DE1931561B2 - Verfahren zur Herstellung eines Widerstandsfilmes mit einem spezifischen Durchgangswiderstand von 10 hoch 2 bis 10 hoch 6 hoch Omega cm - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Widerstandsfilmes mit einem spezifischen Durchgangswiderstand von 10 hoch 2 bis 10 hoch 6 hoch Omega cmInfo
- Publication number
- DE1931561B2 DE1931561B2 DE1931561A DE1931561A DE1931561B2 DE 1931561 B2 DE1931561 B2 DE 1931561B2 DE 1931561 A DE1931561 A DE 1931561A DE 1931561 A DE1931561 A DE 1931561A DE 1931561 B2 DE1931561 B2 DE 1931561B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- resistance
- film
- power
- resin
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 is esterified Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 3
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 125000000123 silicon containing inorganic group Chemical group 0.000 description 2
- XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)(=O)OC1=CC=CC=C1 XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical compound C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000021736 acetylation Effects 0.000 description 1
- 238000006640 acetylation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 244000144992 flock Species 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- ULYZAYCEDJDHCC-UHFFFAOYSA-N isopropyl chloride Chemical compound CC(C)Cl ULYZAYCEDJDHCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- beispielsweise Glas, mindestens auf einer Seite der
zeichnet, daß das Silicium enthaltende anorga- 35 Platte durch Aufbringen einer Kunstharzlösung mit
nische Material aus Siliciumcarbid, Siliciumdioxid, leitenden Teilchen mittels Drehtellerverfahrens me-Glaspulver
oder in der Natur vorkommenden SiIi- tallisiert wird und die metallisierte Oberfläche der
caten besteht. Platte durch ein Photo-Ätzverfahren verspürt wird,
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- um den l.eitweg einzuengen und den Widerstand zu
zeichnet, daß die elektrisch leitfähige Substanz aus 40 vergrößern.
Ruß, Graphit, Kupferpulver oder Silberpulver bc- Es sind ferner Widerstandselemente für hohe Besteht,
triebstemperaturen mit einer hochtcmperaturbestän-
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- digen elektrisch nichtleitenden Unterlage, auf die eine
zeichnet, daß das in organischen Lösungsmitteln aus einem Edelmetall und einem elektrisch nichtlösliche Kunstharz aus Polycarbonat, Cellulose- 45 leitenden Bindematerial bestehende Schicht aufgeester,
Polyphenylenoxid oder Polyimid besteht. brannt ist, bekannt. Hierbei besteht die Schicht aus
einer geschmolzenen Mischung aus Glas und einem Edelmetall mit höherem Schmelzpunkt als derjenige
des Glases, und das Metall ist in feiner Verteilung in
50 elementarer Form in einem Anteil von bis zu 16%
enthalten (vgl. deutsche Auslegeschrift 11 32 633).
Es sind ferner elektrische, gegebenenfalls spannungsabhängige Massewiderstände mit die einzelnen Kom-
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur ponenten — Leiter, Halbleiter, Isolier- und Füll-Herstellung
eines Widerstandsfilmes mit einem spezi- 55 stoffe — zusammenhaltendem Bindemittel bekannt,
fischen Durchgangswiderstand von 102 bis lO'iicm wobei als Bindemittel hochisolationsfestes, chemisch
durch Vergießen einer Suspension auf einen Träger weitgehend indifferentes, oberhalb 250 C schmelznnd
anschließendes Trocknen, wobei die Suspension bares und in der Hitze verpreßbares, nicht härtbares
neben organischen Lösungsmitteln und elektrisch oder kondensierbares Polytetrafluoräthykn oder PoIyleitfähigen
Substanzen, wie z. B. Graphit, noch Zu- 60 trifiuor-monochloräthylen verwendet ist (vgl. deutsche
satzstoffe enthält. Auslegeschrift 10 05 601).
Ein derartiges Verfahren ist aus der DT-PS 6 44 462 Es sind weiterhin Lösungen von Resinaten der
bekannt. Edelmetalle und/oder Unedelmetalle in Chlorkohlen-
_ Gewöhnlich werden Widerstandsfilme, die zur Wasserstoffen zum Erzeugen von auf Trägerwerk-Änderung
von Lautstärke und Helligkeit in elektri- 65 stoffen eingebrannten dünnen Edelmetallschichten
sehen Geräten, wie Fernsehern, Radiogeräten, Ton- bzw. Unedelmetalloxidschichten für elektrotechnische
bandgeräten, Meßinstrumenten od. dgl., verwendet Zwecke bekannt, die zur Stabilisierung und Verhindewerden,
durch Aufsprühen einer elektrisch leitfähigen rung der Zersetzung der Metallresinate zwischen 0,01
3 4
und 10 Volumprozent Tetrahydronaphthalin enthalten eines Ohmmeters, zu erhalten, werden lediglich wc-
(deutsche Patentschrift 11 80 215). niger als 5% der elektrisch leitfähigen Substanz zu-
Schließhch ist ein drahtloser Leiterwiderstand, be- gemischt, selbst bei Verwendung von Ruß, d. h.
stehend aus einem isolierenden Tragkörper, mit einer einem Material mit dem höchsten spezifischen Widerais
Widerstand dienenden Oberflächenschicht bekannt, 5 stand. Jedoch wird der spezifische Widerstand durch
die aus einer Glasur besteht, welcher Leiter- oder Zumischen von Ruß oder Graphit in einer Menge
Halbleiterteilchen eingelagert sind (österreichische von mehr als 5 Gewichtsprozent, bezogen auf das
Patentschrift 1 37 832), wobei durch Verringern des Kunstharz, verringert. Außerdem nehmen der Kon-Anteils
an Leiter- oder Haibleilerteilchen hohe Wider- tak!widerstand und die Schwankung des spezifischen
standswerte erreichbar sind. 10 Widerstandes mit der Zunahme der Filmhärte ab.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Ver- Gemäß der Erfindung wurde festgestellt, daß durch
fahrens zur Herstellung eines Widerslandsfilms mit das Einmischen eines Silicium enthaltenden anorgaeinem
spezifischen Durchgangswiderstand von 102 bis nischen Materials mit einem größeren spezifischen
10β Ω cm durch Vergießen einer Suspension auf einem Durchgangswiderstand als 10 + 2Ohmcm (gemessen
Träger und anschließendes Trocknen, wobei Wider- 15 bei 200C), z. B. Siliciumcarbid, Siliciumdioxyd, Glasstandsfilme
erbalten werden, die hitzebeständig und pulver und Gesteinspulvsr, oder in der Natur vorhaltbar
sind, Schwankungen des Widerstandes in ge- kommenden Silikaten in eine Lösung eines filmbildenringerem
Ausmaße unterworfen sind, einen niedrigeren den Kunstharzes die elektrisch leilfähige Substanz in
Kontaklwiderstand unter sonst gleichen Bedingungen einer höheren Menge als 5 Gewichtsprozent zugegeben
besitzen und eine hohe Belastbarkeit zeigen, wobei 20 werden kann, wobei die Härte des Films zunimmt und
eine lineare Beziehung /wischen dem Abstand von die Schwankung des spezifischen Widerstandes herab-Elektrode
zu Elektrode und dem Widerstand besteht gesetzt wird. Dies ist aus der nachstehenden Tabelle
und der spezifische Widerstand im wesentlichen gegen ersichtlich.
Umwelteinflüsse, wie Feuchtigkeit, stabil ist. Es wurde ein Widerstandsfilm, der eine elektrisch
Umwelteinflüsse, wie Feuchtigkeit, stabil ist. Es wurde ein Widerstandsfilm, der eine elektrisch
Diese Aufgabe wird, ausgehend von einem Ver- 25 leitfähige Substanz und ein anorganisches Silicium
fahren der eingangs genannten Art, dadurch gelöst, enthaltendes Material in Cellulosetriacetatharz ent-
daß man hielt, und iwar in Mengen, wie sie in der nachstehen-
a) zunächst ein lösliches hochmolekulares Kunst- den Tabelle angegeben sind (Gewichtsprozent beharz
mit einem Erweichungspunkt oberhalb 80 C zo&en auf die Harzmenge), untersucht Es wird ein
in wenigstens einem der folgenden organischen 3° Widerstand von 5 kOhm gewünscht. Fur die BeLösungsmittel,
nämlich in chlorierten Kohlen- st.mmung des spezifischen Widerstandes wird ein
Wasserstoffen, Alkoholen. Ketonen und/oder Ohmmrter verwendet.
Amiden löst Die Änderung des spezifischen Widerstandes wird
b) dann zu der genannten Lösung 5 bis 50 Ge- wie io]& bewertet:
wichtsprozent (bezogen auf die Harzmenge) einer 35 Ä .
elektrisch leitfähigen Substanz mit einem kleineren Änderung t /„)
spezifischen Durchgangswiderstand als 10 2Llcm c?· m
(gemessen bei 20 C) und 1 bis 30 Gewichtsprozent h ? b!s. ±',.
(bezogen auf die Harzmenge) einer Silicium ent- ± 1^, ±20
haltenden anorganischen Verbindung mit einem 4° > l±20|
wichtsprozent (bezogen auf die Harzmenge) einer 35 Ä .
elektrisch leitfähigen Substanz mit einem kleineren Änderung t /„)
spezifischen Durchgangswiderstand als 10 2Llcm c?· m
(gemessen bei 20 C) und 1 bis 30 Gewichtsprozent h ? b!s. ±',.
(bezogen auf die Harzmenge) einer Silicium ent- ± 1^, ±20
haltenden anorganischen Verbindung mit einem 4° > l±20|
größeren spezifischen Durchgangswiderstand als _ , . . , . . . „ . x . „„ . .
10·· Ω cm (gemessen bei 20X) in der Weise Dabei ist zu beachten, daß eine Änderung des
zugibt, daß die fertige Lösung die vorgenannten spezifischen Durchgangsw.derstandes von solchen
Bestandteile gleichförmig dispergiert enthält, und Parametern beeinflußt wird, wie Gleichförmigkeit der
c) die fertige Lösung dann auf den rieh bewegenden « Dispersion der elektrisch leitfähig«» Substanzen_m
Träger vergießt und anschließend trocknet. dem F!lm'.Plcke des F.u™ ,und der ^ft?
fe e Kontaktwiderstand wird als der spezifische Wider-Für
die erfolgreiche Durchführung des Verfahrens stand des mit 300 ρ belasteten Filmes, gemessen unter
gemäß der Erfindung sind sämtliche der vorstehend Verwendung eines Ohmmeters, bestimmt und wird
genannten Verfahrensschritte erforderlich. 50 entsprechend der Änderung des Nadelausschlags wie
Als leitfähige Substanz mit einem spezifischen folgt bewertet:
Durchgangswiderstand von weniger als 10 4U cm
kann z.B. Ruß, Graphit, Kupferpulver oder Silberpulver verwendet werden, und als Silicium enthaltende
anorganische Verbindung kann Siliciumcarbid, SMi- 55
ciumdioxyd, Glaspulver oder ein Pulver eines in der
Natur vorkommenden Silikats zur Anwendung gelangen. Die Oberflächenhärte des Filmes wird nach dem Das in organischen Lösungsmitteln lösliche Kunst- Bierbaum-Verfahren (ASTM D 1526-58 T) gemessen harz kann z. B. aus Polycarbonat, Celluloseester, Poly- 60 und wie folgt bewertet:
phenylenoxid oder Polyimid bestehen.
Durchgangswiderstand von weniger als 10 4U cm
kann z.B. Ruß, Graphit, Kupferpulver oder Silberpulver verwendet werden, und als Silicium enthaltende
anorganische Verbindung kann Siliciumcarbid, SMi- 55
ciumdioxyd, Glaspulver oder ein Pulver eines in der
Natur vorkommenden Silikats zur Anwendung gelangen. Die Oberflächenhärte des Filmes wird nach dem Das in organischen Lösungsmitteln lösliche Kunst- Bierbaum-Verfahren (ASTM D 1526-58 T) gemessen harz kann z. B. aus Polycarbonat, Celluloseester, Poly- 60 und wie folgt bewertet:
phenylenoxid oder Polyimid bestehen.
Der spezifische Durchgangswiderstand kann durch P/cm2
Erhöhen der Menge der elektrisch leitfähigen Substanz 10 bis 20 schlechter
und Erniedrigen des Kontaktwiderstandes (durch 20 bis 30 schlecht
Steigerung der Härte des Filmes) herabgesetzt werden. 65 > 30 gut
Um jedoch einen Widerstandsfilm mit einem bestimmten spezifischen Widerstand, beispielsweise Die Versuchsergebnisse sind in der nachstehenden 5 kOhm, gemessen mittels einer Brücke oder mittels Tabelle aufgeführt.
und Erniedrigen des Kontaktwiderstandes (durch 20 bis 30 schlecht
Steigerung der Härte des Filmes) herabgesetzt werden. 65 > 30 gut
Um jedoch einen Widerstandsfilm mit einem bestimmten spezifischen Widerstand, beispielsweise Die Versuchsergebnisse sind in der nachstehenden 5 kOhm, gemessen mittels einer Brücke oder mittels Tabelle aufgeführt.
| Änderung ( | °/o) | sehr schlecht |
| ±5 | schlechter | |
| f 5 bis 1 | 10 | schlecht |
| f 10 bis | i 20 | gut |
| > U 201 | ||
| Ruß A: 5% | 19 31 | 561 | 6 | Oberflächenhärte | |
| 5 | 20% | Ändern ng | |||
| 35% | Spezifischer Widerstand | Änderung | des Kontakt- | ||
| Ruß B: 5% | des spez. | wide'siandes | schlechter | ||
| 20% | Widerslandes | sehr schlecht | schlechter | ||
| 35% | 6100 schlecht | sehr schlecht | schlecht | schlecht | |
| Ruß C: 35% | 1500 schlechter | schlecht | schlecht | schlechter | |
| Siliciumcarbid Nr. 50: 10% | 120 schlechter | schlecht | schlechter | schlechter | |
| Ruß A: 35% | 7000 gut | sehr schlecht | schlecht | schlecht | |
| Glaspulver: 8% | 2500 schlechter | schlecht | schlecht | gut | |
| Ruß B: 35% | 210 schlechter | schlecht | gut | ||
| Siliciumdioxyd: 7% | 8000 gut | gut | gHit | ||
| gut | |||||
| 8000 gut | gut | gut | |||
| gut | |||||
| 8000 gut | gut | ||||
Als Harz mit einem Erweichungspunkt von oberhalb 80 C, das gemäß der Erfindung geeignet ist,
werden Polycarbonat, Celluloseester, Polyphcnylenoxyd und Polyimid verwendet. Diese Harze sind als
Ausgangsmaterial für Widerstandsfilme sehr brauchbar, da sie sämtliche Eigenschaften besitzen, die die
Zwecke gemäß der Erfindung erfüllen, d. h., sie sind
in organischen Lösungsmitteln vollständig löslich und besitzen eine gutt Hitzebeständigkeit, ein geringes
hygroskopisches Verhalten und eine ausreichende Oberflächenhärte. Andere Harze als die gemäß der
Erfindung verwendeten werden als Harz für den Widerslandsfilm nicht bevorzugt, da z. B. ein Film von Polyvinylchlorid
mit einem Erweichungspunkt von unterhalb 80 C eine schlechte Hitzebeständigkeit aufweist
und Filme von z. B. Polyäthylenterephthalal und Polypropylen
eine schlechte Löslichkeit besitzen. Als elektrisch leitfähige Substanz, die in dem Harz dispergiert
wird, sind Ruß, Graphit, Kupferpulver und Silberpulver od. dgl. geeignet. Ruß wird jedoch am meisten
bevorzugt, da eine große Menge hiervon homogen in dem Harz dispergiert werden kann, auf Grund von
dessen geringer scheinbarer Dichte und auf Grund seiner Biltigkeit.
Wenn die Menge der elektrisch leitfähigen Substanz, 7. B. Graphit, Ruß und Silberpulver, 50 Gewichtsprozent,
bezogen auf das Harz, übersteigt, werden die Eigenschaften der Widerstandsfilme, beispielsweise
Biegsamkeit und Festigkeit, in einem solchen Ausmaß verringert, daß die Filme für den praktischen Gebrauch
ungeeignet werden.
Als anorganisches Material, das Silicium enthält und einen hohen spezifischen Widerstand aufweist,
können Siliciumcarbid, Siliciumdioxyd, Glaspulver und Gesteinspulver od. dgl. verwendet werden. Wenn die
Menge hiervon 30 Gewichtsprozent, bezogen auf das Harz, übersteigt, werden die Eigenschaften des Widerstandsfilms,
beispielsweise Festigkeit und Sprödigkeit, verschlechtert, und die Filme werden für den Gebrauch
ungeeignet.
Da die Widcrstandsfilme gemäß der Erfindung nach einem Lösungsfilm-Herstellungsverfahren erzeugt werden,
d. h. durch Vergießen des Films aus einer Harzlösung auf einen sich drehenden Träger, können Filme
mit einer gleichförmigen Dicke und einer flachen Oberfläche erhalten werden. Da ferner die elektrisch
cilfühigc Substanz und das anorganische Material in der Lösung durch Vermischen homogen dispergiert
sind, wird keine Änderung oder Schwankung des spezifischen Widerstandes beobachtet.
Die Widerstandsfilme gemäß der Erfindung werden im einzelnen in der folgenden Weise hergestellt.
Nach Auflösen eines Kunststoffes mit einem Erweichungspunkt oberhalb 80 C in einem Lösungsmittel
oder einer Lösungsmitlelmischung, beispielsweise einem chlorierten Kohlenwasserstoff, z. B. Methylenchlorid,
Äthylenchlorid und Trichloräthylen, einem Alkohol, z. B. Methanol und Äthanol, einem
Keton. 7. B. Aceton, Methyläthylketon und Cyclohexanon, und einem Amid, z. B. Dimethylformamid
und Dimethylacetamid, wird gewiinschtenfalls ein Weichmacher, z. B. Triphenylphosphat und Diäthylphthalal,
der Lösung zugesetzt. Dann wird eine elektrisch leitfähige Substanz mit einem spezifischen
Durchgangswiderstand von unterhalb 10 2 Ohm cm,
z. B. Ruß, Graphit und Silberpiilver, in einer Menge
von 5 bis 50 Gewichtsprozent, bezogen auf das Harz, und ein anorganisches Material mit einem spezifischen
Durchgangswiderstand von oberhalb 102 Ohm cm, das Silicium enthält, z. B. Siliciumcarbid, Siliciumdioxyd.
Glaspulver und Gesteinspulver, der Lösung in einer Menge von 1 bis 30 Gewichtsprozent, bezogen
auf das Harz, zugegeben. Nach ausreichendem Mischen der Mischung mit Hilfe einer Dispergiereinrichtung,
beispielsweise einer Kugelmühle oder einer Sandmühle, und nach Filtrieren läßt man die Harzlösung
auf einen sich bewegenden Träger fließen und trocknen, um einen Widcrstandsfilm gemäß der Erfindung
zu erhalten.
Der sich ergebende Widerstandsfilm besitzt vorteilhafte Eigenschaften und ist von großer Brauchbarkeit,
da bei seiner Verwendung zur Änderung von Lautstärke, Klangfarbe und Helligkeit in elektrischen
Geräten, wie Fernsehern, Radiogerälen, Tonbandgeräten od. dgl., keine Schwankung oder Änderung
des spezifischen Widerstandes vorhanden ist, der spezifische Widerstand linear mit der Zunahme des Abstandes
zwischen Elektroden ansteigt, kein Geräusch erhalten wird, eine Änderung des spezifischen Widerstandes
durch Feuchtigkeit kaum beobachtet wird, die Belastbarkeit groß ist (oberhalb 2 Watt) und die Oberflächcnhärtc
der Oberfläche des Filmes ausgezeichnet ist und die Haltbarkeit des Filmes ausreichend groß
ist, du der gesamte Film den Widerstand bildet.
7 ^8
Die Erfindung wird nachstehend an Hand von gerührt, um eine Lösung zu erhalten. In diese Lösung
Beispielen näher erläutert, worin sämtliche Teile auf wurden 35 Teile Ruß mit einem spezifischen DurchGewicht
bezogen sind. gangswiderstand von 4,1 · 10~3 Ω cm und 7 Teile SiIi-.
Ii ciumdioxyd mit einem spezifischen Durchgangswider-
ü e 's p ' e ' ' 5 stand von 8,2 · ΙΟ7 Ω cm eingebracht. Die Mischung
450 Teile Methylenchlorid, 50 Teile Methanol und wurde während 40 Stunden in einer Kugelmühle ge-
15 Teile Triphenylpliosphat wurden in 100 Teilen mischt. Die sich ergebende Lösung ließ man auf einen
Cellulosetriacetatfiocken (60,8"„ Acetylierungswert) sich drehenden Träger fließen, um einen Film mit
unter Rühren gelöst. In diese Lösung wurden 35 Teile einer Dicke von 250 μιη nach Trocknung zu erhalten.
Ruß Nr. 100 mit einem spezifischen Durchgangswider- io Der spezifische Durchgangswiderstand des so erhal-
stand von 7,0· 10 3 Ω cm und 10 Teile Siliciumcarbid tenen Widerstandsfilmes betrug 1,2 · 105 Ω cm. Dieser
(eine 1:1-Verbindung von Silicium und Kohlenstoff; Widerstandsfilm besaß die gleichen ausgezeichneten
C 29,97%, Si 70,03%) mit einem spezifischen Durc::- Eigenschaften wie der im Beispiel 1 erhaltene Film,
gangswiderstand von 2,1 · ΙΟ2 Ω cm zugegeben. Diese
gangswiderstand von 2,1 · ΙΟ2 Ω cm zugegeben. Diese
Mischung wurde dann während 30 Minuten in einer 15 B e i s ρ i e 1 4
Kugelmühle gemischt.
Kugelmühle gemischt.
Diese Lösung ließ man auf einem sich drehenden Nach Zugabe von 600 Teilen Dimethylacetamid zu
Träger zur Bildung eines Filmes mit einer Dicke von 100 Teilen Polyimidharz wurde die Mischung zur
300 μιη nach Trocknung fließen. Erzielung einer Lösung gerührt. In diese Lösung wur-
Der spezifische Durchgangswiderstand des so er- 20 den 40 Teile Ruß mit einem spezifischen Durchgangs-
haltenen Widerstandsfilmes betrug 3,5 ■ 104 Ω cm. Bei widerstand von 1,8 · 10~4Ωΰΐη und 10 Teile Silicium-
Verwendung dieses Filmes als Widerstandsfilm eines carbid mit einem spezifischen Durchgangswiderstand
Radios, Tonbandgerätes od. dgl. zeigte der Film von 120 Ω cm eingebracht. Die Mischung wurde eine
derartig ausgezeichnete Eigenschaften, daß keine Stunde lang in einer Reibschale oder in einem Mörser
Schwankung oder Änderung des spezifischen Wider- 25 gemischt. Die so erhaltene Mischung ließ man auf
Standes vorhanden war, der spezifische Widerstand einen sich drehenden Träger zur Bildung eines Filmes
linear mit der Zunahme des Abstandes zwischen mit einer Dicke von 300 μίτι nach Trocknung fließen.
Elektroden anstieg, eine Änderung des spezifischen Der spezifische Durchgangswiderstand des so erhal-
Widerstandes durch Feuchtigkeit kaum beobachtet tenen Widerstandsfilmes betrug 2 · ΙΟ4 Ω cm. Dieser
wurde, die Belastbarkeit ausgezeichnet war (oberhalb 30 Film besaß die gleichen guten Eigenschaften wie der
etwa 2 Watt) und daß der Film bei Verwendung im Beispiel 1 erhaltene,
während einer langen Zeitdauer beständig und haltbar
während einer langen Zeitdauer beständig und haltbar
war, da dessen Oberflächenhärte groß war. Beispiel 5
B e 1 s ρ 1 e 1 2 35 ^jn Widerstandsfilm wurde gemäß der gleichen
Nach Zugabe von 500 Teilen Methylenchlorid zu Arbeitsweise, wie im Beispiel 1 beschrieben, mit der
100 Teilen Polycarbonatharz wurde die Mischung zur Abänderung hergestellt, daß 20 Teile Ruß und 10 Teile
Auflösung des Harzes gerührt. In diese Lösung wurden Graphit an Stelle des im Beispiel 1 verwendeten Ruß-35
Teile Ruß mit einem spezifischen Durchgangs- materials verwendet wurden. Der spezifische Durchwiderstand
von 1,42-1O-3 Ω cm und 8 Teile Glas- 40 gangswiderstand betrug 9,2 · ΙΟ3 Ω cm. Der Film bepulver
eingebracht. D;e Mischung wurde während saß die gleichen ausgezeichneten Eigenschaften wie im
40 Stunden in einer Kugelmühle gemischt. Die sich Beispiel 1.
ergebende Lösung ließ man auf einen sich drehenden
ergebende Lösung ließ man auf einen sich drehenden
Träger zur Bildung eines Filmes mit einer Dicke von Beispiel 6
350 μιη nach Trocknung fließen. Der spezifische 45
Durchgangswiderstand des sich ergebenden Wider- Ein Widerstandsfilm wurde gemäß der gleichen
Standsfilmes betrug 3,1 · 101 Ω cm. Dieser Widerstands- Arbeitsweise, wie im Beispiel 2 beschrieben, mit der
film besaß die gleichen ausgezeichneten Eigenschaften Abänderung hergestellt, daß 30 Teile Ruß und 5 Teile
wie der Film im Beispiel 1. Silberpulver an Stelle des im Beispiel 2 verwendeten
. 50 Rußmaterials verwendet wurden. Der spezifische
100 Teilen Polyphenylenoxydharz wurde die Mischung zeichneten Eigenschaften wie im Beispiel 1.
Claims (1)
1. Verfahren zur Herstellung eines Widerstands- Da jedoch die Oberflächen von derartigen Filmen
filmes mit einem spezifischen Durchgangswider- 5 nicht flach und eben sind, kann kein gleichförmiger
stand von 102 bis 10» Ω cm durch Vergießen homogener Fluß des elektrischen Stromes erhalten
einer Suspension auf einen Träger und anschließen- werden, und es besteht die Gefahr, daß von der gegendes
Trocknen, wobei die Suspension neben orga- überliegenden Einrichtung die unebene f .rfläche
nischen Lösungsmitteln und elektrisch leitfähigen weggebürstet wird, so daß eine wesentliche .·'. ^nutzung
Substanzen, wie z. B. Graphit, noch Zusatzstoffe io und Verschleiß des Schleifkontaktes auftreten können,
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß leicht Geräusche erhalten werden, die Belastbarkeit
man gering ist (niedriger als 0,5 Watt) und die Änderung
\ - u . · ι- 1-LLLiIt ν ι des Widerstandes groß ist, wobei insbesondere die
a) zunächst ein !lösliches hochmolekuares Kunst- Ä d des Widerstandes bei Feuchtigkeit beharz
mit einem Erweichungspunkt oberhalb """" e .^ *
800C in wenigstens einem der folgenden or- 1S ^5 ^jn verfahren zur Herstellung von Gemischpnischen
Losungsmittel, namhch .» chlorier- widerständen oder Leitungen aus einem Gemisch von
^dLf TTT?"' AikonoIen' Ketonen Kunstharzlack, Leiterteüchen und Lösungsmitteln be-
und/oder Amiden lost, fe ■ d Gemisch zur Aufrechterhallung des
b) dann zu der genannten Losung 5 bis 50 Ge- ' d Gemisches er/ielten Verteilungswichteprozent(bezogen
auf die Harzmenge) ^ M von Siljkonen bcj f|
einer elektnsch le.tfahigen Substanz mit einem £ deutsche Patentschrift 9 76 226) MU klemeien, speafischen Durchgangsw.dersiand * r Arbeitsweise soll der beim Ansetzen des Geal. 10 Hlc.m (gemessen bei 20 C) und bis Verteilungszustand aufrechterhalten 30 Gewichtsprozent (bezogen auf die Harz- ^* gleichen Menge von Leilerteilchen menge) einer S,l.cium enthaltenden anorga- niedrigere Widerstandswerte als bisher erreichn.schen Verbindung mit einem größeren spe- ^ sei J Temperaturkoeffizient des elektrischen zifischen Durchgangswiderstand als 10'2Ucm ,.,' , . y „ . ,.· , . . .
(gemessen bei 20°C) in der Weise zugibt, daß Widerstandswertes sol halbiert werden und der die fertige Lösung die vorgenannten Bestand- Feuchteeinfluß reduziert *«den
einer elektnsch le.tfahigen Substanz mit einem £ deutsche Patentschrift 9 76 226) MU klemeien, speafischen Durchgangsw.dersiand * r Arbeitsweise soll der beim Ansetzen des Geal. 10 Hlc.m (gemessen bei 20 C) und bis Verteilungszustand aufrechterhalten 30 Gewichtsprozent (bezogen auf die Harz- ^* gleichen Menge von Leilerteilchen menge) einer S,l.cium enthaltenden anorga- niedrigere Widerstandswerte als bisher erreichn.schen Verbindung mit einem größeren spe- ^ sei J Temperaturkoeffizient des elektrischen zifischen Durchgangswiderstand als 10'2Ucm ,.,' , . y „ . ,.· , . . .
(gemessen bei 20°C) in der Weise zugibt, daß Widerstandswertes sol halbiert werden und der die fertige Lösung die vorgenannten Bestand- Feuchteeinfluß reduziert *«den
teile: ^ichförmÄspergie tenthäU, und - ^«£=^ zur
c) die fertige Losung dann auf den sich bewegen ι ·».·«*· b ... ... , , T . ,
d,„ Trtge, vergicl, und anSchlietend uJL -J** ^fn'^^Γ^'Αη^ JS
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4329968 | 1968-06-22 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1931561A1 DE1931561A1 (de) | 1970-03-26 |
| DE1931561B2 true DE1931561B2 (de) | 1975-05-07 |
| DE1931561C3 DE1931561C3 (de) | 1979-07-05 |
Family
ID=12659896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1931561A Expired DE1931561C3 (de) | 1968-06-22 | 1969-06-21 | Verfahren zur Herstellung eines Widerstandsfilmes mit einem spezifischen Durchgangswiderstand von 102 bis 106^ cm |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3697450A (de) |
| BE (1) | BE734845A (de) |
| DE (1) | DE1931561C3 (de) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2309834A1 (de) * | 1973-02-28 | 1974-08-29 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung von kohlebuersten fuer elektrische maschinen |
| US3991397A (en) * | 1974-02-06 | 1976-11-09 | Owens-Corning Fiberglas Corporation | Ignition cable |
| US4169816A (en) * | 1978-03-06 | 1979-10-02 | Exxon Research & Engineering Co. | Electrically conductive polyolefin compositions |
| US4237441A (en) * | 1978-12-01 | 1980-12-02 | Raychem Corporation | Low resistivity PTC compositions |
| JPS56106301A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-24 | Shinetsu Polymer Co | Electronic part element |
| DE3341557A1 (de) * | 1983-10-22 | 1985-05-02 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Gefuellte polycarbonatfolien, ihre herstellung und verwendung |
| JPS61264050A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Ube Ind Ltd | 導電性ポリイミドフイルムおよびその製造法 |
| DE3525803A1 (de) * | 1985-07-19 | 1987-01-22 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von russgefuellten polycarbonatformkoerpern |
| US5177662A (en) * | 1992-02-05 | 1993-01-05 | Johnson Service Company | Capacitance humidity sensor |
| US5334636A (en) * | 1992-03-26 | 1994-08-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Thermoplastic composition |
| US5690805A (en) * | 1993-05-17 | 1997-11-25 | Electrochemicals Inc. | Direct metallization process |
| US5725807A (en) * | 1993-05-17 | 1998-03-10 | Electrochemicals Inc. | Carbon containing composition for electroplating |
| US5476580A (en) * | 1993-05-17 | 1995-12-19 | Electrochemicals Inc. | Processes for preparing a non-conductive substrate for electroplating |
| US6710259B2 (en) | 1993-05-17 | 2004-03-23 | Electrochemicals, Inc. | Printed wiring boards and methods for making them |
| US6171468B1 (en) | 1993-05-17 | 2001-01-09 | Electrochemicals Inc. | Direct metallization process |
| US6303181B1 (en) | 1993-05-17 | 2001-10-16 | Electrochemicals Inc. | Direct metallization process employing a cationic conditioner and a binder |
| US5408381A (en) * | 1994-04-28 | 1995-04-18 | Johnson Service Company | Capacitance humidity sensor |
| AU2007332770B2 (en) * | 2006-12-12 | 2013-09-05 | Biopath Automation, L.L.C. | Biopsy support with sectionable resilient cellular material |
| US20110266436A1 (en) * | 2010-04-29 | 2011-11-03 | Battelle Energy Alliance, Llc | Apparatuses and methods for forming electromagnetic fields |
| US8502159B2 (en) | 2010-04-29 | 2013-08-06 | Battelle Energy Alliance, Llc | Apparatuses and methods for generating electric fields |
| JP2011248190A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 定着装置用発熱ベルトと画像形成装置 |
-
1969
- 1969-06-19 BE BE734845D patent/BE734845A/xx unknown
- 1969-06-21 DE DE1931561A patent/DE1931561C3/de not_active Expired
- 1969-06-23 US US835774A patent/US3697450A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE734845A (de) | 1969-12-01 |
| US3697450A (en) | 1972-10-10 |
| DE1931561A1 (de) | 1970-03-26 |
| DE1931561C3 (de) | 1979-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1931561B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Widerstandsfilmes mit einem spezifischen Durchgangswiderstand von 10 hoch 2 bis 10 hoch 6 hoch Omega cm | |
| DE60019370T2 (de) | Halbleitfähige Kabel-Schirme | |
| DE2752540C2 (de) | Druckempfindliches elektrisches Widerstandselement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2205038C3 (de) | Elektrisch leitender Film | |
| DE3050761C2 (de) | Elektrisch leitfähiger, selbstregelnder Gegenstand mit positiven Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes, sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE69627622T2 (de) | Flexible Dickschichtleiterzusammensetzung | |
| DE3750684T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von keramischen Mehrschichtstrukturen mit interner Anordnung von Kupferleitern. | |
| DE69031123T2 (de) | Elektrisch leitfähige polymerzusammensetzung | |
| DE1671900A1 (de) | Metallisierungswerkstoff zur Herstellung elektrischer Schaltelemente bzw. Metallgemisch fuer Metallisierungswerkstoff zur Herstellung | |
| DD301547A7 (de) | Verfahren zur herstellung leitfaehiger strukturen in poly(organylheteroacetylenen) | |
| DE102004016149B4 (de) | Metallbeschichtete Kohlebürste | |
| DE102007043576B4 (de) | Textile Flächen mit elektrisch leitfähigen Mustern und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE19546164C2 (de) | Temperaturfühler | |
| DE1930970A1 (de) | Ein keramischer,spannungsabhaengiger Widerstand und ein Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2152546A1 (de) | Kompressibles, elektrisch leitfaehiges und/oder magnetisches material aus elastischen, zelligen polymeren und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE2919436A1 (de) | Gegenstand aus einem polymeren elektrischen widerstandsmaterial | |
| DE2716171B2 (de) | Zusammensetzung mit Eignung zum Aufdrucken von Mustern auf ein isolierendes Substrat | |
| DE2854926A1 (de) | Kohlewiderstand und verfahren zur herstellung eines kohleschichtwiderstandes | |
| DE3045591A1 (de) | Aufzeichnungsmaterial fuer elektrostatische aufzeichnungen | |
| DE2615785A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektrisch leitfaehigen schicht | |
| DE10057115A1 (de) | Verfahren zur Bildung eines Schaltkreises | |
| DE1519283B1 (de) | Halbleitende UEberzugsmassen | |
| DE1519283C (de) | Halbierende Überzugsmassen | |
| DE69916474T2 (de) | Material mit verbesserter thermischer alterungsbeständigkeit und verfahren zu dessen herstellung | |
| AT165803B (de) | Elektrischer Widerstand, bei welchem der Leiter oder Halbleiter einer gehärteten Kunstharzmasse einverleibt ist und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |