DE1945899B2 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE3521572A1 (de) * 1985-06-15 1986-12-18 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat
GB9218233D0 (en) * 1992-08-27 1992-10-14 Dsk Technology International L Cooling of electronics equipment
US20080128895A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-05 Oman Todd P Wafer applied thermal-mechanical interface
WO2016153085A1 (ko) * 2015-03-20 2016-09-29 한온시스템 주식회사 전동압축기 인버터 냉각장치 및 이를 구비한 인버터 조립체
US10403594B2 (en) * 2018-01-22 2019-09-03 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Hybrid bonding materials comprising ball grid arrays and metal inverse opal bonding layers, and power electronics assemblies incorporating the same
DE112019007709B4 (de) * 2019-09-13 2025-08-28 Denso Corporation Halbleitervorrichtung

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