DE1764125A1 - Halbleitervorrichtung mit zwei in Gegentakt geschalteten Kapazitaetsdioden - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit zwei in Gegentakt geschalteten Kapazitaetsdioden

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DE1764125A1
DE1764125A1 DE19681764125 DE1764125A DE1764125A1 DE 1764125 A1 DE1764125 A1 DE 1764125A1 DE 19681764125 DE19681764125 DE 19681764125 DE 1764125 A DE1764125 A DE 1764125A DE 1764125 A1 DE1764125 A1 DE 1764125A1
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Schiefer Gerd Anton
Juergen Burmeister
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Description

· ■■■*■■ - -TM.ItIQ
Kta/BTa
.- OTT- 3130
3* April 196S
'■'Halbieitnrvorriehtung- mit zwei in Gegontakt geschalteten Kapazitätsdioden"
Bio Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung· mit zwei in Gegentakt go Behalte ten Kapaaitätadioden, bei dar über den beiden pn-Uebergängen eine Vorspannung in dei Sperrichtung angelegt igt.
Halbleitervorrichtungen mit Schaltungon der erwähnten Art Dind bekannt und werden u.a.* zur Abstimmung von Schwingungskreinen benutzt. Im allgemeinen finden dabei zwei Kapazitätsdiode η Verwendung, die in gesonderten Hüllen angebracht und durch äusoere AnBchluBBloiter in Ctegentakt geschaltet sind) wobei die erforderliche Vorspannung über den die beiden Dioden verbindenden
BAD ORIQlNAL
Leiter angelegt wird. . ; .:
Dabei müssen diese Kapazitätsdioden die Anforderung
erfüllen, dass einmal ein hohes KapazltätsverhältniB Co *C .
max mm
erreichbar ist, während zum andern" die Güte solcher Biodan in schaltungstechnischer Hinsicht hoch ist*
; Wenn die Kapazität der Hiille und die Selbstinduktion dor Diode und der Suführunß'sdrähte auasor Betracht gelassen werden» kann eine derartige Kapazitätsdiode au» der Parallelschaltung dar DiOdenkapazi/tät C; und des Widerstandes R der Verarmungsschicht aufgebaut gedacht werden, Tfelche ParalIqIschaltung selbst mit . ■ einem Iteihenwiderstand H in Reihe geschaltet ist,, der durch Kontakt- und Bahnwiderstände gebildet wird. Die Güte Q-der Kapazitätsdiode' ißt aus. der Reihengüte Q = ■ ■ und der Parallel—
S IuXl w
B V
gute Q1 * U)R C zuaanusengesetzt gemäss dex Formel» '·
QQ Π inßC
ν B P S
Π inßC
P ■ S Y
q +Q "R ' t+ω* RKC* ρ s s ρ s ν
in der ω die Kreisfrequenz der Signalspannung darstellt. In allgemeinen lni 1 sehr gross, so dass
S V
Die Güte der kapazitätsdiode kann somit in. der Praxis ·
nur durch Verringßrunc des ReihenwiderStandes erhöht werden* Dieser Reihenwiderutand R kann z.B. bei einer üblichen ρ -n-n -Siiiziura-
struktur, die aua einem n+-Substratf einer epitaxiälen n-Gchioht und einen in diese eindiffundierteη p-Gebiet beateht, aus den nachstehenden BeiPrägen aufgebaut, g^adapht wer.den« f, BAD ORIGINAL
109819/0467 ^ l< "'^ V
- 3 - phi;. 3130
E. = Kontaktwiderstand Anschluesleiter-p -Silizium.
Rp = Kontaktwiderstand Anschlußsleiter-n -Silizium. .-R, = Bahnwiderstand dor ρ —Schicht.
H. = Bahnwiderstand der η -Schicht.
Kc.= Bahnwiderstand der n-Schicht.
Der Widerstand -3L·, der von der Breite dar Verarmungsschicht abhSngt, lasst sich kaum oder gar nicht beeinflussen, so dass eine Verringerung des Heihenwiderötandes nur durch eine Erniedrigung einer oder mehrerer der Komponenten R1 Ma IL erzielbar 13t.
Die Erfindung be zweckt, den lieihenwider stand der Kapasitätsdioden in eine Schaltung der beschriebenen Art erheblich 3u verringern.
Die Erfindung beruht auf der jürkenntnia, dass durch die Anordnung der Kapazitätsdioden im gleichen Halbleiterkörper eine Struktur verwii-kliclibar wird, durch die die Güte der Kapazitätsdioden erheblich erhöht wird. Deshalb ist eine Halbleitervorrichtung der eingangs beschriebenen Art getnäss der Erfindung dadurch gekonn^oichnetj dass dio Vorrichtung einon oinkrintallinen Halbleiterkörper mit nacheinander einen ersten, einem zweiten und einem dritten Gebiet abwechselnder Leitungetypen enthält, welche Cjbiete durch die erwähnten pn-Uobergange voneinander getrennt und je mit einen mit einem Anschlusaleiter verbundenen AnBchlusskontakt versehen sind, Wobei daa zweite Gebiet höher als das •5Γ.-:te- und das dritte Gebißt dotiert ist.
Durch- die Anwendung der Erfindung ergeben sich unter nehrerem die folgenden Vorteile:
i. In b;::u(_- au" hoho Tröliuonzen sind in der erfindun£3ge-
näaa-'n Jcha^tung nur-swei Kontaktwilerat'inde vorhanden, während
109819/0467
BAD ORIGINAL
- 4 - ' - PM. 3130
es in der üblichen Schaltung mit ^wei gesonderten Kapaeitfttedioden vier KontaktwiderstUnde gibtj
2, Per BahnwiderBtand zwiuchen den beiden pn-Uebergängen wird den bekannten Anordnungen gegenüber erheblich verringert}
3. Die Kapazität der Hülle kann kleiner gehalten werden. Gemäss einer bevorzugten Ausführungßform der Erfindung
werden die pn-Uebergilnee in Körper angebracht so,, dasa sie in praktisch parallelen Ebenen einander gegenüberliegen, wodurch · der Bahnwiderstand zwischen den beiden pn-Uebergangen noch weiter verringert wird. . . . .
GenUes einer weiteren bevoi'zugten Aueführungeform der Erfindung werden die Anschlusskontakte auf dem ersten und dem dritten Gebiet auf einfache Weise durch ein auf dem ersten Gebiet angebrachtes viertes Gebiet bzw, ein auf dem dritten Gebiet angebrachtes fünftes Gebiet gebildet, welohee vierte und fünfte Gebiet den gleichen lieitungetyp wie das erste und das dritte Gebiet aufweisen, aber höher dotiert sind, wodurch in einfacher Weise sehr niedrige Kontaktwideretähde erzielbar sind.
Genääa einer anderen vorteilhaften bevorzugten Aubführungsform ist die Dotierung des ersten Gebietes praktisch gleich der dee dritten Gebiete», wodurch sich ewei eymmetriBohe KapazitHtadioden ergeben·
Die Erfindung let besondere sweoknaaaig l>ei jiueftihrunififormen, bei denen das εweit· Gebiet ρ-Leitune »ufveieti Sb hat sich nftmlich herausgestellt, dass der Kontaktwidereiitiil auf pleitenden Material, inebesondero «uf p-leiienden Siiiliuo, sehr schwer auf einen in den üblichen 3oh»ltungen für Hochfrequent ausreichend niedrigen Wert herabgesetzt werden kann. In der erfinduftfagemtanen Vorriahtung wird der Ansohlufeakont«kt «uf de»
«Afietn »i\ i ei
BADORiQiNAL.
zweiten Cob ie t mir zum-Anlegen der. Vorspannung benutzt und dor betreffende Kontaktwidorstand'tibt sonit in bezug auf die Hoch— froqjaenzaißnalspannung pruktiaeh keinen. Einfluss aus.
GeiiiJiao" einer uehr wichtigen bevorzugten Ausführungsform enthält eine Ilalbleitervorrichtune gomäas dor Erfindung einen Halbleiterkörper, der .auet einer auf cinetn Substrat angewachsenen •jpitaxialon SGhiolit struktur -bcateht."Min dürui-ti^er upita.u.aler '■Aufbau iat boeondex's wichtig, weil sich das geviünschfcü Dotierungsprofil mit Hilfe' epitaxialer Verfahren auf vorhintnismlissig einfv.chö Ifeiso erhalten lasst. ■
Dabei ©nthült nach einer wichtigen ;.roi tor bildung der iirfinduwg- der Halbleiterkörper ein Substrat von einem Leitungstyp» dan awuito Gübiot, in. welchem Substrat an oiner Oberfläche nebon— einander zwei li'dhlungtm angebracht sind die daa erste, dritte, vierte und fünfte Gebiet in. Formen epitaktischer Schichten enthalten, v/otei- die eine Höhlung auf dem Substrat in -Höihenfolga .dao urate und vierte Gebiet und die zweite Höhlung in Reihenfolge daa dritte und fünfte Gebiet enthalt, und wobei die Oberflächen des vi ertön und fünf to η Gebietes nit dor erwähnten. Oberfläche dee LJubütrute praktisch in einer Ebone liegen. .
Eine weitere wichtige Weiterbildung iut nach der Erfim'.ur^ ditduich gekeiuinoichnet, daoa der HalbleiterkSrper einen Substrat von eine« Leitungstyp, das erwUhnto vierte Gebiet, onthSlt auf den üpitaktiachü Uihiehton von nacheinondor dom oinoil, uer.i t ti tgc ^ciigo cc te ton, dem einen und wiederum dem oinon Leitunga~ typ angebracht aind, die daa erwllhnto erüto, zweite, dritte, bzw, fünfte .Gebiet bilden* Daboi werden zwoclanUesig daß dritte- und fünfte Gebiet nur auf oinoi.i Toil der. Fl !LcLq der daa zweite 5G bildenden Üchicht angebracht, woboi auf dem
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teil dieser Schicht ein Anschlusskontakt angebracht ist.
Dabei können die dritte und die viorte Schicht auf der ganzen Fläche der zweiten Schicht angebracht werden, wonach ein Teil der dritten und dez' vierten Schicht mechanisch und/oder chemisch entfernt wird, bis ein Ttail der zweiten Schicht freigelegt ist. Auch kann unter Umständen mit Vorteil die zwaite Schicht nach den Aufwachsen nit einer Maükiqrungsschicht überzogen werden, die ein weiteres öji taziales Aufwachsen verhindert oder wenigstens verringert, z.B. einer Siliziumo-xydschicht, wonach wan einen Teil dieser Maskierungsacfaicht unter Anwendung üblicher photolithographischer Aetzverfuhren entfernt und auf dem freigelegten "Teil der zweiten BehicHt die dritte u»d die vierte Schicht aufwachsen lacst, wonach dio Maskiorungsschicht entfernt wird und die Anschlussleiter angebracht werden.
Die Halbleitervorrichtung kann aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien hergestellt werden, Zweekiuässig bestoht der Halbleiterkörper aus Silizium, Germanium oder Galliumarsenid, welche Materialien für die Herstellung von'Kapazitätsdioden sehr günstig© elektrische und technologische Eigenschaften haben.
Zwei AuBführungsbeiapiele- der iürfindung 3i»d in den ; Seichnungen dargestellt und werden im folgenden naher beschrieben. jJs ze igen ι
Pig. 1 schematisch die Schaltung einer Halbleitervorrichtung gemSaa der Erfindung,
Fig. 2 gcheiaatiach einen Querschnitt durch eine Ifttlblaitervorrichtung getaäsa der Erfindung, aoweit a» sich ura den Halbleiterkörper und die auf ihm angebrachten Ariachlue»lait*r
handelt.
- 7 - Pirn,3130
Υί£. 3 schema tisch i:u Querschnitt eino andere Halbleitervorrichtung nach der 7]rfindun^j
Pif. 4'-"bis 6 schematisch, im Querschnitt die Vorrichtung nach Fig. 3 in aufeinanderfolgenden Verfahrensstufen.
Die Figuren sind deutlichkeitshalber, insbesondere was die Dickenabmessungen- anbetrifft, nicht inassstätigerecht gezeichnet,
Fi^nrr 1 "-»ei^t eine Halbleitervorrichtung mit zwei in kt geschalteten Kapazitritsdioden C. und C_, deren j>n- ^ange J. baw. J? (siehe Fi£. 2) gegensinnic in Reihen £o- «chal-tot sind, wobei über beiden pn-Ueberßängen durch die Spannungsquelle E mit hohen Innenwiderstand'eine Vorspannung in der Sperrrichtunf angelegt wird.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch den Halbleiterkörper und die auf iha angebrachten Anechiusöleiter der Vorrichtung. Der Halbleiterkörper besteht aus einer einkristcllinen epitaxialen Schichtstruktur von Diliaiun mit nacheinander einem ersten Gebiet (siehe Fig. 2) aus n-leitendem Silizium mit einen mittleren spezifischen Kiderstand von 0,62 Tom und einer Dicke von 4 pm, einem aweiten Gebiet 2 aus p-leitenden Silizium nit einem spezifischen Widerstand von 0,05 Den und einem dritten Gebiet 3 aun n-leitend*a CiliKiun mit einem mittleren spezlfiBchen Widerstand von 0t62 Tom, uilhrend als Anschluß ekon takte ein vierte« und ein fünf tee ChsMet 4 bfcw* 5 ent«briicht sind, die "beide n-loitend sind und einer Bpeeifiechen Widerstand von 0,005 rcta haben* Die Gebiete 1, 2 und 3 ßind durch die pn-Ueberßtlnfc;© J. bav. «T„ voneinander getrennt, die in praktisch i>ara!lelen BIbenen einander gecenüberließen und die Kapa2itatediod0n C* bew, Cg (siehe Fi£. 1) bilden. Auf dem Cebiet 2 ist ein Anschlusakontakt 6 aneebracht, und die AnschlueB-kontakto 4» 5 und 6 sind mit Anschlueelöitern 7, 8 bzw. 9 ver-
in0fi1Q/n/.R7 BADORIQINAL
- β - ■ ■ PHN.5130
bunden. Die .Anschlussleiter 8 und 9 bestehen aus Zuloitungsdräht·»,,, während der Anschluaslaiter 7 in Fora einer Hetallbodenplatte &u.e·* gebildet ist, auf die der Halbleiterkörper aufgelötet ist. Das Gebiet 3 und das Gebiet 5 sind nur auf einem Teil der Fläche des
Gebiets 2 angebracht, wodurch dieses Gebiet 2 auf dem freiliegenden Flächenteil leicht kontaktiarbar ist.
Aus den. Figuren £.eht hervor, dass für die Hochfreiiuenzs i£n al spannung U (siehe Fife, i) nur zwei Kontaktwiderstände ($.,5) (7»4) von Belang sind. Diese Kontaktwiderstände liegen bei
üblichen ρ im -Kapazitätsdioden in der Cröesenordnung von einigen Zehnteln Ohm je Diode bei einerpn-Uebergangsfläch® von 4·10 cm. Bei der erfindungsgemfissen Ausführungäform wird der GeBamtkontaktwiderstand "eocit stark herab£;esot2t, wKhrend zugleicherzei t der Bahnwidörstand im p-Gebiet auf etwa die Ilitlfte reduziert wird.
Die in Piß» 2 dargestellte Vorrichtung lässt sich ss.B. noch einen von Jackson, Transactions of the Metallurgical Society of AIIIE, Vol. 233, March I965, Selten 59*5-602 beschriebenen kontrollierten Epitaxialtechnik auf folgende Veisn herstellen.
* afc
EJs wird von einem h -Substrat in Form einör Sill Kluitischeibtf mit einem Durchneseer von etwa $0 mm, einem spezifiechen Widerstand von 0,005 ^oin und meiner Dicke von 15Ö μΐη "ausgegangen* Auf dieser Scheibe können eine Vielzahl von DnIbleitervorrichtungen gemftss der Erfindung hergestellt werden, ^ur Vereinfachung wird die Herstellung nachstehend an Hand eines einzigen Elementes beschrieben. wobei die Verfahronastufen je auf die ganze ncheibo angewandt werden. Auf dem Substrat ISsst mwn bei etwa IC5C C durch thermisöl»
g von "iCl unter gene.u dosiertem Zusatz von Asu, eine -loi f ende r-chicLt ir:i i riti^n ac.v tirwünsditon i'ri]iari tftt-Vorr-pannunge· .-i.:tik .·:■ laA rt ohonden "Dotiorunot'profi.1 .iit ninen mittleren
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- 9 - PIDT. 31 30
spezifischen Uiderntand von 0,62 Pom und einer mittleren Konzentration von etwa 10 Donatoratomen je cm* bis zu einer Dicke von vier pm. aufwachsen, wobei jedoch an jeder Stelle dieser Schicht die Dotierungskonzentration kleiner als 3.10 Atonen/cn3 i3t. Danach wird die Zufuhr von AsII., eingestellt und es wird dem Qasstron BpHg zugesetzt, wonach eine 10 μπι dicke p-leitende Schicht r.;it einer .Konzentration von etwa 3,5· 10 .Atomen/cm8 und einem spezifischen VJiderstand von -0,05 Pcm, dann wieder eine vier μπι dioke η-leitende Schicht nit einem mittleren spezifischen Widerstand von 0,62 Pen wie oben, und schliesalich eine 10 Jim dicke n-leitende Schicht mit einen spezifischen ¥ide'retand von 0,005 QCm (Konzentration etwa 10 Atomen/cm3 ) durch Aufwachsen angebracht werden. Dänach wird j^do Torrichtung unter Anwendung von in der Hulbleitertechnik allgemein üblichen photoiithographisehen Aetzverfahren etwa zur HUIfte mit einer PhotoRtzgrundmaske bedeckt. Dann wird durch Λο-tzcn nit einon ITfTO .-HP-Oemnnge das Silicium bij zu einer Tiefe von otwa 16 μΐη weggeätzt, wonach mit Hilfe eineB weiteren photolithographiachon Aetzverfahrens an den zu kontaktierenden Stollen eino Alurainiunsohj cht angebracht wird. "cJilie aal ich werden die Vorrichtungen die jo eincin PT-ächoninhalt von etwa 300. χ 300 μπι haben, vonrjina-ndor getrennt, durch Hitrjodruokverbindungen nit Zu-Ir'ituajBdrahton vorsehen und in einer Hülle untergebracht.
Die Figur 3-^iigt in Ojueruchnitt eine andere Auaführung^ einer Halb!;itorvorrichtung nach der Erfindung. In den Piguron 3 Li;; ^ .ind ontiiprechcmiio meilo i.vit 'Ieη gloichon Beizugoziffern c.ngc-gf-ben να« in Figur 2,Der HnIbIuXterkÖi*per enthalt oin Substrat aua p-Tyj. "iliziun, wolchos Hubotrat dau erwUhnte zweite Qobiet killet und xn «irvr OborfÜlcluv 11 nebtinciinandur '/.wo.i PKhlungen 12 und 13 enthalt (eiehe Pigur 3), jede diener zwoi Höhlungen en'thält
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- 10 - PH».313O
eine epitaktische η-Typ Siliziumschicht 1 bzw. 3» die dae erste bzw. das dritte Gebiet bilden, auf welche Schichten 1 und 3 weiter die stärker dotierten η -Schichten 4 bzw. 5 angebracht sind, die das vierte und fünfte Gebiet darstellen. Die Oberflächen der Schichten 4 und 5 liegen mit der Oberfläche 11 praktisch in einer Ebene. Auf den Gebieten 2» 4 und 5 sind Anschlussleiter 9, 7 und 8 angebracht. Der Leiter 9 kann gewünschtenfallβ auch auf der Oberfläche 11 angebracht werden zum Erzielen einer einseitig . kontaktierten Planarvorrichtung.
Die Vorrichtung naoh Pig. 3 kann unter Verwendung dee gleichen Verfahrens wie beschrieben beim vorhergehenden Beispiel hergestellt werden. Dabei wird, nach einem in der schweizerischen Patentschrift Mo. 445*643 angegebenen Technik, ausgegangen von einem Substrat 2 aus p-leitendem Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 0,05- Qcm, und-einer Dicke von I50 μπ, in dem (siehe Fig. 4) an einer Oberfläche nebeneinander z.B. mittels eines Aetzverfahrens und/oder mechanisch Höhlungen 12 und 13 mit je einer Tiefe von 10 μπι angebracht sind. Auf diesem Substrat 2 wird mittels der vorher beschriebenen kontrollierten Epitaxialtechnik eine η-leitende Schicht 14 deren Dotierungsprofil ein mittlerer spezifischer Widerstand von 0,62 Dom aufweist zur Dioke von 4 μιη angewachsen, wobei die Struktur von Fig. 5 entsteht, auf der weiter eine etwa 10 μ dicke η -leitende Schicht 15 von 0,005 ß°m angewachsen wird. Die so erhaltene Struktur (siehe Fig. 6) wird dann an der Seite der angewachsenen epitaxLalen Schichten abgeschliffen, wobei die Struktur naoh Fig. 3 entsteht die mit den AnechluBsleitern 7» 9 und 9 versehen wird.
Bei dieser Vorrichtung ist der Bahnwiderstand im Gebiet grosser als bei der Vorrichtung nach Fig. 2. Sie hat aber dmn Vor-
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teil, in nur zwei epitaktischen Anwachsungen die Herstellung einer völlig Bymraetrisehen η npnn — bzw. ρ pnpp -Struktur zu ermöglichen.
Es dürfte einleuchten, dass die Erfindung nicht auf die be schrieben«! Beispie Je beschränkt ist, sondern dass int Rahmen der Erfindung viele Abänderungen möglich aind. Es können z.B. auch andere Vorfahren Anwendung finden, namentlich kann im ersten Beispiel unter Umstünden mit Vorteil die zweite Schicht, nachdem sie epitaxial aufgewachsen ist, mit einer Maskierungeschicht überzogen werden, die ein weitere« epitaxiales Aufwachsen verhindert oder wenigstens verringert, ζ.-3. einer Siliaiumoxydschieht, wonach, ein Teil dieser !"askierungsschicht entfernt wird und auf dem freigelegten Teil der zweiten Schicht die dritte und vierte Schicht durch Aufwachsen .angebracht werden, worauf die Maskierungsschicht entfernt wird. Heiter können epitaktische Schichten mit verschiedenen Dotierungsprofilen verwendet werden je nach den Anforderungen, die an die Kapazitäten gestellt werden. Als Substrat kann im ersten Beispiel an Stolle des vierten Gebietes auch das zweite Gebiet verwendet werden, wobei die Schichten auf beiden Kaui-tflSehen dos aweiten Cebiates angewachsen werden. Auch können durch Vertauochung von n- und p-Dotierung Vorrichtungen hergestellt werden, die hinsichtlich der Dotierung komplementär zu den beschriebenen Beispielen sind«
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Claims (11)

  1. FATE1TTAÜ3PRUECHE i
    1,1 Halbleitervcjrrichtuiag mit awei ta Gege»tak# ggsnhalte-
    ten Kapazitätsdiod&njr bei der· über don "beiden, pn-llebergiingen eine Vorspannung in dar Sperrluhtung angelegt ist, dadaaredi, gekennzeichnet, dass dl© lorriehiturvg einen ©into is tall iaett Halbleiterkörper mit nacheinander einora erste-BSj, ßineni awe-itoH: imd einen dritten Gebiet abwechaelnden Leittua^ßtype OQtMXt1, welohs Gebiete durch, die erwShaten pn-üebergSnge·-«VomalaianeLear und je mit einen mit einem AnBchluesleiter ver-lnandeBBn kontakt versehen sind, wobei das zweite Qebiet Lo"her- als daB erste und das dritte Gebiet dotiert iet.
  2. 2. Halbleitervorrichtung nach Anßprueh 1, dadurch gekennzeichnet, dasB die pnr-Ueberga^e in praktiech parallelen Ebenen einander gegenüberliegen.
  3. 3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daaa die Anschlußskontakte auf den ersten und dem dritten Gebiet durch ein viertes bzw. ein fünftes Gebiet vom gleichen Leitungβtyp wie, und mit.höherer Dotierung als, das erste und dritte Gebie t.gebildet werden.
  4. 4. Halbleitervorriohtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierung des ersten Gebiete praktisch gleich der Dotierung dea dritten Gebiets ist.
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach einera oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daee das zweite Gebiet p-leitend iat.
    . . ;. - 13 - PHF. 3130
  6. 6. Halbleitervorrichtung-nach einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 5» dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper aus einer auf einem Substrat angewachsenen epitaktischen Hchichtstruktur besteht.
  7. 7· Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Ilalbledterkorper ein Substrat von einem Leitungs- 'typj las zveito Gebiot, enthält in welchem Substrat an einer Oberfl äcJie nebeneinander zwei Höhlungen angebracht sind, die das erste, dritte, viea-te und fünfte Gebiet in Formen epi taktischer Schichten enthalten, wobei die eine Höhlung auf den Substrat in Reihenfolge " daa er»;te und vierte Gebiet und die zweite Höhlung in Reihenfolge das dritte und fünfte Gebiet enthält, und wobei die Oberflächen de3 vierten und fünfton Gebietes mit der erwähnten Oberfläche des Substrats praktisch in einer Ebene liegen.
  8. 8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, das3 der Halbleiterkörper einen Substrat von einem LoitungBtj^p, das vierte Gebiet, enthält, auf dem epitaktische "chichten von nacheinander dem einon, dem entgegengesetzten, dem ■" eioen und den einen Leitungstyp angebracht 3ind, die das erwähnte erste, zweite, dritte bzw. fünfte Gebiet bilden, wobei das dritte und fünfte Gebiet auf nur einem Teil der Fläche der das zweite Cobiot bil'londen Schicht angebracht sind, und auf dem freiliegenden Flächen.teil dieser Schicht ein Anüchlusakontakt angebracht ist. ■
  9. 9. Halbleitervorrichtung nach einem odor mehreren der vorhergehenden An&p-rücho, 'dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper aus Silizium besteht. . .
    109819/ΠΑ67
    - 14 - PHiT. 3130
  10. 10. Halbleitervorrichtung nach.einen oder mehreren der Ansprüche 1 "bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper aus Germanium besteht.
  11. 11. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper aus Galliumarsenid besteht.
    BAD ORIGINAL» 109819/0467
DE19681764125 1968-04-05 1968-04-05 Halbleitervorrichtung mit zwei in Gegentakt geschalteten Kapazitaetsdioden Pending DE1764125A1 (de)

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