elektrischen Heizeinrichtungen, müssen elektrische
Spannungen auf 28 V begrenzt werden; alternativ muß die komplette Heizeinrichtung un
ter Atmosphäre geführt werden. Mit der erfindungsgemäßen Substrathalterung in Form
eines Zweiphasen-Wärmetauschers können die Zonen, in denen die Wärme erzeugt und
eingespeist wird, geometrisch getrennt werden. Wird zur Verdampfung des Fluids eine
induktive Heizeinrichtung eingesetzt, so kann darüber hinaus die Energie berührungslos
eingekoppelt werden. Auch besteht die Möglichkeit, beim thermischen Beschichten nur mit
der Beschichtungsflamme selbst zu heizen, was zu einer gleichmäßigen Temperierung
des Substrats über die gesamte Fläche, auf der das zu beschichtende Substrat angeord
net ist, führt, auch wenn mit der Flamme selbst nur partiell geheizt wird.
Falls nicht-kondensierbare Gase in der Substrathalterung gezielt eingesetzt werden, so
kann die Leistungsübertragung gezielt gesteuert werden; bestimmte Flächen, auf denen
beschichtet wird, können somit schnell aus der Heiz/Kühlzone genommen werden.
Die angegebene Substrathalterung kann so aufgebaut werden, daß mehrere Teilkammer
bereiche vorgesehen werden, wobei zumindest Teile dieser Teilkammerbereiche als Hal
ter für Substrate dienen. Diese Teilkammerbereiche werden dann einem gemeinsamen
anderen Kammerbereich zugeordnet, der zur Verdampfung bzw. Kondensation dient. Die
einzelnen Teilkammerbereiche, auf denen die Substrate angeordnet sind, können fin
gerartig aufgebaut werden, mit einem Übergangsbereich, der mit dem Kammerbereich,
der die Verdampfungs- bzw. Kondensationseinrichtung bildet, verbunden ist. Trotz einer
solchen geometrisch komplizierten Konstruktion ist eine gleichmäßige Temperierung mög
lich.
Bevorzugt wird die Substrathalterung so aufgebaut, daß der als Halter dienende Teilkam
merbereich den das Fluid kondensierenden Abschnitt bildet.
Dem verdampfenden Teilkammerbereich kann unmittelbar eine Heizeinrichtung zugeord
net werden, wozu sich eine elektrische Widerstandsheizung, eine indirekte Heizung oder
eine Strahlungsheizung eignen. Insbesondere eine indirekte Heizung oder Strahlungshei
zung haben den Vorteil, daß die notwendige Energie von außen eingekoppelt werden
kann.
Als besonders vorteilhaft hat sich eine Substrathalterung erwiesen, bei der zumindest
Teile des Kammerbereichs mit einer inneren Kapillarstruktur versehen werden. Gerade
eine solche Kapillarstruktur hat den Vorteil, daß das Wärmeträgermedium nur mittels Ka
pillarkräften, also ohne mechanische Pumpe, zur Verdampfungszone zurücktransportiert
wird. Falls thermisch beschichtet wird, erfolgt, wie beschrieben, im Kondensationsbereich
auch eine partielle Verdampfung. Hierzu ist eine Kapillarstruktur im Kondensationsbereich
notwendig. Darüber hinaus erhöht die Kapillarstruktur den Wärmeübergang bei der Kon
densation.
Strukturen, wie sie vorstehend erwähnt sind, können durch eine Sinterstruktur gebildet
werden. Mit solchen Sinterstrukturen können mittlere bis hohe Kapillarkräfte erreicht wer
den, und zwar dort, wo mittlere Temperaturen (je nach Anwendungsfall bis 500°C) gefor
dert sind. Zusätzlich können in eine solche Kapillarstruktur Axialrillen eingebracht werden,
d. h. Rillen, die im wesentlichen von dem einen Kammerbereich in den anderen Kammer
bereich führen, d. h. zwischen dem verdampfenden Teil und dem kondensierenden Teil
des Substrathalters der Substrathalterung. Eine solche Sinterstruktur wird vorzugsweise
aus Pulverpartikeln gebildet.
