DE2005918A1 - Siebschaltung - Google Patents
SiebschaltungInfo
- Publication number
- DE2005918A1 DE2005918A1 DE19702005918 DE2005918A DE2005918A1 DE 2005918 A1 DE2005918 A1 DE 2005918A1 DE 19702005918 DE19702005918 DE 19702005918 DE 2005918 A DE2005918 A DE 2005918A DE 2005918 A1 DE2005918 A1 DE 2005918A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- resonators
- coupling
- filter
- reactance
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 98
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 98
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 97
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 50
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 39
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims 2
- 235000004338 Syringa vulgaris Nutrition 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100281682 Danio rerio fsta gene Proteins 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 241001233037 catfish Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/545—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including active elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
WESTERN EUSCTRIC COMPANY INC! IO. Februar 1970
195 Broadway A 31
New York N.Y.. 10007/USA
Die Erfindung betrifft eine Siebschaltung mit wenigstens
einem ersten monolithischen Kristallfilter, der eine Mehrzahl
von Resonanzeinrichtunken aufweist, die einen maximalen
Definitiv-Kopplungszustand bestimmen und in Bezug
auf diesen Kopplungszustand lockerer miteinander gekoppelt
sind, ferner mit einem zweiten monolithischen Kristallfilter,
der eine Mehrzahl von Resonanzeinrichtungen aufweist,
die wiederum einen maximalen Definitiv-Kopplungszustand
bestimmen und miteinander in Bezug auf diesen Kopplungszustand lockerer miteinander gekoppelt sind, wobei
für jede Resonanzeinrichtung innerhalb eines jeden
Kristallfilters ein zu der ResonanzeinrIchtuns parallel
geschaltetes Reaktanzglied vorgesehen ist.
Pur eine verlustarme Energieübertragung über einen in
akustischer Resonanz befindlichen Kristallkörper , der
Dickenscher- schwingungen ausführt, kann eine selektive
Einstellung durch Abdeckung der entgegengesetzten Kristall
flächen mit einer Anzahl von unter gegenseitigem Abstand angeordneten, Elektrodenpaaren erreicht werden, deren
Massen ausreichend bemessen sind, um die Dickenscherschwingungen auf die Bereiche zwischen den Elektroden
eines jeden Paares zu konzentrieren, so daß diese Elektrodenpaare
mit dem Kristall gesonderte Resonatoren bilden. Hierzu wird der gegenseitige Abstand der Slektrodenpaare
genügend gross bemssen, um die Kopplung zwischen jeweils zwei benachbarten Resonatoren unterhalb eines
- , " ' "■"..- - 2 -
0098 32/ .141 9
- 2 vorgegebenen Wertes zu halten.
Diese Erscheinungen können zum >\ufbAu fines monolithischen
Kristallfilters angewendet v/erden, welcher aen L-urchlassb«reich
zwischen einer elektrischen .iner^iequeile und
einer V/iderstanüsbelastun^ steuert, üabei werden zum
Beispiel zwei oder mehrere iiIektrodenpaare an entgegengesetzten
Flächen eines piezoelektrischen, scheibenförmigen
Kristallkörpers aufgedampft. B* i \nschlu00 eines
Elektrodenpaares an eine zur rlrre^ung von Dickenscherschwindungen
innerhalb des Kristailkörpers ^eei^nete
Energiequelle und Anschluss eines anderen Ii Ie k tr öden paares
an eine Widerstandslast bilden die Elektrodenpaare mit dem Kristall aufeinanderfolgende Resonatoren.
Der Durchlasεbereich an der Last kann durch ^eeijnete Auswahl
der Elektrodenriiassen und der Anstände zwischen den
betreffenden Resonatoren bestimmt werden. Hierzu müssen die Elektroden ausreichend massiv und die ^e^enf-eitiiren
Abstände gross genu^ bemessen werden, so da£>
die Kopplung zwischen den benachbarten Resonatoren wenigstens so gering
ist, daß sich eine sogenannte "uefinitiv-Koppiung" ergibt,
die in folgenden auch als "gesteuerter Kopplungα zustand"
bezeichnet wird. 2in solcher Kopplunjszustand ist dann
getreten, wenn die Differenz zwischen den beiden Kurzschluss-berienresonanzfrequenzen
von zwei jeweils benachbarten Resonatoren für sich geringer als die Differenz
zwischen den Serienresonanz- und Parallel-mtiresonanzfrequenzen
eines Resonators für sich sind. Die Kurzschluß-3erienresonanzfrequenzen
sind hierbei diejenigen ^erienresonanzfrequenzen, die bei Kurzschließen eines zu untersuchenden,
gekoppelten Resonators und Erresun^ des
anderen Resonators gemessen werden, wobei alle übrigen,
009832/1419 BAD ORIGINAL
nicht zu untersuchenden Resonatoren entkoppelt sind.
Um mit derartigen b!ebschaltungen bestimmte Übertragungsfunktionen
zu verwirklichen,, insbesondere auch um die Steilheit der Wandflangen zu erhöhen, kann die Anzahl der
Resonatoren bzw. Pole auf acht oder zwölf erhöht werden.
Bei solchen monolithischen Kristallfeldern höherer Ordnung
ist es möglich, die Koppelfaktoren K1 ,,, K, 7.
,
Kr , , itn Sinne einer beliebig vorgegebenen Übertragungs-
funktion H (ζ) einzustellen. Hierzu ist aber die Verwendung ^
von umfangreichen piezoelektrischen Kristallkörpern erfor- ™
derlich, beispielsweise solchen aus Ciuarz. Hieraus ergeben
sich beträchtliche Probleme für die Herstellung solcher
oiebschaltungen,-- die sich im Vergleich zu oiebschaltungen
niedrigerer Ordnung schwierig und aufwendig gestaltet»
Aufgabe der irfindun-: 1st in dies'em Zusammenahn·: die Schaffung
einer oiebschaltung, die sich durch einfache und wirtschaftliche
Herstellbarice it auszeichnet. De erf indungsgemäs3e
Lösung dieser \ufgaoe kennzeichnet sich bei einer
.Siebschaltung der eingangs genannten Art hauptsächlich dadurch,
dai? die mit den Reaktanz^liederh parallel geschalteten Resonanzeinrichtun^en abgestimmt sind und da:? die Re- A
aUtanzjrlieder einen »Vert aufweisen, der eine bezüglich" des
maxiaialen Jefinitiv-Kopplungszustandes lockerere Kopplung
zwischen Jen Resonanzeinrichtunjen aufrecht erhält.
Im einzelnen kann erfindungsgemäss zwischen den Resonatoren
von retrennten monolithischen Kristall!1! ltern niedrigerer
Ordnun;; eine Nebenschlußreaktanz X. angeordnet werden,
weiche die Resonatoren derart locker, koppelt, wie es dem Koppe!faktor K zwischen zwei ahnlichen Resonatoren in
009832/1419
einem einstöckigen Kristallfilter höherer Ordnung entspricht«
Gleichzeitig werden die mit diesen Reaktanzsliedern parallel geschalteten Resonatoren in der Weise
abgestimmt, daß der Verstimmungseffekt der Reaktanzglieder
entfällt und die Bandmittenfrequenz f« der Masche aufrcht erhalten bleibt. Vorzugsweise kommt als
koppelndes Reaktanzglied ein Kondensator in Betracht*
Geraäss einer anderen Ausführungsform der Erfindung 1st
Jeder der einzelnen Kristallfilter mit zwei Resonatoren
versehen, währed der Koppelkondensator die Resonatoren der benachbarten Kristallfilter Überbrückt· Vorzugsweise
können die Kapazitäten der Koppelkondensatoren so eingestellt werden, daß die elektrostatischen Kapazitäten
innerhalb eines jeden Resonators berücksichtigt sind.
Weiterhin kann Jede Parallelreaktanz auf den Wert KX1
gebracht werden, wobei X, die Reaktanz der equivaleten dynamischen Inductivität L, bzw. der equivalenten dynamischen
Kapazität C, des entkoppelten und auf die Bandmittenfrequenz fQ des Filters abgestimmten Resonators ist.
Die kapazitiv gekoppelten Resonatoren werden gleichzeitig A so abgestimt, daß sie im entkoppelten Zustand Resonanzfrequenzen
ffc der Grosse f_ \/l-K aufweisen.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich
aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen. Hierin zeigt
Figur 1 den Prinzipaufbau einer erfindungsgemässen Siebschaltung,
0 0 9832/U19
Figur 2 das Schaltbild eines Filterabschnitts ähnlich
der Ausfuhrung nach Figur 1,.
Figur > eine Kettenleiter-Ersatzschaltung des Filters
gemfiss Figur 2,
Figur 4 ein weiter schematisiertes Ersatzschaltbild des Schaltungsteils gemäss Figur 2,
Figur 5 ein Diagramm zur Veranschaulichung der Abhängigkeit
der Reaktanz von der Frequenz für die Serien- und Parallel-Impedanzen der Schaltung
gemäss Figur 4 für den Fall einer festen Ankopplung der Resonatoren gemäss Figur 2,
Figur 6 ein Diagramm zur Veranschaulichung der Abhängigkeit
des Wellenwiderstandes von der Frequenz für die Schaltung gemäss Figur 2, 3 und 4 unter den
Voraussetzungen des Diagramms gemäss Figur 5»
Figur 7 ein Diagramm der Übertragungsfunktionen der
Schaltungen gemäss Figur 2, 3 und 4 für die Bedingungen
gemäss Figur 5 und 6,
Figur 8 ein Diagramm der Abhängigkeit der Reaktanz der
Serien- und Parallelzweige in der Schaltung gemäss Figur 4 bei lockerer Ankopplung der Resonatoren gemäss Figur 2 entsprechend einem gesteuerten
Kopplungszustand (Definitivkopplung),
Figur 9 ein Diagramm der Wellenwiderstände der Filter
gemäss den Figuren 2, 3 und 4 unter den Bedingungen
gemäss Figur 8,
Figur 10 ein Diagramm der Ubertragungsfunktionen der Filterstruktur gemäss Figur 2 unter den Bedingungen
gemäss den Figuren 8 und 9,
Figur H das schematische Schaltbild einer Prüfschaltung
zur Bestimmung der Kennwerte einer Filterstruktur» gemäss Figur 2, . 6 -
00983271419
Figur 12, 13 und 14 je ein Diagramm zur Darstellung der
Beziehungen zwischen den verschiedenen Parametern für Filterabschnitte bzw. Pilterstrukturen genäss Figur 2,
Figur 15 das schematische Schaltbild einer Prüfschaltung
für die Bestimmung der Kopplung zwischen den Pilterabschnitten Innerhalb der Siebschaltung
gemäss Figur 1,
Figur 16 eine Kettenleiter-Ersatzschaltung für die Siebschaltung gemäss Figur I9
Figur 17 eine andere Ersatzschaltung für die Siebschaltung genäss Figur 1
Figur 18 das Schaltbild einer anderen Siebschaltung gemäss der Erfindung und
Figur 19 das Schaltbild einer weiteren AusfUhrungsform
einer erfindungsgemäesen Siebschaltung.
Bei der Schaltung nach Figur 1 ist eine Hochfrequenz-LeIstungsquelle S nlt der Ausgangsspannung e und dem
Innenwiderstand R vorgesehen. Diese Quelle beaufschlagt über einen erfindungsgemäseen Bandpass F mit acht Resonatoren einen Lastwideretand R.. Der Bandpass F besteht aus
vier aufeinanderfolgend gekoppelten, monolithischen Zweipol-Kristallfiltern FSl, PS2, FS3 und FS4, welch letztere
alle in einem Betrieb mit Dickenscherschwingungen arbeiten,
Die Quelle S ist an Elektroden 10 und 12 eines scheibenförmigen piezoelektrischen Kristalls 14 angeschlossen,
der zusammen mit diesen Elektroden einen ersten Resonator 16 bildet und zu Dickenscherschwingungen angeregt wird.
Als Kr ie ta 11 könnt zum Beispiel ein in der kr Is ta Hographischen AT-Richtung geschnittener Quarz In Betraoht.
009832/U19
Die Schwingungen des Kristalls l4 rufen über den piezoelektrischen Effekt entsprechende elektrische Schwingungen
auch In dea Kreis eines zweiten Paares von Elektroden 18 und 20 eines zweiten Resonators 22 Innerhalb des Filters
PSl hervor. In entsprechender Welse sind weitere Elektroden
24, 26 , 28, 30, 32, 34, 36, 38, 40, 42, 44 und 46 an zugehörigen Kristallen 48, 50 und 52 angeordnet, wodurch
drei dem ersten Resonator 10 entsprechende Resonatoren 54, 56 und 58 sowie drei weitere, dem zweiten Resonator 22
entsprechende Resonatoren 60, 62 und 64 gebildet sind.
Ein Parallelkondensator Cl koppelt die an den Elektroden
18 und 20 auftretenden elektrischen Signale auf die Elektroden 2k und 26, wodurch der Resonator 54 erregt wird.
Die sich ergebende Dlokenscherschwlngungen innerhalb des
Kristalls 48 erregen den Resonator 60, der über einen
weiteren Prallelkondensator C2 mit dem Resonator 56 gekoppelt ist. Die Dlokensoherschwlngungen des letzteren entsprechend der Betriebswelse der Filter FSl und FS2 erregen
wiederum den Resonator 62, der Über einen Parallelkondensator C3 mit dem Resonator 58 gekoppelt 1st. Die elektrische Leistung der zwischen den Elektroden 44 und 46 am
Kristall 52 bestehenden Schwingungen liegt unmittelbar am lastwiderstand R^, der einen beliebigen ohmschen Verbraueher wiedergibt·
Die Nasse der Elektroden 10, 12, 18 und 20 am Kristall 14 im Filter FSl ist genügend gross bemessen, wie auch die
Elektrodenpaare 10, 12 und 18, 20 mit einem derartigen gegenseitigen Abstand angeordnet sind, dafi sich die Resonatoren 16 und 22 in einem Zustand "gesteuerter Kopplung"
befinden. Dieser Zustand kann in unterschiedlicher Weise
009832/U19
gekennzeichnet werden. Wenn diese Kopplung besteht, so ist
die Masse der Elektroden 10, 12, 18 und 20 bzw. die Oesantdloke der Anordnung an den Elektroden so gross, daß die
Schwingungsenergie In Kristall 14 auf den Volumenbereloh
des Kristalls zwischen den Elektroden eines Jeden Resona· tors konzentriert wird, während die Schwingungsenergie
■it zunehmendem Abstand von den Elektrodenpaaren exponentiell abnimmt. Hierdurch wird die Wirkung der Kristallgrenzen auf die Schwingungen innerhalb des Kristalls begrenzt. Gleichzeitig sind die Abstände zwischen den Resonatoren in Verbindung mit dem Orad der Massenbeladung in
Jedem der Filter PSl, FS2, FS3 und PS4 bei Erfüllung der
Voraussetzungen für die gesteuerte Kopplung derart bemessen, daß sich eine lockere Kopplung der Elektrodenpaare
ergibt. Speziell wird die Kopplung so looker bemessen, daß
die bei Anregung des einen von zwei miteinander gekoppelten Resonatoren und Kurzschluß des anderen Resonators sich ergebenden Resonanzfrequenzen fA und f. voneinander einen
geringeren Frequenzabstand aufweisen, als dies den Differenzwerten f.A-fA und faB"fB enfcBPrlont· Die Werte f^ und
*aB etellen hierbei Ant!resonanzfrequenzen dar, die bei
Parallelschaltung obiger KreIz-Parallelschaltung der beiden
Resonatoren auftreten.
Im einzelnen werden die Resonatoren mit weniger als den halben Maxiaalkopplungsgrad des gesteuerten Kopplungszustandes miteinander verbunden« so daß die Resonanzfrequenzen um weniger als 1/2 (f&A -fA)bzw. 1/2 (i^-fg)
auseinanderliegen. Die Resonatoren 54 und 60, 56 und 62,
58 und 64 befinden sich ebenfalls in Bezug aufeinander in Zustand gesteuerter Kopplung, und zwar ebenfalls mit dem
halben Maximalkopplungsgrad, der diesem Zustand entspricht.
009832/ U19
Der Koppelfaktor K zwischen zwei beliebigen Resonatoren in einem
Schmalbandfilter, wobei diese Resonatoren nur miteinander gekoppelt sind, kann durch die Beziehung
In Abhängigkeit von den gekoppelten Frequenzen ausgedrückt werden.
Der Koppelfaktor K12 zwischen den Resonatoren 16 und 22 sowie die
Koppelfaktoren K^, K^ und K7Q zwischen den Resonatoren 54 und
bzw. 56 und 62 bzw, 58 und 64 werden so ausgewählt, daß sich für acht aufeinanderfolgend gekoppelte Resonatoren eine vorgegebene
Bandpaß-Filterkurve oder Übertragungsfunktion H(z) ergibt. Letztere
bestimmt diese Kopplungen. Die Koppelfaktoren Kp,, K2^ und K^7
zwischen den Resonatoren 22 und 54 bzw. 60 und 56 bzw. 62 und
werden In der gleichen Weise festgelegt. FUr jedes gewünschte Übertragungsverhalten eines Bandpasses 1st der Wert der Koppelkapazität des Kondensators C1 groß genug zu bemessen, um eine
genügend lockere Kopplung in Bezug auf die maximale Definitiv-Kopplung oder gesteuerte Kopplung einzustellen, und zwar vorzugsweise eine gegenüber der halben Maximalkopplung noch geringere
Kopplung.
Mit Hilfe der Kondensatoren C1, C2 und C5 und der hierdurch erzeugten Koppelfaktoren K2-*, K^ und Kg7 werden die ungekoppelten Resonanzfrequenzen der Resonatoren 22, 54, 60, 56, 62, 58 unterhalb
der Bandmittenfrequenz Tq eingestellt, und zwar tief genug, um
die Frequenz In der Masche, die durch die im Koppelzustand befindlichen, kapazitiv gekoppelten Resonatoren gebildet ist, auf der
Bandmittenfrequenz fQ zu halten.
Der Bruchteil von Tq, auf den die Resonatoren 22 und 54, 60 und
sowie 62 und 58 abgestimmt sind, beträgt/1 - K25, yl - K21,- bzw.
25
i/l - Kg7. Dies bedeutet eine Frequenzabsenkung von fQ aus um den
Betrag ^f etwa gleich f0Kg,/2 für die Resonatoren 22 und 54,
f0K^5/2 für die Resonatoren 60 und 56 sowie fo K6y/2 fUr die
Resonatoren 62 und 58·
-10-
009832/U19
z.B. FSl4 IKBt sich anhand einer ähnlichen Anordnung bzw. Ersatzschaltung nach Figur 2 verstehen» bei der die Elektroden 10 und
12 sowie Ic und 20 miteinander übereinstimmen. Figur 3 zeigt hierzu
eine weiter schematisierte Kettenleiter-Ersatzschaltung, während Figur h eine Brücken-Ersatzschaltung wiedergibt. Ib Kettenlelter-Frsatzschaltbild stellen die drei positiven und negativen Kondensatoren C das elektrische Äquivalent der akustischen Kopplung
zwischen den Elektrodenbereichen gemäß Figur 2 dar. Hierbei gilt fir für jeden gewünschten Koppelfaktor K die Beziehung C-=C1A,
wobei C die äquivalente dynamische Kapazität eines Jeden Resonators ist. Die Schaltungen gemäß Figur 3 und h hängen über die
folgenden | Gleichungen | zusammen: | cm | Cl |
Cl | 1 + A. | |||
c | ||||
L13 | ||||
C. und L. sind so bestimmt, daß die Abstimmfrequenz eines jeden
Resonators im entkoppelten Zustand 1/2 ir ·ν/ΤΓ57 betragt und gleich
f0 ist, d.h. der Gesamt-Bandmittenfrequenz. Die äquivalente dynamische Induktivität L1 1st eine Funktion der Dicke des Kristallkörpers und der Geometrie der Elektroden 10« 12 sowie 18, 20.
C0 ist die statische Zwischenelektrodenkapazität eines jeden
Elektrodenpaares·
In Figur 2 ist das von der Struktur Übertragene Signal am größten»
d.h. die Betrlebsdämpfung am kleinsten, wenn der Wellenwiderstand
Zg gleich RL 1st, d.h. für jene Frequenzen, bei denen Zg reell
und gleich Rc bzw. gleich RL wird. Allgemein gilt für den Wellenwiderstand Zc = 1/2OC2SC * wobel zoc die Elneangslnpedanz bei lastseltlg leerlaufendem und Zgc diejenige bei lastseitig kurzgeschlos·
senem Vierpol ist. Der Wellenwiderstand des Kristallfilter gemäß Figur 2 und der Ersatzschaltungen gemäß Figur 3 und 4 1st somit
009832/U19
gleich V^Ä^b" * Da der scnelbenförml8e Kristallkörper 14 einen
hohen OUtefaktor Q aufweist, bestehen die Größen Zft und Zß fast
ausschließlich aus Ihren Reaktanzkomponenten Xft und Χβ, so daß
Zg im wesentlichen gleich JXAXg 1st· Xft und X0 können aufgetragen
werden, um Zg hieraus für verschiedene Massen der Elektroden 10,
und 14, 16 Zg bestimmen zu können.
Bei unl&eutender Massenbeladung des Kristallkörpers 14 durch die
Elektroden In der Filteranordnung gemäß Figur 2 nimmt die zwischen
den Elektroden 10, 12 erzeugte Schwingungsenergie in Richtung zu den anderen Kristallbereichen nur langsam ab. Die Elektrodenpaare
sind daher durch den Kristall fest miteinander gekoppelt. XA und
ändern sich dann mit der Frequenz nach dem Diagramm gemäß Figur 5·
Da XA und X^ Imaginär sind, wird Zg nur bei entgegengesetztem
Vorzeichen der beiden Reaktanzen reell. Der Filter weist somit In
denjenigen Frequenzbereichen, in denen die Kurven von X^ und X«
auf entgegengesetzten Selten der Abszisse verlaufen, einen positiven, reellen Wellenwiderstand Zc «= Rc auf. Wie das Diagramm des
Realteiles von Z« gemäß Figur 6 zeigt, bestehen für die Koppelverhältnisse gemäß Figur 5 zwei Abschnitte mit positiv reellem
Wellenwiderstand, die sich Über die Bereiche zwischen Resonanz
und Qegenresonanz von fA bis f^ bzw. fg bis fap der einzelnen
Impedanzen ZA und Zß erstrecken. Die Breite dieser Bereiche 1st
annähernd Übereinstimmend und eine Funktion der piezoelektrischen
Kopplung des Kristallkörpers.
Da die Betriebsdämpfung bei Übereinstimmung der Abschlußimpedanz
R. gemäß Figur 2 mit dem Wellenwiderstand R~ ein Minimum annimmt,
so 1st die Betriebsdämpfung einer derartigen Anordnung in dem reaktiven Irapedanzbereich zwischen f. und fß sehr groß und nur
für die beiden Frequenzen niedrig, bei denen sich die Kurven für R^ und RQ schneiden. Diese Schnittpunkte liegen gemä3 Figur
ungeachtet des Wertes von R- weit auseinander, so daß sich für
die Frequenzabhängigkeit der Betriebsdämpfung eine Kurve der Form gemäß Figur T ergibt. RIr jeden Wert von Rq ergeben rieh
zwei Minima, die durch ein breites, verlustbehaftetes Bahd
-12-009832/ U19
von mehr als f^-f^ Ausdehnung voneinander getrennt sind. Schon
geringfügige Änderungen des Abschlußwiderstandes R. führen zu einer Verschiebung der Frequenzlage der Minima.
Eine ausreichende Erhöhung der Elektrodenmasse führt zu einer Konzentration der Dickenscherschwingungen zwischen den Elektroden
des betreffenden Elektrodenpaares, während die Schwingungsamplitude außerhalb des Volumenbereiches zwischen den Elektroden stark
abnimmt. Für eine gegebene Abstandsbemessung zwischen den Elektrodenpaaren nimmt die Kopplung der Resonatoren also ab. Umgekehrt
nimmt die Kopplung bei entsprechend großer Elektrodenmasse mit zunehmendem Abstand zwischen den Elektrodenpaaren ab. Weiterhin
erreicht kein wesentlicher Anteil der Schwingungsenergie die Begrenzungen des Kristalls. Wenn zwei derartige Resonatoren In
ihrem gegenseitigen Einwirkungsbereich angeordnet werden« so verhalten sie sich ähnlich einem abgestimmten Übertrager.
Eine Zunahme des Abstandes zwischen den Elektrodenpaaren und der
Elektrodenmasse führt daher zu einer Einschnürung des Frequenzbandes, über welches die Schwingungsenergie von einem System zum
anderen gelangt. Hierbei nähern sich die beiden Resonanzfrequenzen
fA und fg einander. Bei genügend lockerer Kopplung und entsprechender Lage von f„ unterhalb von T&fi ergeben sich die Reaktanzkurven für X. und XQ gemäß Figur C. Die einzelnen Resonanz-Qegehresunanzbereiche dieser beiden Reaktanzkurven überlappen sich hler»
d.h. fg-fA kleiner als fo^-f^· Der sich ergebende Realteil der
Wellenimpedanz, d.h. der reelle Wellenwiderstand R«, erscheint in
der reellen ebene von Figur 9» wonach Z~ zwei positive reelle
Bereiche aufweist. Einer dÄelben erstreckt sich zwischen den Resonanzfrequenzen fA und fß mit dazwischen liegendem Maximalwert
und verschwindenden Endwerten, während sich ein zweiter Bereich zwischen f&A und faß erstreckt, von einem unendlichen Wert ausgehend bis zu einem Minimum abfällt un darm wieder mit zunehmender
Frequenz ins Unendliche ansteigt.
durch
Einer der beiden Frequenzbereiche gemäß Figur 9 läßt sich/Bemessung
-13-
009832/U19
der Elektroden 14 und 16 innerhalb des Widerstandsbereiches einer
Wellenwiderstandskurve R«, die von der anderen entfernt angeordnet
ist, ausscheiden. Da gemäß Figur 9 RL von allen Widerständen
unterhalb von ZQ wenig abweicht, läßt das System den Frequenzbereich
zwischen fA und fß mit geringen Verlusten durch. Eine entsprechende Filterkurve der Betriebsdämpfung für Abschluß mit R^ ist
in Figur 10 wiedergegeben.
Die Betrlebszustände gemäß den Figuren 6, 7» 9 und 10 können mit
einer Meßschaltung nach Figur 11 verfolgt werden. Hierzu wird von einem Generator 70 eine Antriebsspannung über einen Widerst ahd 72 einem Elektrodenpaar 10, 12 zugeführt, während zunächst
das andere Elektrodenpaar durch einen Schalter 73 kurzgeschlossen
ist. An einem Meßgerät 74 wird die am Widerstand 72 abfallende
Spannung abgelesen. Die Maximalwerte dieser Spannung zeigen die Frequenzen f* und fß an.
Sodann wird mittels des Schalters 73 eine Induktivität 75 an die
Elektroden 18, 20 gelegt und hierdurch der Resonator 22 derart verstimmt, daß der Resonator 16 von ersterem praktisch entkoppelt
1st. Die Frequenzen, bei denen die Meßspannung zuerst einen Spitzenwert erreicht und sodann abfällt, sind die Entkopplungswerte von f0 und faQ. Der Wert von fao"fo stimmt im wesentlichen
mit denjenigen von f^-f^ 1^10 'aB'^B übereln» während f^ durch
Feststellung derjenigen Frequenz, bei welcher ein Minimum,der Spannung am Gerät 74 auftritt, bestimmt werden kann, wobei der
Generator 70 mit Widerstand 72 und Meßgerät 74 über die parallelgeschalteten Resonatoren 16 und 22 gelegt 1st. Hierzu nimmt wie
vorher ein Umschalter 76 seine Stellung gemäß Figur 11 ein, während der Schalter 73 in seiner Mittelstellung geöffnet ist und ein
weiterer Umschalter 77 aus seiner dargestellten Mittelstellung nach links geschaltet wird. Zur Bestimmung von f&B wird der Umschalter 77 in seine rechte Stellung überführt.
-1t-
009832/1118
Durch Anschließen der Induktivität 75 an den Resonator 22 mittels des Umschalters 73, wodurch dieser Resonator verstimmt wird, und durch Oberführen des Umschalters 77 in
seine Mittelstellung können die Werte von I1 und C1 gemäß Fig. 3 und 4 gemessen werden. Hierzu wird der Umschalter 76 auf einen Serienkondensator Cg1 umgeschaltet und
die Frequenz beim Maximalausschlag des Meßgerätes 74 festgestellt. Dies ist die Resonanzfrequenz fg-j · Sodann wird
der Umschalter 76/einen zweiten Serienkondensator C„2 ÜB'
geschaltet. Die Maximalablesung am Meßgerät 76 ergibt sodann eine Resonanz bei der Frequenz fgo» au* welche der
Generator 70 abgestimmt ist. Es gilt dann die Beziehung:
r Qi
^J
C1
Wenn fB - fA geringer als f^ - f^ ist, so besteht ein
Betriebszustand gemäß den Fig. 8, 9 und 10. Die Bedingung
fB - fA kleiner als f^ - fA ist hierbei bestimmend für
den erwähnten Zustand der Definitivkopplung bzw. gesteuer ten Kopplung. Wenn die erstgenannte Frequenzdifferenz die
zweitgenannte Frequenzdifferenz übersteigt oder dieser gleich wird, so sind die Betriebszustände gemäß den Fig.
5, 6 und 7 gegeben. Der Koppelfaktor K zwischen diesen Elektrodenpaaren ist gegeben durch den Ausdruck CrW~r*)
- 15 -
009832/1419
bzw. annähernd durch die Ausdrücke
Die Bandbreite (fB - f^) einer derartigen Struktur ist
eine Funktion von verschiedenen Parametern. Die Diagramme gemäß Fig. 12, 13 und 14 veranschaulichen amperische Beziehungen zwischen diesen Parametern. Die Elektrodenmassen erscheinen in diesen Diagrammen nicht unmittelbar, sondern machen sich durch das Ausmaß der Frequenzabsenkung eines jeden Resonators bemerkbar. Eine derartige Frequenzabsenkung tritt auch bei nur einem einzigen Elektrodenpaar an einem Kristallkörper auf. Der anteilsmäßige Frequenzabfall (f - fr / f) in der Resonanzfrequenz f eines entkoppelten Resonators, der durch ein einzelnes Elektrodenpaar an einem Kristallkörper gebildet ist, von der Grundfrequenz f der Dickenscherschwingung eines von Elektroden freien Kristallkörpers infolge zunehmender Elektrodenmasse ist eine Kenngröße dieser "Elektrodenmassen-Frequenzabsenkung1' .
eine Funktion von verschiedenen Parametern. Die Diagramme gemäß Fig. 12, 13 und 14 veranschaulichen amperische Beziehungen zwischen diesen Parametern. Die Elektrodenmassen erscheinen in diesen Diagrammen nicht unmittelbar, sondern machen sich durch das Ausmaß der Frequenzabsenkung eines jeden Resonators bemerkbar. Eine derartige Frequenzabsenkung tritt auch bei nur einem einzigen Elektrodenpaar an einem Kristallkörper auf. Der anteilsmäßige Frequenzabfall (f - fr / f) in der Resonanzfrequenz f eines entkoppelten Resonators, der durch ein einzelnes Elektrodenpaar an einem Kristallkörper gebildet ist, von der Grundfrequenz f der Dickenscherschwingung eines von Elektroden freien Kristallkörpers infolge zunehmender Elektrodenmasse ist eine Kenngröße dieser "Elektrodenmassen-Frequenzabsenkung1' .
Die genannte Frequenzabsenkung tritt zusätzlich zu einer jeden Frequenzverschiebung infolge Kopplung zwischen den
Resonatoren auf. Aus diesem Grund stimmt fQ mit f nicht
überein. In den Kurven gemäß Fig. 12, 13 und 14 ist die
Frequenzabsenkung für beide Resonatoren die gleiche. Jeder Resonator kann jedoch durch Veränderung seiner eigenen Frequenzabsenkung oder derjenigen des anderen Resonators verstimmt werden. In der Anordnung gemäß Fig. 3 hat dies zur Folge, daß eine zusätzliche Reaktanz, beispielsweise eine Kapazität, parallel oder in Serie mit der Induktivität L- und dem Kondensator Cj in Erscheinung tritt. Zur Einstellung einer Bandmittenfrequenz fQ werden vorzugsweise
überein. In den Kurven gemäß Fig. 12, 13 und 14 ist die
Frequenzabsenkung für beide Resonatoren die gleiche. Jeder Resonator kann jedoch durch Veränderung seiner eigenen Frequenzabsenkung oder derjenigen des anderen Resonators verstimmt werden. In der Anordnung gemäß Fig. 3 hat dies zur Folge, daß eine zusätzliche Reaktanz, beispielsweise eine Kapazität, parallel oder in Serie mit der Induktivität L- und dem Kondensator Cj in Erscheinung tritt. Zur Einstellung einer Bandmittenfrequenz fQ werden vorzugsweise
- 16 -
009832/U19
2005913,
beide Resonatoren im entkoppelten Zustand auf diese Frequenz abgestimmt.
Wenn die Filter SFIbis SF4 in der Siebschaltung gemäß
Fig. 1 nicht miteinander verbunden sind, so befinden sich die Resonatoren 16 und 22, 54 und 60, 56 und 62 sowie
58 und 64 sämtlich im Zustand der Definitivkopplung mit der vorgenannten Frequenzbedingung. Hierbei verhalten
sich die Resonatoren gemäß den Diagrammen nach Fig. 8, 9 und 10. Speziell wird folgende Beziehung eingestellt:
fA und fB liegen dann näher beieinander als zu den Frequenzen
faA oder faB.
Die Kopplung zwischen den Resonatoren, beispielsweise zwischen den Resonatoren 22 und 54, 28 und 56, 62 und 58,
wird durch Zuführung eines Hochfrequenzsignale vom Generator 70 über einen Meßwiderstand 72 in eine der durch
einen Koppelkondensator, beispielsweise C^, ermittelt.
Eine hierfür geeignete Schaltung ist in Fig. 15 dargestellt. Mit Hilfe von Prüfinduktivitäten L1 werden die
Resonatoren 10 und 16 bis zur Entkopplung verstimmt. Spannungsmaxima am Widerstand 72 bei veränderter Generatorfrequenz
zeigen die Resonanzfrequenzen In und fjj
an. Die Kopplung zwischen den Ressnatoren 22 und 54 gemäß Fig. 15 bestimmt sich dann durch den Koppelfaktor
In der Siebschaltung gemäß Fig. 1 sind die Resonatoren 22, 54, 60, 56, 62 und 58 im entkoppelten Zustand auf
eine Frequenz unterhalb von fQ abgestimmt. Dies wird
mit Hilfe der Elektrodenmassen-Frequenzabsenkung erreicht,
- 17
009832/U19
Hiermit ergeben sich Resonanzfrequenzen fQ in jeder Masche
und somit eine Gesamt-Ausgangsfrequenz fQ. Gleichzeitig
bleiben die vorgegebenen Kopplungen zwischen den Resonatoren 18 und 54, 60 und 56, 62.und 58, die für einen monolithischen
Kristallfilter mit acht Resonatoren geeignet sind, die gleichen. Biese Abweichung der einzelnen Resonatoren von fQ
hält die mechanische Kopplung zwischen den Resonatoren der gleichen Filterstruktur aufrecht und verhindert eine Störung
der vorgesehenen mechanischen Kopplungen durch die Kondensatoren C.., O2 und C,. Die Abweichung von der frequenz
fQ macht jeweils einen Bruchteil der Werte
an den Kondensatoren C1, C2 und 0, aus.
Durch die folgende Überlegung anhand von Fig. 1 wird bestätigt,
daß die Abweichung der Abstimm-Frequenz von fQ tatsächlich die angegebene Wirkung hat. Hierzu wird auf
das Kettenleiter-Ersatzschaltbild gemäß Pig. 16 bezug genommen. Dieses Ersatzschaltbild besteht aus vier Netzwerken
N1, N2, N5 und N., welche den Filtern FS1, FS2,
FS3 und FS4 in Fig. 3 entsprechen. Diese Netzwerke sind aufeinanderfolgend durch Kondensatoren G.., G2 und C, gekoppelt
und liegen parallel zu zwei Kondensatoren Gq , welche die statischen Kapazitäten eines mit einem der ^t
Kondensatoren G1 bzw. G2 bzw. C~ verbundenen Elektroden- ^
paares verkörpert. Die positiven und negativen Kondensatoren G stellen die Kopplung zwischen den Resonatoren
der betreffenden Filter dar, während I1 und G1 die äquivalenten
dynamischen Induktivitäten der entkoppelten und auf fg abgestimmten Resonatoren darstellen.
- 18 -
009832/U19
Die Kondensatoren C25, C.^ und Cg„ veranschaulichen die
Verstimmung der Resonatoren 22, 54, 60, 56, 62 und 58 gegenüber fQ. Die Kondensatoren Cmx (x = 1, 2, 3 ....) veranschaulichen die mechanischen Kopplungen entsprechend den
Koppelfaktoren K12, K,., K^g und K79. Es ergibt sich somit
/* - w r -r C*
»l/ff* / LhfZ «J* /
Jede der aus den C -Kondensatoren gebildeten I-Glieder
erzeugt eine Phasenverschiebung von 90° entsprechend derjenigen Phasenverschiebung, welche durch die mechanische
Kopplung zwischen den einzelnen Resonatoren eines jeden Filters bedingt ist.
ο ο die Phasenverschiebung um, d.h. von 90 zu 270 . Diese
gegensinnige Phasenverschiebung von 90° hat also lediglich eine Polaritätsumkehr des Ausgangssignals zur Folge.
PUr eine Analyse ist es also möglich, eine lediglich mit
einer solchen Polaritätsumkehr verbundene Vorzeichen-Umkehr der Kondensatoren C10x vorzunehmen.
Gleichzeitig ist es möglich, die Kondensatoren C1, C2 und
C5 mit ihren zugehörigen Kapazitäten Cq zu Kapazitäten Cq
Cq2 und Cq, zu kombinieren. Die Verstimmung der Resonatoren 18, 54, 60, 56, 62 und 58 entspricht dann den Beziehungen
Das sich durch eine solche Einstellung ergebende Ersatzschaltbild ist in Fig. 17 wiedergegeben. Es ergibt eich
hieraus, daß die Kopplung zwischen den Netzwerken N1, N2
und N., dargestellt durch die Kondensator-TAGlieder
- 19
009832/ U19
Cq1, Cq2 und Cq, den mechanischen T-Kopplungsgliedern
Cm1' Gm2 und ^m3 identisch entspricht. Die Ausführung der
T-Glieder mit Cq1, Cq2 und Cq5 ist physikalisch zu verwirklichen,
sofern die letztgenannten Kapazitäten größer als C1 sind. Die Verstimmung der Resonatoren 18, 54, 60,
56, 62 und 58 und die Kondensatoren C1, Op, C, erzeugen
somit in Verbindung mit den statischen Kapazitäten CQ die
Kopplung der T-Glieder zwischen benachbarten, nichtmechanisch gekoppelten Resonatoren, beispielsweise den Resonatoren
und 54· Die Kopplung zwischen solchen nichtmechanisch gekoppelten Resonatoren entspricht der Kopplung zwischen den
mechanisch gekoppelten Resonatoren und erzeugt an einem achtpoligen Filter ein entsprechendes Verhalten.
Die Werte von Cq1, Cq2 und Cq-, ergeben sich durch die gewünschte
Kopplung zwischen den gleichen Resonatoren in einer monolithischen Siebschaltung mit acht Resonatoren.
Diese Kopplungen können entsprechend den bekannten Tschebycheff- oder Butterworth-Kriterien innerhalb der
durch die maximale Definitiv-Kopplung gegebenen Grenzen eingestellt werden. Für beliebig vorgegebene Koppelfaktoren
K2,, K.c und K6^ gilt
H'23
7
so daß sich also ergibt
Die Resonatoren 16, 54, 6C, 56, 62 und 56 erfahren je eine
Frequenzabsenkung ^, ^j~/f zur Aufrechterhaltung der
gleichen Bandmittenfrequenz f0·
- 20 -
009832/ U19
Im folgenden werden einige Daten eines speziellen AusfUhrungsbeispiels einer Siebschaltung gemäss Figur 1
angegeben. Die scheibenförmigen Halbleiterkörper 14, 48,
30 und 52 weisen hierbei einen Durchmesser von geringfügig weniger als 13 mm auf und zeigen ohne Elektroden
eine Scherechwingungs-Grundfrequenz von 8,262960 MHz.
Die Elektroden an jedem Kristallkörper sind zur Z-Krista11-achse fluchtend und längs dieser Achse gekoppelt angeordnet.
Die Elektroden sind rechteckig ausgebildet und weisen in der Z-Richtung eine Länge von etwa 2,2 mm und in der X-Rlchtung bzw. in Richtung parallel zu der entsprechenden
Kristallachse eine Länge von etwa 3» 5 mm auf. Der Abstand der Elektroden auf den Halbleiterkörpern 14 und 32 beträgt
etwa 0,11 cm, während der Elektrodenabstand auf den Halbleiterkörpern 48 und 30 etwa 0,13 cm beträgt. Der so erhaltene Resonatoraufbau liefert eine equlvalente dynamische
Induktivität von 29,8 mHy.
Die Resonatoren sind bei dieser AusfUhrungsform gemäss
Figur 11 abgestimmt, wobei jedoch die Elektroden 18 und 20 leerlaufen. Dies ruft infolge der mechanischen Kopplungen
und der Kondensatoren CQ einen Fehler hervor, der kompensiert wurde. Es ergaben sich die folgenden Resonanzfrequenzen:
" 22 und 58 8.1*0837 MHz.
" 54 und 62 8.l4o88o MHz.
" 60 und 56 8.140938 MHz.
Die Koppe !kondensatoren C1, C2 und C-* haben Kapazitäten
von 58 pf bzw. 62 pf bzw. 58 pf, und zwar unter Einschluß
der elektrostatischen Elektrodenkapazitäten CQ.
- 21 -
Mit einem Abschlußwiderstand von 500 Ohm ergab sich eine
Bandbreite von 3,26 kHz mit einer Bandmittenfrequenz von 8,14183 MHz.
Die Erfindung kann auch in Form einer allgemeineren Siebschaltung gemäss Figur 18 ausgeführt werden. Hier sind
Filterabschnitte FSEl, FSE2, FSE3 und FSE4 vorgesehen, die
jeweils fünf bzw. drei bzw. zwei bzw. drei Resonatoren aufweisen und durch drei Kondensatoren Cßl, C02 und C^, mit
einander gekoppelt sind. Die Kapazitäten dieser Kondensatoren betragen C1ACg bzw· ^/Kßa bzw· cl^io 11* Dle
gesamte Anordnung bildet einen 13-poligen Filter mit vorgegebener Übertragungsfunktion H (z). Die Elektroden EL
an jedem der Kristallkörper 101, 102 und 103 bilden wiederum entsprechende Resonatoren, wobei die zugehörigen Halbleiterkörper Dickenscherschwingungen ausfuhren. Die an
jedem der Kristallkörper gebildeten, benachbarten Resonatoren sind miteinander gemäss dem Tschebyscheff- oder
Butterworth-Kriterium oder einem anderen Kriterium für
13-fach gekoppelte Resonatoren zur gegenseitigen Kopplung gebracht. Die Kopplung zwischen zwei beliebigen Resonatoren, die von den übrigen Resonatoren entkoppelt sind,
1st jedooh stets geringer als die maximale Definitiv-Kopplung. Hierdurch wird die Bandbreite der Struktur auf
weniger als 0,15 % der Bandmittenfrequenz fQ begrenzt,
wenn die Kristallkörper 101, 102, 103 und 104 aus Quarz bestehen. Für die durch die Kondensatoren C01, C02 und
Cjy* gekoppelten Resonatoren erhalten eine ausreichende
Frequenzabsenkung, um die Masohenfrequenzen auf der Bandmittenfrequenz fQ zu halten. Dies entspricht einer Kompensation bzw. einer Bildung von Serienkondensatoren
In den T-Glledern der Schaltung.
- 22 -
009832/ U19
- 22 -
Bei einer weiteren Siebschaltung geraäss der Erfindung«
die in Figur 19 wiedergegeben ist, wird die Kopplung zwischen den einzelnen Filtern FSTl, FST2 und FST 3 -entsprechend den Filtern bzw. Filterabschnitten FoI,
FS2, FS3 und FS4 - hierdurch Induktivitäten L1 und
Lg gebildet, deren Werte durch L,K bestimmt sind« wobei K der verlangte Koppelfaktor zwischen benachbarten
Resonatoren £ und χ ist. Die derart induktiv gekoppelten
Resonatoren sind auf die Frequenz fQ )\ + Kx^ abgestimmt
Die im vorliegenden Zusammenhang verwendete Bezeichnung "Diokenscherschwingung" umfasst sowohl Parallelflächenwie auch Kreisflächen-Schwingungen um eine gemeinsame
Aohse. Letztere Schwingungsform wird auch als Dickentorsionsschwingung bezeichnet.
Für die durch die Kondensatoren C,, C2* C-», crn» cn2
usw. gebildeten Koppelreaktanzen sind ohne wesentliche Verzerrung der Filterkurve a- Abweichungen von +. 10# zulässig. Entsprechendes gilt auch für die durch Induktivitäten L^ und Lg gebildete Koppelreaktanzen. Infolgedessen braucht die dynamische Kapazität C,, welche den
Wert der Koppelkondensatoren und Koppelinduktivitäten bestimmt, bei der genauen Abstimmung auf die Frequenz
fQ nicht gemessen zu werden. Die erwähnte dynamische
Kapazität kann gemessen werden, wenn der Resonator auf die zur Erzeugung der Maschenfrequenzen des Betrages fQ
erforderlichen höheren oder niedrigeren Frequenzen abgestimmt ist.
Die Abstimmfrequenz eines jeden Resonators erlaubt eine Toleranz von +, 10$ der gewünschten Gesamt bandbreite.
- 23 -
009832/U19
Während Figur 16 die Resonatoren mit gleichen equiva^en
dynamischen Induktivitäten L1 und bei Abstimmung der Resonatoren
auf fQ mit gleichen equivalenten dynamischen Kapazitäten
C1 wiedergibt, kommen auch Ausführungen nach Art von Figur 1, 18 und 19 mit Resonatoren in Betracht,
die unterschiedliche Werte der dynamischen Induktivitäten und Kapazitäten aufweisen. In Figur 1 kann z.B. einer
der durch einen Kondensator mit der Kapazität C2 gekoppelten
Resonatoren die equivalente dynamische Induktivität L2 und der andere die entsprechende Induktivität Lj aufweisen.
Bei Abstimmung auf fQ können die equivalenten ft( dynamischen Kapazitäten dieser Resonatoren C2 und C^
betragen, so daß die folgende Beziehung gilt:
1-3 C3
FUr einen gegebenen Koppelfaktor K beträgt die Kapazität des Kondensators C2 dann
Die Jt kapazitiv gekoppelten Resonatoren mit der Induktivität L2 werden im entkoppelten Zustand auf die Frequenz
^ ^ IFr L2"(T2 "ei)
/Ζ77Γ
abgestIiOTt4. während die kapazitiv seiccppelten Resonator .?.n
mit der Ir »letImitat Ι« auf die Frequenz
cess?: !
L3 ΛΤ}
abgestimmt werden.
Es kann also ausgesagt werden, daß die einzelnen Resonatoren für einen beliebigen Wert der Koppelkapazitat
eine Abstimmung der zubehöri,3en Masche auf die Bandmittenfrequenz
fQ bewirken. Entsprechendes gilt auch für
induktiv gekoppelte Resonatoren. Hierbei ergibt sich der
Wert der Koppel induktivität zu
oder allgemein zu
λ3
für einen verlangten Koppelfaktor K. DLe entsprechenden
Abstimmfrequenzen ergeben sich zu
oder allgemein zu
sowie
oder allgemein zu - 25 ·
009832/ U19
In diesen Beziehungen bedeutet X^ die Koppelreaktanz
und X2 sowie X-* jeweils eine equivalente dynamische
Reaktanz entsprechend der Art der jeweiligen Koppelreaktanz·
009832/U1«
Claims (1)
- WESTERN ELECmiC COMPANi INC. 10. Februar 1970Broadway A 31New York N.*., 10007/USAAnsprüche1.j Siebschaltung mit wenigstens einem ersten monolithischen Kristallfilter (PS1), der eine Mehrzahl von Resonanzeinrichtungen (10,12;10,20) aufweist, die einen maximalen Definitiv-Kopplungszustand bestimmen und in Bezug auf diesen Kopplungszustand lockerer miteinander gekoppelt sind, ferner mit einem zweiten monolithischen Kristallfilter (FS2), der eine Mehrzahl von resonanzeinrichtungen (24,26;28,^0) aufweist, die wiederum einen maximalen Definitiv-Kopplungszustand bestimmen und miteinander in Bezug auf diesen Kopplungszustand lockerer miteinander gekoppelt sind, wobei für jede Resonanzeinrichtung innerhalb eines jeden Kristallfilters ein zu der Resonanzeinrichtung parallel geschaltetes Reaktanzglied (Cl) vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die mit den Reaktanzgliedern parallel geschalteten Resonanzeinrichtungen abgestimmt sind und daß die Reaktanzglieder einen >tert aufweisen, der eine bezüglich des maximalen Definitiv-Kopplungszustandes lockerere Kopplung zwischen den Resonanzeinrichtungen aufrecht erhält.2. Siebschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung eine vorgegebene F^lterkurve mit vorgegebenem Durchlaßbereich und zugehöriger Bandmittenfrequenz (f0) aufweist, und daß die mit den Reaktanzgliedern parallel geschalteten Resonanzeinrichtungen im entkoppelten Zustand auf ^Frequenzen (ft) abgestimmt009832/1419- 2-hsind, welche die einzelnen Maschenfrequenzen der Resonatoren auf der Bandmittenfrequenz (fQ) halten.j5. Siebschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung eine vorgegebene Frequenzkurve und einen vorgegebenen Durchlassbereich mit zugehöriger . Bandmittenfrequenz (fQ) aufweist und daß die Reaktanz-Flieder einen Wert (X) aufweisen, bei dem die mit den Reaktanzgliedern/parallel geschalteten Resonanzein- . richtungen mit einem vorgegebenen Koppelfaktor (K) gekoppelt und im entkoppelten Zustand auf eine Frequenz (ft) abgestimmt sind, die sich durch die Beziehungf. = .Jf«.. ./1-K +.10:* der Bandbreite des Durchlassbereiehes bestimmt.4. Siebschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, das als Reaktanzglied ein Kondensator (Cl) vorgesehen ist, dessen Viert unter Einschluss der elektrostatischen Kapazität der zugehörigen Resonanzeinrichtung bestimmt ist.■■■ ■■ : · ■'■■/ ' ■5· Siebschaltun»? nach Anspruch 4., dadurch gekennzeichnet, da-3 der Kristallfilter im erregten Zustand eine equivalente dynamische Inductivität (L1) und eine equivalente dynamische Kapazität (C,) bei einer Grundfrequenz f- ~ 1/2 v'LTTCr aufweist und daß die Kapazität des Kondensators um den Betrag C^ /K + My;-> geringer als der W^rt der elektrostatischen Kapazitäten in dem parallel-geschalteten Resonator bemessen ist.0 0 B 8 3 2/14196. Siebschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet* daß der Kristallfilter (F) im erregten Zustand equivalente Reaktanzen (+X1 und -X1) aufweist, die den dynamischen InductIv1täten und dynamischen Kapazitäten bei der Bandmittenfrequenz (fQ) entsprechen« und daß der Wert der Reaktanzglieder durch die Beziehung KX, ±10% unter Einschluß des Wertes der elektrostatischen Reaktanzen der Resonatoren bestimmt ist, wobei K der für eine vorgegebene Filterkurve erforderliche Koppelfaktor zwischen den parallel geschalteten Resonatoren ist.7. Siebschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daJ als equivalente Reaktanz +X, eine Inductivität L, und als Reaktanzgebiet eine hinsichtlich ihrer Orösse durch die Beziehung 1/KL1 +lOji unter Einschluss des Wertes der elektrostatischen Reaktanzen der Resonanzeinrichtungen bestimmte inductivität ist.δ. Siebschaltung nach »nspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mit den Reaktanzgliedern parallel geschalteten Resonanzeinrichtungen im entkoppelten Zustand durch VerstiBxnunti aller anderen Resonatoren an Jedem der Kristalle auf Frequenzen a b,j;e stimmt sind, die sich durch die Beziehung ffc ^ f„ . yi^iT£lO/> der Bandbreite des Durch laüüere iches der vorgegebenen l^ilterkurve bestimmen·009832/ U 1 9
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US79783769A | 1969-02-10 | 1969-02-10 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2005918A1 true DE2005918A1 (de) | 1970-08-06 |
DE2005918B2 DE2005918B2 (de) | 1979-11-15 |
DE2005918C3 DE2005918C3 (de) | 1986-11-13 |
Family
ID=25171925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2005918A Expired DE2005918C3 (de) | 1969-02-10 | 1970-02-10 | Bandpaßfilter mit der Bandmittenfrequenz f↓°↓, das mehrere monolithische Kristallfilter in Kettenschaltung enthält |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3585537A (de) |
BE (1) | BE745594A (de) |
DE (1) | DE2005918C3 (de) |
FR (1) | FR2035238A5 (de) |
GB (1) | GB1295692A (de) |
NL (1) | NL161008C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0360672A1 (de) * | 1988-09-23 | 1990-03-28 | Compagnie D'electronique Et De Piezo-Electricite - C.E.P.E. | Piezoelektrisches monolithisches Filter mit modifizierter Selektivität |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3676805A (en) * | 1970-10-12 | 1972-07-11 | Bell Telephone Labor Inc | Monolithic crystal filter with auxiliary filter shorting tabs |
US3732510A (en) * | 1970-10-12 | 1973-05-08 | Bell Telephone Labor Inc | Multisection precision-tuned monolithic crystal filters |
US3716808A (en) * | 1971-05-20 | 1973-02-13 | Motorola Inc | Bandpass filter including monolithic crystal elements with resonating portions selected for symmetrical response |
US3704433A (en) * | 1971-05-27 | 1972-11-28 | Bell Telephone Labor Inc | Band-elimination filter |
FR2186175A5 (de) * | 1972-05-24 | 1974-01-04 | Thomson Csf | |
NL178380C (nl) * | 1974-02-21 | 1986-03-03 | Nederlanden Staat | Piezo-elektrisch filter. |
NL174791C (nl) * | 1974-04-11 | 1984-08-01 | Nederlanden Staat | Piezo-elektrisch filter met een zeer smalle doorlaatband. |
US3983518A (en) * | 1975-04-24 | 1976-09-28 | De Statt Der Nederlanden, Te Dezen Vertegenwoordigd Door De Directeur-Generaal Der Posterijen, Telegrafie En Telefonie | Filter chain |
JPS52101337U (de) * | 1976-01-28 | 1977-08-01 | ||
US4246554A (en) * | 1978-12-11 | 1981-01-20 | E-Systems, Inc. | Inductorless monolithic crystal filter network |
US6501346B1 (en) * | 1999-09-09 | 2002-12-31 | Communications Systems International, Inc. | Ceramic filter for use with a beacon receiver |
US7948769B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-05-24 | Hemisphere Gps Llc | Tightly-coupled PCB GNSS circuit and manufacturing method |
US7885745B2 (en) | 2002-12-11 | 2011-02-08 | Hemisphere Gps Llc | GNSS control system and method |
US8634993B2 (en) | 2003-03-20 | 2014-01-21 | Agjunction Llc | GNSS based control for dispensing material from vehicle |
US8265826B2 (en) | 2003-03-20 | 2012-09-11 | Hemisphere GPS, LLC | Combined GNSS gyroscope control system and method |
US8138970B2 (en) | 2003-03-20 | 2012-03-20 | Hemisphere Gps Llc | GNSS-based tracking of fixed or slow-moving structures |
US8190337B2 (en) | 2003-03-20 | 2012-05-29 | Hemisphere GPS, LLC | Satellite based vehicle guidance control in straight and contour modes |
US8594879B2 (en) | 2003-03-20 | 2013-11-26 | Agjunction Llc | GNSS guidance and machine control |
US8271194B2 (en) | 2004-03-19 | 2012-09-18 | Hemisphere Gps Llc | Method and system using GNSS phase measurements for relative positioning |
US8686900B2 (en) * | 2003-03-20 | 2014-04-01 | Hemisphere GNSS, Inc. | Multi-antenna GNSS positioning method and system |
US8214111B2 (en) | 2005-07-19 | 2012-07-03 | Hemisphere Gps Llc | Adaptive machine control system and method |
US8140223B2 (en) | 2003-03-20 | 2012-03-20 | Hemisphere Gps Llc | Multiple-antenna GNSS control system and method |
US9002565B2 (en) | 2003-03-20 | 2015-04-07 | Agjunction Llc | GNSS and optical guidance and machine control |
US8583315B2 (en) | 2004-03-19 | 2013-11-12 | Agjunction Llc | Multi-antenna GNSS control system and method |
US8311696B2 (en) | 2009-07-17 | 2012-11-13 | Hemisphere Gps Llc | Optical tracking vehicle control system and method |
USRE48527E1 (en) | 2007-01-05 | 2021-04-20 | Agjunction Llc | Optical tracking vehicle control system and method |
US7835832B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-11-16 | Hemisphere Gps Llc | Vehicle control system |
US8000381B2 (en) | 2007-02-27 | 2011-08-16 | Hemisphere Gps Llc | Unbiased code phase discriminator |
US7808428B2 (en) | 2007-10-08 | 2010-10-05 | Hemisphere Gps Llc | GNSS receiver and external storage device system and GNSS data processing method |
US9002566B2 (en) | 2008-02-10 | 2015-04-07 | AgJunction, LLC | Visual, GNSS and gyro autosteering control |
US8018376B2 (en) | 2008-04-08 | 2011-09-13 | Hemisphere Gps Llc | GNSS-based mobile communication system and method |
US8217833B2 (en) | 2008-12-11 | 2012-07-10 | Hemisphere Gps Llc | GNSS superband ASIC with simultaneous multi-frequency down conversion |
US8085196B2 (en) | 2009-03-11 | 2011-12-27 | Hemisphere Gps Llc | Removing biases in dual frequency GNSS receivers using SBAS |
US8401704B2 (en) | 2009-07-22 | 2013-03-19 | Hemisphere GPS, LLC | GNSS control system and method for irrigation and related applications |
US8174437B2 (en) | 2009-07-29 | 2012-05-08 | Hemisphere Gps Llc | System and method for augmenting DGNSS with internally-generated differential correction |
US8334804B2 (en) | 2009-09-04 | 2012-12-18 | Hemisphere Gps Llc | Multi-frequency GNSS receiver baseband DSP |
US8649930B2 (en) | 2009-09-17 | 2014-02-11 | Agjunction Llc | GNSS integrated multi-sensor control system and method |
US8548649B2 (en) | 2009-10-19 | 2013-10-01 | Agjunction Llc | GNSS optimized aircraft control system and method |
US8583326B2 (en) | 2010-02-09 | 2013-11-12 | Agjunction Llc | GNSS contour guidance path selection |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2373431A (en) * | 1943-03-30 | 1945-04-10 | Bell Telephone Labor Inc | Electric wave filter |
DE928969C (de) * | 1949-10-30 | 1955-06-16 | Siemens Ag | Piezoelektrischer Koppler, insbesondere aus Quarzkristall |
FR1523518A (fr) * | 1966-04-11 | 1968-05-03 | Western Electric Co | Dispositif acoustique servant à transmettre de l'énergie entre deux circuits d'énergie |
FR1524727A (fr) * | 1966-10-13 | 1968-05-10 | Murata Manufacturing Co | Filtre céramique à énergie piégée fonctionnant par accroissement d'épaisseur |
-
1969
- 1969-02-10 US US797837A patent/US3585537A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
- 1970-02-05 GB GB1295692D patent/GB1295692A/en not_active Expired
- 1970-02-06 BE BE745594D patent/BE745594A/xx not_active IP Right Cessation
- 1970-02-09 NL NL7001791.A patent/NL161008C/xx not_active IP Right Cessation
- 1970-02-09 FR FR7004529A patent/FR2035238A5/fr not_active Expired
- 1970-02-10 DE DE2005918A patent/DE2005918C3/de not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2373431A (en) * | 1943-03-30 | 1945-04-10 | Bell Telephone Labor Inc | Electric wave filter |
DE928969C (de) * | 1949-10-30 | 1955-06-16 | Siemens Ag | Piezoelektrischer Koppler, insbesondere aus Quarzkristall |
FR1523518A (fr) * | 1966-04-11 | 1968-05-03 | Western Electric Co | Dispositif acoustique servant à transmettre de l'énergie entre deux circuits d'énergie |
FR1524727A (fr) * | 1966-10-13 | 1968-05-10 | Murata Manufacturing Co | Filtre céramique à énergie piégée fonctionnant par accroissement d'épaisseur |
Non-Patent Citations (7)
Title |
---|
1967 IEEE International Convention Record, Part 11 ("Speech"), S.78-93 * |
Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik, 1971, Bd.25, H.11, S.492-501 * |
Electronics Letters, Vol.2, No.6, S.220-222 (Juni 1966) * |
Proceedings of the 22nd Annual Symposium on Frequency Control, 22., 23. und 24. April 1968, S.188-205 * |
radio u. fernsehen, Bd.15, H.22, S.677-679 (Nov.1966) * |
radio u. fernsehen, Bd.15, H.23, S.727-730 (Dez.1966) * |
Wissenschaftliche Berichte AEG-TELEFUNKEN 41, 1968, H.3, S.150-159 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0360672A1 (de) * | 1988-09-23 | 1990-03-28 | Compagnie D'electronique Et De Piezo-Electricite - C.E.P.E. | Piezoelektrisches monolithisches Filter mit modifizierter Selektivität |
FR2637136A1 (fr) * | 1988-09-23 | 1990-03-30 | Cepe | Filtre piezoelectrique a selectivite amelioree utilisant des cellules monolithiques |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2005918C3 (de) | 1986-11-13 |
GB1295692A (de) | 1972-11-08 |
BE745594A (fr) | 1970-07-16 |
FR2035238A5 (de) | 1970-12-18 |
US3585537A (en) | 1971-06-15 |
DE2005918B2 (de) | 1979-11-15 |
NL7001791A (de) | 1970-08-12 |
NL161008C (nl) | 1979-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2005918A1 (de) | Siebschaltung | |
DE1566035C3 (de) | Kristallfilter | |
DE112014005637B4 (de) | Frequenzvariables Filter | |
DE2532646A1 (de) | Integrierte duennfilmschaltung mit den eigenschaften eines tankkreises | |
DE102016107658A1 (de) | Abstimmbares resonatorelement, filterschaltkreis und verfahren | |
WO2016034357A1 (de) | Filter mit verbesserter linearität | |
EP2095459A1 (de) | Hochfrequenzfilter mit sperrkreiskopplung | |
DE2654283C2 (de) | Filter für sehr kurze elektromagnetische Wellen | |
DE2353840A1 (de) | Oberflaechenwellenoszillator | |
DE1953826A1 (de) | Energieuebertragungseinrichtung | |
DE1957765A1 (de) | Brueckenfilter | |
DE2363701A1 (de) | Akustisches oberflaechenwellenfilter | |
WO2017125188A1 (de) | Filterschaltung | |
DE3002590C2 (de) | Oszillatorschaltung | |
DE4009076C2 (de) | ||
DE928969C (de) | Piezoelektrischer Koppler, insbesondere aus Quarzkristall | |
DE1925154A1 (de) | Bandpassfilter | |
DE2356726A1 (de) | Frequenzkonstanter sinuswellenoszillator | |
DE1766871B1 (de) | Diskriminatorschaltung | |
DE2214252C3 (de) | Bandfilter fur elektrische Schwingungen | |
DE1591261B1 (de) | Temperaturkompensierte piezo-elektrische Kristallschaltungsanordnung | |
DE1919024C (de) | Elektromechanisches Filter | |
DE1814954A1 (de) | Elektrische Filterweiche,bestehend aus zwei elektromechanischen Filtern mit unterschiedlicher Bandbreite | |
DD141740A1 (de) | Aktives filter mit elektromechanischen oder piezoelektrischen schwingern | |
DE2832168A1 (de) | Elektrisches frequenzfilter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8281 | Inventor (new situation) |
Free format text: RENNICK, ROBERT CHARLES, CENTER VALLEY, PA., US SMITH, WARREN, LA VERNE ALLENTOWN, PA., US |
|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |