DE1916036A1 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

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metal layer
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metal
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DE19691916036
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Levin Bernard Benjamin
Deens Henry Charles
Jones Robert Paul
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RCA Corp
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RCA Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P14/6334—
    • H10P14/6682—

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2545153A1 (de) * 1974-10-10 1976-04-22 Teletype Corp Verfahren zum freilegen eines leitenden ueberzugs auf einem substrat, insbesondere bei der herstellung integrierter schaltungen
WO2010130437A3 (de) * 2009-05-14 2011-07-14 Schott Solar Ag Verfahren zur herstellung eines photovoltaischen moduls

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3700569A (en) * 1971-09-10 1972-10-24 Bell Telephone Labor Inc Method of metallizing devices
CN113502407B (zh) * 2021-07-13 2022-04-26 湖南金天铝业高科技股份有限公司 碳化硅颗粒的预处理方法及铝基复合材料的制备方法
CN115360496B (zh) * 2022-08-30 2023-09-29 合肥工业大学 基于金属辅助化学刻蚀的太赫兹高度差腔体器件的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2545153A1 (de) * 1974-10-10 1976-04-22 Teletype Corp Verfahren zum freilegen eines leitenden ueberzugs auf einem substrat, insbesondere bei der herstellung integrierter schaltungen
WO2010130437A3 (de) * 2009-05-14 2011-07-14 Schott Solar Ag Verfahren zur herstellung eines photovoltaischen moduls

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