Als besonders vorteilhaft hat sich eine Kapillarstruktur erwiesen, die durch thermisches
Spritzen/Beschichten von Pulverpartikeln, die auf Teilen der Wände des Kammerbereichs
aufgebracht werden, unter Bildung von Poren gebildet ist. Hierbei werden zur Bildung der
Poren Pulverpartikel oberflächlich angeschmolzen und durch den definierten Grad des
Anschmelzens wird eine im wesentlichen offene Porenstruktur erzeugt. Gerade mit einem
solchen Aufbau bzw. der entsprechenden Verfahrensweise zum Herstellen der Kapillar
struktur kann ein hoher Porenanteil erhalten werden. Für die Effektivität der Kapillarstruk
tur, d. h. hinsichtlich des Wärme- und Stofftransportes, kann es wesentlich sein, die Poren
struktur definiert einzustellen.
Eine solche Kapillarschicht ist besonders effektiv in der Zwischenzone zwischen dem ver
dampfenden Teil und dem kondensierenden Teil der Substrathalterung, um dort den
Transport des Fluids zu unterstützen. Gerade im Bereich dieser Zwischenzone sollten die
Poren der Kapillarstrukturschicht zur radial innenliegenden Seite hin geschlossener sein
als zur radial außenliegenden Seite hin, d. h. zu der Innenseite der Hohlraumstruktur hin.
Mit dieser Massnahme wird erreicht, daß die Flüssigkeitsmenge, die von der Dampfströ
mung aus der Kapillarschicht gerissen wird, minimiert wird.
Weiterhin ist ein bevorzugtes Verfahren zur Erzeugung der Kapillarschicht Hochfrequenz
plasmaspritzen. Gerade mit einem solchen Hochfrequenzplasmaspritzverfahren können
die einzelnen Pulverpartikel definiert durch Einstellung der Verfahrensparameter, wie bei
spielsweise Druck, Flammabstand, Leistung, usw., in der Oberfläche angeschmolzen wer
den. Die aufeinandergeschichteten Pulverpartikel verbinden sich dann oberflächenmäßig,
allerdings unter Erhaltung der Porenstruktur aufgrund der nicht angeschmolzenen Kerne
der Pulverpartikel. Bevorzugte Partikelgrößen liegen hierbei im Bereich von 10 µm bis 800 µm,
insbesondere im Bereich von 100 µm und 250 µm. Es ist ersichtlich, daß die Partikel
mit relativ großem Durchmesser nur oberflächlich angeschmolzen werden, wogegen die
Pulverpartikel mit kleinem Durchmesser vollständig aufgeschmolzen werden und zu dem
innigen Kontakt der einzelnen Pulverpartikel beitragen. Folglich kann die offene Poren
struktur auch durch die geeignete Wahl der eingesetzten Pulverfraktion eingestellt werden.
Es sollte darauf geachtet werden, daß der offene Porenradius 5 bis 500 µm, vorzugsweise
50 µm bis 170 µm, beträgt. Der gesamte Volumenanteil der Poren im Gesamtvolumen der
Schicht sollte 10 bis 80% betragen.
Mit den angegebenen Maßnahmen können Dicken der Kapillarstrukturschicht im Bereich
vom 10 µm bis 10.000 µm erhalten werden. Als Pulver können Metalle und/oder Metalle
gierungen eingesetzt werden. Insbesondere in Verbindung mit einem Hochfrequenzplas
maspritzverfahren kann eine solche Kapillarstrukturschicht aus den unterschiedlichsten
Materialien aufgebaut werden, zum Beispiel aus Metall und/oder Metallegierungen, aus
Keramikmaterialien oder aber sogar aus Kunststoffmaterialien.
In einer bevorzugten Ausführungsform sollte zwischen dem einen Teilkammerbereich und
dem anderen Teilkammerbereich, d. h. zwischen dem verdampfenden Teilkammerbereich
und dem kondensierenden Teilkammerbereich, eine Zwischenzone angeordnet werden.
Hierdurch können die beiden Teilkammerbereiche ausreichend voneinander beabstandet
werden, was den Vorteil mit sich bringt, daß der Heizeinrichtung ein geeigneter Raum in
geeigneter Größe zugeordnet werden kann.
Gerade dieser Zwischenbereich bzw. diese Zwischenzone sollte mit einer inneren Kapil
larstrukturschicht versehen werden, um den Rücktransport des kondensierten Fluids in
besonders geeigneter Weise bewerkstelligen zu können. Hierbei kann es bevorzugt sein,
im Bereich dieser Zwischenzone die Poren zur radial innenliegenden Seite hin geschlos
sener auszubilden als zur radial außenliegenden Seite hin.
