DE1904834A1 - Verfahren zum Formen einer Silicium-Oberflaeche auf einem Substrat - Google Patents

Verfahren zum Formen einer Silicium-Oberflaeche auf einem Substrat

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DE1904834A1 DE19691904834 DE1904834A DE1904834A1 DE 1904834 A1 DE1904834 A1 DE 1904834A1 DE 19691904834 DE19691904834 DE 19691904834 DE 1904834 A DE1904834 A DE 1904834A DE 1904834 A1 DE1904834 A1 DE 1904834A1
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Description

PATENTANWÄLTE
. H. LEINWEBER dipl-ing. H. ZIMMERMANN
• MUltdMlt 2, tCSMtal 7, i.Aufy.
T.l.-Adr. Lcliipat MiMiMIi T.i.fon (Mil) MIf I»
d*n 31. Januar 1969
Unter Zalchwi
WyAo F°3782 COMPAGNIB GENERALE D'ELECTEICITE, Paris, Frankreich
Verfahren zum Formen einer Silicium-Oberfläche auf
einem Substrat
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Formen einer Silicium-Oberfläche auf einem Substrat unter Bildung von Ausnehmungen und VorSprüngen. Dafür wird ein Verfahren zum Austausch des SSLißiums in Gasphase verwendet. Das Verfahren ist insbesondere für das Ausbilden von Isolationsbereichen integrierter Schaltungen anwendbar.
Für das Ausbilden^elner Oberfläche mit Vertiefungen und Vorsprüngen· auf einem Silicium-Substrat ist es bekannt, auf einer vorab auf dem Substrat abgelagerten und aus einem Isolierstoff, wie Siliciumoxyd, bestehenden Zwischenschicht örtlich bestimmte Abschnitte mit Hilfe eines bekannten Photolithographieverfahrens zu begrenzen. In die Zwischenschicht werden dann Öffnungen eingebracht, indem man das Oxyd in den örtlich bestimmten Abschnitten angreift und das Substrat bloßlegt. Anschließend wird das Substrat selbst chemisch angegriffen. Stattdessen kann auch eine selektive Gasätzung in einem geeigneten Beaktor verwendet werden. Es kommt dabei zu einer tbermochemischen Gleieh-
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gewichtsreaktion zwischen einer Halogenverbindung des SiIiciums und einem diese Verbindung reduzierenden Reaktionsgas, wie Wasserstoff. Die Reaktionsgrundgleichung der Form
Si Cl4 + 2H2<=± 2H Cl + Si (1)
kann mit Hilfe mindestens eines der Reaktionsparameter im Sinne des Siliciumabbaus oder der Silieiumablagerung gesteuert werden. Bei den Reaktionsparametern handelt es sich um die Temperatur, um die Wasserstoffkonzentration und um die Chlorwasserstoffga ^Konzentration.
Die bei der Herstellung von integrierten Schaltungen wegen der Notwendigkeit des Einbringens von Isolationsbereichen zwischen den verschiedenen elektronischen Bestand-
x-T j „auftretenden Sohwierigkeiien, , , „ η , teilen der Scnalxung/sindT Dekannr. ism bekanntes Verfahren zum Erhalt derartiger Isolationsbereiche auf einem Träger aus einem Halbleiter, wie Silicium, besteht aus den folgenden Verfahrensschritten:
a) Oberflächenoxydation eines Silieiumplättchens;
b) Öffnen von Fenstern im Oxyd;
c) Im allgemeinen chemisch durchgeführter Abbau des beim Verfahrensschritt b bloßgelegten Siliciums;
d) Neuerliche Oxydation der durch die Verfahrenssehritte a bis c erhaltenen Oberfläche;
e) Ablagern von Silicium auf der nach den Verfahr ens sehr it ten a bis d erzeugten Oberfläche;
f) Im allgemeinen durch Schleifen erfolgendes Dünnarbeiten des Siliciums von der zur in den Verfahr ens sehr it ten a bis e behandelten Oberfläche entgegengesetzt liegenden Oberfläche aus.
Die Folge dieser Verfahrensschritte la bis f ist mit ,,
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Nachteilen verbunden. Insbesondere ist das Ausbilden von Vertiefungen im ursprünglichen Siliciumkristall im Verfahrensschritt c an den Stellen, an denen das Oxyd entfernt wurde, bei Verwendung des üblichen chemischen Abbaus mit dem Nachteil verbunden, daß die Umrißlinien der Durchbrechungen im Oxyd nicht genau beibehalten werden. Es ist vielmehr bekannt, daß der selektive chemische Angriff auf das Silicium mehr die Ränder anätzt, und zwar umso mehr, je größer die Itzwirkung und je länger die Einwirkungszeit ist.
Als Ergebnis erhält man eine Ausweitung der Umrißlinien auf der Oberfläche und Abweichungen der Angriffsflanken von der Senkrechten. Diese beiden Nachteile sind bei der Herstellung von Vorrichtungen mit kleinen Abmessungen schwerwiegend, bei denen die Grenzlinien Toleranzen in der Größenordnung von Mikron genügen müssen.
Es ist bekannt, den chemischen Angriff nach dem Verfahrensschritt c des beschriebenen Verfatoens durch ein Gasätzen des Siliciums zu ersetzen, das in einem Oberflächen-Reaktor bei Anwesenheit von Wasserstoff mit Hilfe von Silicium-Tetrachlorid durchgeführt wird. Das geschieht nach der oben angegebenen Formel (1) für das reversible Gleichgewicht, die dabei im Sinne eines Siliciumabbaus verwendet wird. Man erhält so Vertiefungen und VorSprünge mit steilen Flanken. Um die Gleichgewichtsreaktion nach Formel (1) aber verwenden zu können, ist eine komplizierte Apparatur erforderlich. Die Anwesenheit von Chlorwasserstoff-Gas erfordert eine besonders sorgfältige Au§~ * wahl der Materialien für die Teile, die mit der Sasmischüng in Berührung kommen, und zwar nicht im Reaktor selbst, sondern auch in den Zuführleitungen und den Evakuierausgängen dee Reak-
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tors. Es wäre außerdem zweckmäßig, vom Siliciumabbau allmählich zur Siliciumablagerung übergehen zu können, was jedoch äußerst schwierig und in den meisten Fällen überhaupt undurchführbar ist.
Die Erfindung möchte diesem Nachteil durch ein Verfahren zum Formen einer Silicium-Oberfläche auf einem Substrat unter Bildung von Ausnehmungen und Vorsprüngen mit senkrechten Flanken abhelfen, das grundsätzlich mit folgenden Verfahrensschritten arbeitet:
a) Begrenzen d.er zu bearbeitenden Abschnitte der Oberfläche mit Hilfe einer von Öffnungen durchbrochenen und von Silicium-Halogeniden nicht angreifbaren Zwischenschicht;
b) Einbringen des Substrates in einen Reaktor auf einem Träger an einer Seite eines Austauschraumes, auf dessen anderer Seite gegenüber dem Träger ein Eeaktionskörper angeordnet ist;
c) Ausbilden eines Temperaturgradienten zwischen Substrat und Reaktionskörper in einer Gasmischung, die mindestens ein Siliciumhalogenid und ein Trägergas aufweist. Auf diese Weise soll eine den Siliciumaustausch fördernde reversible chemische Reaktion erhalten werden.
Das wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Gasmischung unter einem 50 mm Quecksilbersäule unterschreitenden Druck steht, daß das Trägergas chemisch neutral ist und daß es sich bei den Halogenide um binäre Zusammensetzungen von Silicium mit Halogen handelt, was als Reaktionsgleichung für den Austausch
Si X4 + Si*=± 2 Si X2
ergibt (X » Halogen).
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Das Substrat kann aus Silicium bestehen und die Wärmewand des erwähnten Austauschraumes bilden. Das Substrat ist durch die Zwischenschicht abgedeckt. Die Öffnungen legen die Abschnitte frei, in denen Ausnehmungen auszubilden sind. Eines der Halogene kann Siliciumtetrachlorid sein.
Die Volumenkonzentration des Siliciumtetrachlorids im Trägergas liegt vorteilhafterweise zwischen 10"" und 10"" .
Die Gasmischung kann eine Verunreinigung für das Dotieren des Siliciumhalbleiters enthalten.
Das Substrat kann die kalte Wand des Austauschraumes bilden, wenn der vorteilhafterweise aus Silicium bestehende Heaktionskörper als heiße Wand dient. Dieser ist teilweise von der Zwischenschicht abgedeckt, deren Öffnungen die für die Heliefbearbeitung vorgesehenen Abschnitte auf der Substratoberfläche begrenzen. · ■
Das Verfahren wird vorteilhafterweise bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen zum Erzeugen von elektrisch -isolierenden Siliciumbereichen verwendet. Man geht dabei von einem Siliciumsubstrat aus, und zwar in einem Verfahren, das aus den folgenden Verfahrensschritten besteht:
a) Das Silieiumsubstrat wird oberflächlich oxydiert und so die Zwischenschicht ausgebildet;
b) Nach einem bekannten Photolithographieverfahren bildet man die erwähnten Öffnungen aus;
c) Das Silicium wird an den durch die im Verfahrensschritt b erzeugten Öffnungen begrenzten Abschnitten abgebaut;
d) Die in den Verfahrensschritten a bis c hergestellte Oberfläche wird mit Silicium abgedeckt;
e) In einem Oberflächen-Reaktor wird auf der in den Verfahrens-
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schritten a bis d hergestellten Oberfläche polykristallines Silicium abgelagert;
f) Der Siliciumträger wird von der der in den Verfahrensschritten a bis·e hergestellten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche her dünn gearbeitet. Dabei wird mit dem Dünnarbeiten fortgefahren, bis das im Verfahrensschritt e aufgebrachte polykristalline Material in den im Laufe des Verfahrensschrittes c angelegten Ausnehmungen freigelegt ist; im Verfahrensschritt c bildet dabei das auszunehmende Siliciumsubstrat, das nach den Verfahrensschritten a und b vorbereitet wurde, die heiße Wand des oben beschriebenen Austauschraumes: der Ausnehmar-^ beitsgang nach dem Verfahrensschritt c wird also mit Hilfe der Austauschreaktion durchgeführt.
Dieses Verfahren kann bei der Herstellung integrierter Schaltungen mit Halbleitern verwendet werden, um isolierte Siliciumbereiehe, ausgehend von einem Substrat zu erhalten, das aus einem Material besteht, das für die Aufnahme von Siliciumablagerungen geeignet ist. Das Substrat bildet dabei die kalte Wand des Übertraglingsraumes, und die warme Wand ist durch einen Heaktionskörper aus Silicium gebildet, dessen dem Substrat gegenüberliegende Fläche teilweise durch die oben erwähnte isolierende Schicht abgedeckt ist, deren Öffnungen den Abschnitten des Substrates gegenüberliegen, an denen durch Ablagern die Siliciumbereiche hergestellt werden sollen.
Gegenstand der Erfindung sind auch integrierte Festkörperschaltungen, deren Isolationsbereiche nach dem beschriebenen Verfahren hergestellt sind.
Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. In der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise veranschaulicht, und
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zwar zeigen
Fig. 1a bis 1f ein bekanntes Verfahren zum Formen einer Siliciumoberflache, und
Fig. 2 einen schematischen Schnitt durch den beim erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Übertragungsraum.
Fig. 1a zeigt einen Siliciumeinkristall 1, von dem ausgegangen wird. Durch den Verfahrensschritt a des eingangs beschriebenen bekannten Verfahrens, der Oxydation, ist die als Grundlage für die Isolationsbereiche dienende Oberfläche mit einer Oxydschicht 2 überzogen worden. Fig. 1b zeigt, wie durch den Verfahrensschritt b in der Oxydschicht 2 Fenster 3 eröffnet werden. Fig. 1c zeigt das Ergebnis des chemischen Angriffs nach dem Verfahrensschritt c, durch den im Siliciumeinkristall 1 an den durch den Verfahrensschritt b freigelegten Stellen Ausnehmungen 4 in Art blinder Fenster bis zu einer vorbestimmten Tiefe ausgehöhlt werden. Der Ort dieser Ausnehmungen ist derjenige, an dem die Isolationsbereiche herge.-stellt werden sollen. Fig. 1d zeigt, wie durch den Verfahrensschritt d die mit Hilfe der Verfahrensschritte a bis c erzeugte Oberfläche neuerlich mit einer Oxydschicht 5, 6 abgedeckt wird.
Fig. 1e zeigt das Ergebnis des Verfahrensschrittes e, bei dem eine polykristalline Siliciumschicht 7 auf die Gesamtheit der in den Verfahrensschritten a bis d hergestellten Oberfläche aufgebracht wird. Das geschieht im allgemeinen durch Kristallwachstum.
Fig. If zeigt das Ergebnis des Verfahrensschrittes f, bei dem beispielsweise durch mechanisches Schleifen eine Ver-
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ringerung der Dicke der Ausgangsplatte des Siliciumeinkristalls
I in Pfeilrichtung erfolgt, also von der Oberfläche her, die der in den Verfahrensschritten a bis e behandelten Oberfläche gegenüberliegt. Der Materialabtrag wird bis zu den Böden der Ausnehmung 4 fortgesetzt und man erhält dann ein Plättchen des gewünschten Aufbaus.
Der Siliciumeinkristall 1 zeigt dann eine Oberfläche, auf der freigelegte ebene Bereiche 9 des ursprünglichen Siliciumeinkristalls 1 mit Isolationsbereichen 10 und Si^iciumbereichen 11 abwechseln. Am Ort der halbleitenden Bereiche 9 und
II kann dann ein oder auch mehr als ein elektronisches Schaltelement angeordnet werden, wobei die elektrische Isolierung der auf den Bereichen 9 erzeugten Schaltelemente von denen, die auf den Bereichen 11 hergestellt werden, durch die Isolationsbereiche 10 sichergestellt ist.
Die Nachteile dieses Verfahrens wurden bereits erörtert.
Das erfindungsgemäße Verfahren soll nun in einem ersten Beispiel anhand der Herstellung von Isolationsbereichen erläutert werden, die für integrierte Schaltungen verwendbar
Die Verfahrensschritte bei der Herstellung dieser Bereiche folgen sich wie beim hier oben beschriebenen bekannten Verfahren und umfassen ebenfalls die Verfahrenssehritte a bis f, die in den Fig. 1a bis 1f gezeigt sind. Lediglich der Arbeitsgang, bei dem die Ausnehmungen im Halbleitermaterial ausgebildet werden und der in Fig. 1c gezeigt ist, wird beim erfindungsgemäßen Verfahren durch einen anderen Verfahrensschritt ersetzt.
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In diesem Beispiel bildet das Siliciumsubstrat die heiße Wand. Das Gasgemisch enthält Siliciumtetrachlorid in Mischung mit einem chemisch neutralen Gas, wie Argon.
Fig. 2 zeigt einen Oberflächenreaktor mit einem als Aufnehmer dienenden Körper 20, der vorzugsweise aus mit SiIiciumkarbid überzogenem Graphit gesteht. Eine Siliciumplatte dient als Substrat 21 und entspricht dem Siliciumeinkristall 1 von Fig. 1b, da sie vorab mit einer Oxydschicht 22 abgedeckt wurde, in der den Fenstern 3 entsprechende Fenster 23 eröffnet sind.
Die Oberfläche wurde vorab nach einem bekannten Verfahren behandelt, beispielsweise mit dem witer oben beschriebenen und anhand der Fig. 1a und 1b erläuterten Verfahren.
Mehrere vorzugsweise aus Silicium bestehende Paßstücke 30 können entweder direkt auf dem Substrat 21 oder außerhalb von diesem angeordnet werden, um einen Austauschraum 24 passender Abmessungen zwischen dem Substrat 21 und dem Reaktionskörper 31 zu bilden.
Der Eeaktionskörper 31 kann aus Silicium der gleichen Art und.der gleichen Eigenschaften bestehen,, wie das Substrat 21. Damit wird jede gegenseitige Änderung der Eigenschaften während des Verfahrens vermieden.
Die Heaktionstemperatur kann zwischen 1000° und 1200 C schwanken. Das Trägergas ist ein neutrales Gas wie Argon. Die Volumenkonzentration des in ihm enthaltenen SiCl. schwankt
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zwischen 10 und 10 . Verschiedene Versuche haben ergeben, daß man bei beliebig vermindertem, jedenfalls aber unter 50 mm Quecksilbersäule liegendem Druck ausgezeichnete Ergebnisse erhit. Im hier beschriebenen Beispiel wird für einen Druck von 1 mm Quecksilbersäule eine Abbaugeschwindigkeit des Siliciumsubstra-
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tes 21 beim Bilden der Ausnehmungen von 2 Mikron pro Minute gemessen, wenn die Temperatur 1200 C und die Volumenkonzentration des Tetrachlorids im Argon 5 χ 10" betrug.
Der Abbauvorgang beim Bilden der Ausnehmungen geht durch Materialabtrag auf Kosten des Materials vor sich, dessen Temperatur am höchsten ist, also auf Kosten des Materials des Substrates 21, und zwar in den Abschnitten, die nicht gegen den Kontakt mit dem Tetrachlorid geschützt sind, also im Bereich der Fenster 23. Der Vorgang wird komplettiert durch die Übertragung des abgebauten Materials auf die Innenoberflächen des Austauschraumes, die die "kalten" Wände darstellen.
Wird im Verlauf des Vorgangs zwischen der oberen Oberfläche des wärmeren Substrates 21 und der Innenfläche des weniger warmen Reaktionskörpers 31 eine bestimmte Temperaturdifferenz aufrechterhalten, so wird das im Bereich der offenen Fenster 23 abgetragene Material als Materialpaket 25 abgesetzt.
Es ist offenbar genauso einfach, den Austauschmechanismus mit Hilfe einer anderen Begrenzungswand des Austauschraumes umzukehren, indem man eine passende Temperaturdifferenz zwischen mindestens zweien dieser Wände herstellt.
Bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens nach Fig. 2 ist die Richtung des Temperatürgradienten, der senkrecht zu den abzutragenden und abzudeckenden Oberflächen verläuft, mit der Richtung des Materialaustausches identisch. Das* führt zu einem Abtrag des Substrates 21 und zu einem Aufbau auf dem Reaktionskörper 31 in eben dieser Richtung. Das hat aber zur Folge, daß die Umrißgrenzen der im Substrat 21 ausgenommenen Abschnitte genau mit den durch die Maske der Oxydschicht 22 vorgegebenen übereinstimmen. Aus dem gleichen Grund sind auch die Umrißgrenzen der auf dem Reaktionskörper 31 ·■
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25 als Vorsprünge anwachsenden Materialpakete/genau definiert und bilden eine Figur, die eine Negativwiedergabe der Zeichnung der durch die Oxydschicht 22 gebildeten Maske ist. Die erhaltenen Ausnehmungen und VorSprünge haben senkrechte Flanken.
Es wird also durch einen sehr einfachen Verfahrensschritt die durch die Maske gegebene Festlegung aufrechterhalten. Das stellt einen entscheidenden Vorteil bei der Herstellung von integrierten elektronischen Schaltelementen dar, da eine gute Orthogonalität der Flanken damit erreichbar wird. Darüber hinaus kann man der Ausrichtung der kalten und der warmen Wand einen Winkelabstand voneinander geben, wodurch es möglich wird, die Flankenrichtung an den Ausnehmungen und den Vorsprüngen sowohl während des Abbaus als auch während der Ablagerung zu korrigieren. Das ist insbesondere in den speziellen Fällen von Vorteil, in denen profilierte Ränder herzustellen sind.
Die endgültige Fertigstellung der Isolationsbereiche erfolgt durch eine Folge bekannter Verfahrensschritte. Dafür ist zum Beispiel die Folge der anhand der Fig. 1d bis 1f oben beschriebenen Verfahrensschritte verwendbar. Es kann aber auch jedes andere Verfahren benützt werden, bei dem am Schluß eine Oberfläche freigelegt wird, in der aktive Bereiche 9 und 11 mit Isolationsbereichen 10 abwechseln, wie das Fig. 1f zeigt.
In einem zweiten Beispiel wird das Verfahren für die Herstellung einer Oberfläche verwendet, bei der Vorsprünge und Ausnehmungen auf einem Siliciumsubstrat ausgebildet werden, wie es der Reaktionskörper 31 darstellt, der die kalte Wand eines Austauschraumes bildet. Der aus Silicium bestehende Reaktionskörper, der die warme Wand darstellt, erhält die in
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Fig. 2 gezeigte Lage des Substrates 21 und wird in den durch die Fenster 23 bestimmten Abschnitten angegriffen, in denen er nicht durch die dazwischenliegende Oxydschicht 22 geschützt ist, Im gewählten Beispiel besteht diese Zwischenschicht aus SiIiciumoxyd.
Es wurde bereits gesagt, daß die Oberfläche des hier als Substrat dienenden Reaktionskörpers 31 VorSprünge und Ausnehmungen erhält, die eine Negativwiedergabe der Ausnehmungen und Vorsprünge der Oberfläche dea hier als Reaktionskörper dienenden Substrates 21 sind. Dabei sind die allgemeinen Arbeitsbedingungen hinsichtlich der Temperatur, des Druckes und der Konzentration die gleichen, die beim ersten Beispiel beschrieben wurden.
Die Flanken der abgelagerten Abschnitte, beispielsweise der Materialpakete 25, sind wohl definiert und stimmen mit den Schnittflenken der Zwischenschicht, also beispielsweise der Oxydschicht 22, überein. Die anfänglich durch die Maske gegebenen Grenzen werden also beibehalten, und die Flanken haben eine gute Orthogonalität.
Es ist nicht erforderlich, daß als Material des Substrates ein halbleitendes Material verwendet wird. Das Verfahren wurde mit Erfolg auch für das Formen von Siliciumoberflächen auf einem Substrat angewendet, das aus einem Material besteht, das für eine Ablagerung oder «in Aufwachsen von Silicium geeignet ist. Ein solches Material ist beispielsweise Quarz.
Das Material der Zwischenschicht ist ebenfalls beliebig. Es muß lediglich die Bedingung erfüllen, daß es durch das Reaktionsgas nicht angegriffen wird.
Schließlich kann die Gasmischung eine Verunreinigung
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zum Dotieren des Siliciums enthalten. Auf diese Weise erhält man bei Zumischen von Phosphor in einer in der Gasphase vorliegenden Verbindung zur Gasmischung Ablagerungsschichten mit einer N-Dotierung von vorbestimmter Konzentration.
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Claims (6)

Patentansprüche :
1. Verfahren zum Formen einer Silicium-Oberflache auf einem Substrat unter Bildung von Ausnehmungen und VorSprüngen mit senkrechten Flanken nach folgenden Verfahrensschritten:
a) Begrenzen der zu bearbeitenden Abschnitte der Oberfläche mit Hilfe einer von Öffnungen durchbrochenen .und von Silicium-Halogeniden nicht angreifbaren Zwischenschicht;
b) Einbringen des Substrates in einen Reaktor auf einem Träger an einer Seite eines Austauschraumes, auf dessen anderer Seite gegenüber dem Träger ein Heaktionskörper angeordnet ist;
c) Ausbilden eines Temperaturgradienten zwischen Substrat und Reaktionskörper in einer Gasmischung, die mindestens ein SiIiciumhalogenid und ein Trägergas aufweist, zum Erhalt einer den Siliciumaustausch fördernden reversiblen chemischen Reaktion, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasmischung unter einem 50 mm Quecksilbersäule unterschreitenden Druck steht, daß das Bägergas chemisch neutral ist und daß es sich bei den Halogeniden um binäre Zusammensetzungen von Silicium mit Halogen handelt, was als Reaktionsgleichung für den Austausch
Si X4 + 'Si^=z2 2 Si X2
ergibt (X * Halogen).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Silicium besteht und die heiße Wand des Austauschraumes bildet, daß die Zwischenschicht das Substrat teilweise abdeckt und die Öffnungen die auszunehmenden Abschnitte bloßlegen und daß das Halogenid beispielsweise SiIi- j ciumtetrachlorid ist. '
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3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Volumenkonzentration des Siliciumtetrachlorids im Trä-
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gergas zwischen 10 und 10 liegt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasmischung zusätzlich einen Dotierstörstoff für den Siliciumhalbleiter enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat die kalte Wand des Austauschraumes bildet, dessen heiße Wand der Beaktionskörper aus Silicium ist, der teilweise von der Zwischenschicht abgedeckt ist, deren Öffnungen die Abschnitte begrenzen, die auf der Oberfläche, des Substrates im Relief zu bearbeiten sind, wobei eines der Halogenide SiGl4 ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1 für die Herstellung von Silicium-Isolationsbereichen, ausgehend von einem Substrat aus einem Material, das für die Ablagerung von Silicium geeignet ist, bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat die kalte Wandung des Austauschraumes bildet, dessen heiße Wand ein Reaktionskörper aus Silicium ist, dessen dem Substrat gegenüberliegende Fläche teilweise von der Zwischenschicht abgedeckt ist, deren Öffnungen gegenüber den Abschnitten des Substrates liegen, an denen durch Ablagerung die Siliciumbereiche auszubilden sind.
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DE19691904834 1968-02-01 1969-01-31 Verfahren zum Formen einer Silicium-Oberflaeche auf einem Substrat Pending DE1904834A1 (de)

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