DE1928718A1 - Legierter Metalloxidkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Legierter Metalloxidkondensator und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 20
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 title description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 6
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 claims 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 241000167854 Bourreria succulenta Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMVSDNDAUGGCCE-TYYBGVCCSA-L Ferrous fumarate Chemical compound [Fe+2].[O-]C(=O)\C=C\C([O-])=O PMVSDNDAUGGCCE-TYYBGVCCSA-L 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019693 cherries Nutrition 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/10—Metal-oxide dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G53/00—Compounds of nickel
- C01G53/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
Dr. 'η;. H. No·; tnctank
Ui1-I .π H. H ;:k
Dipl. Fh/; %.ν'. b :-r„ilz
Dipl. Fh/; %.ν'. b :-r„ilz
Τ,Ί. 5 38 05 86
605 Lapeer Road, München, 6. Juni 1969
Legierter Metalloxidkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
Die Erfindung betrifft Metalloxldkondenaatoren und Verfahren zu
ihrer Herstellung und Insbesondere den Aufbau und die Herstellung von Nickeloxidkondensatoren.
Bei einigen Verfahren zur Herstellung von Metalloxidkondensatoren
wird auf dem Grundmetall ein Überzug aus durchlässiger Silberfarbe
angebracht, und dann wird das Metall bei einer relativ hohen Temperatur gebrennt, bei der eich ein Oxidfilm unter dem überzug bildet. FUr dieses Verfahren ist auch die Verwendung anderer Metalle,
einschließlich Nickel, vorgeschlagen worden. Bei einer Anwendung des Verfahrens ist vorgeschlagen worden, da3 im wesentlichen reines Nickel verwendet werden soll. Man hat gefunden, daß es tat-
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sachlich vorteilhaft ist, unreines Nickel und insbesondere Nicke
mit einem Titähgehalt su verwenden.
Bei niedrigen Brenntemperaturen (zwischen ungefähr 270 C und 540
bildet sich das Nickeloxid Ni2O,, das für Dielektrika unerwünsch
ist. Bei einer Temperatur von ungefähr 76O°c bis }85 C bildet si
das Nickeloxid NiO mit einer gewünschten Gitterstruktur, das ein gutes Dielektrikum ist. Nsn hat auch gefunden, da3 nach dem Bren
nen des Nickels zur Bildung von KlO eine rasche Abschreckung
zu einem besseren Dielektrikum führt als eine langsame Abkühlung durch Luft.
Aufgabe der Erfindung 1st es, auegehend von dem oben genannten
Stand der Technik ein neues und verbessertes Verfahren zu Herstellung von Nickelojtidkondensstortn *u schaffen.Es 1st weiterhin Aufgabe der Erfindung« einen Nidcsioxldkondensstor mit einem
neuen und verbesserten Aufbau zu schaffen.
In bezug auf das Verfahren wird die Aufgabe gemM3 der Erfindung
dadurch gelöst,daß ein Nickelkörper zur Bildung von NiO auf sein
Oberfläche in Gegenwart von Sauerstoff erhitzt und der erhitzte Nickelkörper rasch abgesohreckt wird, wobei der Nickelkörper
aus einer Legierung aus im wesentlichen Nl mit einen Anteil von etwa 0,2 bis 30 Titan besteht.
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90985r/17ftfi
Genau einer L vorteilhaften Weiterbildung; der Erfindung wird der
Kickt;!körper v,.r der genannten Erwärmung in Gegenwart von Sauerstoff
a-if eine Temperature zwischen ungefähr 7v'0°C bis j;'5CC erwärmt
and mit einem le.itfähigen Überzug versehen. Ep- ist vorteil
haft-, wenn dieser Überzug sauerstoffdurchlässig ist. Gemäß einer
Vieit-eruild'mi; der Erfind um/ dauert die Abschreckung ungefähr weni{er
als 5 see.
Nach einer besonderen Ausf ührunirsfcrrr besteht der Nickelkörper
aus einer Legierung, die im wesentlichen aus Nickel und aus etwa 1# Titan besteht.
aus einer Legierung, die im wesentlichen aus Nickel und aus etwa 1# Titan besteht.
Nach einer anderen Ausführunesferm der Erfindung wird der Körper
nach dem Abschrecken mit einer, leitfähigen, sauerstoffdurchlässigen
Überzug auf der NiO-Oberfläehe versehen, der üoerzcgene Körper
in Anwesenheit \-xn Sauerstoff auf eine Temperatur zwischen
.ingefähr JoQ C ois JjQ C erwärrr.t und rasch geschreckt.
.ingefähr JoQ C ois JjQ C erwärrr.t und rasch geschreckt.
Dabei können der erste und der zweite ÄLsehreckvorrang weniger
als ungefähr 5 see. dauern.
als ungefähr 5 see. dauern.
Ein Metalloxidkondensator gemäß der Erfindung ist gekennzeichnet
durch eine erste Elektrode aus einer Nickellegierung, die im wesentlichen
aus Nickel mit'einem'Anteil von ungefähr 0,2$ bis
3% Titan besteht, ein auf der Oberfläche der ersten Elektrode
aus deren Material gebildetes Dielektrikum aus NiO und eine
auf dem Dielektrikum angebrachte Elektrode,
auf dem Dielektrikum angebrachte Elektrode,
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BAD ORIGINAL
ψ— 1923718
Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Einige Aus führjngsbeispiele der Erfindung sind in der Zeich
nan£. dargestellt und werden im folgender, näher beschrieben. Es
zeigen:
Pig. 1 einen oildlichen Querschnitt durch ejnen Kondensator
^erräß der Erfindung,
Fig·. 2 ein Blcckdiagramm einer Folge von Verfahrensschritten
gemäß der Erfindung,
Fig. 3 ein Blcckdia£ramm einer anderen Folge von Verfahrensschritten ^ernäß der Erfindung, und
Fi. g 4 ein Blockdiagramm einer weiteren Folge von Verfahrensschritten £emä3 der Erfindung.
Bei den: angewendeten Verfahren .hat es sich als vorteilhaft herausgestellt,
unreines Nickel, d.h. Nickel mit einem Reingehalt von etwa 97$ zu verwenden. Wenn das Nickel mit einem Anteil zwischen
0,2 und ~5% Titan legiert wi-rd,erhält man einen besseren
Nickeloxidkondensator. Das Titan erhöht die Oxidationsgeschwindigkeit
des Nickels und sorgt folglich für eine bessere dielektrische Schicht aus Nickeloxid; hinzu kommt, daß das aus dem Titan
gebildete Titandioxid gute dielektrische Charakteristiken hat. Es ist erwünscht, da3 der Gehalt an nachteiligen Komponenten wie Si-
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BAD
liziuni a if einem Minimum gehalten wird, d.h. insgesamt auf nicht
mehr als 1,2$. Der Siliziumgehalt sollte verzugsweise nicht mehr
als 0,05$ betrafen. Eine bevorzugte Form eines verbesserten Miokeloxidkondensators
wurde mit der folgenden Zusammensetzung erhalten: Silizium 0,05$, Mangan 0,10$, Kupfer 0,02$, Eisen 0,02$, Aluminium
0,04$, Magnesium 1,0$ und Titan 1,0$, wobei der Rest Nickel war.
Der gesamte Gehalt an Verunreinigungen sollte abgesehen von Titan
vorzugsweise weniger als 1,2$ betragen. Mit der oben genannten
Zusammensetzung wurde ein Nickeloxidkondensator hergestellt, der oei 25°C eine Kapazität von 400 pF und bei l MHz und 25°C einen
kleinen Verlustfaktor (0,1$) hat. Kit einem Titangehalt von weniger
als ungefähr 0,2$ würde man nur eine geringfügige Verbesserung
erzielen. Mit einem Titangehalt von mehr als ungefähr 3$
würde man nur eine geringfügige Verbesserung verwirklichen, and tatsächlich könnte eine Verschlechterung des Kondensators eintreten.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Nickeloxidkondensator ist ein zentraler
Leiter bzw. eine zentrale Elektrode 12 vorgesehen, die aus der oben genannten Nickellegierung besteht. Ein Dielektrikum 14
besteht aus Verbindungen, die durch Oxidation der Legierung gemä"3
dem vorliegenden Verfahren gebildet werden und als wesentlichen Bestandteil Nickeloxid NiO enthalten, das gute dielektrische Eigenschaften
aufweist. Auf dem Dielektrikum 14 ist ein leitfähiger Überzug l6 angebracht, und Leitungsdrähte 18 und 20 sind mit der
zentralen Elektrode 12 bzw. mit der äußeren Elektrode oder dem Überzug Io verbunden. Der gesamte Aufbau ist mit Ausnahme der Ver-
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; BAD
1änderungen der Leitungsdrähte l8 und 20 in einem geeigneten. Überzug
22 z.B. aus Epoxydharz eingeschlossen. Man beachte, da"3 "das"
; Nickeloxid NiO gebildet wird; das andere Nickeloxid Ni2O-, ist
nicht erwünscht und wird in dem dielektrischen überzug vermieden.
Das erwünschte Nickeloxid NiO wird bei hohen Temperaturen gebildet,
vorzugsweise im Bereich von 76O°C bis 9-Ho°C-
: Wie bereits erwähnt, hat man vorgeschlagen, da.'J der Nickeloxid-Kondensator
10 durch Überziehen eines Nickelstreifens oder -blattes
mit einem sauerstoffdurchlässigen Silberüberz ig and anschlieflen-.
des Brennen zar Bildung des Nickeloxid hergestellt wird, nach j der Erfindung kann ein verbessertes Dielektrikum und damit ein
! verbesserter Kondensator durch Bildung der Hochtempera türform eines!
■ Nickeloxiddielektrikums (NiO) entweder vor oder sowohl vor als auch
nach dem Überziehen hergestellt werden kann. Entsprechend wird in j
' dem ersten Verfahrensschritt der Erfindung (vgl. Fig. 2) der j Nickelstreifen auf eine Temperatur von ungefähr 760°C bis 9850C ''.
! erwärmtj in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird der Stab
von ' '..-"'■■"■- ^-■
zwei Stunden lang auf eine Temperatur/etwa 955 C erwärmt. Das ;
Brennen wird vorzugsweise in einer sauerstoffreichen Atmosphäre durchgeführt, und bei dieser Temperatur wird das grüne Hochtemperatur-Oxid
NiO gebildet. Man hat gefunden, da.3 man ein minderwertiges Dielektrikum erhält, wenn man den erwärmten Stab langsam
abkühlen läßt. Wenn der Stab Jedoch bei der erhöhten Temperatur
rasch abgeschreckt wird, erhält man ein gutes Dielektrikum.
gefunden,
Man hatferner/da3 beim Abschrecken der Stäbe in nicht mehr als
Man hatferner/da3 beim Abschrecken der Stäbe in nicht mehr als
fr
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ungerfahr 5 sec. von Kirschrotglut bis zu einer Temperatur in der
Größenordnung von ungefähr 260 C zufriedenstellende Ergebnisse erhalten werden.
Zwar kann ein zufriedenstellendes Abkühlen durch Anordnen des heizen Stabes auf einer Wärmesenke, wie einer relativ großen
Eisenmasse, erzielt werden, doch hat es sich als vorteilhafter
erwiesen, die Stäbe durch Eintauchen in ein Flüssigkeitsbad wie Silikonöl DC 200 abzukühlen. Das Bad sollte inert sein, kein reduzierendes
oder oxidierendes Agens bilden und eine gute Wärme-
j leitfähigkeit haben. Besonders vorteilhaft ist ein Bad aus
Perchloräthylen, das zusätzlich zu den obigen Eigenschaften bei der Abkühlung ein Gas um die Streifen zu bilden scheint und dadurch
eine schützende Umgebung schafft, die eine Oxidation oder Reduktion des Hochtemperatur-NiO verhindert. Nach dem Abkühlen
ist es möglich, einen leitenden überzug, z.B. Silber, auf die
NiO-Oberflache aufzubringen, wodurch man einen zufriedenstellenden
Kondensator erhält (vgl. Fig.l). In einer bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens werden jedoch zusätzliche Brennschritte durchgeführt.
Es kann sein, daß der dielektrische Überzug eine Ausbesserung und/oder weitere Umwandlung in Hochtemperatur-NiO erfordert. In
diesem Falle können zusätzliche Verfahrensschritte durchgeführt werden (vgl. Fig. 3). Nach dem Vorbrennen und dem raschen Abschrecken
in Perchloräthylen. (ähnlich den ersten beiden Schritten
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BADORKälNAl.
der Fig. 2) kann eine Elektrode aus Silber und Paladium vermischt mit einer Fritte, die ein Sauerstoffdonator ist, auf die NiO-Oberfläche
aufgebracht werden, wobei das Silber sauerstoffdurchlässig ist. Die Fritte kann aus Wismuttrioxid bestehen. Der Überzug
wird bei einer Temperatur zwischen ungefähr I50 bis 2G0 C
getrocknet, bei der die flüchtigen Stoffe aus dem Elektrodenüberzug entfernt werden. Der Stab wird dann bei einer Temperatur zwischen
ungefähr 76O0C bis 93O C zehn Minuten bis zwei Stunden lang
gebrannt, wobei die Brenndauer von dem erwünschten Ergebnis und von den Eigenschaften des jeweils verwendeten Frittesystems abhängt.
In dieser Zeit ist die Fritte geschmolzen und Fehler in dem
dielektrischen Überzug sind ausgeheilt; danach wird der Überzogene,
erwärmte Stab in Perchloräthylen rasch abgeschreckt (ähnlich dem vorherigen zweiten Schritt). Die obigen Verfahrensschritte werden bevorzugt und ergeben im allgemeinen ein besseres
Dielektrikum (vgl. Fig. 3) als die Verfahrensschritte der Fig. 2. -
In einem anderen Verfahren (vgl. Fig. 4) wird_ der Nickelstab in
einer sauerstoffreichen Atmosphäre (ähnlich dem Schritt 1 der Fig. 2) bei einer Temperatur zwischen ungefähr 7600C bis 9850C
vorgebrannt. Dann läßt man die Stäbe langsam an der Luft abkühlen. Danach werden Silber und Palladium vermischt mit Fritte auf die
Oberfläche aufgebracht (die Fritte enthält einen Sauerstoffdonator), wobei der Silberüberzug sauerstoffdurchlässig ist, und der
unerzogene Streifen wird wieder in einer sauerstoffreichen
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SAD
Atmosphäre bei einer Temperatur zwischen ungefähr 76O°C und
ungefähr 70 Minuten lang gebrannt. Man glaubt, daß Sauerstoff den Silberüberzug durchdringt, und, daß außerdem aus der Pritte erhaltener
Sauerstoff zur Bildung des NiOdient. Der Stab wird jetzt r.asch abgeschreckt, vorzugsweise in einem Bad von flüssigem Perchloräthylen,
wodurch ein verbessertes Dielektrikum erzielt wird.
In einigen Fällen mag es wünschenswert sein, die Stäbe zu imprägnieren.
Bei Verwendung von Silikonöl DC 200 als Abschreckmittel
wurde eine Imprägnierung durch Anwendung eines leichten Vakuums in der Größenordnung von 200 Mikron vorgesehen, wobei die Stäbe
ungefähr 20 Minuten lang in dem öl blieben. Danach werden die
j Leitungsdrähte l8 und 20 an den Elektroden 12 bzw. Io angebracht.
! In dem letzten V rfahrensschritt wird die Vorrichtung durch viel-
faches Eintauchen in ein Epoxydharz in einen Überzug 22 einrekapselt,
um die Feuchtigk&itsempfindlichkeit weiterhin zu reduzieren. Das Ergebnis ist ein verbesserter Kondensatoraufbau und
eine neueMethode zur Herstellung desselben.
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Claims (1)
- /Io192871Dr. '-ij. :·Tel 5 j.] υ 5 Οό; Syncro Corporationj 605 Lapeer Road, München, 6. Juni I969Oxford, Michigan 48051, USA (Anwaltsakte MPatentansprüche1.)Verfahren zur Herstellung eines Metalloxidkondensator, da- ! durch gekennzeichnet, da3 ein Nickelkörper zur Bildung von ! NiO auf seiner Oberfläche in Gegenwart von Sauerstoff er-1 wärmt wird und der erwärmte Körper rasch abgegeschreckt wird,! wobei der Nickelkörper aus einer Legierung von im wesentli-j chen Nickel mit ungefähr 0,2$ bis ungefähr 3$ Titan besteht.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Erwärmung gemäß Anspruch 1 der·Nickelkörper in Gegenwart von Sauerstoff auf eine Temperatur zwischen ungefähr 76O°C bis 985 C erwärmt wird und mit einem leitfähigen Überzug versehen wird.909851 /1 286ORIGINAL. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der j überzug säuerstoffdurchlässig ist.4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, da3 der Abschreckvorgang weniger als ungefähr 5 see. dauert.5· Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Nicfcelkörper eine Legierung ist, die im wesentlichen aus Nickel und aus etwa 1% Titan besteht.6. Verfahren nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet, daß der Körper nach dem Abschrecken mit einem leitfähigen,sauerstoffdurchlässigen überzug auf der NiO-Oberfläche versehen wird, daß der überzogene Korper in Anwesenheit von Sauerstoff auf eine Temperatur zwischen ungefähr 76O0C bis 93O0C erwärmt und rasch geschreckt wird.7· Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Abschreckvorgang weniger als ungefähr 5sec. dauern.δ. Metalloxidkondensator, gekennzeichnet durch eine erste Elektrode aus einer Nickellegierung, die im wesentlichen aus Nikkei mit einem Anteil von ungefähr 0,2^ bis ungefähr ~5% Titan besteht, ein auf der Oberfläche der ersten Elektrode aus deren Material gebildetes Dielektrikum aus NiO und eine zweite, auf dem Dielektrikum angebrachte Elektrode.909851/1286j 9. Metalloxidkondensator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Titangehalt der ersten Elektrode ungefähr \% beträgt.10. Metalloxidkondensator nach Anspruch 8 oder 9, gekennzeichnet durchweinen Überzug zum Fernhalten von Feuchtigkeit von dem Dielektrikum.11. Kondensator nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die zxveite Elektrode aus einem sauerstoffdurchlässigen elektrisch leitenden Überzug besteht.90985 1/1286
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US73667268A | 1968-06-13 | 1968-06-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1928718A1 true DE1928718A1 (de) | 1969-12-18 |
DE1928718B2 DE1928718B2 (de) | 1971-12-30 |
Family
ID=24960824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691928718 Pending DE1928718B2 (de) | 1968-06-13 | 1969-06-06 | Verfahren zur herstellung eines metalloxydkondensators |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3561085A (de) |
BE (1) | BE734425A (de) |
CH (1) | CH522042A (de) |
DE (1) | DE1928718B2 (de) |
FR (1) | FR2010843A1 (de) |
GB (1) | GB1208084A (de) |
NL (1) | NL6908988A (de) |
SE (1) | SE348767B (de) |
-
1968
- 1968-06-13 US US736672A patent/US3561085A/en not_active Expired - Lifetime
-
1969
- 1969-01-11 SE SE08284/69*A patent/SE348767B/xx unknown
- 1969-06-06 GB GB28879/69A patent/GB1208084A/en not_active Expired
- 1969-06-06 DE DE19691928718 patent/DE1928718B2/de active Pending
- 1969-06-11 BE BE734425D patent/BE734425A/xx unknown
- 1969-06-12 NL NL6908988A patent/NL6908988A/xx unknown
- 1969-06-13 CH CH911069A patent/CH522042A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-06-13 FR FR6919797A patent/FR2010843A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3561085A (en) | 1971-02-09 |
CH522042A (de) | 1972-04-30 |
BE734425A (de) | 1969-11-17 |
FR2010843A1 (de) | 1970-02-20 |
SE348767B (de) | 1972-09-11 |
DE1928718B2 (de) | 1971-12-30 |
NL6908988A (de) | 1969-12-16 |
GB1208084A (en) | 1970-10-07 |
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---|---|---|---|
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