DE1764699U - Richtleiter- oder transistoranordnung. - Google Patents
Richtleiter- oder transistoranordnung.Info
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- DE1764699U DE1764699U DE1955S0015973 DES0015973U DE1764699U DE 1764699 U DE1764699 U DE 1764699U DE 1955S0015973 DE1955S0015973 DE 1955S0015973 DE S0015973 U DES0015973 U DE S0015973U DE 1764699 U DE1764699 U DE 1764699U
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Description
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Richtleiter-oder Transistoranordnmng. ------------------- Es ist bekannte vakuumdichte Gehäuse für-Transistoren mit einem den Halbleiterkörper gelangen und dessen Halbleitereigenschaf- ten beeinträchtigen. Diese Schwierigkeit besteht vor allem bei .... solchen Halbleiteranordnungen ? die der Gleichrichtung, und/gder Verstärkung oder Steuerung dienen, da die Halbleitereigenschaf- - Die Überdimensionierung des Glasfußes und/oder der Elektroden-Zuführungen bzw. die Einführung einer Wärmedrossel bedingt jedoch nicht nur einen für die HalbleTtereigenschaften unnötigen Aufwand, sondern vergrößert die Abmessungen des ganzen Gerätes.
- Hierdurch wird einer der wesentlichen Vorteile der modernen Halbleiteranordnungen wie Transistoren, Gleichrichter usw. zu-
nichte gemacht, besonders klein'ausgeführt werden zu können. f)"t. fUM... tAM M rfindungbgemaß werden die geschilderten Nachteile beim vakuum- -b-igem dichten Verschluß eines Gehäuses für Transistoren, Richtleiter und bei kürzester Bemessung der Zuführungsdrähte die. Erwärmung - Es ist zwar an sich bereits bekannt, Sinterglas, das in einem Metallring eingeschmolzen war, zu verwenden. Der Verschluß des Gehäuses geschah jedoch hierbei in der Weise, daß der Metallring in das Gehäuseröhrchen eingelötet wurde. Dieses Verschlußverfahren ist jedoch für eine serienmäßige Herstellung wegen der
Verwendung der Glas-Metall-Verschmelzung verhältnismäßig aufwan- digo M-t iz,21-4t4,1 1== zunächst ein in eine>r Demgegenüber wird gemäß. der XE zurläehst ein in einer Form aus Glaspulver zusammengesinterter Sinterglasfuß hergestellt, wobei zweckmäßig gleichzeitig eine oder mehrere Elektrodenzu- führungen in den, Glasfuß eingeschmolzen werden. Da es sich bei t'ZIll , of dem Er-finduggenstandum ein auelement sehr kleiner Abmes- sungen handelt ? wird gemäß einer besonderen Ausbildung des 1D <7 " , H. (t3- indunggedankens eine auf Schwundmaß berechnete Form hergestellte 1--1--CD-CD indem das Glaspulver beim Zusammensintern auf die für die Wei- füße verwendet, wobei ihre Eigenschaft ausgenutzt wurde,., daß . sie sich auch in großen Abmessungen spannungsfrei mit dem Glas- 4- "24"444 kolben verschmelzen lassen. Demgegenüber wird bei der t> die Eigenschaft des Sinterglasfußes ausgenutzt : sich und mit denanordnung des Halbleiters nicht auf. In der Zeichnung ist, eine Ausführungsform der Halbleiteranord- 7J, nung nach der Erfind g beispielsweise dargestellto In Figur 1 bedeutet 1 erne Form aus Graphit, die bis zum Rande mit Glaspulver gefüllt wird. Ihre lichte Weite beträgt oben ca. 5-10 mm oder darunter. Durch das Zusammensintern bei erhöhter Temperatur schrumpft das Glaspulver auf einen durch Strichelung L,, r- angedeuteten Sinterkörper zusammen. Erfindungsgemäß ist der Körper 1 derart berechnet, daß durch die Schrumpfung die ge- wünsche Größe und Form des Glassinterfußes entsteht.. Während - Figur 2 zeigt eine zweite Stufe im Aufbau des Transistorbauelements. 4 bedeutet einen Germaniumeinkristall, der als rechteckige Platte zurechtgeschnitten ist und auf dessen beiden Seiten zwei Indiumperlen 5 und 6 einlegiert sind, die als Kollektor und Emitter des Transistors dienen. 7 ist eine ringförmige Basis, die ebenfalls auf den Germaniumkristall 4 auflegiert oder aufgelötet bzw. aufgeschweißt ist. Die drei Elektrodenzuführungen werden an den Kollektor, den Emitter und die Basis entweder gelötet, geschweißt oder legiert. Die Basis 7 ist nach dem Ausführungsbeispiel ringförmig ausgebildet und besteht aus massivem Gold oder platin.
- Figur 3 zeigt das vollständig montierte Bauelement, bei dem auf den Glassinterfuß 1 ein Gehäuse 8 aufgeschmolzen ist. Das Gehäuse besteht nach dem Ausführungsbeispiel aus Glas, vorzugsweise leicht schmelzbarem Glas wie Bleiglas oder Einschmelzglas.
- Tfeil 9 zeigt die Schmelzstelle an, längs der der Sinterfuß mit dem Gehäuse verschmolzen ist. In Abweichung vom Ausführungsbei-
spiel könnte jedoch das Gehäuse 8 auch aus anderem Material :, Legierungstransistors ein durch Ziehen eines Kristalls aus der Schmelze gewonnener n-p-n-Germaniumkristall vorgesehen ist. 0<t. fHtt Gemäß einer besonderen Ausbildung des Erfindage edankenswird d das Verschmelzen des Gehäuses mit dem Sinterglasfuß durch ein sprechender Dusenanordnung geleitet wird. , ; 6Patentansprüche 4Figuren
Claims (2)
-
L- ? a t c n t ans p r c he ------------- 10 Vakuumdichte Gehäuseanordnung für Transistoren oder der- - 2. Richtleiter-oder Transistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie in dem geformten Sinterglasfuß gehaltert isto 30 Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterglasfuß in einer auf Schwundmaß berechneten Form gesintert ist. 40 Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet ? daß der Sinterglasfuß mit dem vorzugsweise aus leicht schmelzbarem Glas bestehenden Gehäuse verschmolzen
ist. 6. erfahren sum"Verschweißen. der Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet ? daß die Schweißwärme in an sich be- reits vorgeschlagener Weise mittels eines wasserstoffreien Gasstromes erzeugt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1955S0015973 DE1764699U (de) | 1955-02-04 | 1955-02-04 | Richtleiter- oder transistoranordnung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1955S0015973 DE1764699U (de) | 1955-02-04 | 1955-02-04 | Richtleiter- oder transistoranordnung. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1764699U true DE1764699U (de) | 1958-04-10 |
Family
ID=32793774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1955S0015973 Expired DE1764699U (de) | 1955-02-04 | 1955-02-04 | Richtleiter- oder transistoranordnung. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1764699U (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1074760B (de) * | 1958-08-11 | 1960-02-04 | Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft, Berlin Und Erlangen | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer elektrisch isolierenden Durchführung an Gehäusen von Flächengleichrichtern bzw. -transistoren unter Benutzung einer Glasverschmelzung |
DE1085264B (de) * | 1958-07-26 | 1960-07-14 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer in einem Glasgehaeuse untergebrachten Halbleiteranordnung |
DE1085262B (de) * | 1957-04-24 | 1960-07-14 | Philco Corp | Verfahren zur Herstellung von mit vakuumdichten Einschmelzungen versehenen Sinterkoerpern, die als Sockel fuer elektrische Anordnungen, insbesondere Halbleiteranordnungen dienen |
DE1228004B (de) * | 1962-02-01 | 1966-11-03 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Herstellung von Glasfuessen fuer elektronische Bauelemente |
-
1955
- 1955-02-04 DE DE1955S0015973 patent/DE1764699U/de not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1085262B (de) * | 1957-04-24 | 1960-07-14 | Philco Corp | Verfahren zur Herstellung von mit vakuumdichten Einschmelzungen versehenen Sinterkoerpern, die als Sockel fuer elektrische Anordnungen, insbesondere Halbleiteranordnungen dienen |
DE1085264B (de) * | 1958-07-26 | 1960-07-14 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer in einem Glasgehaeuse untergebrachten Halbleiteranordnung |
DE1074760B (de) * | 1958-08-11 | 1960-02-04 | Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft, Berlin Und Erlangen | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer elektrisch isolierenden Durchführung an Gehäusen von Flächengleichrichtern bzw. -transistoren unter Benutzung einer Glasverschmelzung |
DE1228004B (de) * | 1962-02-01 | 1966-11-03 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Herstellung von Glasfuessen fuer elektronische Bauelemente |
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