DE1806543A1 - Verflochtene Stromimpuls-Konfigurationen - Google Patents

Description

Western Electric Company Incorporated J· D. Heightley 2-1-4

New York, N. Y., 10007, USA

Verflochtene Stromimpuls-Konfigurationen

Die Erfindung betrifft die Steuerung von Treibstromimpuls-Konfigurationen.

Ladungsspeicherdioden sind zur Festlegung der Form von Impulsen zweckmäßig. Sie sind jedoch üblicherweise nur zur Erzeugung einer einzigen Impulsform in einem gegebenen System benutzt worden. Es war keine zweckmäßige Anordnung verfügbar, um dfe Konfiguration von Impulsen in einer Impulsfolge mit hoher mittlerer Impulswiederholungsfrequenz umzuschalten. So war es beispielsweise nicht einfach, in schneller Folge Impulse mit genau geregelten Amplituden zu erzeugen, deren Anstiegszeit im Bereich von 10 Nanosekunden liegen. Einige typische Schwierigkeiten bei Versuchen in dieser Richtung waren der Durchbruch sowie die Erhitzung von Transistoren und die Kapazität von Schaltungs elementen. Alle diese Schwierigkeiten treten auf, wenn man die Konfiguration eines Stromimpuls εφ ei hohen Geschwindigkeiten steuern will.

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Bestimmte Magnetspeichersysteme, beispielsweise solche, bei denen ein elektrisches Einschreiben und ein nichtzerstörendds Lesen möglich ist, verwenden Lese- und Schreib-Treibimpulse unterschiedlicher Größe. Nicht alle Systeme dieser Art lassen sich jedoch mit hoher Geschwindigkeit betreiben. Gewisse Magnetspeichersysteme liefern Treibimpulse der gewünschten variablen Konfiguration mit angemessener Geschwindigkeit, da die Speicherelemente so lange Operations zeiten aufweisen, daß die Treibschaltungen ohne Schwierigkeit die Treibimpulskonfigurationen zur Anpassung an die Anforderungen des Sp eicher systems ändern können» Neuere Speicherverfahren, beispielsweise mit Magnetmaterial beschichtete Drahtspeicher, ermöglichen höhere Geschwindigkeiten. Die bekannten Verfahren sind dann nicht mehr brauchbar, um die Treibimpulskonfigurationen so schnell zu ändern, daß die Vorteile dieser hohen Geschwindigkeiten voll ausgenutzt werden können.

Ein wesentlicher Punkt für die Güte eines Impuls konfiguration-Umschaltverfahrens ist die Genauigkeit, mi, .'er sich die Impuls amplitude und die Steilheit der Anstiegszeit steuern lassen. So kann ein Dünnfilm-Magnetspeichersystem, das in einem Aufsatz "High Speed Plated Wire Memory System¹¹ von

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Siguard G. Waaben in ¹¹IEEE Transactions in Electronic Computers, Vol. EC-16, Nr. 3, Juni 1967, Seiten 335-343 beschrieben ist, in einer nichtzerstörenden Lese-Arbeitsweise betrieben werden, bei der eine genaue Steuerung der Amplitude der Lesetreibimpulse wünschenswert ist, um eine Zerstörung der gelesenen Informationen zu vermeiden. Bei einem solchen Speicher ist es außerdem erwünscht, eine einheitliche Treibimpuls-Anstiegsgeitsteilheit aufrecht zu erhalten, um die genaue Anzeige der aus dem Speicher gewonnenen Informationen zu erleichtern.

Es sind Schaltungsanordnungen bekannt, bei denen eine Schaltung benutzt wird, um eine kapazitives Element mit einer Polarität aufzuladen, und später, eine andere Schaltung, um das Element plötzlich zu entladen. Die in solchen Schaltungen normalerweise verwendeten Kondensatoren sind jedoch da- "

durch gekennzeichnet, daß sich die Spannungsdifferenz über dem Kondensator als Funktion der Restladung ändert. Folglich können solche Kondensatoren nicht ohne weiteres in Reihe mit einer Konstantspannungsquelle benutzt werden.

Die Erfindung hat sich demgemäß die Aufgabe gestellt, die Verfahren zur willkürlichen Auswahl individueller Impuls-

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konfigurationen in einer Impulsfolge zu verbessern.

Zur Lösung dieser Aufgabe Jjeht di_e Erfindung aus von einer Treibschaltung zur wahlweisen Lieferung von Treibimpulsen unterschiedlicher Form mit einer asymmetrisch leitenden Einrichtung, die beim Stromdurchgang in einer Richtung Ladungsträger speichern kann, und mit Schaltmitteln, die der Einrichtung Ladungsimpulse in der einen Richtung zuführen. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Steuerschalter in einer die Einrichtung enthaltenden Reihenschaltung zwischen zwei Ausgangsklemmen liegt, daß der Steuerschalter abwechselnd mit den Schaltmitteln arbeitend die Einrichtung in der anderen Richtung entlädt und daß die Schaltmittel Schaltungen enthalten, die wahlweise unterschiedliche Integrale des Stroms mit Bezug auf die Zeit zur Aufladung der Einrichtung auf entsprechend unterschiedliche Ladungswerte liefern.

Ausführungsbeispiele der Erfindung weisen den Vorteil auf, daß eine Folge von willkürlich wählbaren Impuls konfigurationen mit hoher mittlerer Impulswiederholungsgeschwindigkeit erzeugt werden kann.

Es ist daher möglich, den Durchsatz von Magnetspeichersystemen

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dadurch zu erhöhen, daß deren Treibschaltungen mit hoher Geschwindigkeit und vor der Ausführung einer Bedienungsanforderung in Bereitschaft versetzt werden, so daß sie optimal auf eine Bedienungsanforderung ansprechen kann.

Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Ladungsmenge gesteuert, die einer Ladungsspeicherdiode in

einer T reib schaltung zur Lieferung von Impulsen zugeführt \

wird. Die Diode ist in einer Entladungsschaltung angeordnet, deren Impedanz wesentlich kleiner als die Impedanz der Last ist, die bei der Entladung der Diode beaufschlagt werden soll.

Ausgangsimpulse der Treibschaltung besitzen eine im wesentlichen einheitliche Steilheit der Anstiegszeit, und die Spitzenamplitude jedes Impulses ist eine im voraus bestimmbare

Funktion der Ladungsmenge, die der Ladungs speicher diode g

eingegeben worden ist.

Bei Anwendung der Erfindung auf ein Magnetspeicher system kann die Auswahl der Ladungsmenge für die Diode durch eine zentrale Steuerung für das Speichersystem erfolgen, derart, daß die Ladung den Anforderungen für das Lesen, Schreiben oder anderen Betriebsweisen des Speichers entspricht.

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An die Diode läßt sich ein Haltekreis anschalten, der außerdem so betätigt werden kann, daß eine erreichte Amplitude der Treibschaltungs-Ausgangsimpulse für eine vorbestimmte Zeit nach der Entladung der Ladungsspeicherdiode gehalten wird.

Die Steilheit der Anstiegszeit für die Treibschaltungs-Ausgangsimpulse sowie die Verweilzeit lassen sich elektrisch steuern.

Die Verwendung einer Ladungsspeicherdioden«Treibschaltung mit wählbar er Ladung in Verbindung mit einem Dünnfilm-Magnetspeicher schafft die Möglichkeit, daß der Speicher in besserer Übereinstimmung mit den möglichen Betriebsgeschwindigkeiten von Dünnfilm-Magnetspeicher elementen arbeitet.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen noch genauer beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 ein vereinfachtes Blockschaltbild eines Speichersystems unted Verwendung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung;

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Fig. IA eine Abänderung des Systems nach Fig. 1;

Fig. 2 eine vereinfachte Darstellung einer Form eines Speicherelementes, das sich zweckmäßig in dem System nach Fig. 1 verwenden läßt;

Fig. 3 eine idealisierte Stromkurve zur Erläuterung eines Merkmals der Erfindung;

Fig. 4 ein Schaltbild einer Wortstrom-Steuerschaltung, die in dem System nach Fig. 1 benutzt wird;

Fig. 5 eine Gruppe von Kurven, die auf einen gemeinsamen Zeitmaßstab bezogen sind und die Operation der Schalung nach Fig. 4 erläutern;

Fig. 6 ein Schaltbild einer abgeänderten Wortstromsteuers ehaltung.

Bei dem Speichersystem in Fig. 1 ist eine Wortstrom-Steuerschaltung 10 einem Magnetspeicher 11 zugeordnet. Dabei handelt es sich mit Vorteil um einen Speicher, bei dem Treibsignale unterschiedlicher Amplitude zur Ermöglichung eines nichtzerstörenden Lesens benutzt werden. Ein Beispiel für einen solchen Speicher ist der Dünnfilm-Magnetspeicher nach dem obengenannten Aufsatz. Ein solcher Speicher enthält, wie

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in Fig. 2 dargestellt, eine Wort-Treibschaltung 12, die Treibstromimpulse an eine Wortspule 13 gibt. Diese ist magnetisch mit einem elektrischen Leiter 16 verkettet, der rundherum mit Magnetmaterial 17 beschichtet ist. Zifferntteib- und Abfühlschaltungen 18 sind mit dem Leiter 16 verbunden. Sie wirken mit der Worttreibschaltung 12 zusammen, um eine Information in dem unter der-Wortspule 13 liegenden Teil des Magnetmaterials 17 zu speichern und aus ihm abzulesen. Das Magnetmaterial ist zweckmäßig win anisotropes Dünnfilm-Magnetmaterial, das im wesentlichen rechteckige Hysterese in einer Richtung leichter Magnetisierbarkeit zeigt, welche in Umfangsrichtung um den Draht 16 führt. Die Einzelheiten des Betriebs für einen Speicher dieser Art finden sich in dem obengenannten Aufsatz.

Gemäß Fig. 1 liefert eine zentrale Steuerung 19 ein Kommandosignal an eine Zeitsteuerungs schaltung 20, die unter Verwendung dieses Signals verschiedene Zeitsteuerungs signale an eine Anzahl von Bauteilen des Speichersystems gibt. Dies ist bekannt. Eines dieser Zeitsteuerungs signale wird jedoch an die im folgenden noch genauer zu beschreibende Wortstrom-Steuerschaltung 10 angelegt. Das Zeitsteuerungs signal kann eine Folge von Impulsen entsprechend den in Fig. 5 gezeigten

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gemeinsamen Zeitsteuerungsimpulsen enthalten. Die zentrale Steuerung 19 liefert außerdem über eine Datensammelleitung und ein Datenregister 22 Daten an den Speicher. Die Ausgangssignale des Registers werden über Ziffern-Logikschaltungen gegeben, um eine Quelle zum Einschreiben von Informationen in den Speicher 11 auszuwählen. Ziffern-Schreibtreiber 26 sprechen aufdie Aus gangs signale der Ziffernlogik 23 an und liefern Ziffern-Einschreibimpulse an geeignete Speicherschal- ä

tungen in Abhängigkeit von den von der Zentralen Steuerung 19 gelieferten Daten.

Eine Adressensammelleitung 27 überträgt Speicheradressensignale von der zentralen Steuerung 19 über ein Adressenregister 28, einen Adressenumsetzer 29 und Speicherzugriffsschaltungen 30 an den Speicher 11. Bei einem Dünnfilmspeicher mit beschichteten Drähten werden Informationen in den Speicher eingeschrieben, in dem Impulse aus den Ziffern-Schreibtreibern 26 an gewählte Ziffernleitungen zu einer Zeit gegeben werden, die die Rückflanke von Wort-Schreib-Treibimpulsen überlappen, welche über die Speicher zugriff sschaltungen30 an eine Wortspule des Speichers geliefert werden. Die Ziffernimpulse kippen dann die Magnetisierung des Magnetfelms entsprechend der fiblarität des Zifferntreiblmpulses

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in Umfangsrichtung zu einem Zeitpunkt, wenn dje Wortmagnetisierung oder Magnetisierung in schwerer Richtung von dem Film weggenommen wird. Ein Lesen aus dem Speicher wird erreicht, in dem auf ähnliche Weise ein Treib-.* impuls an eine Wortspule gegeben wird, die durch die von der zentralen Steuerung 19 gelieferte Adresse angegeben ist. Dadurch wird die Magnetisierung im beeinflußten Teil des Magnetmaterials auf jeder Ziffernleitung in ihre schwere Richtung gedreht und ein Signal entsprechender Polarität in dem zugeordneten Zifferndraht induziert. Die Größe des so angelegten Lesetreibsignals bestimmt, ob das Lesen zerstörend oder nichtzerstörend ist. Die im Draht 16 während einer Leseoperation induzierten Signale werden Zifferndetektoren zugeführt. Deren Äusgangssignale werden zum erneuten Einschreiben in den Speicher 11 zurückgeführt oder von der zentralen Steuerung 19 oder anderen Schaltungen als Datenausgangssignale verwendet.

Die zentrale Steuerung 19 liefert auf einer Sammelleitung 32 Arbeitsweisen-Steuersignale, die die Wortstrom-Steuerschaltung 10 veranlassen, über die Speicherzugriffsschaltungen 30 Worttreibimpulse einer Konfiguration abzugeben, welche für die von der zentralen Steuerung 19 verlangte Speicher-Arbdits-

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weise geeignet ist. Wie im Fall der oben erwähnten Zeitsteuerungssignale gehen Arbeitsweisen-Steuersignale auch zu anderen Zeilen des Speicher systems. Diese weiteren Verbindungen sind jedoch nicht dargestellt, da sie für das Verständnis der erfindungsgemäßen Ausführungsbeißpiele nicht erforderlich sind.

Fig. 3 zeigt ein zusammengesetztes Diagramm von einander ^

überlagerten, unterschiedlichen, idealisierten Wortstrom-Impuls konfigurationen für verschiedene Arbeitsweisen des Speichers 11. Die Impulskonfigurationen nach Fig. 3 sind diejenigen, die tatsächlich in Abhängigkeit von der Wörtstrom-Steuerschaltung 10 an Wortspulen, beispielsweise die Spule 13, im Speicher 11 angelegt würden. In der überlagerten Form nach Fig. 3 haben die Impulse einen gemeinsamen Start-Zeitpunkt t und unterschiedliche Dauer für die verschiedenen Arbeitsweisen. Fig. 3 zeigt jedoch die Übereinstimmung bezüglich der Steilheit ihrer Anstiegszeit.

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Die Nurlese-Operation ist die am häufigsten in Datenverarbeitungsanlagen benutzte Operation. Bei einem Speicher mit beschichteten Drähten, der die Möglichkeit einer nichtzerstörenden Ablesung besitzt, hat der Nurlese-Treibimpuls eine kleinere Amplitude als andere Treibimpulse, um die Zerstörung von Informationen im Speicher zu vermeiden. Folglich besitzt der Nurlese-Impuls eine kürzere Anstiegs- und Abfallzeit als andere Speicherimpulse und benötigt bis zu seiner Beendigung die kürzeste Zeitspanne. Der Nurlese-Impuls in Fig. 3, der zum Zeitpunkt t_n beginnt, erreicht seine Spitzenamplitude zum Zeitpunkt t... Dies wird auf eine Weise erreicht, die in Verbindung mit Fig. 4 erläutert werden soll. Der Nurlese-Impuls endet zum Zeitpunkt t_o. Ein solches Lesen aus dem Speicher wird beispielsweise benutzt, um gespeicherte Programmbefehle oder Daten zu gewinnen, die bei der Ausführung von Programnabefehlen verwendet werden.

Der Nurschreib-Impuls in Fig. 3 beginnt zum Zeitpunkt t , hat seinen Spitzenwert zum Zeitpunkt t und endet zum Zeitpunkt t.. Die Nur Schreiboperation wird weniger häufig als die Nurlese-Operationen verwendet, so daß seine größere Dauer keine übermäßig große zeitliche Belastung darstellt. Beispielsweise wird sie wiederholt zur Einspeicherung von Programmblöcken

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und Datenworten vor der Ausführung eines Programms verwendet. Die größere Amplitude des Nurschreib-Impiälses beaufschlagt die Wortspule stärker und bewirkt demgemäß eine größere Drehung der Magnetisierung in den beeinflußten Tßilen des Magnetfilms 17. Ein während der Rückflanke des Nurschreib-Impulses auf dem Wort-Stromkreis angelegter Ziffernstromkreis-Impuls kippt die Magnetisierung in dem beeinflußten Speicherelement in eine gewünschte Richtung. Offensichtlich verursacht der Nurschreib-Impuls ein zerstörendes Lesen, das bei Bedarf zur Verfügung steht.

Der Lese-Änderungsimpuls beginnt zum Zeitpunkt t und erreicht seinen Spitzenwert zum Zeitpunkt t wie der Nurschreib-

impuls. Der Lese-Änderungsimpuls besitzt jedoch ein Dach bei etwa seiner Spitzenamplitude, das sich bis zum Zeitpunkt t

erstreckt, zu dem die Rückflanke des Impulses beginnt. Der Impuls endet zum Zeitpunkt t_. Bei der Lese-Änderungsarbeits-

weise kann ein Wort zerstörend aus dem Speicher gelesen, dort ein Hinweis-Bit geprüft und das gleiche Wort oder ein anderes Wort während der Rückflanke des Impulses zurück in den Speicher gegeben werden. Die Länge des Daches für den Lese-Änderungsimpuls ist durch das Programm bestimmt und eine Funktion der Zeit, die zur Durchführung von externen Opera-

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tionen zwischen der Speicherlese- und Schreiboperation benötigt wird„ Die Lese-Änderungsarbeitsweise ist außerdem zweckmäßig zum Austausch von Informationen zwischen einem Speicher 11 mit willkürlichem Zugriff und einem (nicht gezeigten) Großspeicher, beispielsweise einem Plattenspeicher, der oft in Datenverarbeitungsanlagen verwendet wird. Bei einem solchen Informationsaustausch gewinnt man durch-eine von der zentralen Steuerungl9 gelieferte Adresse Zugriff zu einer bestimmten Wortstelle. Die Information in dieser Wortstelle wird zerstörend aus dem Speicher 11 gelesen und in den erwähnten Plattenspeicher mit Hilfe eines an diesem angeordneten Schreibkopfes eingeschrieben. Sobald die Übertragung an den Plattenspeicher beendet ist, liefert der Lesekopf aus diesem Speicher eine neue Gruppe von Informationen an die Ziffernstromkreise des Speichers 11, um die Informationen in den Speicher 11 während des Schlußabschnittes des gleichen Lese-Änderungsimpulses einzuschreiben.

Die Wortstrom-Steuerschaltungen 10 ermöglichen das Ineinanderschieben der verschiedenen Impulse der in Fig. 3 gezeigten Art. Das soll nachfolgend beschrieben werden. Das Ineinanderschieben erfolgt auf beliebige Weise in Abhängigkeit von der zentralen Steuerung 19 und mit hoher Geschwindigkeit, die an

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die Betriebseigenschaften der Dünnfilm-Magnetspeieherelemente angepaßt ist. Bei diesem Ineinanderschieben mit hoher Geschwindigkeit werden jedoch die Amplitude und die Steilheit der Anstiegszeit für die Impulse auf einfache Weise, aber genau, gesteuert.

Die Wortstrom-Steuerschaltung 10 ist im einzelnen in Fig. 4

dargestellt. Eine Lastschaltung 33 weist eine Spule 36 und einen f

Kondensator 37 auf, die über den Ausgangsanschlüssen 38 und der Steuerschaltung 10 liegen. Die Spule 36 und der Kondensator 37 sind parallelgeschaltet und stellen die Ersatz-Impedanz der Speicherzugriffsschaltung 30 und des Speichers 11 dar, gesehen von den Ausgangsanschlüssen der Steuerschaltung 10. Außerdem liegt ein Widerstand 40 über den Anschlüssen 38 und 39. Er stellt einen Nebenschluß zur Entladung von durch den Kondensator 37

dargestellten Streukapazitäten dar.

Die Arbeitsweisen-Sammelleitung 32 in Fig. 1 weist Zweidraht-Stromkreise zur Lieferung von Diodenladesignalen an die Eingangsanschlüsse 41 auf, sowie von Schaltamplituden-Signalen an die Eingangsanschlüsse 42 und von Haltesignalen an die Eingangsanschlüsse 43 der Wortstrom-Steuerschaltung 10. Gemeinsame Zeitsteuerungssignale erscheinen in Fig. 4 an Ein-

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gangsanschlüssen 46 und werden von der Zeitsteuerung 20 in Fig. 1 über den ZeitsteuerungsStromkreis geliefert. Jede Operation der Wortstrom-Steuerschaltung bewirkt, daß einem entsprechenden Aus gangs impuls ein Zeitintervall vorausgeht, in welchem eine Ladung einer Ladungsspeicherdiode 47 aufgedrückt wird, die schematisch in Form einer Diode mit einem Kondensator an ihrem Kathodenanschluß dargestellt ist. Eine Ladungsspeicherdiode speichert Minoritätsladungsträger, wenn ein elektrischer Strom in Durchlaßrichtung über die Diode fließt. Die gespeicherten Minoritätsladungsträger können nachfolgend durch Zuführen eines Sperrstromes aus der Diode entfernt werden. Dabei stellt die Diode eine extrem kleine Impedanz für den Strom in Sp er richtung dar.

Eine große Anzahl von Halbleiterdioden, die seit vielen Jahren bekannt sind, können zumindest in gewissem Umfang als Ladungsspeicherdioden arbeiten. Heute sind jedoch Ladungsspeicherdioden verfügbar, die speziell zur Ausnutzung des Ladungsspeichereffektes ausgebildet sind. Die Haupt vorteile einer Ladungs speicherdiode sind die niedrige Impedanz, die sie während des Sp err strom-Intervalls darstellt, die Begrenzung der Sperrstrom-Amplitude durch die Größe der in der Diode gespeicherten Ladung und die plötzliche Beendigung des Sperr-

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stromes nach Entfernen der Ladung. Diese plötzliche Beendigung unterscheidet sich vorteilhaft von der asymptotischen Entladungs be endigung, doe für normale Kondensatoren kennzeichnend ist.

Alle in Fig. 4 gezeigten und bei der Erläuterung der dargestellten Schaltung zubesprechenden Transistoren werden im Sättigungsbereich als Schalter betrieben. Sie sind also im Normalfall nichtleitend, werden aber beim Anlegen einer entsprechenden \ Basis-Emitterspannung in den gesättigten oder nichtlinearen Leitzustand gebracht, der jeweils durch die zwischen den Kollektor- und den Emitter eines bestimmten Transistors geschalteten Stromkreis bestimmt wird. Dieser Betrieb eines Transistors und seiner Schaltung ist bekannt. Folglich sollen Einzelheiten der zugeordneten Schaltelemente zur Erzielung eines solchen Ergebnis de, d.h., Einzelheiten der Vorspannung, der Dämpfung, einer Kopplung zur Erhöhung der Schaltge- g schwindigkeit und ähnliches nicht erläutert werden.

Dioden-Ladungsimpulse gemäß Fig. 5 werden an Eingangsanschlüsse 41 in Fig. 4 angelegt und lassen einen Transistor 48 leiten. Das Ausgangs signal dieses Transistors wird induktiv auf zwei weitere Transistoren 49 und 50 gekoppelt und bringt diese auf ähnliche Weise zum Leiten. Dabei entsteht eine

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Schleifenschaltung, die eine Spannungsquelle, dargestellt durch eine Batterie 51 mit geerdetem positivem Anschluß, enthält, ferner eine Längsdrossel, dargestellt durch zwei gekoppelte Spulen 52 und einen Kondensator 53, der einen Wechselstrom-Nebenschluß in der Schleife und für die Batterie 51 ergibt. Die Schleifenschaltung geht von einem Anschluß 54 der Spannungsquelle aus und führt über eine gemeinsame Leitung 56, einen Widerstand 57, einen Widerstand 58, den Transistor 50, eine Ladungsspeicherdiode in Durchlaßrichtung, einen Widerstand 59 und den Transistor 49 zurück zum anderen Anschluß 60 der Spannungsquelle.

Die Aus gangs spannung der Batterie 51 und der Wert der Widerstände 57 und 58 legen die Höhe des Stromes fest, der während des Dio den- Ladungs impuls es an den Eingangsanschlüssen 41 über die Diode 47 fließt. Der Widerstand 59 ist klein im Vergleich zu den Widerständen 57 und 58 und bewirkt eine Strombegrenzung für den Fall eines Fehlers anderer Bauteile. Der der Diode 47 zugeführte Stromimpuls in Durchlaßrichtung bringt eine Ladung in die Diode ein, die durch die Größe und Dauer des Durchlaßstromes bestimmt wird und ausreicht, um nachfolgend einen Diodenausgangsimpuls vorbestimmter Maximalamplitude zu erzeugen. Die

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zugeführte Ladung ist also gewissermaßen sowohl zeit- als auch amplitudenbegrenzt durch die Dauer und Amplitude des Diodenladungsimpulses. Die genaue Form des Impulses ist solange nicht kritisch, als das Integral des Stromimpulses mit Bezug auf die Zeit hinreichend definiert ist. Eine solche Definition des Integrals läßt sich verhältnismäßig leicht mit bekannten Schaltungselementen erreichen, ohne daß die pben erwähnten Probleme hinsichtlich eines Transistor-Durchbruchs, einer Transistor-Erhitzung sowie der Kapazität von Schaltungs elementen auftreten. Die Probleme sind solange nicht vorhanden, als genügend Zeit zur Zuführung der erforderlichen Ladung mit niedrigem Strom über ein Zeitintervall zur Verfügung steht, das etwas länger als das Zeitintervall ist, das später zur Beseitigung der Ladung mit hohem Strom benötigt wird.

Am Ende eines Diodenladungsimpulses würde normalerweise die Ladung in der Diode 47 sich zu verringern beginnen, und zwar als Ergebnis der normalen Träger-Rekombination in der Halbleiterdiode 47. Bei den hier betrachteten Operationen hoher Geschwindigkeit bleibt jedoch die geladene Diode nicht für längere Intervalle unbenutzt, bevor sie absichtlich entladen wird. So zeigt auch Fig. 5, daß die an die Eingangs anschlüsse 46 ange-

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legten gemeinsamen Zeitsteuerungsimpulse beinahe unmittelbar dem Ende der Dioden-Ladungsimpulse folgen.

Jeder gemeinäame Zeitsteuerungsimpuls betätigt einen Transistor 61 und das Ausgangssignal dieses Transistors koppelt induktiv eine Einschaltspannung an einen weiteren Transistor 62, wodurch ein Entladungsweg für die Ladungsspeicherdiode 47 geschlossen wird. Wenn der Transistor 62 zu leiten beginnt, fließt ein Entladungsstrom aus der Diode 47 über einen Weg kleiner Impedanz zwischen den Ausgangsanschlüssen 38 und 39. Dieser Entladungsweg kleiner Impedanz führt vom Emitter des Transistors 62 über die Ladungsspeicherdiode 47 in Sperrichtung, eine Diode 63, eine Spannungsquelle, die durch eine überbrückte Batterie 66 dargestellt ist, eine Leitung 67 und die Last 33 zum Kollektor des Transistors 62. Während eines Dio denladungs impuls es verhindert die Diode 63, daß Ladungs strom von der Batterie 51 über die Leitung 56 und die Spannungsquellenanschlüsse 68 und 69 unter Umgehung der Widerstände 57 und 58 sowie des Transistors 50 zur Diode 47 fließt. Auf den ersten Blick könnte man meinen, daß die gemeinsame Leitung 56 zur Vermeidung der zusätzlichen Diode 63 zwischen den Anschlüssen 68 und dem Widerstand 57 unterbrochen werden könnte, aber dann würde der

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vorstehend beschriebene Diodenladungs Stromkreis mit Bezug auf die übrigen Teile der Steuerschaltung 10 auf keinem definierten Potential liegen, so daß die Möglichkeit besteht, dass äußere Störsignale, für die die Drosselspulen 52 eine hohe Impedanz darstellen, induziert werden und eine fehlerhafte Ladung in der Diode 47 erzeugen.

Die Batterie 66 liegt mit ihrem positiven Anschluß an Erde und ist mit den Anschlüssen 68 und 69 über eine weitere Längsdrossel mit den Spulen 70 verbunden. Außerdem ist die an die Anschlüsse 68 und 69 gelieferte Ausgangsspannung der Batterie 66 einstellbar, wie dies schematisch durch den über den Batterieanschlüssen liegenden Spannungsteiler 71 dargestellt wird. Die Einstellung des Spannungsteilers 71 beeinflußt die Steilheit der Anstiegszeit für die Impulse des Worttreibstromes zum Speicher.

Der oben aufgeführte Entladungsweg der Diode 47 ist in Fig. 4 durch stark ausgezogene Linien angegeben. Er weist eine wesentlich kleinere Impedanz für den Entladungsstrom auf als die Last 33. Es muß dafür Sorge getragen werden, daß der beschriebene Entladungsweg so kurz als möglich ist, ohne daß größere Streukapazitäten zwischen den beiden Seiten

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der durch den Weg geformten Schleife eingeführt werden. Dann bleibt die Treibimpedanz wesentlich kleiner als die Lastimpedanz. Die Bedeutung dieser Impedanzverhältnisse soll nachfolgend erläutert werden. Wenn die Ladung der Diode 47 entfernt ist, hört die Leitung der Diode sehr schnell auf. Dies läßt sich anhand der Kurven für den Strom der Ladungsspeicherdiode in Fig. 5 feststellen. Der Zeitpunkt, zu dem die Entladung endet, markiert den Spitzenwert des an den Speicher 11 gelieferten Worttreibstromes. Dies ist ebenfalls in Fig. 5 zu erkennen. Es ist jedoch eine längere Zeit erforderlich, damit der Worttreibstrom auf Null abfällt, da die in den Streukapazitäten der Last 33 angesammelte Ladung über den Widerstand 40 abfließen muß. Dessen Wert ist so gewählt, daß sich eine gewünschte Wortstrom-Abfallzeit ergibt, die mit Vorteil so bestimmt ist, daß sie etwa gleich der Anstiegszeit ist. Dies ist in den Fig. 3 und 5 gezeigt. -

Die gemeinsamen Zeitsteuerungsimpulse enden zu einem geeigneten Zeitpunkt nach dem Ende des Treibimpulses für die Last 33. Sie sollen natürlich nicht vor dem Ende der Stromleitung über die Diode 47 aufhören. Das ist deswegen erforderlich, damit die Diode ohne Schwierigkeiten in der Lage ist, die induktive Stoßspannung von der Last 33 wegen ihrer natür-

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lichen Eigenschaften am jSnde des Treibstromes aufnehmen kann. Zu diesen Eigenschaften zählen im Vergleich zu Transistoren eine höhere Widerstandsfähigkeit gegen einen Spannungsdurchbruch, kleinere Kapazität und die Erzeugung einer kleineren "Wärme bei der Stromunterbrechung. Es hat sich gezeigt, daß bei Verwendung eines einzelnen Transistors 62 zur Beendigung des Treibstromes für die Last, dieser viel

weniger zur Aufnahme der Spannungsbeanspruchung geeignet Λ

ist und häufig ausfallt.

Es wurde bemerkt, daß der Entladungsweg für die Diode 47 kleine Impedanz mit Bezug auf die Last 33 bei Ausführungsbeispielen hat, bei denen die Wortstrom-Steuerschaltung 10 in Verbindung mit einem Dünnfilmspeicher benutzt wird, beispielsweise dem durch das beschichtete Drahtspeicherelement in Fig. 2 dargestellten Speichers.

Die Schaltung gemäß Fig. 4 wird normalerweise bei hohen Frequenzen betrieben, bei^ denen es den Anschein haben könnte, daß der Ersatzkondensator 37 eine sehr kleine Impedanz hat. Der Kondensator 37 stellt jedoch Streuimpedanzen dar und weist eine kleine Kapazität auf, die schnell bei Beginn jedes von den

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Anschlüssen 38 und 39 kommenden Treibimpulses aufgeladen wird. Danach ist während dieses Impulses der Kondensator im wesentlichen unwirksam und bewirkt keine Erniedrigung der Impedanz der Last 33. Die Last zeigt eine verhältnismäßig konstante Impedanz, die einen verhältnismäßig konstanten induktiven Blindwiderstand enthält. Dieser Blindwiderstand ist vergleichsweise konstant in beschichteten Drahtspeichern, bei denen der induktive Blindwiderstand der Wortspule groß im Vergleich zu möglichen Änderungen der induktiven Belastung aufgrund von Änderungen der in den Magnetelementen gespeicherten binären Informationen ist. Es wird sich nachfolgend zeigen, daß die Verwendung einer Last mit konstantem induktiven Blindwiderstand mit Vorteil benutzt wird, um Treibimpulse unterschiedlicher wählbarer Konfigurationen an den Speicher zu geben.

Ein weiterer Vorteil beruht auf der Tatsache, daß, soweit es die Ausgangsanschlüsse 38 und 39 betrifft, die Wortstrom-Steuerschaltung 10 als Konstantspannungsquelle wirkt. Der Spannungsteiler 71, der die von der Batterie 66 abgeleitete Ausgangsspannung festlegt, wird normalerweise während des Betriebs, nämlich nicht verstellt, und die an den Anschlüssen

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68 und 69 erscheinende Ausgangs spannung ist konstant. Der Diode 47 werden auf eine noch zu beschreibende Weise unterschiedliche Ladungsbeträge zugeführt, aber diese ändern nur die Ladung der Diode ohne die Klemmenspannung über der Diode wesentlich zu beeinflussen. Eine Eigenschaft dieser Dioden ist die, daß, solange eine Ladung in ihnen gespeichert ist, die Spannungsdifferenz über den Diodenanschlüssen unabhängig von der vorhandenen Ladungsmenge im wesentlichen g konstant ist. Da die Ausgangs spannung der Schreibsteuerquelle 10 im wesentlichen konstant ist und da die hier dargebotene Last einen im wesentlichen konstanten induktiven Blindwiderstand aufweist, ist die Steilheit der Anstiegszeit für alle von der Schaltung 10 an die Last 33 angelegten Aus gangs impulse im wesentlichen ebenfalls konstant. Diese konstante Steilheit der Anstiegszeit ist im Diagramm der Fig. 3 und im Diagramm 5 für den zum Speicher gehenden Treibstrom zu erkennen^

Es ist ein weiterer vorteilhafter Sekundär effekt vorhanden, der sich aus der konstanten Steilheit für die Anstiegszeit der Ausgangsimpulse für die Wortstrom-Steuerschaltung 10 ergibt. Die konstante Steilheit bedeutet, daß die Spitzenamplitude der Ausgangsimpulse an den Anschlüssen 38 und 39 sich leicht vor-

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hersagen läßt, so daß Ausgangsimpulsen für eine nichtzerstörende Leseoperation eine maximal mögliche Amplitude bei minimalen Anforderungen an die Sicherheitsgrenzen zur Vermeidung einer Zerstörung der gelesenen Information gegeben werden kann. Es ist richtig, daß eine Änderung der Ladungsmenge für die Diode 47 auch die Spitzenamplitude der Ausgangsstromimpulse der Schaltung 10 beeinflußt. Dieser Einfluß ist jedoch verhältnismäßig grober Art. Die Einstellung des Spannungsteiler 71 ändert die Ausgangsspannung der Wortstrom-Steuerschaltung 10 und beeinflußt folglich die Steilheit der Ausgangsstrom-Anstiegszeit, um eine Feinsteuerung der Ausgangsstrom-Spitzenamplitude für jede gegebene Ladungsgröße der Diode 47 zu bewirken.

Wenn eine Nurschreib-Operation durchzuführen ist, hemxxkk bewirkt die zentrale Steuerung 19, daß die Arbeitsweisen-Sammelleitung 32 in Fig. 1 an die Schreibstrom-Steuerschaltung 10 einen Amplitudenschaltimpuls koinzident mit einem Diodenladungsimpuls 72 anlegt. Der Amplitudenschaltimpuls liegt an den Anschlüssen 42 in Fig. 4 und bringt die Transistoren 73 unfl 76 zum Leiten, so daß der letztgenannte Transistor einen Nebenschluß kleiner Impedanz für den Widerstand 57 darstellt. Diese Widerstandsverringerung im Lade-

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Stromkreis für die Diode 47 bedeutet, daß während der Nur« schreib-Operation ein höherer Strom an die Diode gegeben wird, als während der Nurlese-Operation. Die Diode erhält folglich eine höhere Ladung. Dieser Unterschied kann in Fig. durch Vergleich der relativen Werte der negativ gerichteten Ausschläge für den Ladungsspeicherdiodenstrom in Zeitabschnitten festgestellt werden, die mit den Diodenladungsimpulsen 44 bzw. 72 zusammenfallen. Es ergibt sich, daß während ™

des gemeinsamen Zeitsteuerungsimpulses, der dem Diodenladungsimpuls 72 folgt, ein Ausgangsstrom größerer Amplitude an die Last 33 geliefert wird. Dies zeigen ebenfalls die Fig. 3 und 5.

Während einer Lese-Änderungsoperation wird der Speicher zerstörend gelesen, und anschließend wird eine Information

in die gleiche Adresse eingeschrieben, wie oben erläutert. Das ä

zerstörende Lesen findet während der Anstiegszeit t -t„ des

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Lese-Änderungsimpulses statt, der durch einen gemeinsamen, einem Diodenladungsimpuls 77 folgenden Zeitsteuerungsimpuls eingeleitet wird. Die Spitzenamplitude des Lese-Änderungsimpulses wird zum Zeitpunkt der im wesentlichen vollständigen Entladung der Diode 47 erreicht. Etwa die gleiche Amplitude wird durch Anlegen eines Haltestromes in der Wortstrom-Steuer-

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Schaltung 10 aufrechterhalten. Wenn die zentrale Steuerung eine Lese~Änderungsoperation verlangt, liefert sie einen Halteimpuls über die Arbeitsweisen-Sammelleitung 32 an die Eingangsanschlüsse 43 der Wortstrom-Steuerschaltung 10. Im Hinblick auf die bereits erläuterte Vorhersagbarkeit der Steilheit für die Anstiegszeit der Impulse und ihrer Spitzenamplitude kann das Auftreten dieser Spitzenamplitude ebenfalls leicht vorhergesagt werden, und geeignete logische Schaltungen (nicht gezeigt) werden in der zentralen Steuerung 19 benutzt, um den Halteimpuls kurz nach Erreichen der Spitzenamplitude für den Schreib-Änderungsimpuls beginnen zu lassen. Diese Beziehung läßt sich in Fig. 5 erkennen, wo die Vorderflanke des Haltestromimpulses kurz nach der Spitzenamplitude des Stromes für die Ladungsspeicherdiode und kurz η ach Erreichen der Spitzenamplitude für den Treibstrom des Speichers entsprechend dem gleichen gemeinsamen Zeitsteuerungsimpuls auftritt.

Der Halteimpuls an den Anschlüssen 43 in Fig. 4 bringt die Transistoren 78 und 79 zum leiten. In Reihe mit dem Kollektor-Emitterkreis des Transistors 79 ist eine Betriebsspannungsquelle geschaltet. Sie enthält eine Batterie 80, deren positiver Anschluilgeerdet ist und überen Ausgangsanschlüsse ein Span-

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nungsteiler 81 liegt, um die Höhe der aus der Batterie abgeleiteten Ausgangsspannug und damit die Größe des Haltestromes einzustellen. Der Spannungsteiler ist über eine Längsdrossel mit Spulen 82 an die Anschlüsse 83 und 86 angeschaltet. Außerdem ist ein Nebenschlußfcondensator 87 vorgesehen. Der leitende Transistor 79 schließt ein Haltestromkreis, der vom Ausgangsanschluß 39 ausgeht und über den Transistor 62, einen Widerstand 88, eine Diode 89, den Transistor 79, Λ

den Kondensator 87 und die Leitung 67 zum Ausgangsanschluß 38 führt. Der Widerstand 88 und der Spannungsteiler 81 bestimmen die Größe des Haltestromes, der aufdiese Weise von der Wortstrom-Steuerschaltung 10 an die Last 33 geliefert wird. Die Höhe dieses Haltestromes ist im wesentlichen gleich dem von der Diode 47 gelieferten Spitzenstrom.

Die Diode 89 bewirkt eine Rückstrom-Sicherung (back-up current steering protection) in dem beschriebenen Haltestromkreis, um eine unbeabsichtigte Leitung in diesem Stromkreis während eines Diodenladeimpulses bei Aufladen der Diode 47 zu verhindern. Eine solche unbeabsichtigte Leitung könnte im anderen Falle beispielsweise über einen Weg erfolgen, der vom Leiter 56 über den Kondensator 87, den äußeren Basis-Emitterkreis des Transistors 79 und in Durchlaßrichtung über den

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Basid-Kollektorübergang des Transistors führt. Eine Stromleitung auf diesem Weg könnte zumindesten Strom von der Diode 47 abziehen. Wenn die Widerstände der Stromkreise genügend verschieden sind, könnte, soweit es die Diode 47 betrifft, der Ladestromkreis über den Transistor 50 scheinbar verschwinden.

Man erkennt, daß die Schaltung nach Fig. 3 drei getrennte Schleifenschaltungen aufweist, die alle eine gemeinsame Verbindung besitzen. Diese enthält die Leitung 56, die Leitung und die Anschlüsse 68 und 83. Eine Schleife liefert Ladestrom an die Diode 47, die zweite führt den Entladestrom der Diode 47 zur Last 33 und die dritte führt Haltestrom zur Last 33, nach dem die Diode 47 aufgehört hat, in Sperrichtung zu leiten.

Der Haltestromimpuls wird nach einer vorbestimmten Zeit beendet, die von der Zeitdauer abhängt, welche für eine von dem als Beispiel dargestellten Speichersystem durchzuführende Operation in dem Intervall zwischen einem Lese» und einem Schreibvorgang für den Speicher erforderlich ist. Dies geht so vor sich, daß der Haltestromimpuls und der gemeinsame Zeitsteuerungsimpuls gleichzeitig beendet werden. Da zwei Transistoren benutzt werden, um den Haltestromweg zu unter-

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brechen, sind die Abfallzeit-Eigenschaften ähnlich denjenigen, die bei anderen Operationen durch die Ladungsspeicherdiode 47 allein ohne Reihenschaltung dieser Transistoren erreicht werden.

Fig. 5 zeigt, daß die Treibimpulse für den Speicher 11 gewisse Abstände haben, die die Möglichkeit geben, daß die Ladungsspeicherdiode 47 vor einer neuen Operation aufgeladen ^ wird. Diese Operation findet jedoch mit einer ziemlich hohen Impulswiederholungsfrequenz statt. Da die Möglichkeit eines nichtzerstörenden Lesens aufgrund der Verfügbarkeit unterschiedlicher Treibamplituden vorhanden ist, trägt das Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 der Tatsache Rechnung, daß in Datenverarbeitungsanlagen das Lesen eines Speichers allgemein bei etwa 80% der Operationen erforderlich ist. Bei benutzen elektrisch einschreibbarer Speicher muß ein zerstörendes Lesen ä und eine Regenerierung verwendet werden, wenn man bei so hohen Geschwindigkeiten arbeitet, daß eine Änderung der Treibimpulsamplitude nicht bequem ist. Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 arbeitet ohne Schwierigkeiten bei einer Nurlese-Zykluszeit von etwa 100 Nanosekunden und einer Lese-Regenerier-Zykluszeit von etwa 240 Nanosekunden. Zehn solcher Lese-Regenerierzyklen würden. 2400 Nanosekunden benötigen.

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Wenn jedoch bei diesem Ausführungsbeispiel dessen kleinere Nurlese-Treibamplitude für 80 % dieser zehn Zyklen benutzt wird, so verringert sich die Gesamtzeit für die zehn Zyklen auf 1280 Nanosekunden, was einer Einsparung von be'inahe 50% bei einer durchschnittlichen Operationszeit entspricht. Diese Einsparung wird erreicht durch ein asynchrones Ineinanderschieben der verschiedenen Kommandos von der zentralen Steuerung 19 bei der Operation der Wortstrom-Steuerschaltung 10.

Fig. 5 zeigt, daß, wie oben bemerkt, der Ladestrom für die Diode 47 unterschiedliche Amplituden besitzt (negative Ausschläge des Stromes über die Diode 47 vor jedem Worttreibstromimpuls zum Speicher 11). Die Dauer jedes Ladeintervalls ist gleich uiut wird durch die Folge von Diodenladeimpulsen festgelegt. In gewissen Anlagen ist es wichtig, die Wahrscheinlichkeit für einen Schaltungsfehler herabzusetzen, der die Mög« lichkeit zuläßt, daß ein Schreibamplituden-Treibstrom während eines Nurlese-Intervalls erzeugt und dadurch die gespeicherte Information gelöscht wird. Ein solcher Fehler könnte auftreten, wenn der Transistor 76 einen Kurzschluß zwischen seinem Kollektor und seinem Emitter hätte. Die Möglichkeit hierfür unter Erzielung der gewünschten Ergebnisse könnte verringert

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werden, in dem der Transistor 76 und der Widerstand 57 weggelassen werden und die Leitung 56 direkt mit dem Widerstand 58 verbunden wird. Die Diodenladungsimpulse werden dann für eine gegebene feste Amplitude auf eine geeignete Länge so eingestellt, daß sie der Diode 46 die gewünschte Ladung zuführen. Die gemeinsame Steuerung 19 übernimmt die erforderliche Steuerung jn Form der üblichen Lese- und Schreibkommandos, die auf normale Weise von ihr erzeugt werden. Diese Kommandos gehen an die gemeinsame Sammelleitung 32 in Fig. 1, Zwischen den beiden Markierkreuzen auf dieser Sammelleitung sind zwei monostabile Multivibratoren 96 und 97 gemäß Fig. IA eingefügt, die unterschiedliche Operationszeiten in Abhängigkeit von Triggers ignalen besitzen. Die Aus gangs signale der beiden Multivibratoren werden an die Anschlüsse 41 in Fig. 4 angelegt und beaufschlagen diese Anschlüsse auf der Grundlage einer EXCLUSIV-ODER-Schaltungsfunktion. Bei Hurlese-Operationen triggert die zentrale Steuerung 19 den Multivibra- ™ tor 96, der dann die Wortstrom-Steuerschaltung 10 für die richtige Zeit beaufschlagt, um die gewünschte Ladung der Diode 47 zuzuführen. Auf entsprechende Weise triggert die zentrale Steuerung 19 bei Schreiboperationen den Multivibrator 97 so, daß die Schaltung 10 zur Eingabe einer größeren Ladung in die Diode 47 für längere Zeit beaufschlagt wird,

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Fig. 6 zeigt eine abgeänderte Form der Wortstrom-Steuerschaltung 10, die mit Vorteil verwendet wird, wenn die Spitzenstromwerte sowie die Anstiegs- und Abfallzeiten aller Operationsimpulse für ein System bestimmt worden sind. Da dann keine Notwendigkeit besteht, die Bezugsspannung, die Steilheit der Anstiegszeit oder den Haltepegel einzustellen, können die Funktionen der Batterien 51, 66 und 80 in Fig. 4 kombiniert werden. Eine solche Kombination ist gemäß Fig. 6 in Form einer Batterie 90 durchgeführt, die über eines Längsdrossel mit den Spulen 91 an die Anschlüsse eines Kondensators 92 angeschaltet ist, der im Entladunjjsweg niedriger Impedanz der Ladungsspeicher diode 47 liegt. Bei diesem Ausführungsbeispiel werden Diodenladungsinapzilse an Eingangs angchlüsse 41* und 41" angelegt, um die Transistoren 49 und 50 entsprechend der obigen Erläuterung in Verbindung mit Fig. 4 zu steuern. Auf entsprechende Weise werden unter der Annahme einer Amplutudensteuerung der Diodenladungsimpulse Amplitudenschaltimpulse an Eingangs anschlüsse 42 gegeben, um durch den Transistor 76 die Höhe des Widerstandes im Ladungsweg der Diode 47 zu steuern. Dieser Ladungsweg ist der gleiche wie in Fig. 4 mit der Ausnahme, daß die Batterie 90 die Ladespannung an den Ladeweg der Diode 47 liefert. Die gleiche Batterie 90 bestimmt auch die Steilheit der Anstiegszeit für die an die

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Anschlüsse 38 und 39 gelieferten Ausgangs Stromimpulse.

Gemeinsame Zeitsteuerungs impulse werden an Anschlüsse 46* angelegt, um den Transistor 62 im wesentlichen auf die gleiche Weise zu steuern, wie es in Verbindung mit Fig. 4 beschrieben wurde. In Fig. 6 steuern die gleichen Zeitsteuerungsimpulse jedoch notwendigerweise einen weiteren Transistor 93 in Übereinstimmung mit dem Transistor 62 im Entladestromkreis der Diode 47. Der Transistor 93 dient im wesentlichen der gleichen Funktion wie die Diode 63 in Fig. 4; er verhindert nämlich einen unerwünschten Nebenschluß für den Ladeweg der Diode 47. Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 wird der Transistor 49 bei Lese-Änderungsoperationen auch als Hajtestromkreisjbei solchen Operationen legt die zentrale Steuerung 19 den Halteimpuls an Anschlüsse 41^TI, um den Transistor 49 erneut in Tätigkeit zu setzen. Der Widerstand 59 bestimmt also die Höhe des Haltestromes in Fig. 6. Ab- %

gesehen von den aufgezählten Unterschieden arbeitet das Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 im wesentlichen auf die gleiche Weise wie das Ausführungsbeispiel nach Fig. 4.

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Claims (20)

1. PATENTANSPRÜCHE

   1, Treibschaltung zur wahlweisen Lieferung von Treibimpulsen unterschiedlicher Form mit einer asymmetrisch leitenden Einrichtung, die beim Stromdurchgang in einer Rieh« tung Ladungsträger speichern kann, und mit Schaltmitteln, die der Einrichtung Ladungsimpulse in der einen Richtung zuführen,

   dadurch gekennzeichnet, daß ein Steuerschalter (62) in einer die Einrichtung (47) enthaltenden Reihenschaltung zwischen zwei Ausgangsklemmen (38, 39) liegt, daß der Steuerschalter (62) abwechselnd mit den Schaltmitteln (50, 59, 49, 56) arbeitend die Einrichtung in der anderen Richtung entlädt und daß die Schaltmittel Schaltungen (57, 76) enthalten, die wahlweise (über 42, 73) unterschiedliche Integrale des Stroms mit Bezug auf die Zeit zur Aufladung der Einrichtung auf entsprechend unterschiedliche Ladungswerte liefern.
2. 2. Treib schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz der Reihenschaltung wesentlich kleiner als die Impedanz einer von den Ausgangsklemmen zu beaufschlagende Last ist, so daß die Spannung zwischen den Klemmen während eines Treibimpulses im wesentlichen unabhängig von Impedanzänderungen der Last ist.

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3. 3. Treib Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß dJL Sehaltmittel eine erste Schleif ens chaltung aufweisen, in der die Einrichtung, die Schaltungen und Klemmen liegen, und die an eine Spannungsquelle angeschaltet ist.
4. 4. Treibschaltung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch

   einen ersten und einen zweiten Transistor (49, 50), deren ™

   Emitter-Kollektorstrecken in der ersten Schleifenschaltung auf entgegengesetzten Seiten der Einrichtung liegen und in Durchlaßrichtung für die eine Richtung gepolt sind, sowie Mittel (48 usw) zum gleichzeitigen Anlegen von Einschaltvorspannungen an den ersten und zweiten Transistor.
5. 5. Treibschaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltang mit einer Last über ά den Ausgangsklemmen eine zweite Schleifenschaltung bildet,
6. 6. Treib Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltung eine für die andere Richtung der Einrichtang in Durchlaßrichtung gepolte Diode (63) sowie Anschlüsse zur Anschaltang einer oder der Spannungsquelle (66, 70, 71) enthält, um die Steilheit

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   der Anstiegszeit für die Treibimpulse einzustellen.
7. 7. Treib schaltung nach einem der vorhergehenden

   Ansprüche, gekennzeichnet durch Mittel (78, 79, 80 us'w), die in Verbindung mit einem vorbestimmten der Ladungsimpulsintegrale in Tätigkeit treten, um eine vorbestimmte Treibimpuls amplitude für ein vorbestimmtes' Zeitintervall aufrecht zu erhalten.
8. 8. Treibschaltung nach Anspruch 7 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgenannten Mittel mit dem Steuerschalter und einer Last über den Aus gangs anschluss en eine dritte Schleifenschaltung bilden, und daß jede der ersten, zweiten und dritten Schleifenschaltung eine gemeinsame Ver bindung aufweist (Fig. 4).
9. 9. Treibschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß jede der ersten, zweiten und dritten Schleifenschaltung ein getrenntes Klemmenpaar zur Anschaltung getrennter Spannungsquellen aufweist (Fig. 4).
10. 10. Treibschaltung nach Anspruch 7, 8 oder 9, und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgenannten Mittel den ersten Transistor enthalten.

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11. 11. Treibschaltung nach Anspruch 7, 8, 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgenannten Mittel (78, 79, 80 usw) Widerstandsmittel (88) enthalten, die wahlweise nach der Anstiegszeit eines der Treibimpulse über den Steuerschalter und die Ausgangsklemmen anschaltbar ist, und daß die Widerstandsmittel einen Wert besitzen, der ausreicht, um die vorbestimmte Treib impuls amplitude nach der Entladung der Einrichtung aufrecht zu erhalten.
12. 12. Treibschaltung nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch eine Diode (89), die in Reihe nm it den Widerstandsmitteln geschaltet und so gepolt ist, daß eine Stromleitung für die Ladeimpulse zum Steuerschalter über die Widerstandsmittel verhindert ist.
13. 13. Treibschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß im Betrieb die zweite Schleifenschaltung die gleiche Spannungsquelle (Fig. 6) wie die erste Schleifenschaltung benutzt.
14. 14. Treibschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Widerstandsmittel (40) die zwischen die Ausgangsklemmen geschaltet shd und diesen einen Widerstand bieten, dessen Wert mit Bezug auf die äquivalente

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    Kapazität einer Last so bemessen ist, daß diese von den Ausgangsklemmen am Ende jedes Treibimpulses mit einer festen Steilheit der Treibimpuls-Abfallzeit beaufschlagt wird.
15. 15. Treib schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, fladurch gekennzeichnet, daß die Schaltungen für eine unterschiedliche Länge der Ladeimpulse sorgen.
16. 16. Treibschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungen für eine Einschaltung unterschiedlicher Wider stands werte in die Schaltmittel sorgen.
17. 17. Treib schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung eine Ladungsspeicherdiode umfaßt.
18. 18. Treibschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche in Kombination mit einer Last über den Ausgangsklemmen, dadurch gekennzeichnet, daß die Last eine Vielzahl von Magnetspeicherelementen zur Speicherung unterschiedlicher Informations-Bitarten aufweist, die aber der Schaltung unabhängig von den jeweils gespeicherten Inforinations-Bjtarten einen im we-

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    Sentlichen konstanten induktiven Blindwiderstand darbieten.
19. 19. Treib schaltung mit einer Last nach AnspruchlS , dadurch gekennzeichnet, daß der Magnetspeicher, dessen Elemente so geschaltet sind, daß sie die Treib impulse empfangen, eine Vielzahl von wählbaren Betriebsarten entsprechend den jeweiligen Treibimpulsformen aufweist, daß jede Betriebsart unterschiedliche Dauer besitzt und daß ihr Mittel zugeordnet sind, um die % Arbeitsweisen in willkürlicher Folge asynchron ineinander zu schieben.
20. 20. Treibschaltung mit einer Last nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Arbeitsweisen eine Einschreib-Arbeitsweise und ein e nichtzerstörende Lese-Arbeitsweise enthalten, und daß die Treibschaltung die Ladeimpuls-Stromintegrale für

    die nichtzerstörende Lese-Arbeitsweise auf einen kleineren Λ

    Wert fils für die Einschreib-Arbeitsweise begrenzt.

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