DE1930424B2 - Schaltvorrichtung - Google Patents
SchaltvorrichtungInfo
- Publication number
- DE1930424B2 DE1930424B2 DE19691930424 DE1930424A DE1930424B2 DE 1930424 B2 DE1930424 B2 DE 1930424B2 DE 19691930424 DE19691930424 DE 19691930424 DE 1930424 A DE1930424 A DE 1930424A DE 1930424 B2 DE1930424 B2 DE 1930424B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- emitter
- collector
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/68—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors specially adapted for switching ac currents or voltages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine transistorisierte Schaltvorrichtung, die einen Signalübertragungsweg
enthält, der durch die Emitter-Kollektor-Strecken mindestens eines Schalttransistorpaares mit Transistoren
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet wird, die zwei parallele und komplementäre Strecken bilden, und
bei der Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe die Schalttransistoren gleichzeitig gesperrt und entsperrt
S werden können.
Eine solche Schaltvorrichtung ist bekannt aus der US-PS 30 31 588 und bezieht sich insbesondere auf eine
Schaltvorrichtung, mit der Niederfrequenzsignale mit niedrigem Amplitudenpegel schaltbar sind. Die Mittel,
ίο mit deren Hilfe die Schalttransistoren gesperrt oder
entsperrt werden können, werden in dieser bekannten Schaltvorrichtung gebildet durch einen Steuertransistor,
der über Zener-Dioden Spannungen an die Basen der Schalttransistoren zuführt.
Die Erfindung beabsichtigt, eine Schaltvorrichtung obengenannten Typs zu schaffen, mit der Hochfrequenzsignale
mit höherem Amplitudenpegel geschaltet werden können, und ist dazu dadurch gekennzeichnet,
daß die genannten Strecken eine Diagonale einer Widerstandsbrücke bilden, während die andere Brükkendiagonale
an die Klemmen einer Gleichspannungsquelle angeschlossen ist, und daß die genannten Mittel
dadurch gebildet werden, daß jedem Schalttransistor ein Basis-Steuertransistor zugeordnet ist, derart, daß
»S die Basis-Elektroden der Schalttransistoren mit entgegengesetzten
Klemmen der Gleichspannungsquelle über di2 Kollektor-Emitter-Strecke des zugehörigen
Basis-Steuertransistors verbunden sind, daß ferner je eine Diode zwischen der Basis-Elektrode jedes Schalttransistors
und der Kollektor-Emitter-Strecke des zugehörigen Basis-Steuertransistors geschaltet ist, und
daß Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe die Basis-Steuertransistoren gleichzeitig gesperrt und entsperrt
werden können.
Die Basis-Steuertransistoren bilden gesteuerte Stromquellen, wodurch die Basisspannungen der
Schalttransistoren besser den Emitterspannungen der Schalttransistoren folgen können, welche Emitterspannungen
das Eingangssignal der Schaltvorrichtung sind.
Dadurch ist erreicht, daß Signale mit höherem Amplitudenpegd
schaltbar sind.
In einer besonderen Ausführungsform ist der Signalübertragungsweg der Schaltvorrichtung nach der Erfindung
durch die Emitter-Kollektor-Strecken mindestens zweier Schalttransistorenpaare gebildet, wobei die
Transistoren jedes Paares entgegengesetzte Leitfähigkeitstypen aufweisen und wobei die Emitter-Kollektor-Strecken
der Transistoren mit den gleichen Leitfähigkeitstypen miteinander in Reihe geschaltet sind, so daß
5" sie zwei komplementäre Ketten über der erwähnten einen Diagonale der erwähnten Widerstandsbrücke bilden.
Vorzugsweise ist die Basis-Elektrode jedes Basis-Steuertransistors,
der zu einem Schalttransistor vom einen Leitfähigkeitstyp gehört, mit der Kollektor-Elektrode
eines gemeinsamen Steuertransistors verbunden, während die Basis-Elektrode jedes zu einem Schalttransistor
vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp gehörigen Basis-Steuertransistors mit der Emitter-Elektrode
des erwähnten Steuertransistors verbunden ist, wobei die Kollektor-Elektrode und die Emitter-Elektrode
des Steuertransistors über einen Kollektorwiderstand bzw. einen Emitterwiderstand mit Klemmen der
erwähnten Gleichspannungsquelle verbunden sind, und
6S wobei Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe der
Steuertransistor gesperrt und entsperrt werden kann, wodurch eine gleichzeitige Sperrung oder EntSperrung
der Basis-Steuertransistoren erhalten wird.
Die Erfindung wird nachstehend für einige Ausführungsbeispiele an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigt
F i g. 1 schematisch eine Schaltvorrichtung nach der Erfindung mit einem einzigen Schalttransistorenpaar.
F i g. 2 schematisch eine Schaltvorrichtung nach der Erfindung mit drei Schalttransistorenpaaren.
In F i g. 1 werden die Eingangssignale den Emitter-Elektroden
der Schalttransistoren TA 1 und TR 2 zugeführt,
führend die Ausgangssignale ihren Kollektor-Elektroden
entnommen werden. Die Transistoren 77?1 und TR 2 haben entgegengesetzte Leitfähigkeitstypen,
wobei der Transistor 77? 1 ein npn- und der Transistor TR2 ein pnp-Transistor ist. Die Emitter-Kollektor-Strecken
der Transistoren TR 1 und TR 2 sind parallel und komplementär zueinander angeordnet, so daß,
wenn die Transistoren leitend sind, ein Übertragungsweg für die Signale erhalten wird, wobei die Emitter-Kollektor-Strecke
des Transistors 7 Rl positive Eingangssignale oder Teile dieser Signale und die Emitter-Kollektor-Strecke
des Transistors TR 2 negative Eingangssignale oder Teile dieser Signale führt. Die Emitter-Kollektor-Strecken
der Transistoren 77? 1 und 77? 2 sind über einer Diagonale einer Widerstandsbrücke angeordnet,
die durch die Widerstände 1, 2, 3 und 4 gebildet wird. Zum Erzielen einer symmetrischen Wirkung
der Transistoren TR 1 und TR 2 und einer maximalen Signalverarbeitungskapazität muß die halbe Speisespannung
den Emittern von TR 1 und TR 2 z. B. über gleichwertige Widerstände R 1 und R 2 zugeführt werden.
Um die Einschaltimpulse herabzusetzen, muß den Kollektoren von TR 1 und TR 2 auch die halbe Speisespannung
z. B. über gleichwertige Widerstände R 3 und /?4 zugeführt werden. Die andere Diagonale des Brükkennetzwerkes
ist an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen, die nicht dargestellt ist, sondern durch die
negative Klemme 5 und die positive Klemme 6 repräsentiert ist. Ein Basis-Steuertransistor 77? 3 wirkt mit
dem Transistor TR 1 zusammen, während ein Basis-Steuertransistor TR 4 mit dem Transistor TR 2 zusammenwirkt
Die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors TR 3 verbindet die Basis-Elektrode des Transistors
TR 1 mit der negativen Klemme 5 der Gleichspannungsquelle, während die Kollekior-Emitter-Strekke
des Transistors 77? 4 die Basis-Elektrode des Transistors TR 2 mit der positiven Klemme 6 der Gleichspannungsquelle
verbindet. Eine mit einem Widerstand 7 in Reihe geschaltete Halbleiterdiode D1 verbindet die
Basis-Elektrode des Transistors TR 1 mit der Kollektor-Elektrode des Transistors TR 3, während auf gleiche
Weise eine mit einem Widerstand 8 in Reihe geschaltete Halbleiterdiode D2 die Basis-Elektrode des
Transistors TR2 mit der Kollektor-Elektrode des Transistors TR 4 verbindet. Die Basis-Elektrode des
Transistors TR 3 ist über den Strombegrenzungswiderstand 9 mit dem Kollektor des Transistors TR 5 und die
Basis-Elektrode des Transistors 77? 4 ist über den Strombegrenzungswiderstand to mit der Emitter-Elektrode
des Transistors TR 5 verbunden. Die Kollektor-Elektrode des Transistors TR 5 ist über den Kollektorwiderstand
11 mit der negativen Klemme 5 der Quelle und die Emitter-Elektrode des Transistors TR 5 ist über
den Emitterwiderstand 12 mit der positiven Klemme 6 dieser Quelle verbunden. Zum Erzielen einer symmetrischen
Wirkung muß mit Hilfe der Widerstände 9 und 10 der Treibstrom für TR 3 bzw. TR 4 erzeugt werden,
d. h., daß bei gegenseitig angepaßten Verstärkungen von TR 3 und TR 4 die Widerstände 9 und 10 die gleichen
Werte aufweisen, wenn die Kollektorspannung von TR 5 im gesättigten Zustand gleich der Hälfte der
Speisespannung ist. Die Spannung am Emitter und am Kollektor von TR S wird durch die Basisspannung be-S
stimmt
Zum Sperren und Entsperren des Transistors TR 5 sind (nicht dargestellte) Mittel vorgesehen. Diese Mittel
können z. B. einen Widerstand und einen von Hand betätigten zwischen der negativen Klemme 5 und der Basis-Elektrode
des Transistors TR 5 eingeschalteten Schalter enthalten, wobei der Widerstand einen derartigen
Wert hat, daß beim Schließen des Schalters der Transistor TR 5 entsperrt und beim öffnen des Schalters
gesperrt wird. Auch kann ein Signal mit einer
ι ς rechteckigen Wellenform von einer geeigneten Quelle
der Basis-Elektrode des Transistors TR 5 zugeführt werden, damit dieser Transistor periodisch gesperrt
und entsperrt wird.
Wenn die Transistoren TR 1, TR 2, TR 3, TR 4 und
77? 5 aile im gesperrten Zustand sind, führen die Emitter- und Kollektor-Elektroden der Transistoren TR 1
und TR2 das gleiche Potential (d.h. die Hälfte der
Spannung der Gleichspannungsspeisequelle) und führt die Kollektor-Elektrode des Transistors TR 5 das Potent'al
der negativen Klemme 5, während die Emitter-Elektrode des Transistors TR 5 das Potential der positiven
Klemme 6 aufweist. Es ist aber einleuchtend, daß, wenn der Transistor TR 5 entsperrt wird, seine Kollektorspannung
nahezu gleich der Hälfte der Speisespannung wird, während seine Emitterspannung gleichfalls
nahezu gleich der Hälfte der Speisespannung wird, wenn die Basis des Transistors TR 5 an eine Spannungsquelle
angeschlossen wird, die gleich der Hälfte der Speisespannung ist. Dementsprechend nimmt die
Basisspannung des Transistors 77? 3 zu, so daß der Transistor 77? 3 und somit auch der Transistor 77? 1
entsperrt wird, während außerdem die Basisspannung des Transistors 77? 4 abnimmt, so daß der Transistor
TR 4 und somit auch der Transistor TR 2 entsperrt wird.
Die Halbleiterdioden Dl und D 2 verhindern, daß in
bezug auf Signalspannungen oberhalb der Basis-Emitter-Durchschlagspannung ein Basisstrom in der Sperrrichtung
durch den Transistor TR1 bzw. TR 2 fließt.
Die Widerstände 7 und 8 bewirken eine wechselstrommäßige Isolierung.
Die Schaltvorrichtung nach F i g. 1 hat eine charakteristische Reihenimpedanz von 20 Ω und ein Ein-Abschaltverhältnis
von 60 dB bei Signalfrequenzen bis zu 700 kHz. Schaltgeschwindigkeiten von 10 μ5εΐ: wurden
erzielt. Die Signalpegel, die die Vorrichtung verarbeiten kann, sind von den Kennlinien der Transistoren
TR 1 und 77? 2 und von der Speisespannung der Quelle abhängig. Eine Verbesserung des Ein-Abschaltverhältnisses
und/oder der Signalverarbeitungskapazität kann dadurch erhalten werden, daß mehr als ein Schalttransistorenpaar
angewandt wird. Eine Vorrichtung mit drei Schalttransistorenpaaren ist in F i g. 2 dargestellt.
Die Anordnung nach F i g. 2 ist der nach F i g. 1 einigermaßen ähnlich und entsprechende Teile sind mit den gleichen Bezugszeichen oder -ziffern bezeichnet. Der Transistor TR1 der F i g. 1 wird in F i g. 2 durch die Transistoren TR 7, TR 9 und TR 11 ersetzt, deren Emitter-Kollektor-Strecken in Reihe zwischen dem Verbindungspunkt der Widerstände 1 und 2 und dem Verbindungspunkt der Widerstände 3 und 4 eingeschaltet sind. Der Transistor TR 2 der F i g. 1 wird in F i g. 2 auf entsprechende Weise durch die Transistoren TR 8,
Die Anordnung nach F i g. 2 ist der nach F i g. 1 einigermaßen ähnlich und entsprechende Teile sind mit den gleichen Bezugszeichen oder -ziffern bezeichnet. Der Transistor TR1 der F i g. 1 wird in F i g. 2 durch die Transistoren TR 7, TR 9 und TR 11 ersetzt, deren Emitter-Kollektor-Strecken in Reihe zwischen dem Verbindungspunkt der Widerstände 1 und 2 und dem Verbindungspunkt der Widerstände 3 und 4 eingeschaltet sind. Der Transistor TR 2 der F i g. 1 wird in F i g. 2 auf entsprechende Weise durch die Transistoren TR 8,
TR 10 und 77? 12 ersetzt, deren Emitter-Kollektor-Strecken in Reihe zwischen dem Verbindungspunkt der
Widerstände 1 und 2 und dem Verbindungspunkt der Widerstände 3 und 4 eingeschaltet sind. Die Basis-Elektrode
jedes der Transistoren TR 7, TA 9 und TR 11 ist
über einen Widerstand und eine Halbleiterdiode mit der Kollektor-Elektrode des Transistors TR 3 verbunden,
während auf entsprechende Weise die Basis-Elektrode jedes der Transistoren TR 8. TR 10 und TR 12
über einen Widerstand und eine Halbleiterdiode mit |0
der Kollektor-Elektrode des Transistors TR 4 verbunden ist. Es dürfte einleuchten, daß die Sperrung und
Entsperrung des Transistors TT? 3 zu der gleichzeitigen
Sperrung und Entsperrung der drei Transistoren TR 7, TR 9 und TRU führt, während die Sperrung und Ent- >5
sperrung des Transistors TR 4 die gleichzeitige Sperrung und Entsperrung der drei Transistoren TR 8,
TR 10 und TR12 veranlaßt. Wenn die Transistoren
TR7, TR», 77?9, TR 10, TR 11 und TR 12 im leitenden
Zustand sind, bilden ihre Emitter-Kollektor-Strecken einen Übertragungsweg für die den Emitter-Elektroden
der Transistoren TR7 und TRB zugeführten Eingangssignale, wobei die Reihenanordnung der Emitter-Kollektor-Strecken
der Transistoren TR 7, 77? 9 und TR 11
die positiven Eingangssignale oder Teile dieser Signale führt, während die Reihenanordnung der Emitter-Kollektor-Strecken
der Transistoren TR», TR10 und 77? 12 die negativen Eingangssignale oder Teile dieser
Signale führt.
In der Anordnung nach F i g. 2 ist das Vorhandensein einer Reihenschaltung eines Widerstandes und einer
Diode im Basiskreis jedes der Schalttransistoren TR 7 TRS, 77? 9, TR 10, TR 11 und TR 12 als unbedingt not
wendig zu betrachten, um eine befriedigende wechselstrommäßige Isolierung und eine lineare Wirkung dei
Anordnung zu erzielen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Transistorisierte Schaltvorrichtung, die einen Signalübertragungswcg enthält, der durch die Emitter-Kollektor-Strecken
mindestens eines Schalttransistorpaares mit Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet wird, die zwei parallele
und komplementäre Strecken bilden, und bei der Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe die
Schalttransistoren gleichzeitig gesperrt und entsperrt werden können, dadurch gekennzeichnet,
daß die genannten Strecken eine Diagonale einer Widerstandsbrücke (1, 2, 3, 4) bilden,
während die andere Brückendiagonale an die Klemmen (5,6) einer Gleichspannungsrjuelle angeschlossen
ist. und daß die genannten Mittel dadurch gebildet werden, daß jedem Schalttransistor (77? 1, TR 2)
ein Basis-Steuertransistor (TA3, TR 4) zugeordnet ist, derart, daß die Basis-Elektroden der Schalttransistoren
mit entgegengesetzten Klemmen der Gleichspannungsquelle über die Kollektor-Emitter-Strecke
des zugehörigen Basis-Steuertransistors verbunden sind, daß ferner je eine Diode (D 1, D Y)
zwischen der Basis-Elektrode jedes Schalttransistors und der Kollektor-Emitter-Strecke des zugehörigen
