DE1696117C3

DE1696117C3 - Verfahren zur Herstellung von im Vakuum auf ein Trägermaterial aufgedampften Schichten

Info

Publication number: DE1696117C3
Application number: DE19681696117
Authority: DE
Inventors: Lothar Dipl.-Phys. 1000 Berlin Rehfeld
Original assignee: Jd Moeller Optische Werke 2000 Wedel GmbH
Current assignee: Jd Moeller Optische Werke 2000 Wedel GmbH
Priority date: 1968-03-13
Filing date: 1968-03-13
Publication date: 1974-07-04
Also published as: DE1696117A1; DE1696117B2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von im Vakuum auf ein Trägermaterial aufgedampften Schichten. Das Verdampfen von Substanzen aus zwei Schiffchen im Vakuum und das Niederschlagen des Verdampfungsgutes auf eine Trägerplatte ist ebenso bekannt wie die Verwendung von Siliziumdioxid und einer metallischen Komponente als Ausgangssubstanz. Es '.,al sich jedoch bei der Anwendung der bekannten Verfahren als schwierig erwiesen, gleichmäßige, aus wenigen Moleküllagcn bestehende Aufdainpfschichten herzustellen, was darauf zurückzuführen ist, daß ein regelmäßiger Schichtenaufbau dadurch verhindert wird, dall clic verdampften Moleküle der Verdainpfungssubstan/.cn nicht auf jedem Flächenelement des Schichtträgers gleichmäßig kondensieren, sondern daß bevorzugte Flächenabschnitte die Kondensation begünstigen mit der Folge, daß nach einer sehr kurzein Aufdampfzeit an einigen Stellen des Schichtträgers bereits eine aus mehreren Moleküllagen bestehende Aufdampfschicht entsteht, während an anderen Stellen noch keine Kondensation erfolgt ist. Die Bildung der gesamten Schicht erfolgt erst nach einiger Zeit durch seitliches Wachsen der Kondensationsinscln, so daß erst von einer bestimmten verdampften Substanzmenge ab eine zusammenhängende Aufdampfschicht erhalten werden kann. Zum anderen wirkt erschwerend, daß während des Aufdampfprozesses Teile der Ausgangskomponenten mitgerissen werden, die sich dann auf dem Trägermaterial niederschlagen und dabei einerseits die Bildung einer einheitlichen Schicht beeinträchtigen und die Wirkung von den Ausgangskomponenten speziell zugegebenen Substanzen vermindern.

Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, die vorangehend aufgezeigten und bei den Aufdampfverfahren auftretenden Schwierigkeiten zu vermeiden, die insbesondere in der Ausbildung eines Bor-Siliziumoxidgemisches bzw. Bor-Siüziumdioxidgemisches bestehen, bei dem das Bor während des Auftiampfvorgan-

ts ges aus einer borenthaltenden Veri?^:nclung freigegeben wird und somit in elementarem Zustand chemisch auf das Siliziummonoxid bzw. Siliziumdioxid einwirkt, was zur Folge hat, daß das erhaltene Reaktionsprodukt aus Bor und aus Siliziummonoxid bzw.

so Siliziumdioxid leichter verdampfbar ist als eine SiIiziumoxidverbindung und Bor getrennt.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein Verfahren zur Herstellung von im Vakuum auf ein Trägermaterial aufgedampften Schichten vorgeschlagen, nach

as dem gernäß der Erfindung eine aus Quarz und/oder Siliziummonoxid, einem Metallborid und einem Metallsilizid bestehende Grundsubstanz m.t einem oder mehreren chemischen Elementen mit magnetischen, optischen oder radioaktiven Eigenschaften aufgedampft wird.

Nach weiteren Merkmalen der Erfindung können Grundsubstanzeu aus Siliziummonoxid, Metallborid und Mctailsili'/id oder aus Metallborid und Metallsilizid oder au; Quarz, Metallborid und Metallsilizid verwendet werden, wobei als Metallborid Wolframbond und als Meiallsilizid Wolframsilizid zur Anwendung gelangen können.

Die zusammen mit der Grundsubstanz aufgedampften chemischen Elemente mit besonderen physikalischen Eigenschaften können beispielsweise Titan, Eisen, Silber für die Erzeugung bestimmter Leitfähigkeiten oder Chrom sowie Selen für die Erzeugung bestimmter Farbeigsnschaften oder Eisenoxid für die Erzeugung bestimmter magnetischer Eigenschäften sein. Die Konzentration der der Grundsubstanz zugesetzten chemischen Verbindungen kann von weniger als 1 °,o bis zu 99 °/o Anteile der Gesamtsubstanz variieren.

Nach dem Verfahren hergestellte Schichten haben weitgehend die mechanischen Eigenschaften der Grundsubstanz und sind deshalb besonders abriebfest und temperaturfest. Je nach dem Dotierungsgrad können z. B. elektrische Widerstände erhalten werden, wobei zusätzlich durch Zusatz vo>n färbenden Elementen auch die optische Transmission beeinflußt werden kann. Ein weiteres Anwendungsgebiet dieser Schichten liegt auf dem Gebiet der elektrischen Wärmeerzeugung und auf dem Gebiet der Beseitigung elektrostatischer Oberflächenaufladungen. Außerdem können durch Kombination der physikalisch neutralen Schicht mit einer vollständig elektrisch leitenden Schicht Kondensatoren verschiedener Kapazität in kleinsten Abmessungen hergestellt werden.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung von im Vakuum auf ein Trägermaterial aufgedampften Schichten, dadiich gekennzeichnet, daß eine aus Quarz und/oder Siliziuinmouoxid, einem Metallband und einem Metallsilizid bestehende Grundsubstanz mit einem oder mehreren chemischen Elementen mit magnetischen, optischen oder radioaktiven Eigenschaften auf das Trägermaterial gemeinsam aufgedampft wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus Siliziummonoxid, Metallborid und Metallsilizid bestehende Grundsubstanz verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus Metallborid und Metallsilizid besiehende Grundsubstanz verwendet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus Quarz, Metallborid und Metallsilizid bestehende Grundsubstanz verwendet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4. dadurch gekennzeichnet, daß als Metallborid Wolframborid verwendet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallsüizid Wolframsilizid verwendet wird.