DE1648241A1 - Maximumthermometer fuer Oberflaechentemperaturen - Google Patents

Maximumthermometer fuer Oberflaechentemperaturen

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DE1648241A1 DE1967J0035377 DEJ0035377A DE1648241A1 DE 1648241 A1 DE1648241 A1 DE 1648241A1 DE 1967J0035377 DE1967J0035377 DE 1967J0035377 DE J0035377 A DEJ0035377 A DE J0035377A DE 1648241 A1 DE1648241 A1 DE 1648241A1
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Description

Maximumthermometer für Oberflächentemperaturen
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Messung des Maximums relativ hoher Oberflächentemperaturen,
Es sind verschiedene Einrichtungen zur Messung höherer Temperaturen durch direkte Berührung mit dem Meßobjekt, sogenannte Kontaktthermometer bekannt, ζ. B-. Thermoelemente, Widerstandsthermometer, ferner temperaturempfindliche Farben und die sogenannten Seigerkegel. Bei den Thermoelementen und Widerstandsthermometern ist die Änderung der temperatur abhängigen Größe, also der Thermospannung und des Widerstandes, mit der Richtung der Temperaturänderung umkehrbar, so daß Temperaturmaxima nur durch laufende
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Spannungs- bzw. Widerstandsmessung, noch besser -registrierung, ermittelt werden können. Auch bei einem Teil der temperaturempfindlichen Farben ist die Temperaturanzeige umkehrbar, d.h. die beim Überschreiten einer bestimmten Temperatur auftretende Farbänderung wird beim folgenden Unterschreiten derselben Temperatur wieder rückgängig, so daß ein Temperaturmaximum, das in einem durch zwei solche Farben definierten Temperaturbereich liegt, ebenfalls nur durch ständige Beobachtung der Farben festgestellt werden kann.
Dagegen ist bei Farben mit nicht umkehrbarer Farbänderung bei je einer bestimmten Temperatur ebenso wie bei den keisnischen Seigerkegeln, die beim Übersehreiten jeweils einer bestimmten Temperatur bleibende Formänderungen erleiden, ein vorübergehend erreichtes Temperaturmaximum bzw. ein dieses eingrenzender Temperaturbereich dauernd fixiert durch die irreversible Färb- bzw. Formänderung.
Nun gibt es Fälle in der Technik, in denen das Temperaturmaximum, denen die Oberfläche eines Meßobjekxes ausgesetzt wurde, mit den herkömmlichen Mitteln nicht mehr gemessen werden kann wegen der Kleinheit des Meßobjekts, wegen der im Verhältnis zum Meßobjekt viel zu großen Wärmekapazität und Wärmeleitfähigkeit des Meßgeräts oder wegen chemischer Reaktionen des Meßgerätes mit der das Meßobjekt umgebenden Gasatmosphäre. Insbesondere versagen die bekannten Mittel,
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wenn das Temperaturmaximum eines sehr kleinen Oberflächenbereichs in der Größenordnung von 1 - 2 Quadratmillimetern gemessen werden soll. Diese Aufgabe tritt beispielsweise beim Aufdampfen durch Kathodenzerstäubung auf, wo das Hochfrequenzfeld und die Glimmentladung in der unmittelbaren Umgebung der Meßobjekt-Oberfläche bei bekannten Geräten, z. B. Thermoelementen, Anzeigefehler verursachen würden.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zu Grunde, ein Maximum- §/i
thermometer mit den ««genannten sehr kleinen Abmessungen zu schaffen, das möglichst leicht und billig herzustellen ist und auch im genannten Anwendungsfall des Aufdampfverfahrens mit Kathodenzerstäubung störungsfrei arbeitet. Diese Aufgabe wirddidurch gelöst, daß auf einer gut wärmeleitenden und mit der Oberfläche des Meßobjekts, beispielsweise HaIbleiterplättchen, wärmeleitend, vorzugsweise mittels flüssigen Metalls,
verbundenen Unterlage in der Größenordnung von 1-2 mm unter Zwischenschaltung einer dünnen Isolierschicht eine streifenrörmige,irreversible m Widerstands schicht, vorzugsweise aus einer innigen Mischung von 5 60 % Siliziummonoxyd mit Chrom, angeordnet und an ihren finden mit je einer ebenfalls auf der Unterlage isoliert aufgebrachten Metallschicht zwecks Anbringung von Zuleitungen bedeckt ist.
Einige Ausführungs- und Anwendungsbeispiele des erfindungsgemäßen elektrischen Maximumthermometers werden nachstehend anhand von Zeichnungen näher beschrieben. Von letzteren sind:
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Fig. 1 stark vergrößerter Grundriß eines Ausführungsbeispiels des erfindungs gemäß en Maximumthermometer s;
Fig. ä axialer Längsschnitt längs der Linie 2-2 in Fig. 1;
Fig. 3 axialer Längsschnitt durch ein anderes Ausführungsbeispiel mit zusätzlicher Schutzschicht;
Fig. 4 schematicher axialer Vertikalschnitt durch eine Kathoden-Ä zerstäuberanlage, in der die Maximumthermometer nach
Fig. 1 bzw. 3 vorteilhaft verwendet werden;
Fig. 5 Draufsicht auf den Meßobjekthalter mit den zu beschichtenden und zu messenden Meßobjekten, von der Schnittfläche 5-5 in Fig. 4 aus gesehen;
Fig. 6 Längsschnitt durch ein Maximumthermometer und das Meßobjekt, auf dem es befestigt ist, längs der Linie 6-6 in Fig. 5;
Fig. 7 Widerstand-Zeit-Diagramme für vier gleichartige, unterschiedlichen Temperaturfolgen ausgesetzte Maximumthermometer nach Fig. 1, 3; -
Fig. 8 D^rarame der Abhängigkeit des prozentualen Widerstandes bei drei verschiedenen Temperaturen in Abhängigkeit vom SiO-Gehalt für 9 Maximumthermometer nach Fig. 1, 3 mit unterschiedlichen Zusammensetzungen der Widerstandsschicht;
Fig. 9 Widerstand-Temperatur-Diagramme für drei gleichartige, unterschiedlichen Temperaturmaxima ausgesetzt gewesene Maximumthermometer nach Fig. 1, 3.
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Fig. 1 und 2 zeigen stark vergrößert den Grundriß bzw. einen Längsschnitt eines Ausführungsbeispiels des erfindungs gemäß en Maximumthermometers 10 für Oberflächentemperaturen. Das Thermometer besteht aus einer gut wärmeleitenden Unterlage 11, die auf ihrer Unterseite den Wärmekontakt mit der Oberfläche eines Meßobjekts herstellt, ferner aus einer dünnen, elektrisch isolierenden Schicht 13 auf der Oberfläche der Unterlage 11, die weitere Schichten von der nieist auch elektrisch leitenden Unterlage 11 elektrisch isolieren soll, aus einer streifenförmigen, auf der Isolierschicht 13 haftenden Widerstands schicht 14 zur Temperaturmessung und aus zwei ebenfalls auf die Isolierschicht 13 aufgebrachten und zugleich die Enden der Widerstands schicht 14 bedeckenden Metallschichten 15 und 16, an denen zur Messung des Widerstandes der Widerstands schicht 14 zwei Zuleitungen 18 befestigt sind.
2 Die Unterlage 11 hat vorzugsweise eine Größe von 1 bis 2 ram und besteht aus einem Halbleitermaterial, wie Silizium oder Germanium, die beide gute Wärmeleiter sind. Die Unterlage kann aber auch nach Fig. 3 aus einem geeigneten Metall 12 bestehen, vorzugsweise aus Molybdän.
Die dünne Isolierschicht 13 auf der Unterlage 11 bzw, 12 besteht bei einer Unterlage aus Silizium zweckmäßigerweise aus einer durch thermische Oxydation erzeugen Siliziumdioxydschicht. Bei anderem Material der Unterlage 11, 12 wird als Isolierschicht 13 vorzugsweise ebenfalls Siliziumdioxyd
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oder Siliziummonoxyd verwendet, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nicht sehr von denen des Germaniums oder Molybdäns der Unterlage abweichen. Dadurch wird eine gute Haftfähigkeit der Isolierschicht 13 auf der Unterlage 11, 12 gewährleistet und werden Risse, Abbröckeln oder Blasenbildung bei der Isolierschicht vermieden. Diese Schicht kann aber auch aus jedem anderen geeigneten Material bestehen, z. B. aus Siliziummitrid oder Glas usw., und durch ein geeignetes Verfahren, wie Aufdampf enJLm Vakuum, Kathodenzerstäubung oder Aufschmelzen, auf die Unterlage aufgetragen werden.
Die dünne streifenförmige Wider stands schicht 14 auf der Isolierschicht 13 hat die Eigenschaft, daß sich ihr Widerstand mit der Temperatur irreversibel, also nicht umkehrbar ändert, d.h. sie behält den dem. jeweils erreichen Temperaturmaximum entsprechenden Widerstands wert auch bei wieder sinkender Temperatur unverändert bei, bis bei einer erneuten Erwärmung das vorige Temperaturmaximum überschritten wird und der Widerstand sich nun entsprechend derhöheren Temperatur weiter ändert. Diese Eigenschaft weist ein Material auf, das aus einer innigen Mischung von Siliziummonoxyd und Chrom besteht. Die Zusammensetzung dieser Mischung der Widerstands schicht 14 kann zwischen 5 % und 60 % Siliziummonoxyd (SiO) schwaken, jedoch wird meistens der Bereich von 15 bis 50 % SiO benutzt, wobei höhere Werte bevorzugt
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werden, weil die Widerstandsänderung mit wachsendem SiO-Anteil zunimmt und dadurch diese sowie die entsprechende Temperatur änderung leichter erkennbar wird. Außerdem sind die Widerstandsänderungen dieser Halbleiter-Widerstands schicht 14 größer als bei einer reinen Metallschicht, weil bei erster er mit der Temperatur zunehmende irreversible Strukturumwandlungen vom nicht kristallinen in den teilweise kristallinen Zustand die größeren, ebenfalls irreversiblen Widerstandsänderungen bedingen.
Der jeweilige Widerstandswert der Widerstands schicht 14 ist nur durch die vorhergegange höchste Temperatur und die von ihr hervorgerufene stärkste irreversible Stukturumwandlung bedingt, aber von der sonstigen Temperatur-Vorgeschichte der Schicht völlig unabhängig. Dies geht besonders klar aus den vier Widerstand-Zeit-Diagrammen 60, 62, 64 und 66 in Fig. 7 hervor, die den prozentualen Widerstandsverlauf von vier Widerstands schichten 14 mit gleicher Zusammensetzung von z. B. 20 % SiO zeigen, die verschiedenen Wärmebehandlungen mit unterschiedlichen Temperaturschritten, aber mit gleicher Endtemperatur von 500 C ausgesetzt waren. Alle Schichten weisen, unabhängig von ihrer unterschiedlichen Vorgeschichte, zuletzt die gleiche, nur von derselben Endtemperatur bestimmte prozentuale Widerstandsänderung auf.
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Den Einfluß der Zusammensetzung der Widerstendsschicht 14 auf ihre Widerstandsänderung mit der Temperatur zeigen die Diagramme der prozentualen Widerstandsändeiung bei drei verschiedenen Temperaturen (400, 500 und 600° C) in Abhängigkeit vom SiO-Gehalt in Fig. 8. Untersucht wurden neun Widerstands schichten 14 von unterschiedlicher Zusammensetzung, und zwar miteinem SiO-Gehalt von 0, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 40 und 50 %. Abgesehen von Unregelmäßigkeiten bei SiO-Gehalten kleiner als 5 %, lassen die drei Kurven 70, 72 und 74 für 400, 500 und 600 C erkennen, daß bei gleicher Temperatur mit steigendem SiO-Gehalt die prozentuale Widerstandsänderung insgesamt zunimmt und auch die Widerstandsunterschiede zwischen den verschiedenen Temperaturen wachsen und somit leichter und genauer gemessen werden können.
Die Metallschichten 15 und 16 an den Enden der Widerstandsschicht können aus jedem geeigneten Metall bestehen, vorzugsweise aus Kupfer
w und Chrom.
In manchen Fällen ist ein zusätzlicher Schutz der Widerstands schicht 14 gegen chemische Einflüsse der sie umgebenden Gase erforderlich. Dann wird sie nach Fig. 3 mit einer geeigneten Schutzschicht 17 abgedeckt, -
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Die Zuleitungsdrahte 18, beispielsweise aus Aluminium, werden vorzugsweise mittels Ultraschall mit den Metallschichten 15 und 16 verbunden und ermöglichen die Bestimmung des Temperaturmaximums, dem die Widerstands schicht 14 zuletzt ausgesetzt wurde, zu einem beliebigen Zeitpunkt danach aus dem von diesem Maximum erzeugten, "gespeicherten" Widerstandswert.
Ein Anwendungsbeispiel für das Maximumthermometer nach Fig. 1, 3 ™
in Form einer Katkodenzerstäuberanlage ist in Fig. 4 dargestellt. Sie enthält eine Vakuumkammer 19 mit einer Deckplatte 20, die zusammen auf einer Grundplatte 21 lösbar befestigt sind. Ein geeignetes Gas, ζ. B. ' Argon, wird über einen Einlaß 22 der Kammer 19 zugeführt und durch eine Vakuumpumpe 23 auf gewünschtem Druck gehalten. In der Kammer 19 befinden sich eine Elektrodenanordnung 24 und ein Werkstückträger 25. ·
"1DIe ElektxOdenanordnung 24 enthält eine Sheibe 26 aus dem zu zerstäubenden Material, mit dem die Werkstücke zu beschichten sind. Die Scheibe 26 ist an einer Metallelektrode 27 befestigt, die als Kathode dient und an einem isolierenden Tragrohr 28 mittels einer keramischen Abdichtung 29 befestigt ist. Das Tragrohr 28 ist seinerseits an der Deckplatte 20 befestigt und trägt an seinem unteren Ende außerdem eine metallische geerdete Abschirmelektrode 30, welche die Kathode 27 teilweise umhüllt und vor
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unerwünschter Zerstäubung schützt. Die Bohrung des Tragrohrs 28 enthält eine Kühlanordnung 32aus zwei konzentrischen Rohren, z. B. aus Kupfer, von denen das größere den Einlaß der Kühlflüssigkeit, z. B, Wasser, und das engere den Auslaß derselben darstellt. Die Kühlanordnung 32 dient zur Kühlung der Kathode 27 und insbesondere der Scheibe 26 und gleichzeitig als elektrische Verbindung der Kathode 27 mit der nicht gezeichneten Energiequelle.
Der Werkstückträger 25 besteht aus einer an der Grundplatte 21 erhöht befestigten Tischplatte 40, auf der in geeigneter Weise der eigentliche Werkstückhalter 42 befestigt ist. Der Werkstückhalter 42 trägt die zu beschichtenden Werkstücke 50, beispielsweise Halbleiterplatten, auf deren Oberfläche je ein Maximumthermometer 52 nach Fig. 1, 3 angeordnet ist. Der Werkstückhalter 42 dient als Anode und kann, wenn erforderlich, ebenfalls gekühlt werden durch Kühlrohre, die entweder in seinem Innern untergebracht sind oder ihn umgeben. Die Elektromagnete 44 können benutzt werden, um durch ihr Magnetfeld die Glimmentladung zu konzentrieren.
Der Werkstückhalter 42 ist in Fig. 5 im Grundriß gezeigt zusammen mit 7 Werkstücken. (Halbleiterplatten) 50, auf denen die Maximumthermometer 52 entweder leicht befestigt oder einfach nur aufgelegt sind. Die
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Genauigkeit der Temperaturmessung ist jedoch von einem guten Wärmekontakt zwischen der Auflagefläche des Maximumthermometers 52 und der Oberfläche des zu messenden Werkstücks 50 abhängig. Er kann nach der Schnittzeichnung Fig. 6 gewährleistet werden durch eine gut wärmeleitende dünne Metallschicht 54 zwischen der Werkstückoberfläche und dem Maximumthermometer 52, Diese Metallschicht 54 besteht zweckmäßig aus einem schon bei Temperaturen von 25 bis 35 C flüssigen Metall, vorzugsweise aus Gallium oder einer Gallium-Indium-Legierung, das in einfachster Weise auf die betreffende Oberflächenstelle aufgetragen werden kann. Das Maximumthermometer 52 mit seiner geringen Wärmekapazität nimmt dann mit Sicherheit die Temperatur der umgebenden Oberfläche des Werkstücks 50 an.
Das Temperaturmaximum, dem das Werkstück 50 und mit ihm das Maximumthermometer 52, z. B. während des Kathodenzerstäubungsprozesses in einer Anlage nach Fig. 4 ausgesetzt war, kann durch die bleibende prozentuale Widerstandsänderung bestimmt werden, die die Widerstands schicht 14 des Thermometers 52 dabei erfahren hat. Zu diesem Zweck müßten von jeder einzelnen Widerstandsschicht 14 die elektrischen Daten, insbesondere der Anfangswiderstand, die Anfangstemperatur und die Widerstandsänderung für weitere bekannte Temperaturen unterhalb des vorigen Temperaturmaximums, genau bekannt sein, um aus diesen Daten das letzte Temperaturmaximum rechnerisch oder graphisch zu ermitteln.
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Statt dieser etwas umständlichen wird vorzugsweise folgende einfachere Methode zur Bestimmung des letzten Temperaturmaximums angewendet, die in Fig. 9 näher erläutert ist. Die Maximumthermometer 52 werden nach dem Kathodenzerstäubungsvorgang von den Werkstücken 50, deren dabei erreichtes Temperaturmaximum ermittelt werden soll, entfernt und in einem besonderen Ofen nacheinander genau bekannten Temperaturen ausgesetzt. Dabei wird auf übliche Weise der jeweils zugehörige Widerstand der Widerstands schicht 14 gemessen, der wegen deren negativen Temperaturkoeffizienten mit steigender Ofentemperatur langsam abnimmt, wie es die Abschnitte geringerer Neigung der Kurven 80, 82 und 84 in Fig. 9 für drei Widerstands schichten 14 mit gleichem SiO-Gehalt von 45 %,abe.r mit unterschiedlichen Temperaturmaxima zeigen. Der Kurvenverlauf bleibt so lange linear, wie die Struktur der Widerstands schicht unverändert, d. h. die Ofentemperatur unter dem vorangegangefyTemperaturmaximum der Schicht bleibt. Übersteigt die Ofentemperatur jedoch dieses normalerweise unbekannte (für die Beispiele der Fig. 9 jedoch bekannte) Temperaturmaximum., so wird die Strukturumwandlung des bereits teilweise kristallinen Gefüges der Widerstands schicht fortgesetzt, was ein wesentlich schnelleres Absinken des Widerstandes zur Folge hat, gekennzeichnet durch die steilen Kurvenabschnitte am rechten Ende. Die in Fig. 9 durch Pfeile mit Temperaturangaben bezeichneten Übergangspunkte, an denen die Kurven von den geradlinigen flacheren Abschnitten abzuweichen beginnen, kennzeichnen die Temperaturmaxima, denen die Widerstands schichten 14 der Maximumthermometer 52 und somit auch die Werkstücke 50 zuletzt ausgesetzilwaren.
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Die Temperaturen an den Pfeilenden (331, 288, 266 C) sind die aus den Kurven sich ergebenden gesuchten Temperaturmaxima. Für die der Fig. zugrunde liegenden Widerstands schichten sind die tatsächlichen Werte der Temperaturmaxima, denen sie eine Stunde lang ausgesetzt waren, bekannt und in Klammern angegeben (322 bzw. 293 bzw. 265 C). Die relativ gute Übereinstimmung der graphisch ermittelten mit den bekannten Temperaturenwerten zeigt die Brauchbarkeit der angegebenen Meßmethode.
Das erfindungsgemässe Maximumthermometer nach Fig. 1, 3· kann auf verschiedene Weisen hergestellt herden. Eine geeignete Herstellungsart ist z.B., eine Siliziumplatte mit einer dünnen Isolierschicht aus Siliziumdioxyd durch thermische Oxydation oder aus aufgedampftem Glas zu versehen. Dann wird eine Widerstandsschicht aus einer innigen Mischung von Chrom und Siliziummonoxyd im gewünschten Mischungsverhältnis auf die Isolierschicht im Vakuum aufgedampft. Zu diesem Zweck werden die beiden Bestandteile gesiebt und im geflanschten Gewichtsverhältnis gemischt. Das Gemisch fällt als feines Pulver ständig in konstanter Menge auf einen glühenden Tantal- oder Wolframdraht von etwa 2000 C innerhalb eines Vakuumgefässes
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mit einem Druck von etwa 10 Torr,, wodurch das Pulvergemisch gleichmassig verdampft und sich auf den Isolierschicht«» der Siliziumplatte niederschlägt. Die konstante Kondensationstemperatur beträgt zwischen 150 und 300 C. Da die Maximumthermometer nur höhere Temperaturen messen können, als die, denen sie bereits ausgesetzt waren, ist eine möglichst niedrige Kondensationstemperatur am günstigsten, wenn relativ niedrige Temperaturen gemessen werden sollen. Unmittelbar nach der Widerstands schicht wird auf diese in derselben Aufdampfvorrichtung eine Metallschicht aufge-Docket FI 9-66-011 10 9 812/0417 BAD
dampft, die vorzugsweise aus einer Kupfer- und einer Chromschicht besteht und die ganze Widerstands schicht bedeckt. Danach wird die so behandelte Silizium$platte der Aufdampfvorrichtung entnommen. Der Metallschicht wird nun mittels üblicher Photomasken- und Ätzverfahren die gewünschte Form gegeben, wobei z.B. Kaliumeisenzyanid als Ätze für die Chromschicht und Kaliumiodid-Jod als Ätze für die Kupfers chi cht dient. Auf ähnliche Weise und mittels einer Kalium-Eisen-Zyanid-Ätze erhält dann die Widerstandsschicht bei etwa 60 C die gewünschte Form. Aus der so geätzten grösseren Siliziumplatte werden nun die den einzelnen kleinen Maximumthermometern entsprechenden Teile von weniger als 2 mm, vorzugsweise 1, ^Seitenlange durch Aufteilen der Siliziumplatte mit bekannten Mitteln gewonnen. An den Metallanschlüssen der Widerstands schichten werden schliesslich die Zuleitungsdrähte aus Aluminium mittels Ultraschall befestigt.
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Claims (5)

-15- 1643741 Docket FI 9-66-011 28. Dezember 1967 lo-en PATENTANSPRÜCHE
1. Maximumthermometer für Oberflächentemperaturen, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer gut wärmeleitenden und mit der Oberfläche des Meßobjekts (50), beispielsweise Halbleiterplättehen, wärmeleitend, vorzugsweise mittels flüssigen Metalls (54), ver-
2 bundenen Unterlage (11, 12) in der Größenordnung von 1-2 mm unter Zwischenschaltung einer dünnen Isolierschicht (13) eine streifenförmige, irreversible Widerstands schicht (14), vorzugsweise aus einer innigen Mischung von 5 - 60 % Siliziummonoxyd mit Chrom, angeordnet und an ihren Enden mit je einer ebenfalls auf der Unterlage (11, 12) isoliert aufgebrachten Metallschicht (15, 16) zwecks Anbringung von Zuleitungen (18) bedeckt ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider-Standsschicht (14) vorzugsweise 15 - 50 % Siliziummonoxyd enthält und bei Erwärmung eine bleibende, mit dem Siliziummonoxyd-Gehalt zunehmende, dem Temperaturmaximum entsprehende Widerstandsänderung erfährt durch Übergang des nicht kristallinen in den teilweise kristallinen Zustand. .
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3. Anordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Temperaturmaximum, dem sie ausgesetzt war, nachträglich mittels eines sie enthaltenden, stetig erwärmten Ofens ermittelt wird als diejenige bekannte Temperatur, bei der der mit der Erwärmung bei zunächst unveränderter Schichtstruktur linear abnehmende Widerstand der Widerstandsschicht (14) schneller zu fallen beginnt infolge oberhalb des vorherigen Temperaturmaximums sich fortsetzender Strukturumwandlung (Kristallisation).
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ihre gut wärmeleitende Unterlage (11) ein Halbleiter, vorzugsweise Silizium oder Germanium, ist.
'
5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ihre gut wärmeleitende Unterlage (12) ein Metall, vorzugsweise Molybdän, ist.
6«. Λ,,χ ..diiaug nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Isolierschicht (13) auf der Unterlage (11, 12) vorzugsweise aus einer S iliziumver bindung mit Sauerstoff oder Stickstoff oder aus Glas besteht.
7. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (14) zum Schutz gegen chemische Einflüsse umgebender Gase mit einer Schutzschicht (17) abgedeckt ist.
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8. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das die gut wärmeleitende Verbindung zwischen ihrer Unterlage (11, 12) und der Oberfläche des Meßobjekts (50) herstellende flüssige Metall vorzugsweise Gallium oder eine Gallium-Indium-Legierung ist.
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DE1648241A 1966-12-29 1967-12-29 Maximumthermometer für Oberflächentemperaturen Expired DE1648241C3 (de)

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