DE1766612A1 - Abstimmelement fuer hochfrequente elektrische Schwingungen,vorzugsweise fuer Fernsehrundfunksignale - Google Patents

Description

• Abatimmelement flir hochfre:iuente elektrische `:chwint"ungsn,

  vorzuesWeise für Fernsehrundfunksignale

  Die Erfindung betrifft eip Abstimmelement f'.ir hochfre2uen te

  elektrische Schwingungen, vorzugsweise rUr rernsehrun4fl.@nk,-

  eigasle, dbe@mit elektronischen Eauelementen abstimmbar

  und auf Frequenzbereiche, z.S. `und I und ZII umschaltbar

  .19t und zur selektiven Verst-.irkung hochfrequenter elektrischer

  Schwingungen dient.

  bekannt sind ebstimmbare Eingangsstufen Mg hochfrequente

  elektrische Schwingungen, bei denen als Schwiz>ekreis31emente

  konzentrierte Bauelemente verwendet werden, wobei das Um-

  schalten auf den zu empfangenden Frequenzbereich durch Kurz- ,

  schließen oder Zuschalten einer entsrreehenden Induktivität,

  entweder mechanisch oder mit Halbleiterbauelementen (z.H.

  Schaltdioden) oder üurch Auswechselnder xrziaindüktivitten

  (a.8. Anordnung der die Induktivitäten tragenden Segmente

  fdohertürzig in Trommeln . oder auf Scheiben) erfolgt.

  Derartigs.Eing&ngsstufen enthalten wegen der erforderlichen

  .AbgleicbmbglIohkeiten Spulenkärper oder -halterungen und

  entsprechende Abgleichatifte. Außerdem werden fair solche

  E'lngangsstufen mit 'konzentrierten Schwirgkreiselementen

  zum Aufbau dersSchaltun;i und zur Verringerung, der StUr-

  etrahlung elektrisch leitende, geschlossene ;:etellgehhuce

  verwendet.'.

  leiterhin.eiad abstiambare ^UBungestuten mit Cedruokten

  iaäuktivitäten bekannt.

  Nachteilig ist bei diesen .':nordnungen, da:.' für jeden Fre-

  quenzbereich ein gesonderter gedruckter oder gewickelter

  Spulensate erforderlich Ist, der ($. B. bei einem "1'rotmel- .

  kanalwühler) zudem noch mechanisch in die erforderliche

  Hetriebsgtellung gebracht werden rnaa. .

  Es ainä bereits äbstimbare Var$täxker fUr hochfreguenta

  elektrische Schwingungen bekannt, bei dope» die Einzelkreise

  in Streiteuleitungstechnik ausgeführt sind, wobei die DHnä-

  filterwirkunä durch sw«kenteprvqherade epiegeleymmetriaoho

  Anordnung zweier ::inzelkreise und -durch eine zualitsliche

  'elektrische Verbindung der Innenleiter mit einer Korrekturim-

  pedanz erreicht wird, Der «.%,#insatsbereich' der Streifenleitu#zgs-.,

  teehnik ist aus teehnisah=dkonemiechen arUnden auf das Frs- .

  quensgebiet oberhalb j00.LIDIz peschi@t. -

  Zweck der Erfindung ist es, ein raualich kleines Abstimmele==

  ' ment zu schaffen- das ein Minimus an konzentrierten Baueleren-

  tun aufweist, und das eich durch eine Dlr die Seiientertigu_#g

  geeignete-Ttchzologie-und eereßegerechten hutbau auszeichnet,

  Der Erfindung liegt dis. Aueabe zugrunde, -durch Verwendung

  eines Aufbaues, der eich sowohl einiger rierkmale der Streifen-

  . leitungstechnik als auch der gedruckter Induktiyitäten bedient,

  und durch entsprechende Anordnung und Gental zung- der Einzel-

  kreise einen mit Kapazltätsvariatignadioden abstiirrbaren selek-

  tiv arbeitenden Eingangsverstärker, dessen Empfangsbänder

  pit Hilfe -Von lialbleiterbsueteaWnten geschaltet oder umge-,

  .schaltet werden Minnen, zu schatten.

  .-trürdungsLemgß wird das dadurch erreicht, dsß aus einem

  doppelseitig mit metallischen Schichten versehenen Basienrate-

  rial spiralförmig yeitungszglge, die als Induktivitäten dienen,

  ausgespart sind-, wobei diese dir Innenleier von leitunge-

  ,.irtelseri durstellen, 41* .von -beiden leitenden Schlohten. und' .

  .des Baeis'materlal gebildet wesden, uud durch den gegenseitig

  definierten- Abstand der Ei=eUreiee* als Bandfilter gekoppelt

  sied, -#wobii."die serieninduktivitäten der im Bmdtltir vor-

  wendeten nur thsehaltung -dienenden Ilalbleiterbanelenente in;

  eisec lapfsngsbereich seit zu: induktiven xaßpuakthopplwg

  benntat werden, wohingegen s.D. bei der Verwendung voä Kaps-

  siti!tavariationadioden in arider« rAMtangaberetoh-.die verliinder-

  . baren. Ksnasit4ten derselbin stur Abgleieh benutzt werden, und

  das verwendete Bäzispateiial gleichzeitiger Tsiger aller MW

  Tunktion der Abatimeinheit erforderlichen saüelenente ist.

  Die Windung soll. nachstehend an eineu ftusf:;hrangebeiaptol .

  BUer erlHutert werden.. . _'

  In der zugehörigen Zeichnuxk; zeigen:

  Figur 1: Ein Schaltacber.a des Tuners

  FiSur 2: Die Vorderseite den AusfUhrungsbeis_riels

  rlgur 3.1 Die leitenansicht des ',i:sf@thru.ebafspiels

  Figur 4: Die aückeeite des AusfIhrungsbeis!;iels .

  nie Gestaltung van Priri-rkreisinduktivit-it 1, Sekund::rkreis-

  indukt ivität 2 und 0s z i l lat orkre is indukt ivit it 3 h@n£ t im

  wesentlichen von der relativen Dielektrizit;:tskonstar_ten des

  t= Einsatz gelangenden Daeismateriala 4 ab.

  Das obsti=bare Bandfilter besteht aus der i'rimärkreiainduk-

  tivität 1i der Sekund4#irkreisi.nduktivität 2, die beide beim

  Ditr@eb in niede-fre.luenteren Frequenzbereich Verbindende

  Korr@-kturiapedanz 5, den @bstimmdioden 6;7, den Verkürzunge-

  kondönsatoren e;9, den zier Boreichsansehaltung dienenden

  Dioden 10;11 und der zur induktiven Iußpunktkopplung im

  höheren Frequenzbereich dienenden Koppelinduktivititt 12. Die

  Kopplung der. Bandfiltereinzelkreise erfolgt sowohl tlber das,

  Dielektrikum des Basinmaterials. 4 als auch aber die Korrektur-

  impedanz 5 bzw. die Sericninduktivit:;t der Dioden 10;11 und

  die Koppelinduktivitt 12, Zur Frequenz-.und/oder Gletchlauf-

  korrektur-werden die an den einander zugekehrten Seiten der

  Primärkreisinduitivitht und der Sekundürkreisinduktivität 2

  ..vorhandenen Sprosgen; die 'die kalten enden der Prim=irkreie-

  induktivität 1 und der -Sekundärkreisinduktiviti!t 2 mit den

  steh. zwischen beiden befindlichen au! laesepotentlal. liegenden

  _Setallbeläaurgen verbinden und vorzugsweise parallel zu den

  die Induttivitäten traSenden Baeismeterials 4 über den Induk-

  .tivitäten angeordnete Metallfolien, benutzt. '. . ' _ .

  . Liegt die Resonanzfrequenz der @Bandfiltereinzelkreise über der

  Betriebsfrequenz, so lassen sich die Primhrkreieinduktivität 1

  amd#die Sekundiirkreisinduktivitit 2 durch ::uftrennen einer

  . entsprechenden Sprossetzahhl vergrößern, bis die Betriebsfre-

  quenz.erreicht ist, wobei durch die 4etallfolien dann zueät$-

  lloh eine genaue Frequenz- oder Gleichlaufkorrektur mdglieh ist.

  Die Frequenz- umVoder Gleichlwaftorrektur in höhert)requenten

  fogabereich wird dadurch bewirktf daE der Anteppelcunkt

  der s@r Umschalten dienenden Dioden 10;11 tu! der I'ric#-qrbreis-

  iaöuktIvität 1 und der Sertreisindnttivität 2 verändert

  wird. Bei der Verwendung von fapa:ittsvariationsdioden als

  SeJktltdioden .bann eins Frec_nenskorrzi@:ur auch durch eine

  Ändeauag der an dieser anliegemdea Sperrspa=aM erreicht ser-

  dea. Das Bandfilter ist «her die Koppelkapazität 15 an die

  Mischstufe anseschlossen. -

  Der Ossillatoriareia besteht aus der Ossillatozkreinindnktivität

  3, der Abstimediode 16, den VerlevrZuffl- mrd "_@mntamdens&tor

  17, der Diode 18 und dem forrelkoeäeaeator 19. Die Kopplum

  erfolgt wie bei: Handfilter über das 3aais:rteri41 4 und wird

  snsätslich -durch den Koppelhoadeasatar 19 auf die aotsmä iae

  Graf erhöht. Frequenz- =M/oder GlIelehlautorrektux en des

  Ossillatorbreises erfolten entsprechend der der Bandiilter-

  eIaseltreiee.

  Die Sturetrahlum der Seäeltmg lut sich durch die auf masse-

  Potential liegenden, die itreiaiaduktivitätea neaaeömden oberes

  nnt waterea retallbele-m 1V14 oder/WA auf Mesepo:eati--

  liegeadea Abdecktolita u«nindera. , _

  Die Anskoppluaa der Zuisebentseqneas aenehieht Ules eia : et s-

  gl9 selchen am der ZF-1»2» i@ttivität 2Q, der meoanel# --

  - iainttivität a1, der _tonäemator 2? mm dm D@ell@äso skate _

  deeeeastor 2; besteht'

  Der 1F-V«seratirker-?saasister 248 Onsillater-@hr@umstaeter@ .

  25 xed. der Eisehstnfertramsiater 26 weräes beiz A1wlähsvnas--

  belspiel in @raisae:ha@t. betriebeem: ` @- ' _ __ ..

  i@edä@rfm«enriderstfe 27;2e werden am bei= Diatrieb der_ -

  Abstimeinbait in niederfeqnaterem Bereich sogt @sääsaett ..

  der Iaeäfilteereinzelkrelae virksaz.

  Die Zrelskapa:ität sorohl der äandlilterein=eltrelae als euch

  des (szillatcrkreises wird durch die infolge de. GYonär-Fia-

  slpe verlieaenlen verteilten @apasitaen und den hanzentsier-

  !. tea parsllelkapasitcten 29;30;31 gebildet.

  Die Figuren ?, 3 und 4 :eiaea..äie Vorderseite. die Seitenarsicä

  Ünd die Bticiseite des beschiiebenen -".ue:tihrufbeispiel&a.

  .Die obere L=etallbel z=#uz9 13 wird mit der unteren Netallbele-

  aUDg 14 des Msiamateriela 4 ait Eilte der tbtall-Verbindungs-

  .,laschen 32;33 elektrisch leitend verbunden. ..

Claims (1)

1. Pst entansprf.!che: 1. Absti=element für hochfrequente elektrische eich,slngun!7en, vorzugweise lC.r '.rernsehrindtunLsigale, dsa mit elektro- nischen Bauelementen abatia-bar und auf Frequenzte#eiche, a.3. Band I und III unaehaltbF.r ist und zur selektiven VerstärkunZ@hoahtrequenter elektrischer _ch@rinwn.@en dient, dadurch gekenaceichnet, daß aus einem deppelseit!g mit Netallbsleg,.nZen (13;14) versehenen Basismaterial (4) . -- spiralt@raige @eitun;;srüge (1 bis 3), die als Induttivi- ' . tüten dieneni ausgespart älad, wobei diese gleichzeitig die Innenleiter von leitunsskreisen darstellen, die von be:#dän leitenden Schichten-(13;14) und dem baeisaaterial - (4) 'gebildet werden aal deren @.bstimeauog mittels Abatiarn- . dioden (b;?), deren Umschaltung diaegen mit Dioden(10;11) ' : erfolgt, wobei dui .doppelseitig *mit: lietallbelegungen (13;14 ) :Veraeäeae Basismaterial (j) gleichseitig Träger aller zu -@ i einer einwandfreien h%nktion des Absti-r.Nelemtates erfptder- :: lioheä Bauelemente und Verbindungen ist. . #. _2:. Abstimeleneat t'dr, hochfrequente- elektrische eoh:ringunger. - nicn Aaspsuchl dgdureh gei/mseichnet, d&8 durch die -qe- onetrisabl Anordaamt und Gestaltung ges Induktivit@ ten -.(l bis 3), -vorsumi4s die von den tletallbelegungen (13;14) und dom Baslsiaterial (4) und den leitere=igen und/oder ",_----@läoLeit.sebildetea v#rteilten Kapasitäten, Induktivitäten `ymd 1CoWlaigsu ia. Basismaterial (4@ @.. sus Funktion des ADstierelsstates .verwendet werden:. " - ;, @1st@r@leercat !!i@ hochtreqneate elextr@s@be. Seh@riagvm@gea . nach lmprudh " 1 und 2 dadurch sekemzeicha*t, , daß pro gabarimkanris MW eine tuduktivität benötigt wird, deren Qsba! mit Rille einer Sobalt# (10) oder AbetimMiode .(6) veri n@dert Wird: ÄDstamet für hochfrequente -elektrische> SehzInrungen ` # *ox MaprW*,1 bis 3 dadurch gekepsseiohf,."daa die Ia-dnktivititeu t,. bis 3) auf- einer oder beiden' Seiten des @aü@rstesialr (4)" arZe@t sind: '. _ . . ;sbsti,a@eleden: iUr hoch.'@requente elektrische Schxi nü-ungen mach AjaFrocä 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet,- dr-5 verzuLs- weise weh ü.geben.der Induk:ivitäten (1 bis 3) mit auf Ussserotentials liegenden i'etellbelztun7en (13;14) oder/nd auf Mussepotential liegenden Abdeckfolien die Störstrah%ane versdndert wird. 6, Abstimaeleemt f,r hochfrequente elektrische vcinsir,FurWen nach ;.nsprnch 1 bis S 38durch geiennteichnet , date die induktive ra3runktioppluirg der Bsndtilte:einseltr°ise durch die Serimin@in@d,ivitten der in DurchlafrichtunE betrieöenm Ziodea (1':;11) und einer kleinen T.oppelinduk- tivität (12) voraenamen wird, wobei der Koppltugsfsktor vor:ugaelse dadurch ver:isadert wird, da£ der Ankoppel- puntt der Diedea (l71;11) auf der i_opr.elin@luktivit.:t (1?) ver'äbrt wird. 7. Abeti@elt !".°r hochfrequente Elektrische SchiirZungen nach Anspruch 1 bis 6 dadurch aekernateicimet, dsü rur v@Cerivea:torr3ktos der Kanzelkreise vorm sxeüe parallel zu dem die Induktßvit#iten (1 bis 3) tra^enden baa1arateri- al (4) ;»er des tivitüten (1 bis 3) angeordnete Metallfolien o.ä. als lorretturelerraeent versendet worden. _ Aufstellung der verwendeten Bezugszeichen 1 hrieirkreisinduktivit;:t 2 Sekundxrkreiainduktivit;lt 3 Oszillatarkreisinduktiviti*t 4 Banismeterial 5 Y.orrekturimredanz 6;7 hbstimdioden 89-9 VerklirzunZc- und Trennkondensatoren 10;11 Moden 12 Koppelinduktivit.;:t 13 obere Uetellbeler;anp; 14 untere Metallbeleguie 15 Kopxelkanazit:t 1.6 Abstimmdiode 17 VerleJrzunga- und Trennkondensator 18 Diode 19 Koppelkondensator 20 ZF-Kreiainduktivit:it 21 Drosselinduktivität 22 Kondensator 23 Durchf'uhrungskondensetor 24 HF-Vorverstärker-Transistor :25 08zillator-Transistor 26 Miachetufentranaistor 27;28 Bedämrfur4awiderstand 29s30 Parallelkapazitäten 31 Parallelkapazität . 32;33 tletall=Verbindutesleschen