DE1766871B1 - Diskriminatorschaltung - Google Patents
DiskriminatorschaltungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Diskriminatorschaltung.
Ein schmalbandiger Hochfrequenzbetrieb ist bei der drahtlosen Telefonie, beweglichen Funkgeräten
oder anderen Übertragungseinrichtungen wünschenswert, um in einem Frequenzspektrum soviel wie
möglich Ubertragungskanäle unterzubringen. Es ist möglich, Wellenformen mit bis zu 150 MHz in engen
Bandbreiten, z. B. von 1 bis 15 kHz, in der Frequenz zu modulieren, wie diese für Sprachübertragung
erforderlich ist. Jedoch ist die Demodulation solcher frequenzmodulierter (FM-)Signale schwierig und erfordert
eine komplizierte Einrichtung. Beispielsweise arbeiten die bekannten abgestimmten Spulen-Kondensator-Diskriminatorschaltungen
nur bei Bandbreiten bis herab zu etwa l«/o der Eingangsfrequenz befriedigend.
Es müssen daher, um den Diskriminatorbereich voll für Sprachfrequenzausgänge auszunutzen,
hochfrequente FM-Wellenformen beispielsweise von 150 MHz in der Frequenz in zwei oder mehr Schritten
auf niedrigere, sogenannte Zwischenfrequenzen, beispielsweise von 100 kHz, umgesetzt werden, bevor
sie dem Diskriminator zugeführt werden. Dies erfordert eine zusätzliche komplizierte Umsetzeinrichtung
und bedingt ernsthafte Abstimm- und Anpaßprobleme.
Es ist bekannt (USA.-Patentschrift 3 199 040), als abgestimmten Resonanzkreis einen einzelnen piezoelektrischen
Kristall zu verwenden. Diese bekannte Anordnung ist zwar verhältnismäßig schmalbandig,
doch ist zur Übertragung der Signalfrequenzen eine gesonderte Sperrdrossel und ein Überbrückungskondensator
erforderlich. Bei einer weiteren bekannten Anordnung (USA.-Patentschrift 2 233119) wird
die abgestimmte Sekundärwicklung eines Transformators zur Speisung einer piezoelektrischen Vorrichtung
benutzt, die eine herkömmliche Elektrode auf der einen Seite des Kristalls und ein Elektronenpaar
auf der anderen Seite des Kristalls besitzt. Beiden Anordnungen haftet indessen der Nachteil von gesonderten
Schaltungselementen (Spulen bzw. Kondensatoren) an, die eine genaue Resonanzfrequenzeinstellung
während des Herstellungsvorgangs verhindern. Es muß vielmehr im Anschluß an den Herstellungsvorgang
durch eine zusätzliche Feldsättigung eine Nachstimmung vorgenommen werden. Diese
Nachstimmung schließt insbesondere eine Verwendung der bekannten Anordnungen für integrierte
Schaltkreise, beispielsweise in Dünnfilmschaltungen aus, da hier sämtliche Parameter während des Herstellungsprozesses
festgelegt werden müssen.
Es ist Aufgabe der Erfindung, die Nachteile der bekannten Anordnungen zu vermeiden und einen
schmalbandigen Miniaturdiskriminator anzugeben, der zusammen mit integrierten Schaltkreisen hergestellt
werden kann.
Der wesentliche Vorteil der erfindungsgemäßen Diskriminatorschaltung besteht darin, daß dessen
Aufbau und dessen Eigenschaften zu einer einfachen, miniaturisierten und schmalbandigen Anordnung
führen, die mit Dünnfilmschaltungen oder monolitischen Siliziumschaltungen aufgebaut und betrieben
werden kann.
Im folgenden ist die Erfindung an Hand der Zeichnung beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 in schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Diskriminatorschaltung,
F i g. 2 das Ansprechverhalten des monolitischen Diskriminators nach Fig. 1,
F i g. 3 eine Schrägansicht mit etwas vergrößerter Dicke der Elektroden- und Leitergeometrie der
Kristallanordnung nach Fig. 1,
F i g. 4 und 5 die Ersatzschaltbilder in Gitter- bzw. Leiterform von Teilen des Diskriminators nach
Fig.1,
F i g. 6 und 7 je Kurven, die die Abhängigkeit des ίο Blindwiderstandes der Serien- und Diagonalimpedanzen
in F i g. 4 sowie die der Realteile der Wellenwiderstände (image impedances) von der Frequenz
erläutern, die von den Kreisen nach F i g. 4 aufgedrückt wird, wenn die Elektroden nach F i g. 1 praktisch
masselos sind,
F i g. 8 und 9 Kurven, die die Abhängigkeit der Blindwiderstände der Serien- und Diagonalimpedanzen
in Fig. 4 sowie der Realteile der Wellenwiderstände von der Frequenz darstellen, die von
der Schaltung nach F i g. 4 geliefert wird, wenn die
Elektroden nach Fig. 1 erfindungsgemäß massenbelastet sind,
F i g. 10 ein Impedanz-Frequenz-Diagramm zur Darstellung der positiven Realteile der Wellenwiderstände
für die Paßbänder, die zwischen den Eingangs- und Ausgangsresonatoren in F i g. 1 erzeugt
werden, und zwar bei den Ausgangsresonatoren betrachtet, und
Fig. 11, 12 und 13 Diagramme, die die Beziehungen zwischen der Kristall- und Elektrodengeometrie
betreffen und für den Entwurf des Diskriminators nach Fig. 1 brauchbar sind.
In Fig. 1 liefert eine Hochfrequenz- oder Zwischenfrequenzquelle 8 frequenzmodulierte Signale
an gegenüberstehende Elektroden 10 und 12 eines Elektrodenpaares 14, die auf gegenüberliegende Flächen
eines Quarzkristallkörpers oder -blättchens 16 niedergeschlagen sind. Die Elektroden 10 und 12
bilden zusammen mit Teilen des KristaHblättchens 16 einen Eingangsresonator 18. Das Blättchen 16
koppelt die dem Eingangsresonator 18 von der Quelle 8 zugeführte Energie an zwei Ausgangsresonatoren
20 und 22. Letztere sind durch Niederschlagen zweier Elektroden 24 und 26 auf gegenüberliegende
Flächen des Plättchens 16 benachbart zum Resonator 18 auf dessen einer Seite und durch
Niederschlagen zweier weiterer Elektroden 28 und 30 auf gegenüberliegende Flächen des Plättchens 16
benachbart dem Resonator 18 auf dessen anderer Seite gebildet. Die Elektrodenabmessungen und
-massen stimmen den Resonator 20 auf eine Frequenz /20 unterhalb der Frequenz f18 des Eingangsresonators 18 ab und den Resonator 22 auf eine
Frequenz/2a oberhalb der Frequenz /18 des Resonators
18. Daher bildet die vom Eingangsresonator 18 zum Resonator 20 ausgekoppelte Energie ein
versetzt abgestimmtes Paßband, und die zum Resonator 22 ausgekoppelte Energie ein zweites, versetzt
abgestimmtes Paßband, das nicht mit dem ersten zusammenfällt.
Zwei Dioden 32 und 34 demodulieren den Ausgang am Resonator 20. Nach Filterung durch einen
Kondensator 36 erscheint der demodulierte Ausgang über einem Lastwiderstand 40. Hier erscheint der
negative Teil des Signals am Widerstand 40 auf der nichtgeerdeten Seite. Daher entspricht die Spannung-Frequenz-Übertragungskurve
über dem Widerstand 40 der Kurve A in Fi g. 2. Ein Paar Dioden 42 und
44 demodulieren das Signal, das am Resonator 22 erscheint. Nach Filterung durch den Kondensator 46
erscheint das Signal über dem Widerstand 48, so daß die positive Seite des Widerstands 48 von der
geerdeten Seite wegweist. Die Ausgangsspannung-Frequenz-Übertragungskennlinie über den Widerstand
48 entspricht der Kurve B in F i g. 2. Die positiven und negativen Spannungen über den Widerständen
40 und 48 erscheinen, weil sie addiert werden, als Differenz. Ein frequenzdemodulierter Ausgang
erscheint über einer Last 50 zwischen der positiven Seite des Widerstands 48 und Erde. Dies entspricht
der Summe der Kurven A und B und erscheint als der übliche S-Kurvenverlauf C in F i g. 2.
Die Geometrie des Kristallplättchens 16 und der Elektroden24, 26, 10, 12, 28 und 30 ist in Fig. 3
dargestellt. Jede Elektrode ist mit einer Anschlußleitung 52 versehen. Die jeweiligen Dicken von Elektroden,
Leitungen und Plättchen sind der Klarheit halber vergrößert dargestellt. Die Quelle S liefert an
die Elektroden 10 und 12 Energie bei oder nahe bei der Grundfrequenz des Kristallplättchens 16 für die
Dickenscherschwingungsform oder die Dickenverdrehungsschwingungsform, je nach Kristallschnitt. In
F i g. 1 ist ein Kristallplättchen 16 mit AT-Schnitt verwendet. Daher regt die Energie den Körper auf
piezoelektrischem Wege zu Dickenscherschwingungen an. Diese Schwingungen werden von den Elektroden
24 und 26, ebenso von den Elektroden 28 und 30 abgetastet.
Das Ausmaß, unter welchem die piezoelektrisch induzierten Schwingungen im Plättchen 16 zwischen
den Elektroden 10 und 12 durch das Plättchen 16 zu den Ausgangsresonatoren 20 und 22 gekoppelt
werden, hängt von den Massen der Elektroden sowie von den Abständen zwischen den einzelnen Resonatoren
ab. Die Elektroden 10, 12, 24, 26, 28 und 30 der F i g. 1 und 3 sind ausreichend massiv, um einen
bedeutsamen Energieeinfang zu erzeugen. Diese Massenbelastung durch die Elektroden konzentriert
die Amplitude der von der Quelle S aufgedrückten Schwingungen auf die Plättchenbereiche zwischen
den Elektroden jedes Resonators und bewirkt, daß die Schwingungsamplitude im Plättchen 16 mit zunehmendem
Abstand von jedem Elektrodenpaar exponentiell abfällt. Die Massenbelastung in der Anordnung
nach F i g. 1 und 3 ist ausreichend, um die Schwingungsamplitude so zu verkleinern, daß die
Kanten des Plättchens keinen nennenswerten Einfluß auf den Betrieb haben. Die Massenbelastungs- und
Energieeinfangsbedingungen unterscheiden sich vom nur schwach belasteten oder unkontaktierten Kristallkörper.
Im letzeteren Fall nimmt die Schwingungsamplitude sinusförmig von einem Maximum bei der
Energieeinspeisungsstelle ab und ist im ganzen Kristallkörper einschließlich der Kanten bedeutsam.
Diese Effekte sind in der gleichlautenden eigenen Anmeldung W43 729IXd/21g (P 15 66036.2) beschrieben.
Gleichzeitig ist die Entfernung vom Elektrodenpaar 10, 12 zum Elektrodenpaar 24, 26, ebenso zum
Elektrodenpaar 28, 30, so gewählt, daß die Resonatoren 18 und 20, ebenso die Resonatoren 18 und 22,
sich in den gegenseitigen akustischen Bereichen befinden, d. h., daß sie sich gegenseitig noch bedeutsam
beeinflussen, so daß Energie zwischen ihnen geführt oder hierzwischen wirksam hindurchgetunnelt
wird. Jedoch ist der Abstand zwischen den Elektrodenpaaren der Resonatoren 20 und 22 im Hinblick
auf die Massenbelastung ausreichend, um diese Resonatoren voneinander zu entkoppeln.
Die Elektroden in F i g. 1 sind je ausreichend massiv, um die jeweiligen Resonanzfrequenzen der
Resonatoren 18, 20 und 22 des von der Grundfrequenz für die Dickenscher- oder Dickenverdrehungs-Schwingungsform
— welche auch immer es sei — des unkontaktierten Plättchens 16 auf drei aufeinanderfolgende
Werte zu erniedrigen, die zur Erzeugung der beiden Subtrahier-Paßbänder erforderlich
sind. Die bruchteilige oder prozentuale Erniedrigung der Resonanzfrequenz von der Dickenscher- oder
Dickenverdrehungs-Grundschwingungsform eines unkontaktierten Plättchens mit Hilfe von Massebelastung
wird in der englischsprachigen Literatur als »Plateback« bezeichnet. Dieser Wert, der hier
ebenso bezeichnet werden soll, ist ein bequemes Maß für die Elektrodenmasse. Ist der Körper mit mehreren
Elektroden belastet, so sucht das Plateback die individuellen und zusammengesetzten Resonanzeffekte
längs der Frequenzachse zu erniedrigen. Plateback-Werte von 0,3 bis 3% sind für die Ausführungsform
nach Fig. 1 brauchbar. Diese Effekte sind ebenfalls in der vorstehend erwähnten eigenen
Anmeldung beschrieben.
Die Kombination der Massenbelastung der Elektroden zur Abstimmung derselben sowie zur Erzeugung
der Bedingungen zur Schwächung der Kopplung mit dem Abstand der Resonatoren zur Anpassung
an den Massenbelastungsgrad oder der Massebelastung der Elektroden zur Abstimmung und
Kopplung derselben zum Einhalten eines bestimmten Abstands bestimmt die Paßbänder zwischen dem
Eingangsresonator und jedem Ausgangsresonator. Dieses bildet die S-Kurve nach F i g. 2.
Die Kopplungen zwischen dem Eingangsresonator 18 und den Ausgangsresonatoren 20 bzw. 22 sind
ausreichend niedrig, um die Wirkungen der Parallel-Streukapazitäten
zu beseitigen, die durch das Metall der Elektroden in jedem Resonator gebildet sind. Die
Kopplungen sind gleichfalls ausreichend niedrig, um die Paßbänder der einzelnen Kennlinien entsprechend
den Kurven A und B auf die gewünschten schmalen Bänder zu verengen, wie dies in der erwähnten eigenen
Anmeldung beschrieben ist. Bei einer Ausführungsform der Erfindung haben die Komponenten
die folgenden Werte. Der Diskriminator hatte eine Mittelfrequenz von etwa 15,040 MHz. Die Resonatoren
18, 20 und 22 der Anordnung wurden durch ausreichendes Plateback auf Frequenzen von
/18 = 15,040 MHz, /20 = 15,035 MHz bzw. /ss
= 15,045 MHz eingestellt. Jeder Resonator hatte eine Induktivität von etwa 20 mh.
Widerstände 40, 48 6,8 k
Kondensatoren 36, 46 200 pF
Dioden 32, 34, 42, 44 4580
Plättchenschnitt AT
Dicke des Plättchens 16 .... 0,109 mm (0,0043")
Grundfrequenz in der Dickscher-Schwingungsform
des Plättchens 16 15,250 MHz
des Plättchens 16 15,250 MHz
5 6
Material des Plättchens 16 .. AT-Schnitt-Quarz ausschließlich aus ihren Blindwiderständen XA und
XB zusammengesetzt. Daher ist der Wellenwider-Plateback
des Resonators 18 210 kHz (1,39 °/o) stand Z1 gleich der Quadratwurzel aus XAXB.
Bei Kristallanordnungen mit zwei Elektroden-
Plateback des Resonators 20 215 kHz (1,43 °/o) 5 paaren, die nicht massebelastet sind und die Energie
den ganzen Kristallkörper anregt, ändern sich die
Plateback des Resonators 22 205 kHz (1,36 °/o) Blindwiderstände XA und XB der Impedanzen ZA
und ZB mit der Frequenz, wie dieses in F i g. 6 dar-Dimensionen
der Elektroden gestellt ist. Der Blindwiderstand XA ändert sich von
18, 20 und 22 1,32 ■ 1,68 mm io einem niedrigen negativen Wert wegen der Kapazi-
(0,052" · 0,006") täten in ZA über Null bei einer niedrigeren Reso-
Abstände zwischen den nanzfrequenz fv wenn die Kapazität C1A mit der
Elektroden 0,431 mm (0,017") Induktivität L10 in Resonanz kommt. Der Blind
widerstand XA nimmt dann einen hohen positiven
Lackimpedanz jedes Weges rund 1,7 k effektiv 15 Wert an, wenn die Induktivität L10 mit beiden Kondensatoren
C1A und C0 in Resonanz kommt. Bei der
Kopplungskoeffizienten 7,5 · 10~4 Frequenz /2 ändert sich der Blindwiderstand von
zwischen den Resonatoren einem hohen positiven induktiven Wert auf einen
hohen negativen kapazitiven Wert. Dies wird als die
Die Art und Weise, auf die die Plateback abhän- 20 Antiresonanzfrequenz /2 bezeichnet. Wenn die Fregigen
Kopplungen die gewünschten Kennlinien quenz zunimmt, geht der voreilende kapazitive
zeitigen, kann an Hand einer Betrachtung der Wellen- Blindwiderstand auf Null. Der Blindwiderstand XA
widerstände (image impedances) erläutert werden, verfolgt eine ähnliche Kurve mit einer Resonanzdie
von dem Ersatzschaltbild nur zweier Resonatoren, frequenz /3 und einer Antiresonanzfrequenz /4. Die
beispielsweise des Eingangsresonators 18 zusammen 25 Resonanzfrequenzen Z1 und /3 sind durch die Wirmit
einem der Ausgangsresonatoren, beispielsweise kung der Kopplung voneinander getrennt, obwohl
20, auf den Plättchen geboten werden. Hier sei zu- sie auf die gleiche Frequenz abgestimmt sind, wenn
nächst der Einfachheit halber angenommen, daß die jeweils nur ein Kreis bei Abwesenheit des anderen
Resonatoren 18 und 20 auf die gleiche Frequenz betrieben wird.
abgestimmt sind. Für diese Doppelresonatoranord- 30 Da XA und XB Imaginärzahlen, also gleich jX/
nung ist F i g. 4 das Gitter-Ersatzschaltbild. Das bzw. jXB' sind, ist ihr Produkt negativ, wenn sie
Leiter-Ersatzschaltbild ist in F i g. 5 dargestellt. In gleiches Vorzeichen führen, aber positiv bei entletzterem
stellen die drei Kondensatoren Cm das gegengesetztem Vorzeichen. Die Quadratwurzel aus
elektrische Äquivalent der akustischen Kopplung einer positiven Zahl ist reell. Daher besitzt die Krizwischen
den Resonatoren 18 und 20 dar. Die beiden 35 Stallanordnung in den Frequenzbereichen, in denen
Kreise stehen miteinander entsprechend folgenden XA und XB auf verschiedenen Seiten der Abszisse
Gleichungen in Beziehung: erscheinen, zwei reelle positive Wellenwiderstände
Q R1. Diese reellen positiven Wellenwiderstände R1
C1B = -1- , sind in F i g. 7 aufgetragen. Sie erstrecken sich über
•ι , Qo (1) 40 den unteren Resonanz-Antiresonanz-Bereich Z1 bis /2
Cm und den oberen Resonanz-Antiresonanz-Bereich /3
bis /4. In Abhängigkeit von den Impedanzen des
C , — 1 0 Lastnetzwerks überträgt die Kristallanordnung Ener-
C10 (2) gie hauptsächlich in den reelllen positiven Wellen-
^ 45 Widerstandsbereichen.
m Das Versehen der Elektroden 10, 12, 24, 26, 28
Die Werte C10 und L10 sind so, daß die Dicken- und 30 mit ausreichender Masse konzentriert die
scherschwingungs-Grundfrequenz gleich Scherenergie im Plättchen 16 zwischen den Elek-
troden der jeweiligen Resonatoren 18 und 20, so daß 5o ^38 Kristallplättchen 16 mit stark verminderter Amfür
jeden getrennten ungekoppelten Resonator ist. plitude außerhalb des Volumens zwischen den Elek-Der
Wert von L10 selbst ist eine Funktion der Dicke troden schwingt. Es wird keinem nennenswerten
des Kristallplättchens 16 sowie der Geometrie der Energiebedarf ermöglicht, die Begrenzungen des
Elektroden 10, 12 und 24, 26. C0 ist die Kapazität Plättchens 16 zu erreichen. Ebenso erreicht auch
eines Paars. 55 keine nennenswerte Energie den Resonator 22 vom
Das Gitter-Ersatzschaltbild ist das leichter analy- Resonator 20. Eine solche Massenbelastung der
sierbare. Wird hier in Fig. 4 Energie an die Elek- Platten erzeugt die drei getrennten Resonatoren,
troden 10 und 12 bei oder nahe bei der Dickenscher- Betrachtet man wiederum die Resonatoren 18 und
schwingungsgrundfrequenz zugeführt und wird nur 20 allein und ordnet jeden Resonator im effektiven
ein Ausgangsresonator, z. B. der Resonator 20, be- 60 Schwingungsfeld des jeweils anderen an, dann
trachtet, so verhält sich die Schaltung so, wie wenn arbeiten sie ähnlich wie ein abgestimmter Übertrager,
sie aus zwei Paaren Resonanzimpedanzen Z4 und Die Regelung ihrer Abstände sowie der Masse der
ZB zusammengesetzt wäre. Diese Impedanzen sind Elektrodenpaare bestimmt das Band oder das Spekzur
Bestimmung des Wertes des Wellenwiderstands trum, innerhalb welchem die Energie des Elektroden-
Zt brauchbar, der für die Gitterstruktur nach Fig. 4 65 systems 10, 12 zum Elektrodensystem 14, 16 läuft,
gleich der Quadratwurzel aus ZAZB ist. Da das Kri- Dies ist das Äquivalent einer Steuerung der Koppstallplättchen
16 einen hohen Gütefaktor Q besitzt, lung, wie diese durch die Kondensatoren C,„ in
sind die Werte der ImpedanzenZA und ZB praktisch Fig. 5 dargestellt ist.
Wie aus F i g. 5 ersichtlich, erhöht eine Schwä- Band eine Übertragungskennlinie über das ganze
chung der Kopplung zwischen den Elektroden- Frequenzspektrum, die nur im entfernten Frequenzbereichen
den Wert von Cm. Als Ergebnis sind das bereich hohe Dämpfungen hat. Dies schließt prak-Verhältnis
C10/Cm in den Gleichungen (1) und (2) tisch die Wirkung des entfernten Frequenzbereichs
für die Werte C1B und C1A ab. Dies erhöht den 5 aus.
Nenner für C1 A und erniedrigt den Nenner für C1B. Im Falle der Fig. 7 existieren unabhängig vom
Im Ergebnis nehmen der Wert von C1A ab und der Wert der Impedanz R niedrige Dämpfungen in der
Wert von C1B zu. Daher nähern sich die Resonanz- Gegend derjenigen Frequenzen, für die R den Wert
frequenzen J1 und /3 einander sowie den Frequenzen, /?,· überkreuzt. Daher hat für alle Werte von R die
auf die jeder Resonator durch sein Plateback abge- io Übertragungskennlinie zwei Bänder niedriger Dämpstimmt
ist. Der Einfachheit halber sei angenommen, fung, die durch ein Band hoher Dämpfung getrennt
daß die Resonatoren durch Plateback auf die gleiche sind.
Frequenz abgestimmt sind. Die Resonanzfrequenzen Z1 Nach der Erfindung werden die Elektroden 10,12,
und /3 werden dicht genug einander angenähert, um 24, 26, 28 und 30 ausreichend massiv gemacht sowie
das in Fig. 8 dargestellte Bild zu erhalten. Hier 15 weit genug voneinander entfernt angeordnet, daß der
folgen die beiden getrennten Blindwiderstände XA Resonator 8 mit dem Resonator 20 und, getrennt
und XB der Impedanzen ZA und ZB ähnlichen Kur- hiervon, mit dem Resonator 20 Wellenwiderstandsven
wie in Fig. 6. Jedoch bewirken die Massen- kennlinien bildet, die gut in den Bereich der Fig. 8
belastung und der Abstand, daß die Resonanz- und 9 statt der F i g. 6 und 7 fallen. Sie sind eben-Antiresonanz-Bereiche
J1 bis /2 und /3 bis /4 einander ao falls ausreichend entkoppelt, um jegliche nennensüberlappen.
Nun fällt die Resonanzfrequenz /s in werte Kopplung zwischen den Resonatoren 20 und
der Kurve XB zwischen die Resonanzfrequenz Z1 und 22 zu unterdrücken. Jedoch sind in F i g. 1 die
die Antiresonanzfrequenz/2. Die resultierenden Massen der Elektroden so eingestellt, daß die Paßreellen Wellenwiderstände Z1- erscheinen in ausge- bänder zwischen den Resonatoren 18 und 20 gegenzogenen
Linien der F i g. 9. Daher zeigen die Reso- as über denen der Resonatoren 18 und 22 versetzt sind.
natorenlS und 20 auf dem massenbelasteten Platt- Das heißt, das Plateback der Elektroden im Resochen
16, wenn sie als je gleich massenbelastet ange- nator 22 ist kleiner als im Resonator 18, und das
nommen werden, die in Fig. 9 gezeigten Wellen- Plateback der Elektroden im Resonator 20 ist größer
Widerstandskennlinien. Ähnliche Wellenwiderstände als im Resonator 18. Dieses ist inFig. 10dargestellt,
werden durch die Kopplung der Resonatoren 18 und 30 Dieser Sachverhalt verschiebt die Wellenwiderstands-22
gebildet. Diese reellen Wellenwiderstände er- kurve C-18-20 der gekoppelten Resonatoren 18 und
scheinen in einem ersten Frequenzband, in welchem 20, gesehen vom Ausgangsresonator 20 her, nach
die Impedanz von Null auf einen einigermaßen unten. Gleichfalls tritt eine Verschiebung der Wellenkleinen
Wert, wie 100 Ohm, ansteigt, und sodann Widerstandskurve C-18-22 der gekoppelten Resonawieder
auf Null zurückgeht, sowie in einem zweiten 35 toren 18 und 22, gesehen vom Ausgangsresonator 22
Band, innerhalb dessen die Impedanz von einem her, längs der Frequenzachse nach oben auf. Auch
praktisch unendlichen Wert aus auf ein Minimum wird hierdurch die Symmetrie der Kurven etwas
abnimmt und dann wieder auf praktisch unendlich verzerrt. Die Frequenzen/^8, /20 und /22 stellen die
ansteigt, wenn die Frequenz zunimmt. Dies ist in Frequenzen dar, auf die die Resonatoren im unge-F
i g. 9 durch die ausgezogene Kurve dargestellt. 40 koppelten Zustand abgestimmt sind. Bei Kopplung
Hier ändert sich die Wellenwiderstandskurve im separieren in jedem Falle die Frequenzen auf die
Frequenzband zwischen Z1 und /3 von Null auf einen Werte /,'8 und /^ für die Kurve C-18-20 sowie auf
Maximalwert Z0 und wieder zurück auf Null. Im die Werte /,'8 und fü für die Kurve C-18-22. Durch
Frequenzband zwischen f2 und /4 ändert sich der wirksames Abschließen der Ausgangsresonatoren 20
Wert des Wellenwiderstands von Unendlich auf einen 45 und 22 mit niedrigen Impedanzen, beispielsweise mit
MinimalwertZm und wieder zurück zu unendlich. 2Z0, resultieren im wesentlichen die in Fig. 2 dar-Wenn
die Kopplung zwischen den Resonatoren gestellten Paßbänder. Die Quelle 8 hat ebenfalls eine
weiter erniedrigt wird, ändern sich die Wellenwider- niedrige Impedanz. Die Wirkungen der hohen Wellenstände
so, wie dies durch die gestrichelten Kurven widerstände zwischen den Frequenzen /2 und f. werin
dem Frequenzband // bis /3' bzw. /2' bis // dar- 50 den durch die Fehlanpassung eliminiert. Der Impegestellt
ist. Ist die Kopplung klein genug, so beträgt danzwert 2Z0 bewirkt ein Gaußsches Paßband,
die Impedanzdifferenz zwischen dem Maximalwert Für den Entwurf der Kristallanordnung nach
die Impedanzdifferenz zwischen dem Maximalwert Für den Entwurf der Kristallanordnung nach
Z0 des einen Bands und dem MinimalwertZn, des Fig. 1 brauchbare Beispiele von Kurven für eine
anderen Bandes einige Größenordnungen. F i g. 9 Anordnung, z. B. CR, die in der Dickenschergrundzeigt
der Klarheit halber eine kleinere Differenz, je- 55 Schwingungsform betrieben wird, sind in Fig. 11, 12
doch sollen hierdurch größere Differenzen nicht aus- und 13 dargestellt.
geschlossen sein. Die Kristallanordnung nach Fi g. 1 wird hergestellt
Das Paßband, das als Ergebnis eines Abschließens durch zunächst erfolgendes Auswählen der Banddes
Ausgangsresonators 20 mit irgendeiner Impe- breiten Bw jedes Paßbandes A und B bei gewählten
danz R auftritt, nähert sich dem niedrigsten erreich- 60 Mittenbandfrequenzen fm (d. h., annähernd /20 und
baren Minimum bei einer jeden Frequenz, für welche fO2). Die Bandbreiten Bw werden so gewählt, daß sie
der Wellenwiderstand in die Anschlußimpedanz an- der Spitze-zu-Spitze-Abweichung des modulierten
gepaßt ist. Bei jeder Frequenz ist die Übertragung Eingangssignals gleichen. Bw muß kleiner als 0,2%
um so kleiner, je größer die Fehlanpassung ist. Daher fm sein, um einen Betrieb im Niedrigimpedanzbereich
erzeugt ein Abschließen des Ausgangsresonators 20 65 von 9 sicherzustellen. Eine Elektrodengröße und ein
mit einer Impedanz R in der Gegend des Wellen- geeignetes Plateback für die Mittelelektrode 19 (von
Widerstandsbereichs in einen Frequenzbereich und 0,3 bis 3%) werden aus den Kurven nach Fig. 11,
entfernt vom Wellenwiderstandsbereich im anderen 12 und 13 ausgewählt. Ist t die Plattendicke und r
die Elektrodenbreite, so wird r/t allgemein gleich 12 gemacht, obgleich in der Praxis jeder Wert zwischen
20 und 6 brauchbar ist. Ein Wert von 151 wird
normalerweise als die Elektrodenlänge senkrecht zur Kopplungsachse für eine gute Unterdrückung anderer
Schwingungsformen gewählt. Die Grundfrequenz/ der Dickenscherschwingungsform wird so bestimmt,
daß sie dem gewählten Plateback PB nach folgender
Formel entspricht:
mit fm = /1S,
Pn =
f =
f-L·
(3)
(4)
Die Herstellung beginnt mit dem Schneiden eines Plättchens 16 aus einem Quarzkristall mit der gewünschten
kristallographischen Orientierung, z. B. zo im AT-Schnitt. Das Plättchen wird dann in üblicher
Weise auf eine Dicke t geschliffen und geätzt, und zwar entsprechend der gewünschten Grundfrequenz /,
bei der Scher- oder Verdrehungsschwingungsform. Allgemein ist die Dicke ungekehrt proportional zur
gewünschten Frequenz. Auf jede Seite des Kristallplättchens werden Masken mit Ausschnitten zum
Niederschlagen der sechs Elektroden angeordnet. Die Geometrie der Elektroden ist durch die Betrachtung
der gewünschten Bandbreiten und eines bequemen Platebacks bestimmt.
Der richtige Abstand d zwischen den Elektroden kann aus den Kurven der Fig. 11, 12 oder 13 bestimmt
werden, die die Änderungen in Prozent der Bandbreite für verschiedene Verhältnisse des Elektrodenabstands
zur Plattendicke dlt, für verschiedene Platebacks PB und für verschiedene Werte von r/t
zeigen.
Zum Erhalt der gewählten Plateback-Werte wird Gold oder Nickel beispielsweise durch schichtweises
Elektroplattieren, durch die Masken hindurch so niedergeschlagen, daß Anschlüsse möglich sind und
etwa die Hälfte des insgesamt gewünschten Platebacks erreicht wird. Energie wird den Hochfrequenzelektroden
28 und 30 zugeführt, und Masse den Elektroden hinzugefügt, bis eine dem gewünschten
Gesamt-Plateback entsprechende Verschiebung auftritt. Dies erfolgt, bis das Paar bei der Frequenz/22
in Resonanz kommt. Die Prozedur wird für die Elektroden 10 und 12 und sodann für 24 und 26
wiederholt. Während dieser Prozedur für die zweiten und dritten Paare kann es notwendig sein, die Wirkung
des ersten und des zweiten Paares durch induktives Abschließen dieser beiden Paare zu vermeiden.
Die gewünschten Bandbreiten sollten dann voreilen. Die Kurven des gekoppelten Resonators
werden dann berechnet oder gemessen, um die Werte von Z0 für jedes Paar zu bestimmen. Die Lastimpedanzen
für jedes Paar werden dann annähernd zu 2Z0 gewählt. Dies führt zu einer Gaußschen Kurve
statt zu einer flachen Bandkurve für jedes Resonatorpaar.
Die Entkopplung ist so, daß der Wert von 2Z0
noch ausreichend entfernt vom minimalen Wellenwiderstand Zm in F i g. 9 gelegen ist, um eine Übertragung
zwischen den Frequenzen /2 und jf4 wirksam
zu eliminieren. Abschlußimpedanzen kleiner als 2Z0 können dies ebenfalls bewirken. Es kann daher gesagt
werden, daß entsprechend einem Erfindungsmerkmal die Kopplung zwischen den Resonatoren
und 20 sowie zwischen 18 und 22 ausreichend niedrig sind und daß die Eingangs- und Abschlußimpedanzen
bei den Resonatoren ausreichend niedrig sind, um nur ein einziges Paßband zu erreichen.
Claims (6)
1. Diskriminatorschaltung für frequenzmodulierte Signale mit einem auf die Mittenfrequenz
eines Betriebssignalbandes abgestimmten und an zwei oberhalb bzw. unterhalb der Mittenfrequenz
abgestimmte piezoelektrische Ausgangsresonatoren angeschlossenen Eingangsresonator und
mit einer Schaltungsanordnung zur Subtraktiven Verknüpfung der jeweiligen Ausgangssignale
der Ausgangsresonatoren für die Erzeugung eines demodulierten Signals, dadurch gekennzeichnet,
daß der Eingangsresonator (14) ein auf einem piezoelektrischen Kristallkörper (16)
befestigtes Elektrodenpaar (10, 12) sowie zwei beidseitig davon angeordnete, ebenfalls auf dem
Kristallkörper (16) befestigte und den Ausgangsresonator (20, 22) bildende Elektrodenpaare (24,
26; 28, B0) aufweist, wobei der Eingangsresonator
mit den Ausgangsresonatoren akustisch im Gegentakt gekoppelt ist.
2. Diskriminator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Elektrodenelement
im Abstand gegenüber jedem der zweiten und dritten Elektrodenelemente angeordnet ist und
die Elektrodenelemente mit Masse belastet sind und daß die Schaltung eine ausreichend niedrige
Impedanz aufweist, derart, daß an jedem der Ausgangsresonatoren nur eine Ansprechspitze
vorhanden ist.
3. Diskriminator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenelemente im
gegenseitigen Abstand voneinander angeordnet sowie mit ausreichenden Massen versehen sind,
um die Kopplung zwischen dem Eingangsresonator und jedem Ausgangsresonator derart zu
begrenzen, daß die Wellenwiderstands-Frequenz-Kennlinie eine zwischenliegende Maximalimpedanz
bei einer Frequenz besitzt.
4. Diskriminator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenelemente für
kapazitive Effekte im gegenseitigen Abstand voneinander angeordnet und mit ausreichender Masse
versehen sind, um die Kopplung zwischen den Resonatoren zur Überwindung der kapazitiven
Effekte zu begrenzen sowie um zwischen dem Eingangsresonator und jedem Ausgangsresonator
eine Wellenwiderstandskurve zu erzeugen, die eine zwischenliegende reelle Maximalimpedanz
und extreme Nullimpedanzen aufweist.
5. Diskriminator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodenelement jedes
Resonators mit Masse für eine Frequenz versehen ist, auf die die Resonatoreinrichtung abgestimmt
ist.
6. Diskriminator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenelemente je
zwei gegenüberstehende Elektroden auf gegenüberliegenden Flächen des Kristallkörpers aufweisen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3617923A (en) * | 1969-11-06 | 1971-11-02 | Bell Telephone Labor Inc | Beat frequency generator using two oscillators controlled by a multiresonator crystal |
US3626310A (en) * | 1970-03-06 | 1971-12-07 | Gen Electric | Frequency discriminator |
US3662459A (en) * | 1970-04-01 | 1972-05-16 | Gen Electric | Method for tuning discriminators |
US3750027A (en) * | 1970-08-12 | 1973-07-31 | Texas Instruments Inc | Surface wave frequency discriminators |
US3697788A (en) * | 1970-09-30 | 1972-10-10 | Motorola Inc | Piezoelectric resonating device |
FR2167405B1 (de) * | 1972-01-14 | 1976-06-11 | Thomson Csf | |
US4076987A (en) * | 1976-12-10 | 1978-02-28 | Societe Suisse Pour L'industrie Horlogere Management Services S.A. | Multiple resonator or filter vibrating in a coupled mode |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2233199A (en) * | 1940-01-02 | 1941-02-25 | Rca Corp | Signal detecting system |
US3199040A (en) * | 1962-09-06 | 1965-08-03 | James E Coogan | Crystal frequency discriminator |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2771552A (en) * | 1951-05-09 | 1956-11-20 | Donald W Lynch | Discriminating detector |
-
1968
- 1968-07-26 SE SE10227/68A patent/SE333170B/xx unknown
- 1968-07-31 BE BE718868D patent/BE718868A/xx unknown
- 1968-08-01 GB GB1234097D patent/GB1234097A/en not_active Expired
- 1968-08-02 FR FR1576792D patent/FR1576792A/fr not_active Expired
- 1968-08-02 NL NL686811008A patent/NL151860B/xx not_active IP Right Cessation
- 1968-08-02 DE DE19681766871 patent/DE1766871B1/de not_active Withdrawn
-
1969
- 1969-07-25 US US849239A patent/US3525944A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2233199A (en) * | 1940-01-02 | 1941-02-25 | Rca Corp | Signal detecting system |
US3199040A (en) * | 1962-09-06 | 1965-08-03 | James E Coogan | Crystal frequency discriminator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE718868A (de) | 1968-12-31 |
GB1234097A (de) | 1971-06-03 |
FR1576792A (de) | 1969-08-01 |
SE333170B (sv) | 1971-03-08 |
US3525944A (en) | 1970-08-25 |
NL6811008A (de) | 1969-02-06 |
NL151860B (nl) | 1976-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |