DE1808381U - Elektrische halbleitervorrichtung. - Google Patents

Elektrische halbleitervorrichtung.

Info

Publication number
DE1808381U
DE1808381U DEI7953U DEI0007953U DE1808381U DE 1808381 U DE1808381 U DE 1808381U DE I7953 U DEI7953 U DE I7953U DE I0007953 U DEI0007953 U DE I0007953U DE 1808381 U DE1808381 U DE 1808381U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
der
old
tea
dea
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEI7953U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
Publication of DE1808381U publication Critical patent/DE1808381U/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45655—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

XB 'ZOIU
42
15BBt/$t*g» 2234
Sew
X*zi*iit eieb aaT bei el#fetJM«eJaeo
M+mrmg ist el»* «!«ktriacb* H®lM#it#3rrörricfcwelcher SI« alt die·«« veriJUßdenea ist»
2>ie K
ist -unö «in« besltstf €1« »ust «iiM St»«3.*i«iinc. fee#t«fatt ta eiiigeljettet n&& a&mlt triaeh ise.liiirt eind* liae yoa den«» Jeie sit der grSBt« T*il öer im g, dl« in «In Bt? dee B-slteleiter«!** eus iöoll#r#nÄea «lateriel
tot möhr<ij*e Slektr**
sisd.
SI« Cssltter im-i
b&l $mmi
let
alt eissers fe«gr®nKt*n
im fontafet ©i«örig©si 'w sit
groß··
spiele«· 1*· au» «tee·- Kr Ie tall au* :;er onluA beetehen» 4·* «In· Baeieelelttrode «it niedrig·» ..:berga--ge»iö«retßBd bee Uzt und an dem Eeitter- «mä Toll«ktoraltktro<iwi an Zawm itltungttyp* befeatlgt «ing» eo d«£
sw!βeher dea M*lbltit«rk8rp#r und di»s«n Zoß*n vorba/idtn DI· Zwmm entge 5«nf·»·tic tea T.»itun.-iatyp» Xi3nri«n aueh auf t#o Qebi«t«n A«·- ielblelter· durch k*$lmem «it a«t«rlöl hergeeteilt »ein» dae bei»pieIewelee »ue 3t^rstoff*n beet «ht oder e öl ehe
bei de»*n cur !.eretellmig die
t β chalk ferwendet wurde» werden im stllgeselnei) ale legierte HaIV lelterrorrlohtongen beielchuet. Ie euerung wird f.r eiüeo 1·* gierten traneletor »n Hand der .figuren
Im den figuren 1V t und 3 «lud üalterun^en dargtstelltf die einen Teil der teeohriafeeraea - Stielt or verrichtung en
Dl« i'lgxir«» 4 und $ selben i^lttrufeien ri.-*cb Fig« 1» 2 und 3» die MetalIrluge verschiedener £orm stur itafaetigung des aehäaaeo b·- eitlen.
Is fif# $ let «la ;:«lbleitereUaent ά®τ$%*%®11%ψ d»e Eaitter- u»4 ti Kollektorel©litroden beeitst, an de t*n :;uleltung»dreihte fc«feetlgt eind untf die verechledene Arten von :?eelaan»ohlLia9en haben.
