DE1909290A1 - Verfahren zum selektiven Maskieren,insbesondere zur Herstellung von Halbleiterbauelementen kleiner Abmessung - Google Patents
Verfahren zum selektiven Maskieren,insbesondere zur Herstellung von Halbleiterbauelementen kleiner AbmessungInfo
- Publication number
- DE1909290A1 DE1909290A1 DE19691909290 DE1909290A DE1909290A1 DE 1909290 A1 DE1909290 A1 DE 1909290A1 DE 19691909290 DE19691909290 DE 19691909290 DE 1909290 A DE1909290 A DE 1909290A DE 1909290 A1 DE1909290 A1 DE 1909290A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- nickel
- covered
- masking
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
- H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
- H10D30/871—Vertical FETs having Schottky gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
- H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
-
- H10P14/6309—
-
- H10P14/6322—
-
- H10P95/00—
Landscapes
- Weting (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH313168A CH471242A (de) | 1968-03-01 | 1968-03-01 | Verfahren zur selektiven Maskierung zu bearbeitender Flächen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1909290A1 true DE1909290A1 (de) | 1969-09-25 |
Family
ID=4249277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691909290 Withdrawn DE1909290A1 (de) | 1968-03-01 | 1969-02-25 | Verfahren zum selektiven Maskieren,insbesondere zur Herstellung von Halbleiterbauelementen kleiner Abmessung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS4939550B1 (enExample) |
| CH (1) | CH471242A (enExample) |
| DE (1) | DE1909290A1 (enExample) |
| FR (1) | FR1600775A (enExample) |
| GB (1) | GB1261651A (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH497792A (de) * | 1968-06-28 | 1970-10-15 | Ibm | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen |
| FR2104704B1 (enExample) * | 1970-08-07 | 1973-11-23 | Thomson Csf | |
| GB2127751B (en) * | 1982-10-06 | 1986-04-23 | Plessey Co Plc | Producing narrow features in electrical devices |
| CN116936687B (zh) * | 2023-09-18 | 2023-12-15 | 金阳(泉州)新能源科技有限公司 | 联合钝化背接触电池及去除侧蚀残留掩膜层的后制绒方法 |
-
1968
- 1968-03-01 CH CH313168A patent/CH471242A/de not_active IP Right Cessation
- 1968-12-30 FR FR1600775D patent/FR1600775A/fr not_active Expired
-
1969
- 1969-02-21 JP JP44012675A patent/JPS4939550B1/ja active Pending
- 1969-02-25 DE DE19691909290 patent/DE1909290A1/de not_active Withdrawn
- 1969-03-03 GB GB01127/69A patent/GB1261651A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1600775A (enExample) | 1970-07-27 |
| JPS4939550B1 (enExample) | 1974-10-26 |
| CH471242A (de) | 1969-04-15 |
| GB1261651A (en) | 1972-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2319883C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Leitermustern auf einer Halbleiteranordnung | |
| DE1614283C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| EP0024572B1 (de) | Elektrisch leitender Kontakt- oder Metallisierungsaufbau für Halbleitersubstrate | |
| EP0005185B1 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen | |
| EP0034729A2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer GaAs-Halbleiteranordnung | |
| DE2640525A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und anordnung, die durch dieses verfahren hergestellt ist | |
| DE1809115A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von mehrere Schichten umfassenden Leitungsverbindungen fuer Halbleiteranordnungen | |
| DE2149766A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE3604368A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines duennfilm-transistors | |
| DE1803024C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Feldeffekttransistorbauelementen | |
| DE2123595A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1589076C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit tragfähigen elektrischen Leitern | |
| DE2556038A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren fuer sehr hohe frequenzen nach der technik integrierter schaltungen | |
| DE1909290A1 (de) | Verfahren zum selektiven Maskieren,insbesondere zur Herstellung von Halbleiterbauelementen kleiner Abmessung | |
| DE69215956T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kontakts auf einem Halbleiterbauelement | |
| DE1908901C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen kleiner Abmessungen | |
| DE1929084C3 (de) | Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
| DE1640470A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von scharf definierten Aperturen in einer isolierenden Schicht bzw.in Halbleitermaterial,insbesondere zur gegenseitigen elektrischen Isolierung verschiedener in einer integrierten oder monolithischen Halbleitervorrichtung zusammengefasster Schaltungselemente | |
| DE2540301C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Leitermuster | |
| DE2407189A1 (de) | Planare integrierte schaltung mit dielektrisch isolierter schottky-sperrschicht und verfahren zu deren herstellung | |
| DE2018027A1 (de) | Verfahren zum Einbringen extrem feiner öffnungen | |
| DE112021006913T5 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE2538264C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer planaren integrierten Halbleiteranordnung | |
| DE2455963A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer anordnung, insbesondere einer halbleiteranordnung, mit einem leitermuster auf einem traegerkoerper, (sowie durch dieses verfahren hergestellte anordnung) | |
| DE1947026A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |