DE1698910U - Isolierendes tragorgan mit einer auf diesen aufgebrachten, als ein ganzes ausgebildeten klische bedrahtung. - Google Patents

Isolierendes tragorgan mit einer auf diesen aufgebrachten, als ein ganzes ausgebildeten klische bedrahtung.

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DE1698910U
DE1698910U DEN4159U DEN0004159U DE1698910U DE 1698910 U DE1698910 U DE 1698910U DE N4159 U DEN4159 U DE N4159U DE N0004159 U DEN0004159 U DE N0004159U DE 1698910 U DE1698910 U DE 1698910U
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cical
insulating
isolating
organ
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Description

  • N. V. ilips'Gloeilaspenf abrieken, Bindhoven/Holland
    Isolierendes Tragergan mit einer auf diesem aufgemach-
    ten, als ein Ganses ausgebildeten Klischeebedrahtung.
    Die Neuerung bezieht sieh auf ein isolierendes Trsorgan
    mit einer saf Diesem aufgebrachter, als ein Saales ausge-
    bildeten Klisoheebedrahtung. Eine solche Bedrahtung kann
    auf verschiedene Weiee auf das Tragorgan, s. S. durch
    Spritzgießen, Schoßleren Einbrennen und reaseB aufge-
    bracht werden. Diese verschiedenen Bedrahtungearten wer-
    den hier unter dem Namen"KliacheebedrahtHN"zusammenge-
    fast.
    Bs ißt bekmt auf einem solchen Tragorgn verschiedene
    elektrische Teile, wie Widerstände, Kondensatoren und
    Spulen, zu befestigen.
    Es sind elektrische Teile bekannt, die halbleitende Kri-
    stalle, %. B. Kristlldicden und Transistoren enthalten
    Es ist Ubliok, diese Kristalle in einem Gehäuse oder ei-
    ner anderen Umhüllung unterzubringen und das Gehiuse mit
    äußeren Kontakten zu versehen, die in eine Fassung einge-
    setzt werden werden
    Der ! feuerung liegt der Gedanke de, daß einige die-
    ser rit&lle sich sonders eignes zor Bfestimg anf
    einem Trfflrgan mit einer KllsCheebedrah : t\U1g, und. war 41e
    oogt *Sohiohtkristalleng z. B* Sehichtdioden-and Schicht-
    traneietomnv auch *Junotion*-Dioden und-Transistoren
    genannt. Sie eind besonders geeignet, da. 4ieee K1stalle
    zum Erfüllen ihrer Funktion nicht mit
    einzelnen Elektroden in BerShrang gebracht werden zussenji
    dieB 1a Gegensatz zu. den Kristallen, die In Panktkontakt-
    Dioden UNktkontakt-TraBeistoyen verwcsäd wern,
    denen mdre Organe zur SnteretStsamg der Punktkontakte
    erforderlich sind.
    aaS dey Ssaernng ist ein Kristall der Schiahtenart i-
    rekt t mit der Klischeobedrahtu'ag verbunden. ünte : r einer di-
    rekten Verbindung wird eine Verb : indung verstanden# die
    ohne in einem getrennten Halter oder einest getrensteS<h
    se tmteretatt u werden, den Seatact zwisehea dem ritall
    und der Bedtaahtung herstellt.
    Verschiedene Ausfübrungaformen der aerung werden an
    her t.
    Hand einiger in der Zeiehnung dargestellten Beispiele na-
    her erläutert.
    Sämtliche 3 ? igaren zeigen schanbildlich in st&r vrSsa
    tem Maßatab. einen eil eines isolierenden paergsns s
    einer liaeheebedrahtgi einem Kristall der Shichta
    art.
    Das mit bezeicbnete ieoliersne ragorgan kam z. <Nms
    keramische. Werketeff, ans Rasthsr oder asa sdt Ktmst&sK
    etr&aktem aseraterial bestehen.
    In deN Figuren ist nur derjenige feil 4erlieeheedrttaaig
    dargestellt, der in unmittelbarer Nähe des halbleitenden
    Kristalles liegt ; dieser Teil besteht aus drei lebenden
    Streifen 2,'und 4, die in ihrer ganzen Länge auf das Trag.
    organ aufgebracht sind. Auf die Rorstellungaweiee dieser
    Streifen wird hier nicht näher eingegangen.
    Der Kristall ist mit 5 bezeichnet. Kristalle der Schichten-
    art bestehen aus wenigstens zwei Teilen verschiedener Lei-
    tungsart, nämlich der n-Art bei der die Leitung durch
    Eletronentranaport erfolgt und der p-Art, bei der die
    Leitung durch Verstellung von sog."Ichem stattfindet.
    Bei den Ausführungebeispielem sind jeweils drei solcher
    Teile vorhanden. In den Figuren 1 und 2 sind die Grenzen
    dargestellt, obzwar sie nicht ersichtlich sind.
    Bemerkt wird scch dB solche Kristalle im allgemeinen aehr
    klein sind, deren Läne beträgt nur wenige Nillimeter Bas
    Trägorgan 1 ist im Verhältnis zaa ristall dan darge
    stellt.
    Beia Ansfahrungabeispiel nach Fig< 1 ist der Kristall af
    die Streifen 2, 3 und 4 reitet, in der Weine. daß die ver-
    schiedenen Seile 6, und 8 verschiedener Leitngssrt im
    Kristall je auf einem Streifen liegen. Der Seil ? ist im
    allgemeinen sehr dSna dessen Stärke kann10 bis 0 Nikrn
    b ; dRer prak h
    betragen. Ea ist daher praktisch namSglieh den Streifen 3
    80 schmal a wählen, daß er nur mit den 2eil 7 Kontakt =oht,
    Um diesen Nachteil zu beseitigen, kennen besondere Stmmel
    verwendet werden, enn der Mittelteil 7 s. B. aus SeMt8ni ! m
    der p-Art besteht und die Teile 6 und 8 also aus de n-A. %"tt
    so läßt sich XndiaB als Itmaterial verwenden* Biese wi'B
    bei Sermsniua ala Akssptor ebenso ie Bar allsm nd
    AiHBiniua wenn dieses LStaaterial mit inem der aa&HFen
    Teile, StB mit dem eil 6, in BerShEüSXMMßawb a
    >ilet da >t et 3o
    wird dieser Teil telleaeise in ermanias dy p*a a
    wandelte was gleichsam eine stelloaweine Auledehu=s den
    Teiles 7 bedeutet. Besteht der Teil 7 aus Germanium der
    n-Art, so kann die Verbindung mit dem Teil 3 mit Hilfe von
    Antimon hergestellt werden. DieseswirktalsDonatortmd
    bewt awe dS uß
    bewirkt eine stellenweise Sasandlung des suLS Germanium
    bestehenden angrenzenden Teiles 6 in n-Germasiss das d&nn
    wieder an die dUnne Sohioht 7 ansohließt. Die Lötverbin-
    dingen mit den Teilen 6 und 8 kennen mit Hilfe von Zinn
    hergestellt werden.
    Um den Kristall 5 mechanisch besser zu unterstützen kaam
    er von einer Halterung 9 am. Tragorgan 1 umgeben werden..
    Um EinflUsse der At,... m. osphäre zu vermeiden. kann der Krintall
    mit einer Laekschicht oder einea ähnlichen Schutssittel
    bedeckt werden (nicht dargestellt).
    Bei der Ausbildung nach Fig<2sindkleinegtacke der Teil
    6 und 8, seitlich den Teiles 7# entfemt$ wodurch die Oetabr
    eine ontaktes des Streifens 3 mit einem der Tei. 1 6 Tmd
    8 behobenist.FNrdieseItverbiadungeannuehZiaa,var**
    wendet werden.
    Pig* 3 zeigt einen Sch : Lolittranaistor der Diffttaiöasart.
    Bier sind beiderseits eines Kristalle 10 kleine » tallnemon
    11 aufgaachmelzen (von denen sur eine ersichtliea Ist) * Be-
    steht der Kristall aus eines der n-Art, so kann als
    Metall IndiTm gewählt werdeBt das durch Diffaieon eine
    p-SxaniNaehicht bildet. Das anse stellt dann einten 8<
    np-Sransistor dar. Zur HerstliMng eines nS'ran-
    iators anenkleinereAatisengen&ufinnSrBiaBiaat-
    kristull der p-Art aufgesohmelzen worden.
    Der Sritall 10 kaam mittels eines erhärtenden Sitte af
    K X£æm weXen
    dea Sragorgan 1 hefestigt werden. Die feolnenj.
    tallmengen 11 sind durch Leiter 12 mit den Streifen 2 und
    4 verbunden, der Krietall selbst ist bei 13 mit Nilfe von
    Zinn mit dem Streifen 3 verlötet.
    Fig. 4 zeigt eine Variante der Bso.-art nach Fig. 3. Im
    Tragorgan 1 ist eine Höhlung 14 ausgespart* Die Streifen
    2"3 und 4 erstrecken sich bis in die Röhlung längs deren
    Seitenwände. Der halbleitende Kristall 10"der die in fig. 3
    dargestellte Gestalt haben kann. ist in diese H5hlung einse-
    setzt und mit den Streifen 2, 3 aad 4 verlStet 33ie S8M. tmg
    kann schließlich sitters eines die eines der Atmosphäre
    auf den Kristall irerhtenden IsoUersittels ausgegossen werden.
    t
    Bei den Ansfhrmsferae nach den Figuren 5 um& ist eia
    h et er ts setrenddß « dem : ez Jt 17
    halleitender Kristall 15 verwendet aaf dem heiter 1$, 17
    und 18 gelötet oder gesehweiStslnd. Der Leiter 17. der
    sit d « Jgittelteil sehr geringer Stärke verbtiaden ist# ist
    teLa eder wer w 14 teE
    eehet, in di tul et den k
    sein. Das Traorgan 1 iet wieder mit eiaer HShlung 14 ver-
    sehen# in die der Kristall 15 eingesetzt werden kmn. Die
    Ulter 16, 17 und 18 sind derart gebo-gen » daß sie auf die
    StreUen 2,, und 4 zu liegen kommen, wenn der KristaU
    in der SShIang ist (siehe Fig* 6). SiSonen Nit den
    Streifen verlötet werden und der Kristall kann wieder in
    eine echtzende Laekeehicht o. dgle eingebettet werden*
    ? lg. 7 &eigt ein Tragorgan, das beiders ite Stit einer
    Klischeeberat&a Tersehen iet. Das Traor& weist eine
    Sffnung 19 ssf, die einea Kristall der Art nach Fig. 3 ent-
    hält. Der Kristall selbst ist sdttla eines Srtes 20
    ht. Der Xea trtes 20
    2 dtende ret e3obAsa eF
    mit deB leitenden Streifen 5 verbmSecL. Bse aaf er er-
    selte liegende autgooohxolzene XetaU 11 ist » Itteln eines
    Drahtes 12 mit des asf e& Sraerga liege&nStreif@a4
    verbtmden, während s auf der Unteraeit s Xriet&llee-
    liegende aufgeschmolzene Metall 11 mittels eines Drahtes 12
    mit dem Striken 2 verbunden ist, der auf der Unterseite des
    Tragorgns liegt und der nur im Schnitt ersichtlich ist* er
    Kristall ist wieder durch Isliermaterial, z. B. Lacke in der
    Offnnng 19 befestigt.
    Viele Änderungen in dieser Befestigagsweiae sind natur-
    gemäß möglich. Es ist einleuchten, daß nicht samtliche
    vom Kristall ausgehenden elektrischen Verbindungen notwen-
    digerweise direkt zr. Sliseheebedrahtang laafen Nässen*
    kan kann. eine solche Verbindung auch nach einem anderen
    Einzelteil, jE. B. einem Widerstand, Kondensator o. dgl.
    fuhren. Bemerkt wird noch, daß ein solcher Kristall in der
    Regel vor der endgtiltigen Pontage durch Beizen gent
    werden muß. U. Verschmutsung während der Nuntage zu vomeident
    ist es zweckmäßig, den Kristall sofort nachdem Beizen ait
    einer Selmtssehleht zu versehen.
    Sshazsnspy&che$

Claims (1)

  1. ßchutzanaprtiche :
    1* Isolierendes Trs-gorgan mit einer aaf diesem aafe- brachten, als ein Ganzes ausgebildeten Klißcheebedrahtung, dadurch zekennseichnett, daß ein Kristall der Behichteutart direkt mit der Kliaoheebedrahtuffl verbunden ist. 2. Isolierendes Traorgn mach Anspruch 1, dadurch ge- keanzeichnotg, daß das Tragergan eine den Kristall teilweiae unfausende aalter=g autweist. 3< Isolierendes ragorga aach Aspreh dadurch gekeaR zeichnet, daß das Tr&gorgan eine ahlung safweiet, in welcher der Kristall eingesehlossen ist. 4. Isolierendes Tragergn ach AnsprQßh das beider- seits mit einer Kliseheebedwät=g versehen eti, dadu=hgeke=- zeiehnet daß verschiedene eile des Kristallen ait verschiede- neu Bedrahtungen verbunden sind. 5* Isolierendes T=gorgan mach einen der vorhergehenden Anaprache, dadurch gekennseiehaßt, ds der Kristall ait einer isolierenden Schatzbedeckmgt z. B. lazk# versehen ii3tc,
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1591199B1 (de) * 1966-06-13 1970-12-10 Ibm Schaltungsanordnung fuer elektronische Schaltungen
DE3326968A1 (de) * 1982-06-12 1985-02-14 IVO Irion & Vosseler, Zählerfabrik GmbH & Co, 7730 Villingen-Schwenningen Traegerbauteil aus thermoplastischem material mit durch heisspraegen aufgebrachten metallischen leitern
DE3409146A1 (de) * 1984-03-13 1985-09-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optoelektronisches mudul
DE3501710A1 (de) * 1985-01-19 1986-07-24 Allied Corp., Morristown, N.J. Leiterplatte mit integralen positioniermitteln

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL251301A (de) * 1959-05-06 1900-01-01
DE1236612B (de) * 1960-02-24 1967-03-16 Globe Union Inc Befestigung eines Transistors innerhalb eines gedruckten Stromkreises in der Ausnehmung einer Isolierplatte
DE1156457B (de) * 1961-07-08 1963-10-31 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung
US3231797A (en) * 1963-09-20 1966-01-25 Nat Semiconductor Corp Semiconductor device
US3678346A (en) * 1964-11-10 1972-07-18 Trw Inc Semiconductor device and method of making the same
US3374533A (en) * 1965-05-26 1968-03-26 Sprague Electric Co Semiconductor mounting and assembly method
US3484534A (en) * 1966-07-29 1969-12-16 Texas Instruments Inc Multilead package for a multilead electrical device
US3480836A (en) * 1966-08-11 1969-11-25 Ibm Component mounted in a printed circuit
US3484933A (en) * 1967-05-04 1969-12-23 North American Rockwell Face bonding technique
DE7016022U (de) * 1970-04-28 1970-07-23 Agfa Gevaert Ag Leiterplatte.
US3828210A (en) * 1973-01-22 1974-08-06 Motorola Inc Temperature compensated mounting structure for coupled resonator crystals

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1591199B1 (de) * 1966-06-13 1970-12-10 Ibm Schaltungsanordnung fuer elektronische Schaltungen
DE3326968A1 (de) * 1982-06-12 1985-02-14 IVO Irion & Vosseler, Zählerfabrik GmbH & Co, 7730 Villingen-Schwenningen Traegerbauteil aus thermoplastischem material mit durch heisspraegen aufgebrachten metallischen leitern
DE3409146A1 (de) * 1984-03-13 1985-09-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optoelektronisches mudul
DE3501710A1 (de) * 1985-01-19 1986-07-24 Allied Corp., Morristown, N.J. Leiterplatte mit integralen positioniermitteln

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