Flg. 7 seift ein Kalblettereleeent n^oh fIg» $ mit einer Ba*li* elektrode ttßd oll»· Swlaohendrihte, in» mn einer altertin« ttttli ttg* Τ* 2 und 3 befeetigt let, die «inen Metallring naob fig» 4 oder 5 tragen kaHö und bei dem die KcäittersvaeitanÄ nach FIf« 4 auegeblldet ist·
·*■ 3 ·*■
fig» β zeigt ·1η Hölblen«relea*mt a&ife-ftf· $ ait einer elektrode mi oh«· i;wieeh*iwJräht«, άββ «It ·1ο·γ i.alt»rung ftf· I« 2 ö4«f 3 ▼♦rbtaadea i*t# isftlofc* ft»ts Urine· nach fig» 4 «»4 $ tragen kenn und feel 4·« 41· S3iittereuleitung naoh
9 xvlfft 41· S:alfcl«it%roöor<inur,s üüüh Ftf* ? «»4 δ von <t*r
10 celgt ·1η i alfel*iter»le«»nt nach f%« i «if einer 3a*la*
weA ohn« 2»tecfc*ndrähte» 4ne an einer Eait«ri»t βaeh IQ Η$φ 1t 2 <xSer 3 befestigt let, ^eleh« eljoe
« 4 oder § beaiteea Sougjt und bei I»a dl·
X^ogff eiaen gr5eeeren >*röcfcriltt aufweist fde die i;altter- «n<! die ; oll·*tor*uleiturnen nni die nach Hg* 4 oö*r 5 **»£<*bilöet let»
*Η· ft *«i«t «lot um] vtrf9*m% w, JPKf * 10f bei S«r dl·
Emitter mg nicht im ·*η#|ίΤ«β! Ιι« ii^r aijt «»Ιsehen
Eoltter eleictri )de und 4i ilei tiseg» draht &»&#·»
ordnet let« 'iuri^ ^v ie
.α ein ζ%
lender, Γ.ι
fig» it «eiit «la» ähalicbe Anord· unr w|· flg. 11, b*l der ein £ we lter iwiechendraht j&wlaciMm der ollektorelefetr^e und der entopr*chenden ?uUl tang «r.g*#r%«t let*'
fig· 1$ ftwlgt 3ί»·1 T«reohle<leBe iatUn τοπ Öehlua»icep„-eti von der 41· eine eo auegeblldet let» 4«I ei« fin 4«m iüt«llri»f nach flg· 4 befeetlgt werden keim und die andere eo RuageMlJet l«tt daß «1· an den äie ta lirin« naoh Fig* ^ b«f«etlgt werden kann. £♦! d· eigc«ii eicb sue v*erae}ai«Seii der Anordnunsen r soh fif. ? tele
m 4 ·*
Im tig · 14 m6 15 «ln^ äle MftM Arten iron 0* hü us· kappen naeh fig* 15 la fctMafanf »it dta #iit*pf«4fe«a6«ft .ietn 11 ringen der dargestellt.
Bei . albleitcrrorriefctuBg·!»· «rl» trwisletoren, aufi die bei» " tritt entwickelt· WUrm tchoell nbgeleltet werden» da niedriger«
ArtoltatoMfefttturtft eine frSM·*· 1«%·α·4«ΐΜΚΤ vn& l>tao«re trieohe Stgenecfcaften er^efcen» Β· l#f weiter &*hr wtcbtig» twleehen B^eie-, Emitter* und i-ollektörele^trode und den ent-•prectienden Zuleitaogedrflhten, 41« «inen Teil a«r ; altarung bil-
to den, niedrige rbergsnge*lderat^n£<* vorhsuden »IM« Ia allg·«·!·
r*en wird «la ZwiechemSraht von g«rin|^» uereohaitt ewi chea den Elektroden tmd ihren entenr«ch*n2en "ulei tungedrähten angeordnet· Dt« Verwentfttog eolcher ^wlsch«ndräbta !»deutet lneofern einen ^chteil, «1« «I« Infolge ihre» ^»riogen ;u»r8c>ujittee
!5 »chlecbte »äraeleiter eind* I« i»t aber weeentlieh, daß die
r*&rm.· r**tth rom Halbleiter tu» ''.alt*rung u»d auch sm #«s den aehauee abgeleitet »Ird. Zm L-Jsuß^ die«·« -robleias wurde 449' »werecbritt «er Siuleittangedr ?.hte yergrSaaert· Infolge der terbreohliobiteit de* Jiolbleiter^itürtale treten, mm £ulei» tungedr^hte voa griJaeerem ^aerac::r.itt versendet werdeö» oft ärUohe I« isalUet t^raeteriai auf* w«im die .-lektxode; se »η dec 2uf?lbrung»leituKg«i der : al te rung ^festigt
wird warrscneinliöii ^ur^h ■ «chactseh* 0psfinii»f«ii die der ?ürr 1 btang Weintr^.o^tlijt, belapiels*clae durctfo de« itanutoliene· INI«··» rrcblen let b*aoralere vordringlich» wena ee eich «κ 'fr«mei«tor©£ alt legierten handelt. BtI dieeer Art von Triii.eistoren wtrden la r,islacheBdriifcte grroßea v.\i«rBc>mitta direkt »1% des reich der üe'-trode und dea ^sllileiteraaterisil Terbunden» eo d*E 41« öefshr einer 2erietarur.g de» albleitörkSrper» ncch
$r$B*r let. 1« besteht niev;t nxir die Cefehr, dee daa nelbleitorele«»ent iserbrioht, eoedern ee kton·» ei eh auch die ^e^ierun^e« gebiete infolge einer «u eroeeen :>pannuog an den .lektrodemuawährend ihrer Befeeti^«»^ an den r;
ron &9& ft&He)it«r l§»em* Gessäß S«r
einer gut·* »grsseaeleitang «ni eln«r leichteren r/ontagt d»a albttltoJrfcttrywNi oder nalbltltereleaents Is d«r i#i#« g*18*t* ein· i alterti»g **r**fti#t wird, fe»i der 3 In dee ten» «in· d*n«uleltung oder ·!» T#ll davon »inen gr:5»e«r«ö :u«rechnitt hst# fti· attd«r#n iiul#ltungadräht· unä dt··· direkt *b
lelt«r«l*a«Bt ere eisten Hxim feirtä 3er*o dujrcb t-ürael«ltung d·· ^\nechluBdraht·« tind über den leolterkiJrper eua QehSue·
*'lg. i **%$% «la· Aoablldun^af or j fur «in· alt »rung» di· •In·« I8r.p«r au« Al^trleeh !»olierenaea, ab«r gut den üftteri·! 1 b«»tefct» beieyielaweia· «u* Olaa od*r ereailit In den mtf t*f4«ii 3«iUn hervor«t«h«n<S· Zul«Itun£«driiht* far Kollektor- und Baeieels trad· ?, 5 und 4 Zal«itung»dr'iiit· »iwS m® .> ,eordnet, daC <3er eg ti« ^bxufiibretdo i8fü durch 4«n -CSr^r 1 ^u #Ιη·β deo
«la ^i&lmim an .■.ärii^lderetänd het.
t«ißpi«lewöi8e au« -;upför beeteh«n, da« BdLt «Iner iiickelei»«nl«gidr4mg 'ib^r^ogen let, oder *ue rein·» uisfer, «ad telepielsw«iä« slt foli flattiert sein. B»ieplel··»·!- «# h»t ilt Äolleittor«»leitung «Inen gröaeeren uerechnitt @1« 11» £iil*ltimf«ti filv emitter- oder £aaiee.l©ktrod#· 3nt«r ü-28t?iad«a, Al· vcc der Wära«»bleitun^ in d©r Varrichtung kaum ·β TorteUhaft »ein, wem nur «in Teil der i*ingt <3«r ,-:oll*ktortul*itun« ·1η·η gröse«r«n ueracimitt hat #1* die Zuleitung»- drehte far £aitt«r- mA- Eaeleeloktrode» wi· di«e in ?ig· 2 vmä 3 dnrgeeteilt i«t. Β·1 ·1ηββ Aucfuiir-.iöfcsbeiäipiel hatten dl· dann·© "taeit«n«eäräht· einen lurehsieeeer von etwa 0,5 m» der ::uleitunf»dr»ht «It 8?®9*mtmm M»rschnt%t einen
X Ml.»
I» ti^· 2 i»t eine Anordnung d^r^cst-l 1t» bei der b«i©pieleweie· die collektorzuleitoo« «vif der einen 3elt· d·» I β olier kör per« und la laueren deaselb«η eiaen gr^Cören uerscimitt hst ale 5$ auf der aad«i*eou<»it#.
2234
Xa Fig. $ hat beiepleleweiee di# Kollefctoreultltung eiaen ren u«r»ohnitt auf eiaer 9» It«, außerhalb des Ieolterkiirptr*.
I» Fig* 4 uafl 5 »ind B«lt*riMf«tt dirges tell t» die 4« nan roa Fig. 1* f uod 3 ectepreehea naß.« (H* :^tell ringt yerechteatn*? AuabildiHi« trennt* »elche «uffi Γ uaa^enbiiu der Anordnung dienen. Bei öer Aoebildungefora n;>oh i*l£, 4 Ut d«r Ieol 1 tret^ffkörper 1» ein·» «ta Iri&£ äioht ^tf«etift# 3er aus «ine» inner·» Zy 4t a&i eine» äaceeren ;^lia!«tr 4f beeteht» 44« dor^h Atm 43 *i teiEu-iDder verbußieii β ist· X*«r Hing dient but
foati ung der Se» hiiü.«ekappe 131 ti@«M fif* 13, dl» einen
eigen Flensoh 13? «s offenen £n4# ö fielet, eo 4aS eich bei der ein geeeüXoaeenee i#l#m# ergibt*
itr Auebildus^afor« naoh FIg* 5 ist d«r ieoliferetoffkörper dea M^tÄllrin^ 91 Terbuöaent der einen ßb^eb<3genen» ringf :5r- »igen teil ff sn «I«»« Snde und «imf» üanÄ 55 «« &&&*vm lad« träft* "ieeer Ring aient «ur Befeattgunj einer fär.aeren Ausf'ihrungefor« der iehäueeKappe 133* £1* In Ug* 15 darge«teilt Itt.
Bit Befeetiguag der Gehüuaeka^re^ an dea *βtailring l«t bei i«r
ueepreohun« der ?%«»«& 14 und 15 beeeiiriebec.
<5en ?igiireo 4 u»id 5 fesnn «ntιμμμηια werden, #ai die Saitter-Euleitu»3 2 bei Jeder die«er laltorangen etgebogen Int» Bei der Au£»führuni?efor» naDti flg* 4 Int al« ü& einer stelle eo abgebogen» daC aioh «I» reehtwiakelii m '.^brigan Teil <3ee i:uXeit\ingedraht*· β te Reeder Teil 44 ergibt» der in aioer iberse ad.t der .oUektorauaeitttn« liegt· Hg* 5 K«l«t eine andere Auafahrane«fons,b«i welcher der aua^er.ogea dörgtstellte ügsitter*uleitu»^dn3ht en r»el Stell·» $4 and 51 Abgebogen .tat» so daaa »ich ein udteil 54 ergibt» der parallel nahe &n devi £ul.? x.—gedreht 3 fvir i·» reri^uftr .'-er geetri«halte dargeet«llte Zuleitwigefr deci Eaitter let bei 54 α l^e winkelt m& a« £ni· ff heker.färmig ui^ebogea. lie ^aIttarKulei.tatigÄ<iräfete «erden in dieeer Teiee gebogen* demit der Undteil epgter dife^t alt der
f .
dea ^rietülXelesoattö verbunden »erden kenn« eituiigedruht· is-at einen &welfachen dient ea daru» we η aiJtlg» den S*mfat Mtiunuriebteat ε, ..· ί>·1 einer B*ei»t*lektro4·» wi* öie 1» flf* 6 &a#g«*»t®lXt ist, die einen fet*» voreUhenden Τ·11 aaf«#iet» ä*i» iir«^t alt d#r bunde» wird» Z-ua snderta uieat t» daKU, «In« thermisch* d«a rietall»l«»ent·· *u «ra3gliche » wenn 41··te tordraht % «nd Saitt»r4r#ht a:,gecr4ri«t tat« 1« β oll nocfc w«rd·», daß der ßaeU ?i«. 4 e«fcog*n# ; uleiturigaiirafct f ;r den Saltti» auch bei einer Aoordaun« »It «In·« ^touring nach flg* 5 T*r-
irerden kanr^ «ähr«id dl« a;:oh flf* S m%-9$9wm Crlifet* einer Anordnung ait eioea Eirig r;aofi FIg, 4 verendet werden können.
6 stift rereobitdene Seitensnöichtea τοκ eiaea Halbleiterkri»tall «It deran befetti^t·« £iBitter-» XoIiektor- und Ba»i»<el«ktrode# wobei eiae tmtoarsofaiedliclie immtWitw^mimm der «ei 2wi«cbeodrfitte «ee trio hei t derges tt 111
la dieeer figur i*t alt 61 «la : oltatttereleaent betelehr et» beiepieleweiB· eua O«rsanittB* »it einör Smitterelektrod· 64 und einer Kollektorele/trode 65» dlo beide u^rch Kinlegierer; ron PlHttohea eioe« Stßretoffea, wie s#l« IniIu^, auf einen betreueten B#» retoh de« aeraaniusui hergoetsllt λ ,rden· :ie Baeieelektrode beeteht α-ίβ eioe* ^ete!IrIn^ §| alt «in·« febetebenden ^rnhtftttlok $$ und «tent la kontakt Tem nledrlgea -Ideretaud alt der platte kott*entrl3ofc tva lnltter* I'l@» a-dere Fora i*g* trcde 4$ lot g«etric!»elt dargeetullt; i«>d beeteht aus eioer Platt· au» geeignete« fat lelteoden M-;terial sit einer zentralen 61, dureb ir·!.«^· dl« Kollektoreie>tro<!e 65 hindurcferagt» ohne «It Uetellylütt« *m b«r L>ireo. M« albleiteracbeibe §1 »teht Ktmtakt yon niedrige« wideretar;d mit dieeer etsll-platte. Gegebene» fall β BiM nooh die Zwiacfcet.drähte #8 und $f Yor«*eeh«n» die im, icon takt mm niedrige» siderotsraj -«it der aeii tterel«ktrode 64
2234
und <!·γ Sollektortl©ktrod« 65 stehen· £el einer *ptt*r beschrieb* wm Aueftihrungafora k8ftat& «1· r^iöohendr^ht· IwI £·» entfall·!!·
trai »ietor ti·*«· Type alt sing? aralf*!1 Baele«lestrt?d« " fceiepielenelee ohne £»lsch«ndr i&te» wi*i mit #*if i:a It«rung
Wad»nt wi· um In 6tst Pl«rur«n f «nd 9» o<5«r S un« 9 l»t, vtn 4#oen üg« 9 di« Koll«ktorcul#lt«ae 3 zeigt» dl» alt iJtr i'oll»ktor«l«litrod· 65 v#rt»undeu let. ?ig. f und 8 Emltt«r«ul#ltttßgadräht· 9t» Ter©chledeBer f$*%. ii« direkt mit ^ i#r Saitt«r#l«ktrod· verband·ß *lnd· ,.,.er &fcetefa*n<!· Teil 63 d«r
B*»le«l»ktrod· wijpi ^i t t*« Κηό· dar Ba»U«l*ktrud«nf.ul«ni»g 4 »1· dUe 4 argon teilt
la· ielblelter«l«i8ent w&& desaen SIe^ tr öden alt <i«r : alt·* rung »tteasaef.gebaut »·γ4·», wtrH*m 41· elektroden und dt· IuIeI
*5 tungsdr^fete mit eine» geeißntten ?lu£ai ttel versehen und Λά*
i ftlblelterelesieot «wUefaeo üaltterKuleltung und des et!?rkeren Teil der t;olXe^tofxul«ltung er^erfrd;.et* ^urch den Pederdruck 4*7 i^ ltternileitym« f *lrd d«e ;--Ibieitejreleiaent In, aeiner Lege gehalte4a und awex eteht dübel ii« . ollektorÄuleituag 3 im
KO Kontakt sit der Elektrode 4f und a er iber β teilende Teil 63 der Bael«elektrode berUiirt dae m&* der B^eEuleitung 4*
mim* Aaordnwg» te! der Ii« Isitt«fi'al#iiiaig f «inen «in«» Knlek h»t, wie dlee Io fif* 7 dfirgeetKfll t let, steht die d·» atgefcogenen Teil· 44 der ftialtt*r»uleitung 2 alt ί$ der ^mitterlekirode 64 In >:onto.tt * ihrend tml einer Äjnordnuii«»
feel S·« die Smittereuleltun« dop elt abgekaiekt iet# mim dl·· I« ftf* 8 derge«teilt let, der ndtell 56 der luleitsm« an der Emitterelektrode 64 i» gleicher fei®· anliegt» wie die tor«uleltttr»f ma &*r Sollektorelektrode 65.
ίύ
m $ m
An Zranalmtor Mt «Intr «tad*r»n ArI το« Iaai§§!Ä*f«Ht· ohn» - iaoft<»n<!rsh* kam* b*i*pieXew«lö· ·© «<ifg»fc*rtii ##£% «i« 41·· la f£f*. 10 6«fgtit«ll% i«t. In di«e«r Figur fan» i£# 0**1·*»-
IS et »tit in
^ teilt UXf «ührendl dl· EoUektorsuleltuftg »II ,-,Iä4rig»» gn^f»»iitr*tt»# am «er KolleJttortltktrod· i«f«s%lf| let» iß flf« f i*-f«lgt 1·%* ^«r Äeiitteriuleltuagairaht SAiia m #1* #t· di·· ie dta ?lt« 7 un4 β iarf**t«Ü* ist* All« AttabiiÄunifafor»«» diea r ittl#i%it»i öiiwS la Iff. ><jütrieb·!* »andeutet un4 »i»4 alt ni»3ri«*e an 4mt
I· 11 *ei«t »la· Äimiloto· Aaorinun« «1· fif# 1 » aur 4««« it· 1$ -Aiu»rttil«itttn$ 2 »lotat *l»3«*ieit»lt int uo<i mit
«It Λ·» Äeitter 64
efeefet. Mn tollÄktor- ha« a**i*el*ktrü3«a *1οΛ in der
Art %«f«»ti«tv wi· ImI #*»
n«·
fif* 1t ««Igt ·!»· ÜrnHeis· Autteilduagefor« r^-eii fig« 1f t our ist tt&ttt ti· Kollektor·!»ktrod« 5 »it niedrig·«
if ti«f##li^fty &<tr it
νΐ·β Figur·» 10» 11 uod If i»t aa* iiiaiilelteriiliiaent $1 auf «el»ktrftd· 66 adt d»r <oll«ktor««ite i>#fo,6ti$t. Bei fy*a*l#t*f*r**& wird da« KaXbl*it»r*l*;i£»nt 61 £siltt«r««lt· fc«f d#r 3ft*i*el«ktr«4· das« 41· Ji*itUr«l»ktr<»d· «β stelle d«r
Äuefcildungefor* dur«b dA* JUooh 67 iß der iaie*lektrod·
lei £«s» ΛΒΟΓθητίβ^ββ nach fig« 1 » ti und If sind m laolierkörper 1 befestigt» win al* la Fig· 4 un<! Bind· Bei den Aaordmmgen »Mb fig» It und 1? wl*4 auch durch ?*** roß, ei&es: oder awtl £*is ehe ^drahten 41# gut*
4m Si« Iv-.ßiaelektrodeiiculftitun^ 4
auf lhr«jr ßan«»u Mi^|« oder #uf «In«» Teil Ihrer Ll^^i» einem «uerisciinitt bat ußd eir.e;. ,r.,t#a -.^r.ueubergi^-s im dem
den /üiordnuTigaii a&eli fig» ? &in tf bewirkt di« iaw«f&iiffi£ von i-ärsii« b«i d«n ^Ie. trudekfiuXeiiu/i-en 1» iOüta t^efciet &lt ä«n ; lektrodeii» AaB dl«aft ech^elE«.. imi »liäem nl©d*rohjalg«n on takt alt i«ß ittleltunssdrü^ten bilde: u-d 4« '..©lnö tuaäti lichen ^eohftRieohea .:r:ift« 0rfor<i*rlicii $isi9 l@f »im» ^ri-β^^ο von -·~ ohaaiöoh·» 3ρε.α;.,ιιη£·η auf «in ,:. i.isioa versilriuert tmt kaKii nocfc felter renaiKdert werden, «n»^i 41« «^aettui^edrlht· ?, f 4 noch dinner geloht »f*ird«n oÄer &.,f «1»«» Teil lhj^r ihr .ueriicimltt
ά*» : altilöiter«l«!*«ut alt 5er ülterun^ verbunden ist» «1*6 ti· (tobtttMkftpf· ÄÄr«äf tei^stlgt* Si· Xapf* ^t in Mg» wini »1% (J«r \ßXt«rwa« ηβοίι fig« 4 ,
mkmppm 135» ti· im FIg* 4 dmrg^sttllt ist, ioo^sir-en alt der alterun« nach ftf * $
I» flf· 14 1st «itt· tmstig» kmr&nmg 4arg««««lltf Wl *·1«3ι·τ <5i· :-ehäuä«kepp« IJI Mit der ; ült^; ^g r^aeh tlf* 5 Vftrbandeo l*)t, 21· K«f p· iet ädt der jm^fiimg ad viirb^den, a α ι der ins» 9«r« rliogf ir.-aict Planacb 132 um. 0ffes%ii . r;de ^7®r apy« la rin«- f:;rAlgen rianech 45 des ^etu:irX:;^6 r*lachen ata ilni$2fi4! Uisd 4? lieft· Dur to»4 42 wlr^ 4iiisii. r^Alal *·*& tau·» gtliof«© «iut ϊ,λ-,ϊγ »κ günz<6ö ----ifiing Ui,d so &r-. ev> de:.. riß|if-:'r3al4jea il;möch f|f Äer ^ap,..e gepresst» daß eich β la Uc ,tor Abs colui ergibt mi Al· eafp· f##t «&t dea Jitetellyftnjs irtrlituaA«^ l#t» 'jTttm 41« i'
2234
«ms iNtttll fceet»ht, kau». 3er ZmimtfomJtwm fet! 141 *»lach*a d«m
lot
In fig» 1$ ist «la« SeMluaftkÄppe tiacfc Fig· 15 mit einer «lterua«
d«r f£*$t· im off«n«B i&i· pit a of dem yiasf flndti«» ^and taliriage ,iufeit«t· $** Qaoit Inn· a ge bo gee· Bt«$ ff d·· trltiebtert de« Aufe«ti:#n der ap «» olm· si* 4ftbei *o da^ el· aiokt auXaJ tat.
ftim ii« i-βρρβ aue Metali be«teht, mrüm sowohl ä*r
auoh öl· l«|»f· T«rrinrit aaä l«ia ::efostlg»n der ,'app« auf eurcb den dabei saftr^toxiden Xiruck bewirkt» i&i la der Kälte f|,l«itt oü dni eich ein© gmi«*, lleiti «wldch·« i«? !mli#ri»i und öar
tf J»doch kann auaeer4«a tvoch Wi Iff K^ieciMß d»ta lnoä der
und d«ai Metftllrlag iot eing*fui; t
dl« Geh*iuö«itfipj· »loht ins# .-^tall bsatoht, kenn dae Lot durch ·1η hHrt«ßiea ^mmtimt* *r*«tir.t
D©r beeohri«b«tt« Sinbau von elelitrlöcb«a K eioh
alt legiert·® "JbergängiK, eoniorri «β %3nn«n beliebig·
auf il··· "5et©*
«öleh·
und dargeats"i tön Ausführungsb©iapiele βο11·β If 4»doch keine 2#echräojctmg ö#r 1S®mwm$, bedeuter,· I«- »led auoh
Aa*führu)tg«foTa»n js glich, bei d»nea <Sae 3la« in
1·§
10
4

Claims (1)

  1. PA 476 391-8.8.59
    1·) Xa ela uehituee eingebaute ©l->'trirtche
    bei der »in : elbleitereleKent «& einer Halterung
    fett «-·1οΗ· aue ·£«·* Uoltiiiritorrkiirper «It guter
    taug «mo iß 41**ea isoliert tröaelnaniier und voa ^«h-lue« ·1η-auf boid*n elte« aus d*a. λeolleretofίkörper ber- £uleitungedr ihten besteht, dadurch gdkennE«lchne die luleltu-.geilr'lhte öo n^£a%ild#t a.n<S sit £*m albleitereleeent Teibund«a aita5f da£ sie eine gut wärmeleitende
    to» Ialblelter«l»nsnt ü.ber den
    bilden.
    iialbleitervorrichtuas ns oh ;,r^3pru<?ü f# 4a4-ar&ll gefcenr et lehnet» daß ml ade« tea« eine ::iektri>ae dt»
    »It eiwea ^ttleitai^edraht rerbunden iet.
    5«) Halbleitejnrorrichtußß iiseb m&zrvch 1 mi t# deduirch gekeon- «eiclmet, daS ei» ?/uleitunii©<iraht» ύ·τ direkt alt einer
    trode äe@ ί «IbleltereletaeGtea verbunden i«tt einen
    mXs die itniereo :
    4·} HaXbIeiterrorriohtttn« nach mepruch % dedjjrch
    net, daß aer ;uexflGimitt de» einen
    »le der filler *»«·*·» ^uleitun^«drähte
    Halbleitervorrichtung η sch . η Spruch 5 und 4» dadiirc-h gekenneiiehaet» daae der ^uleitungertrast alt des friitir·» «uer*
    öohaitt nur eaf eiaea Teil seiner L&Rge «inen gar^saereii uereohoitt ale Hi· ^ndereii ^ulei tucgsdräbte
    m 13 ·
    «34
    S# 4ft6ureb gekennseiofc* da« d«r gröeeere iu#rschnitt 6«* einen luleitung-edrab'-
    tee raa tar KUktrote 4«· ; albi^itereltswnt*» bte am <3«r
    7.) Halbl»iteryvrrl«htan^ aach vna|>ruch *>, dadurch 4#v gru9B0T· u«reovaiitt dea β In« η ZuleltungedraMte· von Llelrtrod« <1·β r^lbl«itöreleae«tee feie tu «er it«
    ^n Oberflnc^ δ«· leolleretoffkir^*re reicht.
    ö.) Halbltiterrorriehtuag nich Anapruoh 1 - 6» dadurch
    «im« frfsr-.elötor «l.»
    gröS«T©m -ueraciinitt alt
    Halblei te rtUaent Rijeh amtpmeM Q# ü ad or ob deß i»* 2ul«itungedraiit für d*a kollektor ·1η·ο I;iarcfaa«ee#r von «tw* 1 m und 41· and tr en : uleltwigodr iht« βία· π Ton «twa 0,5 im
    1,») ;:alt>l«lterTorrichtving naeb n&i,ruch t « f» s;elobn*t, 4*1 <3er leolierat-ff.^jr^er der ölt«rang einen von den ^uleitun«»drähteE laollerten. Uetallr an dea die atiiäueekapye dicht b«faat Ut Ut,
DEI7953U 1958-08-14 1959-08-08 Elektrische halbleitervorrichtung. Expired DE1808381U (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB26120/58A GB891934A (en) 1958-08-14 1958-08-14 Improvements in or relating to semi-conductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1808381U true DE1808381U (de) 1960-03-24

Family

ID=10238696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI7953U Expired DE1808381U (de) 1958-08-14 1959-08-08 Elektrische halbleitervorrichtung.

Country Status (3)

Country Link
BE (1) BE581648A (de)
DE (1) DE1808381U (de)
GB (1) GB891934A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111834302B (zh) * 2020-07-28 2022-03-11 武汉邮埃服光电科技有限公司 一种晶体管管座及晶体管气密封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
GB891934A (en) 1962-03-21
BE581648A (fr) 1960-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE20108250U1 (de) Getränkehalter für eine taillierte Flasche
DE4312048A1 (de) Elektrisch programmierbares Antischmelzelement mit niedrigem spezifischen Widerstand
DE202010017784U1 (de) Vorrichtung zur Zubereitung eines Getränks aus einer Kapsel
DE68925431T2 (de) Alkalische Speicherbatterie
DE3032144A1 (de) Intraokulare linsenanordnung
DE3237385A1 (de) Feingoldlegierungsdraht zum verbinden von halbleiterelementen
DE112016005915T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schmelzsicherung und Schmelzsicherung
DE4325464A1 (de) Akkumulator mit Kunststoffgehäuse
DE60131592T2 (de) Sicherung ohne Endkappe
DE1808381U (de) Elektrische halbleitervorrichtung.
DE2360822C2 (de) Halterung für Sicherungspatronen
DE3247191A1 (de) Flache batterie
DE69936294T2 (de) Verfahren zur Verfestigung von Ni-Ti teile in einer Brille.
DE2147607A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE69728479T2 (de) Gesockelte elektrische Lampe
DE69016747T2 (de) Knopfzelle mit Leiteranschlüssen.
DE602004002813T2 (de) Intraocularlinse
DE19611699C1 (de) Filter-Steckverbinder mit Abschirmgehäuse
EP0274012B1 (de) Anschlussbuchse
DE102015121818A1 (de) Durchführung eines medizinelektronischen Geräts, Verfahren zur Herstellung einer solchen und medizinelektronisches Gerät
DE112020004400T5 (de) Zünder-Baugruppe und Verfahren zum Zusammenbau derZünder-Baugruppe
EP0292915A1 (de) Empfängnisverhütende Vorrichtung
DE1925509A1 (de) Kondensatorabdeckung
DE202017007353U1 (de) Zylindrische Batterie oder Knopfbatterie
DE3340764A1 (de) Getteranordnung fuer eine kathodenstrahlroehre