DE1914421C - Amplitudenmoduherbarer Transistor sendeverstarker mit verminderter Phasenmo dulation - Google Patents
Amplitudenmoduherbarer Transistor sendeverstarker mit verminderter Phasenmo dulationInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verringern der bei einem in der Amplitude modulierbaren,
im C-Betrieb arbeitenden transistorisierten Sendeverstärker entstehenden unerwünschten zusätzlichen
Phasenmodulation, insbesondere bei Sendeverstärkern für kurze und ultrakurze Wellen und
Schallungsanordnungen zur Durchführung dieses. Verfahrens.
Die bei jedem Transistor vorhandenen Sperrschichikapazitäten verändern in bekannter Weise ihren
Wert, wenn der Arbeitspunkt des Transistors verändert wird. Dieser Effekt ist bereits ausgenutzt worden,
um mittels eines durch eine Modulationswechselspannung mitgesteuerten Transistors eine Frequenzmodulation
zu erzielen. Schaltungsanordnungen hierfür sind Gegenstand zahlreicher in- und ausländischer
Patentanmeldungen bzw. Patente sowie von Veröffentlichungen in Zeitschriften. Wird nun eine
Transistorverstärkerstufe für hochfrequente Trägerschwingungen durch eine Modulationswechselspannung
in der Amplitude moduliert, so erfolgt dadurch eine Verlagerung des momentanen Arbeitspunktes
des Transistors und damit eine Änderung seiner Sperrschichtkapazitäten, gleich an welcher Elektrode
des Transistors die Modulation, also z. B. Kollektor-(Anoden-)
oder Basis-(Gitter-)Modulation erfolgt. Dieses hat eine Veränderung der Phasenlage des
hochfrequenten Trägers in Abhängigkeit von der Amplitude des Modulationssignals zur Folge, es tritt
also eine zusätzliche Phasenmodulation auf, die an sich unerwünscht ist. Um diese Phasenmodulationsanteiie
im Ausgangssignal herabzusetzen, schlägt die deutsche Patentschrift 1 122 109 vor, bei einem
fremdgesteuerten Sender die Amplitudenmodulation in einer in Brückenschaltung aufgebauten Frequenzverdopplerstufe,
bei der der frequenzbestimmende Ausgangsschwingkreis im Ausgangsdiagonalzweig
ίο einer abgeglichenen Brücke liegt, durch modulationsamplitudenabhängige
Bedämpfung dieses Schwingkreises mittels eines gesteuerten Widerstandes, z. B.
einer gesteuerten Halbleiterstrecke, vorzunehmen. Bei Sendern größerer' Ausgangsleistung müßte bei
großem Modulationsgrad dieser gesteuerte Widerstand praktisch die ganze Hochfrequenzleistung aufnehmen
können, so daß diese Anordnung nur für Sender geringer Leistung, wie z. B. für Handfunksprechgeräte,
verwendbar ist. Außerdem kann mit
ao der hier beschriebenen Schaltung eine Phasenmodulation
des Ausgangsträgers schon deshalb nicht vermieden werden, weil die als steuerbarer Widerstand
eingesetzte Diode selbst auch eine von der angelegten Modulationsamplitude abhängige Kapazität darstellt,
die zu einer modulationsgesteuerten Verstimmung des Aiisgangskreises und damit zu einer Phasenmodal
ation führt ' «! Die Erfindung setzt sich zur Aufgabe, diese Nachteile
zu überwinden und ein Verfahren zum Verringern der bei einem in der Amplitude modulierbaren,
im C-Betrieb arbeitenden transistorisierten Sendeverstärker entstehenden unerwünschten zusätzlichen
Phasenmodulation insbesondere bei Sendeverstärkern für kurze und ultrakurze Wellen anzugeben.
Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß durch die Modulationssignale die
Amplitude der am Eingang des Sendeverstärkers angelegten Trägerwelle so mitgesteuert wird, daß der
Gang der hierdurch hervoigerufenen Phasenmodu-
lation gegenläufig zu dem durch die Kollektormodu-Iatiop.
der Sendeverstärkerstufen selbst bewirkten verläuft.
Zur Durchführung dieses Verfahrens wird erfindungsgemäß dem Trägereingang des Sendeverstärkers
ein in seiner Ausgangsamplitude durch die Modulationssignale steuerbarer Vierpol vorgeschaltet.
Hierbei wird als steuerbarer Vierpol ein Dämpfungsglied mit einer PIN-Diode im Längszweig oder eine
steuerbare Transistorstufe eingesetzt.
In der deutschen Patentschrift 1 007 822 wird nun zwar der Einsatz eines steuerbaren Vierpols mit
mindestens einem Halbleiter zur Linearisierung der Modulationskennlinie bei hohen Frequenzen beschrieben.
Dem gleichen Zwecke dient die in der deutschen Patentschrift 1 221 310 beschriebene Maßnahme
bei einer kollektormodulierten, im A-Betrieb arbeitenden Sendeverstärkerstufe die Basis des Stufentransistors
durch die Modulationsfrequenz mitzusteuern. Letzlere Maßnahme erlaubt dann die Anwendung
hoher Modulationsfaktoren. Eine eventuell auftretende Phasenmodulation wird durch keine der
beiden Maßnahmen verringert oder beseitigt.
Die USA.-Patentschrift 2 644 925 beschreibt eine Transistonnodulatorstufe in Basischaltung mit KoI-
lektormodulation. Hier soll eine durch die Transistor
eigenschaften entstehende Phasenmodulation durch eine Gegenkopplung der 2. Harmonischen der modulierten Hochfrequenz vom Kollektor auf den Emitter
I 914
der Modulatorstufe beseitigt werden können. Dieser
aus den Anfangszeiten der Transistortechnik stammende Lösungsvorschlag hat sieh als ungeeignet
erwiesen. Nun ist auch aus der USA.-Paientschrift
2 114 036 eine Anordnung bekannt, mit der die Mittenfrequenz
eines mittels eines durch die Mikrophonströme getriebenen Sciiwingkondensators modulierten
Senders konstant gehalten werden soll. Die Abweichung von der Mittenfrequenz wird dabei ermittelt
und abhängig davon der modulierende Schwingkondensator gegenbeeinflußt.
Entsprechend soll eine unerwünschte Frequenzmodulation
bei einer Amplitudenmodulation durch gegenläufige Frequenzmodulation mittels eines solchen
Schwingkondensators beseitigt werden. Mittels der hier eingesetzten Mittel läßt sich eine unerwünschte
Frequenzmodulation verringern, aber nicht eine Phasenmodulation beseitigen. Ferner ist auch
der benötigte Aufwand unverhältnismäßig huch.
Die Erfindung soll nun an Hand der Figuren ein- ao
«ehend beschrieben werden. Πλ zeigt uabei
Fig. 1 einen dreistufigen Sendeversiärker mit den
αiindungsgema'ßen Maßnahmen zur Verringerung
der Phasenmodulation,
F i g. 2 bis 5 graphische Darstellungen der verschie- »5
Jenen eine unerwünschte Phasenmodulation verursachende Parameter bei dem Sendeverstärker nach
i" i g· Ii
F i g. 6 einen zweistufigen Sendeverstärker, bei w:m die Verringerung der Phasenmodulation mit
Hilfe einer zusätzlichen Vorstufe erfolgt,
Fig.7 bis 10 die entsprechenden graphischen
Darstellungen für diesen Sendeverstärker.
F i g. 1 zeigt einen dreistufigen in der Amplitude durch Kollektormodulation modulierbaren Sende-
\erstärker, der im C-Betrieb arbeitet. Dieser Sendeverstär^er
ist für eine Sendeleistung von 25 Watt im Frequenzbereich von 112 bis 118 MHz ausgelegt.
Seme Ausgangsstufe weist deshalb zwei parallel arbeitende Transistoren 7>s31 und Trs 32 auf, während
die Vorstufen mit den Transistoren Trs I und Trs 2 bestückt sind. Den Kollektoren wird von Anschluß 2
über die HochfrequenzdrOiiselspulen D 4, D 6, D 9
und D10 die Versorgungsspannung Vs zugeleitet, der
das Modulationssignal überlagert ist. Der Basis des Vorstufentransistors Trsl wird von der Klemme 1 ha
die Trägerfrequenz zugeleitet, während das modulierte Signal i), Ω t u>
von dor Ausgangsklemme 3 zur Antenne geleitet wird. Ein solcher Sendeverstärker
würde bei Modulation eine zusätzliche Phasenmodu- ;;n
lation aufweisen. In Fig. 2 kann man an der ausgezogenen Kurve die Werte dieser Phasenmodulation
in Abhängigkeit von der Momentanamplitude des Modulationssignals VmoJp erkennen, während die
gestrichelte Kurve die Hochfrequenzspannung am Ausgang in Abhängigkeit von der Momentanamplitude
des Modulationssignals, also die Modulationskennlinie des Sendeverstärkers, zeigt.
Untersuchungen haben nun ergeben, daß sich Änderungen der Phasenlage des hochfrequenten Ausgangssignals
nicht nur durch die Modulation ergeben, sondern auch, wenn die Amplitude V1 der Trägerfrequenz
am Sendeverstärkereingang variiert wird. Dieses ist in F i g. 3 dargestellt. Der Verlauf dieser
Phasenänderung ist gegenläufig zu dem in Fig.2.
Wenn man also die Amplitude der Trägerschwingung am Verstärkereingang in Abhängigkeit von der
Amrjlitude des Modulatioossignals mitsteuert, müßte
eine Kompensation der Phasenmodulation sich ermöglichen lassen, wenn die hierfür notwendige Kennlinie
realisiert werden kann. Diese ist nun in F i g. 4 aufgetragen. Realisiert wird diese Kennlinie nun
durch eine PIN-Diode, die für Frequenzen oberhalb von 10 MHz einen stromabhängigen, nahezu reellen
Widerstand darstellt, während sie für die Modulationssignale das Verhalten einer Siliziumdiode auiweist.
In der F i g. 1 ist nun im Basiskreis des 'transistors
7YsI der Einsatz dieser PIN-Diode dargestellt, mit deren Hilfe die Kennlinie der Fi g. 4 realisiert
wurde. F i g. 5 zeigt nun das" Ergebnis dieser Maßnahme. Die unerwünschte Phasenmodulation
wurde auf einen unter 2 liegenden Phasenhub herabgedrückt, einen Wert, der weit unterhalb der für
kommerzielle Sender gestellten Forderungen liegt.
Der beschriebene Sendeverstärker kann auch mit
nullnunktsYinmeinschen Modulationssignalen, wie
z. B. Sprache oder Sinusschwingungen in der Amplitude mit hohem Modulationsgrad, der bei 70 "0
liegen kann, moduliert werden. Ist das Modulationssignal nun unipolar, wie bei der Modulation ini:
Impulsen oder anderen unipolaren Wellenformen, :.:. B. mit Fernsehsignalen usw., so kann die Modulation
selbst als Versorgungsspannung für die Verstärkeistufen verwendet werden. In dor Fig.6 ist
nun ein solcher zweistufiger Sendeverstärker dargestellt. Da für den vorliegenden AnwendungsfaU
nur eine Dauerstrichausgangsleistung von 6 Watt gefordert war, ist die Endstufe nur mit einem einzelnen
Transistor 7'rs 2 bestütckt, die von der Vorstufe mit dem Transistor Trs 1 angesteuert wird Ohne
Maßnahmen zur Verringerung der unerwünschten Phasenmodulation würde das Mndulationssignal den
beiden Stufen über den Anschluß 3 unter Fortfall der Zenerdiode ZD zugeführt. Bei den verwendeten
N-P-N-Transistoren müßte das unipolare Modulationssignal von Null nach positiven Amplituden
gehend gerichtet sein. Man erhält so eine positive Modulation. Ebenso könnte aber auch ein negativ
gerichtetes unipolares Modulationssignal einer entsprechend hohen positiven Vorspannung überlagert
werden, um eine negative Modulation zu erhalten. In Fig. 7 ist für den ersten Fall die Phasenänderung
des modulierten Trägers am Sendeverstärkerajv gang3 in Abhängigkeit von der Modulationsamplitude
als ausgezogene Kurve eingezeichnet, während die gestrichelte Kurve die Modulationskennlinie zeigt.
Als Maßnahme zur Verringerung der i-nerwünschten
Phasenmodulation wird dem Trägereingang dieses Sendeverstärkers wiederum ein steuerbarer Vierpol
vorgeschshet, durch den die Trägeramplitude in Abhängigkeit
von der Modulationsamplitude verundei. wird. Als Vierpol wird hier eine Transistorstufe mit
dem Transistor Trs4 eingesetzt. Diese Stufe erhall
nun eine Grundversorgungsspannung Vh, die für die
Sendeverstärkertransistoren Trs 1 und Tn 2 durch
den Einsatz der Zenerdiode ZD mit einer werlgleichen
Zenerspannung unwirksam gemacht ist, so daß an diesen das reine unipolare Modulationssignal
anliegt. Ir F i g. 8 ist der Einfluß der Grundversorgungsspannung Vb und der Eingangsträgeramplitude
auf die Phase am Verstärkerausgang dargestellt. F i g. 9 zeigt, welchen Verlauf die Modulationsspannung
mit überlagerter Grundversorgungsspannung am Punkte aufweisen müßte, damit eine Verringerung der Phasenmodulation am Ausgang erfolgt. Die
gestrichelte Kurve ist dabei die theoretische Sollkurve
5 6
und die ausgezogene die durch die dargestellte Schal- Bei den beiden Beispielen wurden als steuerbar!
tung praktisch realisierte. In Fig. 10 ist wiederum Elemente zum Verändern der Eingangsträgerampli
ausgezogen die Phasenünderung am Ausgang3 in tudc in Abhängigkeit von der Modulationsampitt1:.!!
Abhängigkeit von der Modulationsamplitude ohne nun eine PIN-Diode und ein Transistor beschrieben
tue erfindungsgemäße Maßnahme dargestellt, with- f>
Eingesetzt können hierfür alle in ihrem Widerstand·;
vend die punkt-gestrichcllc Kurve die erzielte Ver- werte steuerbaren Elemente werden, bei denen de
ringerung der Phasenmodulation zeigt. Wie hieraus eingestellte Widerstandswert trägheitsfrci der Modu
r.ii ersehen ist. bleibt der Phasenhub bis zu Modu- lationsumplitude folgt und der hierbei für die Träger
btionsgradcn von über SO".'« unter dem Wert von 2 . frequenz hinreichend als reell zu betrachten ist.
Claims (5)
1. Verfahren zum Verringern der bei einem in der Amplitude modulierbaren, im C-Betrieb arbeitenden
transistorisierten Sendeverstärker entstehenden unerwünschten zusätzlichen Phasenmodulation,
insbesondere bei Sendeverstärkern für kurze und ultrakurze Wellen, dadurch
gekennzeichnet, daß durch die Modulationssignale
die Amplitude der an dem Eingang des Sendeverstärkers angelegten Trägerwe'le so
mitgesteuort wird, daß der Gang der hierdurch hervorgerufenen Phasenmodulation gegenläufig
zu dem der durch die Kollektormodulation der Senderverstärkerstufen selbst bewirkten verläuft.
2. Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß dem Trägereingang des Sendeverstärkers ein in seiner Ausgangsamplitude durch
die Modulationssignale steuerbarer Vierpol vorgeschaltet wird.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Vierpol ein
passiver Vierpol in Form eines steuerbaren Dämpfungsgliedes ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß in diesem Dämpfungsglied
als sti- lerbarer Längswiderstand eine PIN-Diode
verwendet wird.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurcii gekennzeichnet, daß dieser Vierpol ein
aktiver Vierpol in Form einer steuerbaren Transistorstufe ist.
Priority Applications (3)
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GB1305870A GB1298103A (en) | 1969-03-21 | 1970-03-18 | Amplitude-modulated power amplifier with reduced phase modulation |
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DE19691914421 DE1914421C (de) | 1969-03-21 | Amplitudenmoduherbarer Transistor sendeverstarker mit verminderter Phasenmo dulation |
Publications (3)
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DE1914421B2 DE1914421B2 (de) | 1973-01-25 |
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