Vorzugsweise wird die Kapillarstrukturschicht durch ein Vakuum-Hochfrequenzplasma
spritzverfahren erzeugt. Gerade der Druck ist ein wichtiger Parameter, um die Poren
struktur der Kapillarschicht zu beeinflussen bzw. einzustellen. Grundsätzlich sollte ein
Druck beim Aufbauen der Kapillarschicht im Bereich von 5.103 bis 2.104 Pa eingestellt
werden.
Die Substrathalterung kann durch Teile des Substrats selbst gebildet werden, indem das
zu beschichtende Substrat als Hohlkörper ausgebildet wird und so einen Teil der Sub
strathalterung bildet. Bevorzugt sollte hierbei dieser Hohlkörper einen lösbaren Teil der
Substrathalterung bilden, so daß die zu beschichtenden Teile jeweils mit einer
Grundanordnung verbunden werden können.
Die Kapillarstrukturschicht kann unmittelbar auf die Innenflächen der Teilkammerbereiche
aufgebracht werden. Verfahrenstechnisch ist es hierzu hilfreich, die Substrathalterung zu
mindest zweiteilig aufzubauen, wobei dann die beiden Hälften miteinander verbunden
werden müssen. Eine bevorzugte Maßnahme besteht allerdings darin, die Kapillarstruktur
schicht als gesondertes Bauteil auszubilden und sie anschließend in die Kammerbereiche
einzusetzen.
Um die Kapillarstrukturschicht für die Substrathalterung herzustellen, kann zunächst ein
Formkörper bereitgestellt werden, auf dem Stege gebildet sind, die in ihrer Querschnitts
form und Positionierung den zu erzeugenden Kanälen in der Kapillarstrukturschicht ange
paßt sind. Anschließend werden auf diesen Grundkörper Pulverpartikel, vorzugsweise
durch Plasmaspritzen, aufgebracht, unter Erzeugung einer Porenstruktur, indem die Pul
verpartikel zur Erzeugung der Struktur während der schichtweisen Beschichtung ober
flächlich angeschmolzen werden und durch den Grad des Anschmelzens eine offene oder
teilweise geschlossene Porenstruktur erzeugt wird. Als Grundkörper kann auch eine Platte
eingesetzt werden, die Stege aufweist. Diese Stege sollten dann bevorzugt im Querschnitt
dreieckförmig sein, so daß diese Stege in der späteren, porösen Kapillarstrukturschicht V-
förmige Nuten bilden; diese Nuten erzeugen dann, wenn diese poröse Strukturschicht in
ein Mantelrohr bzw. einen Mantelkörper eingesetzt wird, Kanäle, die den Transport von
Fluid unterstützen. Der Grundkörper, auf den die Partikel beschichtet werden, sollte vor
zugsweise aus Graphit bestehen.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung erläutert.
In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 eine schematische, perspektivische Darstellung einer Substrathalterung für
Beschichtungseinrichtungen in einer vertikalen Anordnung,
Fig. 2 einen Längsschnitt durch eine Substrathalterung in einer horizontalen Anord
nung der das Substrat aufnehmenden Fläche,
Fig. 3 einen weiteren Schnitt durch eine Substrathalterung in horizontaler Anord
nung mit einem Verdampfungsbereich, eine Zwischenzone und einem Kon
densationsbereich,
Fig. 4 einen Schnitt durch einen Kammerbereich einer Substrathalterung mit einer
speziell aufgebauten Kapillarstrukturschicht,
Fig. 5 eine gegenüber der Fig. 4 abgewandelte Ausführungsform,
Fig. 6 drei Phasen A, B und C zur Herstellung einer Kapillarstrukturschicht, wie sie
in den Fig. 4 und 5 zeigt ist,
Fig. 7 ein Substrat mit einer darauf aufgebrachten Kapillarstrukturschicht im Be
reich einer Fügestelle, und
Fig. 8 eine der Fig. 7 entsprechende Darstellung, mit einem geänderten Aufbau
der der Fügestelle.
Die Substrathalterung für Beschichtungseinrichtungen, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, um
faßt ein Kammersystem, allgemein mit dem Bezugszeichen 1 bezeichnet, mit einem er
sten Teilkammerbereich 2, dem eine Induktionsspule 3 als Heizeinrichtung zugeordnet ist.
Dieser erste Teilkammerbereich 2 verzweigt in drei zweite bzw. weitere Teilkammerberei
che 4, die in einen Halter 5, der kastenförmig aufgebaut ist, eingebettet sind. Der Halter 5
besteht aus einem gut wärmeleitenden Material, beispielsweise Aluminium, Kupfer oder
Edelstahl, abhängig von den Materialpaarungen und den Temperaturen. Auf der einen,
sichtbaren Fläche des Halters 5 sind insgesamt fünf Substrataufnahmen 6 schematisch
dargestellt, an denen zu beschichtende Substrate angebracht werden können. Die ge
samte Anordnung ist um eine vertikale Achse, die der Achse des rohrförmigen ersten Teil
kammerbereichs 2 entspricht, drehbar, wie durch den Drehpfeil 7 angedeutet ist.
In das Kammersystem 1 der Substrathalterung der Fig. 1 ist ein Fluid eingefüllt, das in
dem ersten Teilkammerbereich 2 mittels der Heizeinrichtung 3 (Induktionsspule) verdampft
wird, von dort in die zweiten Teilkammerbereiche 4 aufsteigt und an den Wänden der
zweiten Teilkammerbereiche 4 wieder kondensiert. Während des Beschichtungsvorgangs
können dadurch auf den Flächen des Halters 5, insbesondere an den Substrataufnahmen,
gleichmäßige Temperaturen erzielt werden; weiterhin können große Temperaturgradien
ten schnell abgebaut werden. Gerade mit einem solchen Zweiphasen-
Wärmetauschersystem können, unter Ausnutzung der latenten Verdampfungs- bzw. Kon
densationswärme, sehr große Wärmemengen transportiert werden, was zu einem schnel
len Ausgleich von Temperaturspitzen im Bereich der die zu beschichtenden Substrate
aufnehmenden Substrataufnahmen 6 von Vorteil ist.
Es ist ersichtlich, daß in Fig. 1 sowohl die gezeigte Vorderseite des Halters 5 als auch die
nicht zu sehende Rückseite mit Substrataufnahmen 6 versehen werden kann.
Fig. 2 zeigt eine Substrathalterung in einer horizontalen Anordnung mit einer Kammer 8,
in die ein flüssiges Wärmeträgermedium 9 eingefüllt wird. Die Kammer 8 kann in der verti
kalen Richtung gesehen in einen unteren oder ersten Teilkammerbereich 11 und einen
oberen oder zweiten Teilkammerbereich 12 unterteilt werden. Unterhalb des ersten Teilkammerbereichs
11 ist ein elektrischer Heizstab 13 angeordnet, der sich über die gesamte
Fläche des Zwischenbodens 14 erstreckt. Die obere Wand 15, die die Kammer 8 be
grenzt, die auch als Kondensationsfläche in Bezug auf den zweiten Teilkammerbereich 12
bezeichnet werden kann, dient als Halter 5, um darauf Substrate 16, die beschichtet wer
den sollen, anzuordnen. Im Betrieb dieser Substrathalterung für Beschichtungsanlagen
wird mit dem Heizstab 13 geheizt, das Wärmeträgermedium 9 verdampft und wird an der
oberen Wand 15 kondensiert. Auch hierdurch ist eine gleichmäßige Temperatur im Be
reich der oberen Wand bzw. des Halters 15 gewährleistet. Eine Kapillarschicht ist hierbei
günstig, jedoch nicht zwingend notwendig.
In Fig. 3 ist eine Substrathalterung gezeigt, die mit der Anordnung der Fig. 1 vergleich
bar ist, allerdings in einer horizontalen Positionierung. Einem ersten Teilkammerbereich 2
eines Kammersystems 1 ist wiederum eine Induktionsspule 3 als Heizeinrichtung zuge
ordnet. Dieser erste Teilkammerbereich 2 ist über eine Zwischenzone 17 mit einem zwei
ten Teilkammerbereich 4 verbunden. Auf diesen zweiten Teilkammerbereich 4 ist ein Hal
ter 5 aufgesteckt, der in geeigneter Weise auf seinen Flächen zu beschichtende Substrate
aufnehmen kann. Die Innenwände des Kammersystems 1 sind mit einer Kapillarstruktur
schicht 18 versehen, die eine offene Porosität aufweist. Bei dem Kammersystem 1 kann
es sich um eine rotationssymmetrische Anordnung handeln, beispielsweise rohrförmig mit
kreisförmigem Querschnitt, so daß rohr- oder hülsenförmige Substrate, die auf den zwei
ten Teilkammerbereich 4 aufgesteckt werden, allseitig unter Drehung dieser Anordnung in
Richtung des Drehpfeils 19 beschichtet werden können. Vor bzw. während des Beschich
tungsvorgangs wird mit der Induktionsspule 3 der erste Teilkammerbereich 2 beheizt. Ein
in den Innenraum des Kammersystems 1 eingefülltes Fluid wird verdampft, wie durch die
Pfeile 20 angedeutet ist und die dampfförmige Phase geht über den Innenraum der Zwi
schenzone 17 in den zweiten Teilkammerbereich 4 über. Aufgrund der geringeren Tempe
raturen bzw. der entlang des zweiten Teilkammerbereichs 4 vorhandenen Temperaturgra
dienten kondensiert das Wärmeträgermedium, beispielsweise eine für den erforderlichen
Temperaturbereich geeignete Flüssigkeit, und das Kondensat wird von der Kapillarstruk
turschicht 18 über deren offene Poren aufgenommen und wird aufgrund von Kapillarkräf
ten und/oder Gravitationskräften entlang der Kapillarstrukturschicht 18 wieder zu dem er
sten Teilkammerbereich 2 zurücktransportiert, um erneut dort verdampft zu werden. Mit
einem solchen System können sehr gleichmäßige Temperaturverteilungen im Bereich des
Halters 5, gebildet auf der Außenseite des zweiten Teilkammerbereichs 4, erzielt werden.
Wie anhand der Fig. 3 zu erkennen ist, ist ein bevorzugter Aufbau einer solchen Sub
strathalterung für Beschichtungseinrichtungen der Einsatz einer inneren Kapillarstruktur
schicht 18. Eine solche Kapillarstrukturschicht 18 kann in Form von Segmentteilen 21 auf
gebaut werden, wie dies in den Fig. 4 und 5 gezeigt ist.
Die Anordnung, wie sie in Fig. 4 dargestellt ist, umfaßt ein äußeres Hüllrohr 22, dessen
Achse mit dem Bezugszeichen 23 bezeichnet ist, sowie eine in das Hüllrohr 22 einge
setzte Kapillarstrukturschicht 18. Die innere Kapillarstrukturschicht 18 umfaßt einzelne
Segmentteile 21, die jeweils durch eine mit ihrer Öffnungsseite nach innen weisenden V-
förmigen Nut 25 getrennt sind.
Die Kapillarstrukturschicht 18 bzw. die Segmentteile 21 sind offenporige, durch thermi
sches Spritzen von Pulverpartikeln aufgebaute Schichten. Zum Transport von Flüssigkei
ten wird nicht nur die kapillare Struktur, gebildet durch die offene Porosität der einzelnen
Pulverpartikel der Segmentteile 21, ausgenutzt, sondern es werden zusätzlich durch die V-
förmigen Nuten Kanäle gebildet, die einen erhöhten Flüssigkeitstransport in der Haupt
transportrichtung, die in der Richtung der Achse 23 verläuft, bewirken. Mit einem solchen
Aufbau einer Kapillarstruktur, gebildet durch die Kapillarstrukturschicht 18, verbunden mit
den V-förmigen Kanälen, ergibt sich eine Kombination von Bereichen hoher Kapillarität mit
solchen niedriger Druckverluste. Die Kapillarstrukturschicht 18 mit den V-förmigen Kanä
len bzw. Nuten 25 hat die Besonderheit, daß die Nuten bzw. Kanäle 25 im Bereich von
Fügestellen, entlang derer die einzelnen Segmentteile 21 aneinandergefügt sind, gebildet
sind. Hierzu werden fertigungstechnisch die einzelnen Segmentteile 21 mit einer mit Fase
versehenen Kante 26 ausgestattet, so daß dann die jeweils aneinanderstoßenden Seg
mentteile 21 aufgrund der abgeschrägten oder mit Fase versehenen Kante 26 jeweils die
Nut 25 belassen. Diese Segmentteile 21 mit den abgeschrägten Kanten können spritz
technisch hergestellt werden, indem diese Segmentteile auf einer entsprechenden Form
gespritzt werden. Es ist auch möglich, gegebenenfalls die Segmentteile geringfügig nach
zuarbeiten, um diese Fase 26 an den jeweiligen Kanten zu erzielen.
Eine weitere Besonderheit der Ausführungsform, wie sie in Fig. 4 dargestellt ist, ist dieje
nige, daß die jeweiligen Segmentteile 21 der Kapillarstrukturschicht 18 jeweils nur linien
förmig an dem Außenhüllrohr 22, in Richtung der Achse 23 gesehen, anliegen, während
zwischen der Basisfläche 27 mit der Segmentbreite a und dem Innenradius des Hüllrohrs
22, der mit R bezeichnet ist, ein Spalt mit der Breite, in radialer Richtung gesehen, h ver
bleibt. Dieser Spalt kann zusätzlich zum Transport von Flüssigkeit ausgenutzt werden.
Allerdings sollte hierbei unter Berücksichtigung des eingesetzten Fluids und seines Benet
zungswinkels zum Wandmaterial eine Spaltbreite h < 500 µm, vorzugsweise < 250 µm,
betragen, so daß die kapillare Wirkung eines solchen Spalts ausgenutzt werden kann.
Folglich sollte zwischen der Stegbreite a, dem Radius R und der Spaltbreite h, der Bedin
gung
a = 2 √R² - (R - h)²
mit der vorstehend angegebenen Einhaltung der maximal zulässigen Spaltbreite h gefolgt
werden. Beispielsweise ergeben sich für eine maximale Spaltbreite von h von 100 µm für
den Radius R und die Stegbreite a folgende Werte:
Falls kleine Schichtdicken der Kapillarstrukturschicht bzw. der Segmente 21 und relativ
große Radien gewählt werden, so kann die Kapillarstrukturschicht 18 unter geringer Vor
spannung in das Hüllrohr eingesetzt werden, so daß sich die einzelnen Segmentteile 21
gegeneinander verspannen.
Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform, bei der die Kapillarstrukturschicht 18 in ein Hüllrohr,
ebenfalls mit dem Bezugszeichen 22 bezeichnet, eingesetzt ist, das eine im Querschnitt
gesehene, Polygonform zeigt, wobei die einzelnen Flächenabschnitte des Hüllrohrs 22 der
Außenfläche 27 der Segmentteile 21 zugeordnet sind. Die einzelnen Segmentteile 21 liegen
entsprechend flächig an dem Außenhüllrohr 22 an, so daß in dieser Ausführungsform
keine Spalte 28 zwischen der Außenfläche 27 der Segmentteile 21 und der Innenfläche
des Außenhüllrohrs 1 gebildet werden.
Die Kapillarstrukturschicht 18 in Fig. 5 kann an dem Außenhüllrohr 22 mittels Lot oder
einer Lotfolie fest verbunden werden, falls dies erforderlich ist.
Fig. 6 zeigt in drei Phasen, mit A, B und C bezeichnet, die spritztechnische Herstellung
der Kapillarstrukturschicht 18, wie sie in den Fig. 1 und 2 zu sehen ist. Zunächst wird,
wie die Phase A zeigt, ein Formkörper 29, beispielsweise aus Graphit, einem Metall oder
einer Keramik, bereitgestellt, und zwar als Negativform. Dieser Formkörper 29 weist im
Querschnitt dreieckförmige Stege 30 auf, die in ihrem Querschnitt etwa den V-förmigen
Nuten oder Kanälen 25 der Fig. 4 und 5 entsprechen. Anschließend wird eine Pulver
fraktion mit definierter Partikelgröße, die vorzugsweise im Bereich von 100 µm bis 250 µm
liegt, mittels thermischer Beschichtung aufgebracht, in einer bevorzugten Form mittels ei
nem Hochfrequenzplasmaspritzverfahren. Hierbei werden die Oberflächen der einzelnen
Pulverpartikel angeschmolzen und durch den jeweiligen Grad des Anschmelzens wird die
Porosität der Kapillarstrukturschicht 18 bestimmt. Insbesondere läßt sich letztlich durch
den Grad des Anschmelzens und die Partikelgröße die offene Porosität dieser Kapillar
strukturschicht einstellen. Nachdem die Kapillarstrukturschicht 18 auf dem Formkörper 30
hergestellt ist, wird sie abgelöst, wie die Phase B zeigt. Hierbei ist, aufgrund des Formkör
pers 30, auch an den beiden Enden bzw. Stirnseiten eine Schräge bzw. Fase 31 ausgebil
det. Die einzelnen V-förmigen Nuten 25 der Kapillarstrukturschicht 18 bilden Sollbiege
stellen, entlang derer dann die Kapillarstrukturschicht 18 zu einer Polygonform, wie sie in
der Phase C dargestellt ist, gebogen wird. Die beiden mit Fase versehenen Stirnseiten 31
der Kapillarsfrukturschicht, wie sie in der Phase B dargestellt ist, ergänzen sich dann im
Bereich einer Fügestelle zu einem entsprechenden Kanal 25 der Kapillarstrukturschicht
18, die in Fig. 6C gezeigt ist.
Es ist ersichtlich, daß bereits mit einer oder mit zwei Fügestellen eine oder zwei der V-
förmigen Kanäle 25 gebildet werden können, ohne daß dazu besondere Bearbeitungs
schritte, insbesondere Nachbearbeitungsschritte, an der Kapillarstrukturschicht 18 not
wendig wären. Dies gilt auch dann, wenn die Kapillarstrukturschicht 18 aus mehr als zwei
schalenförmigen Teilen aufgebaut wird, d. h. auch dann, wenn die einzelnen Segmentteile
21 jeweils als gesonderte Bauteile gespritzt werden und dann zu der Kapillarstruktur
schicht 18 zusammengesetzt werden.
Fig. 7 zeigt schematisch einen Schnitt durch einen Träger bzw. ein Substrat 32, bei dem
es sich um ein Außenhüllrohr 22 handeln kann, wie es in den Ausführungsformen der
Fig. 4 und 5 dargestellt ist, im Bereich einer Fügestelle 33. In dieser Ausführungsform
wurde vor dem Fügen auf die jeweiligen Substratteile 32 zunächst eine Kapillarstruktur
schicht 18 aus Pulverpartikeln, die eine definierte Partikelgrößenverteilung besitzt, plas
maspritztechnisch aufgebracht. Die beiden Kapillarstrukturschichten 18 wurden durch ein
Formteil beim Spritzen so maskiert, daß an der Stirnseite eine Fase 36 gebildet wird. Beim
Flammspritzen werden die Oberflächen der Pulverpartikel definiert angeschmolzen, so
daß über den Grad des Anschmelzens eine offene Porosität der Kapillarstrukturschicht 18
eingestellt wird. Nachdem die jeweiligen Substrate 32 mit den darauf aufgebrachten Ka
pillarstrukturschichten 18 fertiggestellt sind, wird eine Fügung der beiden Substrate ent
lang der Fügestelle 33 vorgenommen, wobei sich dann die Fasen 36 an den jeweiligen
Kapillarstrukturschichten entlang dieser Fügestelle zu einer V-förmigen Nut bzw. einem V-
förmigen Kanal 25 ergänzen.
In Fig. 8 ist eine mit der Fig. 7 vergleichbare Ausführungsform gezeigt. In diesem Fall ist
allerdings eine Fase 36 unmittelbar an der Kante der jeweiligen Substrate 32, die zu der
Kapillarstrukturschicht 18 weist, ausgebildet. In diesem Ausführungsbeispiel wird folglich
der Kanal 25 nicht nur durch einen Freiraum bzw. eine Abschrägung der Seitenkante der
Kapillarstrukturschicht 18 gebildet, sondern auch durch die entsprechend gefaste Kante
des Substrats 32. Eine zusätzliche V-Nut auf der Außenseite der Substrate 32 dient dazu,
die beiden Teile miteinander, beispielsweise durch eine Schweißnaht, zu verbinden.
Mit dem dargestellten Aufbau eines Wärmerohrs ergeben sich folgende Vorteile:
Die Kapillarstrukturschicht kann spritztechnisch aufgebaut werden, mit einer definierten,
einstellbaren Porosität, die insbesondere über den Grad des Anschmelzens der Oberflä
che der verwendeten Pulverpartikel sowie der eingesetzten Pulverfraktion mit definierten
Partikeldurchmessern erhalten werden kann; gleichzeitig können, ohne eine aufwendige,
mechanische oder sonstige Nachbearbeitung, Kanäle in Haupttransportrichtung des Wärmeträgermediums
gebildet werden, indem mindestens eine Fügestelle, entlang derer die
Kapillarstrukturschicht gefügt wird, mit einer Fase versehen wird, um dadurch den ent
sprechenden Kanal zu bilden. Spritztechniken können durch Bereitstellen einer Negativ
form, die zu den zu bildenden Kanälen entsprechende Erhebungen besitzt, solche Kanäle
nicht nur an Fügestellen integriert werden, sondern sie können auch über die Fläche der
Kapillarstrukturschicht verteilt werden. Durch Bereitstellen entsprechender Formen sind
nicht nur Kanäle oder Rillen ausbildbar, die in Längsrichtung des Wärmerohrs verlaufen,
sondern solche Kanäle können auch spiralförmig in schalenförmigen Negativformen er
zeugt werden.
Claims (21)
1. Substrathalterung für Beschichtungseinrichtungen mit mindestens einem Substrate
aufnehmenden Halter und mit mindestens einer Temperiereinrichtung, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Halter ein inneres Kammersystem mit mindestens einem
Kammerbereich aufweist, der ein Fluid enthält, das in einem Teilkammerbereich
verdampft und in einem anderen Teilkammerbereich kondensiert, und daß die Be
schichtung auf einem Abschnitt des Halters erfolgt, der mindestens einem der bei
den Teilkammerbereich zugeordnet ist.
2. Substrathalterung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Teil
kammerbereiche vorgesehen sind, wobei zumindest Teile dieser Teilkammerberei
che als Halter für Substrate dienen, wobei diese Teilkammerbereiche einem ge
meinsamen anderen Kammerbereich, der zur Verdampfung bzw. Kondensation
dient, zugeordnet sind.
3. Substrathalterung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der als
Halter dienende Teilkammerbereich den das Fluid kondensierenden Abschnitt bil
det.
4. Substrathalterung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß dem verdamp
fenden Teilkammerbereich eine Heizeinrichtung zugeordnet ist.
5. Substrathalterung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Heizeinrich
tung eine elektrische Widerstandsheizung, eine indirekte Heizung oder eine Strah
lungsheizung vorgesehen ist.
6. Substrathalterung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest in
Teilen des Kammerbereichs eine innere Kapillarstruktur aufgebracht ist.
7. Substrathalterung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapillar
schicht durch eine Sinterstruktur gebildet ist.
8. Substrathalterung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Ka
pillarstruktur durch eine Sinterstruktur aus Pulverpartikeln gebildet ist.
9. Substrathalterung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Ka
pillarstruktur durch thermisches Spritzen/Beschichten von Pulverpartikeln unter Bil
dung von Poren gebildet ist, wobei die Pulverpartikel zur Erzeugung der Poren
struktur oberflächlich angeschmolzen sind und durch den Grad des Anschmelzens
eine im wesentlichen offene Porenstruktur gebildet ist.
10. Substrathalterung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapillar
strukturschicht durch ein Hochfrequenzplasmaspritzverfahren erzeugt ist.
11. Substrathalterung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Parti
kelgröße im Bereich von 10 µm bis 800 µm liegt.
12. Substrathalterung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel
größe zwischen 100 µm und 250 µm liegt.
13. Substrathalterung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der offene Po
renradius 5 bis 500 µm, vorzugsweise 50 µm bis 170 µm, beträgt.
14. Substrathalterung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Volumen
anteil der Poren im Gesamtvolumen der Schicht 10 bis 80% beträgt.
15. Substrathalterung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der
Kapillarstrukturschicht 10 µm bis 10.000 µm beträgt.
16. Substrathalterung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Pul
ver aus Metallen und/oder Metallegierungen gebildet.
17. Substrathalterung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem
einen Teilkammerbereich und dem anderen Teilkammerbereich eine Zwischenzone
angeordnet ist.
18. Substrathalterung nach Anspruch 6 und 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwi
schenzone mit einer inneren Kapillarstrukturschicht versehen ist.
19. Substrathalterung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich der
Zwischenzone die Poren zur radial innenliegenden Seite hin geschlossener sind als
zur radial außenliegenden Seite hin.
20. Substrathalterung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapillar
strukturschicht durch ein Vakuum-Hochfrequenzplasmaspritzverfahren erzeugt ist.
21. Substrathalterung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat als
Hohlkörper ausgebildet ist und einen Teil der Substrathalterung bildet, wobei dieser
Hohlkörper einen lösbaren Teil der Substrathalterung bildet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10022159A DE10022159A1 (de) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | Substrathalterung für Beschichtungseinrichtungen |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=7641053
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Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10022159A1 (de) |
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