Basis-Steuertransistor geschaltet ist, und daß Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe die Basis-Steuertransistoren
gleichzeitig gesperrt und entsperrt werden können.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erwähnte Signalübertragungsweg
durch die Emitter-Kollektor-Strecken mindestens zweier Schalttransistorenpaare gebildet wird, wobei
die Transistoren jedes Paares entgegengesetzte Leitfähigkeitstypen aufweisen, und wobei die Emitter-Kollektor-Strecken
der Transistoren mit den gleichen Leitfähigkeitstypen miteinander in Reihe geschaltet sind, so daß die zwei komplementäre
Strecken über der erwähnten einen Diagonale der erwähnten Widerstandsbrücke bilden.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Elektrode jedes mit
einem Schalttransistor vom einen Leitfähigkeitstyp zusammenwirkenden Basis-Steuertransistors mit
der Kollektor-Elektrode eines gemeinsamen Steuertransistors verbunden ist, während die Basis-Elektrode
jedes mit einem Schalttransistor vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp zusammenwirkenden
Basis-Steuertransistors mit der Emitter-Elektrode des erwähnten Steuertransistors verbunden
ist, wobei die Kollektor- und Emitter-Elektrode des Steuertransistors über einen Kollektorwiderstand
bzw. über einen Emitterwiderstand mit Klemmen der erwähnten Gleichspannungsquelle verbunden
sind, und wobei Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe Steuertransistor gesperrt und entsperrt
werden kann, wodurch eine gleichzeitige Sperrung oder EntSperrung der Basis-Steuertransistoren herbeigeführt
wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AU3926868 | 1968-06-17 | ||
AU39268/68A AU416965B2 (en) | 1968-06-17 | 1968-06-17 | An improved switching device |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1930424A1 DE1930424A1 (de) | 1969-12-18 |
DE1930424B2 true DE1930424B2 (de) | 1976-01-15 |
DE1930424C3 DE1930424C3 (de) | 1976-08-19 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS483460B1 (de) | 1973-01-31 |
AU416965B2 (en) | 1971-09-10 |
DE1930424A1 (de) | 1969-12-18 |
US3614472A (en) | 1971-10-19 |
GB1274469A (en) | 1972-05-17 |
AU3926868A (en) | 1970-12-17 |
FR2011067A1 (de) | 1970-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2323478A1 (de) | Datenuebertragungsanordnung | |
DE2448604C2 (de) | Schaltungsanordnung zum selektiven Weiterleiten eines von zwei Eingangssignalen zu einem Ausgangsanschluß | |
DE2305291C3 (de) | Regelschaltung zur Regelung der Amplitude eines Signals | |
DE2263867A1 (de) | Steuerschaltung fuer thyristoren | |
DE1039570B (de) | Elektronischer Umschalter zur Schaltung der Stromrichtung in einem Verbraucher | |
DE2416534A1 (de) | Komplementaer-symmetrische verstoerkerschaltung | |
DE3104849C2 (de) | Quarzoszillator | |
DE4032047C2 (de) | ||
DE1512342C3 (de) | ||
DE1930424C3 (de) | Schaltvorrichtung | |
DE2415629C3 (de) | Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhängigen Blockieren eines Stromzweiges | |
DE1930424B2 (de) | Schaltvorrichtung | |
DE2850905C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Speisung einer Teilnehmerendeinrichtung | |
DE2830481C3 (de) | Schutzschaltung für einen Gegentaktleistungsverstärker | |
CH646560A5 (de) | Teilnehmerschaltung mit einem symmetrischen leistungsverstaerker fuer die speisung einer teilnehmerleitung. | |
DE1229653B (de) | Vorrichtung zur Steuerung von sehr schnellen Ablenkungen des Kathodenstrahles einer Elektronenstrahlroehre | |
DE2100453C3 (de) | Wechselstromsteuervorrichtung | |
DE3145771C2 (de) | ||
DE1638010C3 (de) | Festkörperschaltkreis für Referenzverstärker | |
DE2202282B2 (de) | Elektronische Schaltungsanordnung zum Umschalten der Polarität von zwei Ausgangsanschlussen | |
DE1294495B (de) | Elektrische Generatoranordnung | |
DE1512479C (de) | Elektronische Umschaltanordnung | |
DE1487829C (de) | Treiberstufe zur Erzeugung von Impulsen konstanter Amplitude. Ausscheidung aus: 1487824 | |
DE2248824C3 (de) | Gyrator | |
DE1286144B (de) | Aktiver Modulator mit Transistoren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |