DE1914206A1 - Halbleitervorrichtung mit einem Metall-Halbleiter-Kontakt - Google Patents

Description

DR.-IN·. CIPL.-.NO. V. SC. DIFL..PHVS. DH. ·

HÖQER - STELLRECHT - GRl ESSBACH - HAECKER

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Instrumente Incorporated, 135OÖ. Noj?tli Central Expressway».-Dallas» Texas» V;S,A·

HALBLEITERVORRICHTUNG MIT BINEM

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem gleichrichtenden Kontakt auf einem Siliziumträger,

Gleichrichtende Übergänge durch Zusammenbringen bestimmter Metalle mit bestimmten Halbleitern finden eine vielseitige Anwendung in Hochfrequenzschaltlcreisen, beispielsweise als Lawinendiodenoszillator oder als oberflächenorientierfe Schotfky-Sperrschichtdiode in einem X-Band-Mischer ( 5_f2 bis 11 GHz) für den Mikrowellenbereich. Üblicherweise werden solche Dioden aus Molybdän und Silizium hergestellt. Ein Hachteil ist, daß Molybdän mit den Itzflüssigkeiten nicht verträglich ist, die man heute zum Ätzen des Siliziums verwendete So ergeben siph Herstellungsschwierigkeiten, wenn ein Molybdänkontakt vor der Ätzung des Siliziums hergestellt wurde, da es praktisch unmöglich ist,

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den Molybdänkontakt dann nicht zu beschädigen.

Obwohl die Eigenschaften von Molybdän und Wolfram sehr ähnlicft erseheinen, wenn man -metallurgische Standardwerke darüber befragt, erv/eist sich doch Molybdän gegenüber chemischen Ätzmitteln zum Xtzsen von Silizium bei der Herstellung ▼on SiliziUDihalbleitern als außerordentlich empfindlich. Zwar stellt dies bei der Herstellung verschiedener Halbleiterarten deswegen keine Schwierigkeit dar, weil bei diesen Hölybdänkontaktenerst dann an Halbleiter angebracht werden, wen» alle übrigen Halbleiterfertigungsschritte außer denen der Bildung von MoiybdHnkontakten getan sind j doch gibt ββ tolbieiteranordnungen» beispielsweise lawinendiodenosxillatoren, bei denen die Kontakte angebracht werden müssen, bevor alle Siliziumätzvorgänge beendet sind. Bis Jetzt konnte man solche Halbleiteranordnungen aus solchen Gründen weder wirtschaftlich noch zuverlässig fertigen.

Aufgabe der Erfindung ist also, einen Kontaktwerkstoff zu finden, der die oben erwähnten Nachteile vermeidet, so da3 eine wirtschaftliche und sichere Fertigung von Halbleitervorrichtungen durchgeführt und Kontakte angebracht werden können, ehe die Ätzvorgänge am Silizium mit den üblichen Siliziumätzmitteln beendet sind.

Biese Aufgabe wird für Vorrichtungen der eingangs erwähnten Art gemäß der vorliegenden Erfindung gelöst durch, eine Wolframschicht auf einem Teil einer Oberfläche des Siliziumträgers zur Bildung eines gleichrichtenden Kontakts zwiechen der Wolframschicht und der Oberfläche des Siliziuinträgers. Durch die Erfindung wird der Vorteil erzielt, daß Wolfram von Xtzflüssigkeiten, die zum Ätzen von Silizium verwendet werden, nicht angegriffen wird; da3 durch eine Schicht Wolfram auf einem Siliziunträger je nach dein Grad

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der Dotierung des darunterliegenden Teils des Siliziumträgers ein gleichrichtender oder ein ohroscher Kontakt gebildet werden kann; daß dasselbe Kontakt-Material somit für beide Kontakttypen einer einseinen Halbleitervorrichtung eingesetzt werden kann, und daß damit Herstellungsverfahren mit vermehrter Schrittzahl infolge Verwendung zweier verschiedener Metalle vermieden werden können.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist, daß der gleichrichtende Übergang Wolfram/Slliaium hinsichtlich seines Sperr- und Leitverhaltens hervorragende Eigenschaften aufweist«

Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung können den beigefügten Ansprüchen und/oder der folgenden Beschreibung entnommen werden, die der Erläuterung von in der Zeichnung dargestellten AusfUhrungsbeispielen der Erfindung dient. Es »eigen:

Pig. 1 einen Schnitt durch «inen Lmwinendiodenoszillator

unter Benutzung von Wolfram bei einem gleichrichtenden und einem ohmschen Kontakt mit einem Silieiumträger;

Fig. 2a eine Ansicht einer oberflächenorientierten Schottky-Sperrschichtdiode unter Benutzung von Wolfram für gleichrichtende und ohmsehe Kontakte zu einem Siliziumträger;

Fig. 2b einen Schnitt entlang der Linie 2b - 2b durch die Diode der Fig. 2a, wodurch die Einzelheiten ihres Aufbaus sichtbar werden;

Fig. 3 einen teilweise aufgeschnittenen HF-Zerstäübungsapparat bekannter Bauweise zum Niederschlag des Wolframs auf dem Silizium träger, und

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Pig. 4 eine Kennlinie If (Vf) von gleiehrichtenden Übergängen einer typischen Wolfrarn-Siliziumanordnung im Vergleich zu der Kennlinie einer vergleichbaren Molybdän-Siliziumanordnung*

Hg. 1 zeigt einen Lawinendiodenoszillator 20, der unter Verwendung von Wolfram hergestellt wurde. Figur 1 wie auch die folgenden Figuren sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht gezeichnet, tun die Besonderheiten des Erfindungen gedankens besser darzustellen. Im folgenden gezeigte Halb- ■ leiterbereiehe werden durch übliches epitaxiales Aufwachsen und durch Diffusionsverfahren gebildet, wie sie in der ein- -schlägigen Literatur nachzulesen sind» Es sei.verwiesen auf: Integrated Circuit-Design Principles and Fabrication, Ray M. Warner, Jr., and James Fardemwalt, McGraw-Hill (1965)» Silicon Semiconductor Technology, McGraw-Hill (1965).Physics and !technology of Semiconductor Devices, A. S« Grove, Wiley & Sons (1967).

Im folgenden wird je ein spezifisches Herstellungsverfahren zur Herstellung eines Lawinendiodenoszillators und einer oberflächen-orientierten Schottky-Sperrschichtdiode jeweils unter Verwendung von Wolfram beschrieben. Die beschriebenen Verfahren sollen jedoch in keiner Weise den Erfindungsgedanken einschränken, da es viele verschiedenartige derartige Verfahren und verschiedene Kombinationen derartiger Verfahrensschritte gibt, die alle Anwendung finden könnten.

Die Diode 20 der Fig. 1 wird zusammen mit hunderten gleicher Dioden auf einem einzigen Siliziumplattchen gebildet. Dieses ist zu Beginn hochdotiert» beispielsweise durch Antimon, und hat einen spezifischen Widerstand von etwa 0,008 bis 0,015 Ohm · cm; dabei ist eine ll*⁺ Zone 21 Teil des hochdotierten ll⁺⁺ Plättchens. Durch epitaxiales Aufwachsen

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wird nim eine Ii Zone 22 gebildet_s v/ob ei die üblichen bekannten Verfahren angewendet werden| die $f* Zone liegt auf der einen Seite (Vorderseite) des Plättchens«Durch Eindiffundieren einer P-Verunreinigung, beispielsweise von Bor, in die N" Zone 22 wird auf deren Oberfläche eine P⁺ Zone 23 gebildet, die einen spezifischen Widerstand von etwa 2 Ohm«cm aufweist. Beispielsweise durch Bedampfung oder HF-Eerstäubung wird auf diese P⁺ Zone 23 eine Wolframschicht 24 aufgebracht, wobei die HF-Zerstäubungstechnik später in Verbindung mit Pig. 3 ausführlich beschrieben wird. Das Niederschlagen won Wolfram wird fortgesetzt, "bis eine Dicke von beispielsweise 1250 A erreicht ist, Sach Bedarf wird diese Wolframsohicht 24 mit einer Goldechicht 25 in derselben Art und Weise übersogen, wie dies mit der P Zone durch Wolfram erfolgte, also beispielsweise durch Aufdampfen oder HP-Zerstäubung unter Benutzung derselben Apparatur mit der das Wolfram niedergeschlagen worden war. Bi e Oberfläche der Goldschicht wird nun mit einem Fotowiderstanösiuaterialj beispielsweise KMER bedeckt, das von Eastman Kodak Gesügany of Hochester _t !Tew York, hergestellt wird. Die FotoMfidersiandsscJiicht wird belichtet und entwickelt gemäS den bekannte» Verfahrenstechniken in der Halbleiterproduktion, bis eine gegenüber Ätzmitteln widerstandsfähige, besonders geformte Maske auf der Oberfläche der Goldschicht 25 erstellt ist_s wobei das Fotowiderstandsmaterial an den Teilen der Goldschicht haftet, die im fügenden die Wolframschicht 24 weiterhin bedecken sollen; die verbleibende Goldschicht 25 bildet dann die Vorderseite je einer Diode, einschließlich der Diode des Lawinendiodenoszillators 20 der Fig. 1, wobei die Wolframschicht 24 einen Vorderseitenkontakt an einem gleichrichtenden Übergang 29 zur P⁺ Zone 23 bilden wird. Das Fotowiderstahdsmaterial und die freigelegten Teile der Goldschicht werden einer chemischen Itζ flüssigkeit unterworfen, beispielsweise einer alkoholischen Lösung aus Kaliumiodid, bis die frei—

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gelegten Teile der (roldsehicht entfernt sind und die darunter liegende Wolfrainschicht freigelegt ist. Bas freigelegte V/olfram wird einer weiteren, chemischen Ätzflüssigkeit, beispielsweise einer basischen Lösung aus Kalium— ferricyanid ausgesetzt, bis alles freigelegte tfolfraa entfernt ist. Damit also werden der Vorderseitenkontalrt mit gleichrichtendem Übergang 29 sur P⁺ Zone. 23 geschaffen,, wobei letzterer einen Durchmesser von etwa 125/im aufweisen kann. Anschließend wird das. restliehe Fotowi&ers.tandsnaterial entfernt.

P Bas nun über seiner P Zone 25 über eine große Aassahl von Wolf rainpunkten verfügende Siliziumplättchen wird in eine übliche Siliziumätzlösung gebracht, die beispielsweise aus einer Mischung von Salpetersäure mit FIuS- und Essigsäure besteht, in der sie solange verbleibt, bis das die Wolframpunkte umgebende Silizium bis auf die in Fig» 1 durch eine gestrichelte Linie angedeutete Tiefe abgeätzt ist« Bie WoIfranpunkte, beispielsweise die Vorderseitenkontakte übt ¥ol£- . raaschicht 24, schützen das unter ihnen liegende Silizium; sofflit werden infolge des ringsum abgeätzten Siliziuns kreisrunde Mesaformen von beispielsweise etwa 25-/in Höhe auf dem Siliziumplättchen gebildet; auf der Spitze jeder. Hesafornr

^ befindet sich dabei ein Wolframpunkt oder gleichrichtender Kontakt. Anschließend wird das Siliziumplättchen auf der noch unbedeckten Seite der H Zone 21 mechanisch geläppt, bis das Plättchen von etwa 5,00/im auf beispielsvieise 100/am Dicke abgearbeitet wurde. Fun wird das Plättehen auf eine flache Platte, beispielsweise Glas, gebracht und dort festgeklebt, wobei die Mesas dem Glas zugewandt sind und an ihm beispielsweise mittels eines organischen Klebenittels haften. Daraufhin wird die geläppte Oberfläche (Plättchenrückseite) chemisch bis auf eine Dicke von beispielsv/eise etwa 50/j.ia abgeätzt.

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Eine Fotowiäerstandsschicht wird nun auf diese Rückseite der Zone 21 aufgebracht und so gestaltet, daß sie wie zuvor erwähnt als Huster (Maske) nur den Teil der Oberfläche abdeckt, der den Vorderseitenkontakten der Wolframschicht 24 direkt gegenüberliegt, lOtowiderstandsinaterial und der freibleibende Teil der Oberfläche des Siliziumplättchens werden nun solange chemisch geätzt, bis kleine Mesaformen in der N Zone 21 entstanden sind, die direkt den zuvor geformten Kesaformen in den P⁺ und, $** Zonen 23» 22 gegenüberliegen. Allerdings werden die Hesaformen nicht so tief geätzt, daß damit bereits ein Burchbruch durch das Silizium zu den gegenüberliegendeil Hesaformen erreicht würde*

Jetzt wird das Potowiderstanäsraaterial entfernt und eine Wolframschicht 26 auf die Mesas der N⁺⁺ Zone 21 sowie auf die sie umgebende Siliziumoberfläche durch Bedämpfung oder HP-Zerstäubung aufgebracht} ihr folgt eine Goldschicht 27, die vorzugsweise mit derselben Apparatur aufgebracht wird, die zuvor für das Anbringen der Wolfrämsehicht diente. Anschließend wird eine Fotowiderständsschicht auf die &öld~ schicht 27 gelegt, die so gestaltet wird, daß nur die GoIdsehichtteile, die über den Mesa-Teilen liegen, von ihr bedeckt sind. Ein folgender Xtzvorgang entfernt das die Mesateile rings umgebende Gold, worauf auch das darunterliegende Wolfram auf die gleiche Weise entfernt wird, wie dies zuvor anläßlich der Xtzvagänge auf der Vorderseite beschrieben worden war. Die verbleibende Wolframschicht 26 auf jedem Mesateil der Rückseite bildet über einen ohmschen Übergang 28 zwischen der "./olframschicht und der N Zone 21 einen ohmschen Rückseitenkontakt.

Schließlich wird das Plättchen wieder in eine Siliziumätzlösung gelegt, um das jeden Mesateil Umgebende Silizium vollends wegzuätzen, wodurch somit eine Menge einzelner Lawinendiodenoszillatoren 20 erzeugt v/erden. Wäre die

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Vorderseite zuvor nicht durch ein Klebemittel auf einer Glasplatte befestigt worden, würden jetzt alle fertigen Dioden frei in die Ätzlösung hineinfallen. Während der Bildung . des zweiten Mesas, bei der das Silizium vollends durchgeätzt wurde, waren der zuvor erzeugte Vorderseitenkontakt der Wolfram schicht 24 sowie der Rückseitenkontakt der Wolframschicht 26 vom Siliziumätzmittel unverändert geblieben. Wie eingangs erwähnt, sind frühere derartige Herstellungsversuche auf der Basis Molybdän/Silizium zur Erzeugung eines Lawinendiodenoszillators fehlgeschlagen* Während des ^ letzten Ätzprozesses, in dem der rückseitige Mesahügel in ^ den vorderseitigen Mesahügel Überging, daß daraus die gemäß Pig. 1 längliche Diodenform entstand, war bei Molybdän-Siliziumdioden die Grenzschicht zwischen dem Molybdänkontakt der Vorderseite und der P⁺ Region in solchem Maße angegriffen worden, daß in vielen Fällen der Molybdänkontakt der Vorderseite vollständig von der SiIisiumoberflache abgetrennt wurde.

Es sollte beachtet werden, daß zwar in Fig. 1 die Seitenflächen der Dioden des Lawinendiodenoszillators 20 geradlinig und rechtwinklig zu den Wolframschichten 24? 26 verlaufend gezeichnet^ sind, in Wirklichkeit jedoch infolge fe der oben beschriebenen Technik zur Bildung zvfeler Mesaformen insbesondere an der in Fig. 1 gestrichelt gezeichneten Linie ausbauchen.

Zum Schluß wird die Glasplatte mit den an ihr befestigten Dioden (einschließlich Oszillator 20) in ein Lösungsmittel getaucht, das den Klebstoff auflöst, wodurch die einzelnen Dioden freigegeben werden. Die Diode des Oszillators.20 weist einen Spannungsdurchtruch (breakdown) zwischen 100 und 130 YoIt auf. Wird der gleichrichtende Übergang 29 mit einer ausreichenden Wärneabfuhrvorrichtung versehen, er-

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reicht das Bauteil eine Verlustleistung von 10 - 15 Watt bei einem Wärmewiderstand von etwa 1.0° - 15⁰C pro Watt«

In den Figuren 2a und 2b wird eine unter Benutzung von Wolfram hergestellte oberflächenorientierte Schottky-Sperr— schichtdiode- 10 gezeigt. In einem ersten Herstellungsschritt wird eine erste Isolierschicht 6_t beispielsweise aus Siliziumoxyd, auf der Oberfläche eines Gleitenden Silizium-Iträgers 3, der einen spezifischen Widerstand von etwa 0,008 Ibis 0,015 Ohm · cm aufweist, gebildet, und zwar nach einem der üblichen Verfahren,'beispielsweise durch thermisches Aufwachsen oder thermische Zersetzung bis zu einer Schichtdicke von beispielsweise 4000 A. Um einen Teil des Trägers 3 freizulegen, wird nach einem üblichen photolithographischen Verfahren und Ätzen in die erste Isolierschicht 6 eine öffnung 7 eingebracht. Biese wird daraufhin mit IT-leitenden Silizium 2 mittels eines üblichen Spitaxial-Verfahrens ausgefüllt? der spezifische Widerstand dieses Siliziums liegt bei etwa 0,025 - 3 Ohm-crn, vorzugsweise aber im Bereich zwischen 1 und 2 Qhm-em. Darüber und auf die erste Isolierschicht 6 wird nun eine zweite Isolierschicht 8 aus Siliziumoxyd aufgebracht, die beispielsweise eine Dicke von etwa 8000 A hat· öffnungen 9 durch die zweite und erste Isolierschicht 8, 6 werden-daraufhin mittels Üblicher photolithographischer und Ätzverfahren erzeugt. Nach einer bekannten Diffusionsmethode wird dann in den durch die öffnungen 9 freigelegten !T⁺ Teil des Trägers 3 eine Verunreinigung eindiffundiert, um dort eine N⁺⁺ Zone 1 mit einem spezifischen Widerstand von etwa 0,005 0hm · cm zu bilden· Auf photolithograpMschem Wege und durch A'tzen werden die öffnungen 9 wieder freigemacht, um die bei der vorhergehenden Diffusion gebildete Siliziumoxydschicht zu entfernen} schließlich wird eine öffnung 11 in der zweiten Isolierschicht 8 hergestellt, um die N-Siliziumschicht 2 freizulegen.

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Zur Bildung von Wolframkontakten 12 und 13 auf dem Träger (Pig. 2a und 2b) wird dieser gegebenenfalls zusammen mit einer Anzahl weiterer Träger auf einen Halter 31 in einem üblichen HF-Zerstäubungsapparat 30 geaäß Fig. 3 aufgebracht. Eine Zerstäuberplatte 32 liegt parallel zum und dicht am Baiter 31, wobei die Oberflächen der Träger 3 der Oberfläche' der Platte 32 zugewandt sind. Die Zerstäuberplatte 32 besteht aus einer Wolframschicht 33 auf einer metallischen Trägerschicht 34. Die Zerstäuberplatte 32 bildet die Kathode, während der Halter 31 die Anode innerhalb eines (nicht gezeichneten) elektrischen Kreises außerhalb des Apparates 30 bildet. Überdies wirkt der Halter 31 als Wärmesenke zur Ableitung eines Teils der Wärme» die während eines HF-Zerstäubungsvorgangs im Träger 3 entstellt. Durch einen Einlaß 35 wird Argon in den Apparat 30 mit einem Druck von etwa 5 bis 15 yum Quecksilbersäule eingeleitet. Durch Anlegen einer HP-Energie zwischen dem Halter 31 und der Platte 32 bei einer Frequenz von beispielsweise etwa 13 MHz wird auf dem Siliziumträger 3 eine Wolframschicht von beisüielsweise

etwa 1250 A Dicke gebildet. Ist die Wolframschicht ausreichend stark, schaltet man die. Hochfreo^uenzenergie ab und beendigt den ArgongaszufIuß; die Träger 3 werden nun dem Apparat 30 entnommen· Die Träger 3 können aber auch in dem HF-Zerstäubungsapparat 30 bleiben, soll eine GoldscMcht (Fig· 2) vermittels einer Goldplatts anstelle der Wolframplatte 33 anschließend den WolfraraTcontakten 12» 13 überlagert werden; andererseits könnte dies auch in einem üblichen Bedampfungsgerät geschehen.

Die Form der Kontakte 12 und 13 wird entweder^ durch Ätzen oder einen inversen HF-Zerstäubungsvorgaiig bestimmt. Zum Xtzen der Kontakte wird die Goldschiciit 14 mit einer Potowiderstandsschicht bedeckt, der durch Belichtung unter Zwischenschaltung einer Maske ein entsprechendes Muster

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eingeprägt wird. Die nichtpolymerisierten Teile der Schicht werden dann entfernt, um die später wegzuätzenden Teile aus der Oberfläche der Goldschicht freizulegen; bedeckt bleiben also nur die Teile, aus denen die Kontakte 12 und 13 gebildet werden; der Kontakt 12 wird ohmsche, der Kontakt 13 aber gleichrichtende Eigenschaft aufweisen» In einer darauffolgenden chemischen üaßätzung, beispielsweise mittels einer Eyanidlösung, werden die Teile der freigelegten Gold schicht 14 abgeätzt, so daß die darunter liegende Wolframschicht freigelegt ist. In einem weiteren Ätzvorgang, beispielsweise mittels einer basischen lösung aus Kaliumferri'-zyanid, wird nun «las swwQT freigelegte Wolf ram ebenfalls entfernt, so öaS damit die Kontakte 12 und 13 geometrisch bestimmt sind.

Statt einer nassen, chemischen Ätzung zur geoirärischen Bestimmung der Kontakte 12 und 13 kann dies auch durch ein invertiertes HF—Zerstäubungsverfahren geschehen. Dies wird in die Wege geleitet» sobald die Goldschicht auf die WoIframschicht aufgebracht wurde. Die Oberfläche der Goldschicht erhält ein entsprechendes Muster aus einer lOtowiderstandsschicht, dessen öffnungen die Teile der Goldschicht definieren, die zu entfernen sind; entsprechend wird auch durch ein nasses Ätzverfahren das betreffende Gold entfernt, wie zuvor bereits beschrieben. Nun wird der noch von der Foto widerstandsschicht bedeckte Träger 3 in den HF-Zerstäubungsapparat gebracht, in dem er allerdings an die Kathode und nicht wie zuvor an die Anode angelegt wird. Bei etwa 500 Watt iznd 1000 Volt wird zwar auch das Fotowiderstandsmaterial abgetragen, und zwar beispielsweise mit einer Geschwindig-

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!reit von 350 A pro Minute; diese Abtragungsgeschv/indigkeit ist etwa 3 "bSs 4 mal höher als die des *.^rolframs₅ dafür ist aber die Fotoviderstandssciiicht wesentlich diclrer aufgetragen ( et'.v-.i 10 mal dicker als die Wolfranschicht), "bei-

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spielsweise 250 000 A gegenüber 50 000 A bei Wolfram. Die unbedeckten Teile der .V/olframschicht werden somit durch Rückwärtszerstäubung abgetragen, wobei die Zeitdauer bei der oben angegebenen Leistung und Spannung etwa 16 Min. beträgt. Hierbei entstehen also die Wolframkontakte 12 und mit den sie bedeckenden Goldschichten 14.

Der gleichrichtende Übergang zwischen Wolfram und Silizium weist hervorragende Leit- und Sperreigenschaften auf. Die Durchbruchs spannung V^₁. im Sperrbereich liegt bei etwa 10 Volt, 100/iA; die Spannung V» in Leitrichtung beträgt beispielsweise etwa 0,8 Volt bei 10 mA. In Fig. 4 werden die Eigenschaften in Leitrichtung eines gleichrichtenden Übergangs Wolfram-Silizium mit denen eines gleichrichtenden Übergangs Molybdän-Silizium verglichen. Eine Kurve 30 stellt die Charakteristik einer gemäß der Beschreibung der Pig. 2a und 2b hergestellten Diode dar, eine Kurve 31 die Charakteristik einer vergleichbaren Molybdän-Siliziumdiode. Beide Kurven sind praktisch identisch. Zwischen 0 und 0,5 Volt Vj. wächst der Strom I^ um etwa 1 mA, zwischen 0 und 0,8 Volt dagegen um etwa 10 mA.

Obwohl in den Ausführungsbeispielen nur eine oberflächenorientierte Diode und ein Diodenoszillator beschrieben wurden, um zwei typische Anwendungsfälle für gleichrichtende Übergänge Wolfram-Silizium zu erläutern, sind andere Vorrichtungen und Bauteile selbstverständlich ebenso mit gleichrichtenden übergängen Wolfram-Silizium ausführbar. Außerdem können gleichrichtende Übergänge aus Wolfram-Silizium auch für Transistoren verwendet werden.

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Claims (1)

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   Patentansprüche

   Halbleitervorrichtung rait einem gleichrichtenden Kontakt auf einem Siliziumträger, gekennzeichnet durch eine Wolframschicht auf einem Teil einer Oberfläche des Siliziumträgers zur Bildung eines gleichrichtenden Kontakts zwischen der .Wolframschicht und der Oberfläche des Siliziumträgers.

   2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens auf einem Teil der Wolframschicht eine Goldschicht vorgesehen ist.

   3. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der gleichrichtende Kontakt eine Diode bildet, dadurch gekennzeichnet, daß die Wolframschicht auf einer Isolierschicht angebracht und eich zur Bildung des gleichrichtenden Kontakts mit der Oberfläche des Siliziumträgers durch eine öffnung in der Isolierschicht hinduroh erstreckt.

   4. Vorrichtung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumträger auf seiner Oberfläche unterhalb der Wolframschicht eine N-leitende Zone aufweist, dtrta Widerstandekoeffizient zwischen etwa 0,025 und 3 QhM*op liegt·

   5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, da3 sich auf der Oberfläche des Trägers zur Bildung eines ©hmschen Kontakts mit dem letzteren ein weiterer Wolframkontakt befindet.

   6. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine

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   Halbleiter-Zone mit einem V/iderstandskoeffizienten von etwa 0,25 bis et\*a 3 Ohm .cm im Siliziumträger, die sich über einen Teil der Träger-Oberfläche erstreckt und unterhalb einem ersten 7/olfrainkontakt liegt, sowie durch eine N-leitende Zone mit einen T/iderstands-koeffizienten von weniger als etv/a 0,005 0hn«cm im Silisiumträger, die sich über einen Teil seiner unterhalb eines weiteren Wolframkontakt erstreckt.

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