DE1638014B2 - - Google Patents
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- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine auf konstante Spannung regelnde, monolithisch integrierte Parallelregelschaltung,
die aus einem zweistufigen Regelverstärker, dessen erste Stufe ein Differenzverstärker bildet,
aus einer Referenzspannungsquelle und aus einer Leistungsstufe als Regelstrecke besteht.
Es liegt ein Vorschlag für eine monolithisch integrierbare Parallelregelschaltung vor (deutsche Offenlegungsschrift
1 638 015), deren elektrisches Ersatzschaltbild in Fig. 1 gezeigt ist. Sie besteht im
wesentlichen aus dem symmetrischen Differenzverstärker DV und der Leistungsstufe LS als Regelstrecke.
Die Referenzspannungsquelle besteht aus der Serienschaltung von in Flußrichtung betriebenen
Halbleiterdioden und Z-Dioden. Nach dem älteren Vorschlag ist diese Serienschaltung derart aufgeteilt,
daß ein Teil der Serienschaltung zwischen dem einen Eingangspol des Differenzverstärkers und dem einen
Pol der geregelten Ausgangsspannung Ug angeschlossen
ist, während der andere Teil dieser Serienschaltung zwischen dem anderen Eingangspol des Differenzverstärkers
und dem anderen Pol der geregelten Ausgangsspannung liegt. Die Serienschaltung von in
Flußrichtung betriebenen Dioden und Z-Dioden, sowie die Aufteilung dieser Serienschaltung wird aus
C: dnden der Temperaturstabilität der Regelschaltung
vorgenommen. Ein Maß für die Regelgüte der Regelschaltung ist das Verhältnis der Ausgangsspannungsänderung
bei einer vorgegebenen Änderung der Eingangsspannung bzw. des durch den Lastwiderstand
fließenden Stromes. Ein Maß für diese Güte ist der Regelfaktor. Dieser Regelfaktor ist in erster Näherung
proportional dem Verstärkungsgrad des Differenzverstärkers.
Tritt nun die Forderung auf, den Regelfaktor weiter
zu verbessern sowie den Innenwiderstand der Parallelregelschaltung zu erniedrigen, so bietet sich die Lösung
an, eine zweite Verstärkerstufe dem Differenz-
jo verstärker nachzuordnen. Solche zweistufigen Differenzverstärker
sind an sich bekannt, wie z. B. aus der deutschen Auslegeschrift 1 214733 hervorgeht. Diese
mehrstufigen Differenzverstärker haben jedoch den Nachteil, daß sie, wenn man sie in einer Regelschaltung
verwendet, bei hohen Frequenzen auf Grund der dort auftretenden Phasendrehungen zu Eigenschwingungen
neigen, welche Schwingneigung durch geeignete Schaltmaßnahmen unterdrückt werden muß.
Dieses Schwingen bei hohen Frequenzen führt näm-Hch dazu, daß nachfolgende Versiärkerstufen die
Gleichspannungspotentiale dieser Verstärkerstufen infolge von Gleichrichtungseffekten so verlagern, daß
eine sinnvolle Verstärkung nicht mehl stattfinden kann. Ei" Mittel, die Schwingneigung zu unterbinden,
besteht darin, die obere Grenzfrequenz einer Stufe des mehrstufigen Differenzverstärkers mit Hilfe von
Kondensatoren stark zu erniedrigen.
Soll nun ein solcher Differenzverstärker in einer monolithisch integrierten Parallelregelschaltung verwendet
werden, so tritt auch hier das Problem der Schwingneigung bei hohen Frequenzen auf. Die Lösungsmöglichkeit,
wie sie für Schaltungen mit diskreten Bauelementen in einfacher Weise gegeben «t,
nämlich das Beschälten mit Kondensatoren, ist jedoch bei einer monolithisch integrierten Festkörperschaltung
nicht anwendbar. Dies liegt darin begründet, daß zwar Kapazitäten monolithisch integriert werden
können, jedoch nur relativ kleine Kapazitätswerte möglich sind. Große Kapazitätswerte führen nämlich
zu einem unverhältnismäßig großen Flächenaufwand, wodurch die Vorteile der durch die Integrierune erreichten
Mikrominiaturisierung wieder zunichte gemacht werden.
Die Erfindung hat sich somit zur Aufgabe gestellt, die Schwingneigung eines zweistufigen Differenzverstärkers,
der in monolithisch integrierter Bauweise als Teil einer Parallelregelschaltung hergestellt werden
soll, auf andere Weise zu unterbinden. Diese Aufgabe wird bei der oben angegebenen Parallelregelschaltung
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die zweite Verstärkerstufe des Regelverstärkers aus einem Paar
komplementärer Transistoren aufgebaut ist und daß einer der beiden komplementären Transistoren als
monolithisch integrierter Verbundtransistor ausgebildet ist, der aus einer lateralen Transistorstruktur und
einer dazu komplementären üblichen Transistorstruktur besteht.
Dieser Verbundtransistor ist aus »Proc. IEEE«, Dezember 1964, Seiten 1491 bis 1495 bekannt. Er
besteht aus der lateralen Transistorstruktur T6A und
der komplementären üblichen Transistorstruktur T6fl, wie in Fi g. 4 gezeigt ist. Auch ist aus dieser Literaturstelle
ein zweistufiger Differenzverstärker bekannt, dessen zweite Verstärkerstufe aus je einem solchen
Verbundtransistor gebildet wird. Demgegenüber ist es jedoch bei der erfindungsgemäßen Parallelregelschaltung
nicht notwendig, zwei solche Verbundtransistoren zu verwenden, sondern es genügt, die erfin-
dungsgemäße Kombination eines Transistors und eines Verbundtransistors in der zweiten Verstärkerstufe
anzuwenden.
In den weiteren Fig. 2 und 3 der Zeichnung sind ein Ausführungsbeispiel der Erfindung und eine vorteilhafte
Weiterbildung gezeigt. In der Fig. 2 der Zeichnung ist das elektrische Ersatzschaltbild einer
erfindungsgemäßen Parallelregelschaltung dargestellt. Der als Differenzverstärker DV aufgebaute
Regelverstärker besteht aus den beiden Verstärkerstufen, die von den Transistoren T1 und T2, bzw. T5
und T6 gebildet werden. Dem einen Eingangspol A
des Differenzverstärkers ist die Bezugsspannung einer
Referenzspannungsquelle zugeführt, während dem anderen Eingangspol B eine der zu regelnden Spannung
Ug proportionale Spannung zugeführt wird. Die Referenzspannungsquelle besteht aus einer Serienschaltung
von Flußdioden FD, bis FD 6 und Z-Dioden
ZD1, ZD2, welche Serienschaltung, wie schon oben
bei Erläuterung der F i g. 1 beschrieben, derart aufgeteilt ist, daß ein Teil der Flußdioden zwischen dem
einen Eingangspol A und dem einen Pol der zu regelnden Spannung Ug und der andere Teil zwischen
dem anderen Eingangspol B und dem anderen Pol der Spannung U liegt. Die beiden Transistoren T1 und
T2 besitzen die in ihren Kollektorkreisen als Arbeitswiderstände liegenden Widerstände A1 und A2, deren
kollektorfernes Ende miteinander verbunden ist und am Emitter eines spannungsregelnden Transistors T4
angeschlossen ist. Der Kollektor dieses Transistors ist mit dem anderen Pol der zu regelnden Spannung Ug
verbunden, während dessen Basis am Verbindungspunkt der beiden Zenerdioden angeschlossen ist. Dieser
Transistor verhindert, daß auf die Arbeitswiderstände A1 und R2 noch etwa auftretende Spannungsänderungen der Spannung Ug einwirken können.
Die zweite Stufe des Regelverstärkers ist mit ihren Transistoren T5 und T6 an den Ausgang der ersten
Verstärkerstufe angeschlossen, und zwar liegt die Basis des Transistors T5 am Kollektor von Transistor T1
und die Basis des Transistors T6 am Kollektor des Transistors T2. Der Transistor T5 ist vom npn-Typ,
während als Transistor T6 der bekannte Verbundtransistor
verwendet ist, der auf Grund stines elektrischen Verhaltens als pnp-Transistor anzusehen ist. Die
Emitter dieser beiden Transistoren sind aus Gegenkopplungsgründen über einen Widerstand Ä, miteinander
verbunden. Diese aus den Transistoren T, und T„ gebildete zweite Verstärkerstufe stellt einen unsymmetrischen
Differenzverstärker dar, da die durch den Transistor T5 gebildete Verstärkerhälfte keinen
Kollektorarbeitswiderstand besitzt. Vielmehr ist der Kollektor dieses Transistors direkt mit dem anderen
Pol der zu regelnden Spannung verbunden. Die andere Verstärkerhälfte besitzt den Arbeitswiderstand
A6, der zwischen dem Kollektor des Verbundtransistors
T6 und dem einen Pol der zu regelnden Spannung angeschlossen ist. Vom Kollektor dieses Verbundtransistors
wird die Basis des zur Leistungsstufc LS gehörenden Transistors TH angesteuert. Die Leistungsstufe
LS besteht im Ausführungsbeispiel der Fi g. 2 aus den beiden Transistoren T1 und Τκ, wobei
der Transistor T8 den Emitterwiderstand /?„ besitzt.
Die Emitter der beideii Transistoren der ersten
Differenzverstärkerstufe sind über die niederohmigen Widerstände R9 und Rw miteinander verbunden. Am
Verbindungspunkt dieser beiden Widerstände ist der Kollektor des Transistors T, angeschlossen, der in Basisschaltung
betrieben ist und somit, wie bei Differenzverstärkern allgemein üblich, einen großen dynamischen
gemeinsamen Emitterwiderstand darstellt. Die Basis des Transistors T3 ist an einem Verbin-
dungspunkt zweier Flußdioden der Referenzspannungsquelle angeschlossen, wodurch diese Basis auf
festem Potential liegt. Der Arbeitswiderstand R3 dieses
Transistors liegt in dessen Emitterkreis. Über den Vorwiderstand R1 erhält der eine Teil der Reihen-
schaltung der Referenzspannungsquelle einen konstanten Strom zugeführt. Der Widerstand R1 liegt
zwischen der Basis des Transistors T1 und der Basis von Transistor T4. In gleicher Weise ist durch den Widerstand
R4 der Strom durch den anderen Teil der
Referenzspannungsquelle festgelegt. Dieser Widerstand liegt zwischen der Basis von Transistor T2 und
dem einen Pol der zu regelnden Spannung Ug.
Die erfindungsgemäße integrierte Parallelregelschaltung benötigt auf Grund der Tatsache, daß in er-
findungsgemäßer Weise in der zweiten Verstärkerstufe
der bekannte Verbundtransistor verwendet wird, keine zusätzlichen Kapazitäten, um ein Schwingen bei
hohen Frequenzen zu vermeiden. Dies ist darauf zurückzuführen, daß einerseits der Verbundtransistor T6
eine relativ niedrig liegende Gegenfrequenz der übrigen npn-Transistoren liegt und daß andererseits
Schwingungen durch die Eingangskapazität von Transistor TK unterbunden werden. Somit kann bei der
monolithischen Integrierung der erfindungsgemäßen Parallelregelschaltung auf eindiffundierte oder von
außen anzuschließende Kapazitäten verzichtet werden, was die monolithisch integrierte Parallelregelschaltung
wesentlich vereinfacht und auch die Abmessungen des iertigen Bauelements kleiner ausfallen
läßt, als wenn integrierte Kapazitäten mitverwendet werden müßten.
F i g. 3 ze igt eine vorteilhafte Weiterbildung eier erfindungsgemäßen
Parallelregelschaltung. Die Parallelregelschaltung nach Fig. 2 kann nämlich dadurch
in vorteilhafter Weise verbessert werden, daß die Basis des Verbundtransistors T6 direkt am Kollektor des
zugehörigen Transistors T2 der ersten Verstärket stufe angeschlossen ist sowie zwischen Basis des Verbundtransistors
T6undkollektorseitigen Ende des Arbeits-Widerstandes
R2 eine oder mehrere in Serie geschaltete, bezüglich des Kollektorstroms des Transistors T2
in Flußrichtung betriebene Dioden FDv und FD10 eingeschaltet
sind und daß die Basis des zum Verbundtransistor T6 komplementären Transistors T5 über
eine oder mehrere in Serie geschaltete, bezüglich des Kollektorstroms des Transistors T1 in Flußrichtung
betriebene Dioden FD1 und FDn mit dem Kollektor
des Transistors T1 verbunden ist. In Fig. 3 sind die zusätzlichen Dioden FD1 bis FD111 in der angegebenen
Weise eingezeichnet. Die übrige Schaltung ist gegenüber der in Fig. 2 gezeigten Schaltung nicht verändert.
Durch die vorteilhafte Weiterbildung wird erreicht, daß die zweite Verstärkerstufe mit den komplementä-
6c rcn Transistoren T5 und T6 schon bei einer zwischen
den Kollektoren der Transistoren T1 und T2 gemessenen
Ausgangsspannung, der Ausgangsdifferenzspannung, von 0 Volt aufgesteuert wird. Sind die Dioden
FD1 bis FD ,„ dagegen nicht vorhanden, so muß die
erste Stufe des Differenzverstärkers DV eine Ausgangsdifferenzspannung
abgeben, die mindestens gleich der Summe der Emitter-Basis-Schwellspannungen der beiden Transistoren T5 und T6 ist. Dies
hat aber zur Folge, daß die erste Stufe des Differenzverstärkers schon unsymmetrisch arbeitet, wenn die
zweite Stufe gerade zu arbeiten beginnt, d. h. aufgesteuert wird. Durch die vorteilhafte Weiterbildung der
Erfindung wird das symmetrische Arbeiten sämtlicher Stufen des Differenzverstärkers erreicht, wodurch sich
eine optimale Regelgenauipkeit ergibt, da der Differenzverstärker mit maximaler Verstärkung nur bei
vollständiger Symmetrie arbeitet.
Die in Serie geschalteten Dioden wirken hierbei wie Batterien, die auch bei nahezu symmetrischem Betriebszustand
der ersten Verstärkerstufe des Diffcrenzverstärkers dafür sorgen, daß die zweite Verstärkerstufe
im aktiven Bereich arbeitet. In dei Ausführung als monolithisch integrierte Festkörperschaltung
tritt noch der weitere Vorteil auf, daß die Symmetrie der ersten Verstärkerstufe des Differenzverstärkers
von der Temperatur unabhängig ist, da die an den in Serie geschalteten Dioden abfallender
Spannungen und die Basis-Emitter-Schwellspannung der zweiten Verstärkerstufe bei geeigneter Bemessung
der für die Dioden verwendeten Strukturen des Halbleiterkörpers denselben Temperaturgang besitzen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Auf konstante Spannung regelnde, monolithisch integrierte Parallelregelschaltung, die aus
einem zweistufigen Regelverstärker, dessen erste Stufe ein Differenzverstärker bildet, aus einer Referenzspannungsquelle
und aus einer Leistungsstufe als Regelstrecke besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Verstärkerstufe
des Regelverstärkers (DV) aus einem Paar komplementärer Transistoren (T5, T6) aufgebaut ist
und daß einer (T6) der beiden komplementären
Transistoren als monolithisch integrierter Verbundtransistor ausgebildet ist, der aus einer lateralen
Transistorstruktur (TbA) und einer dazu
komplementären üblichen Transistorstruktur (T68) besteht (Fig. 2, 4).
2. Parallelregelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Verbundtransistors
(T6) direkt am Kollektor des zugehörigen
Transistors (T2) der ersten Verstärkerstufe
angeschlossen ist, daß zwischen der Basis des Verbundtransistors (T6) und dem kollektorseitigen
Ende des Arbeitswiderstandes (R2) eine oder
mehrere in Serie geschaltete, bezüglich des Kollektorstroms des Transistors ( T2) in Flußrichtung
betriebene Dioden (FD9, FD 10) eingeschaltet sind
und daß die Basis des zum Verbundtransistor (T6)
komplementären Transistors (T5) über eine oder mehrere in Serie geschaltete, bezüglich des Kollektorstroms
des Transistors (T1) in Flußrichtung betriebene Dioden (FD1, FD 8) mit dem Kollektor
des Transistors (T1) verbunden ist (Fig. 3).
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- 1951-01-28 DE DE19511638014 patent/DE1638014A1/de active Granted
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- 1969-02-19 GB GB1231902D patent/GB1231902A/en not_active Expired
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EP0166581A3 (de) * | 1984-06-29 | 1986-10-29 | AT&T Corp. | CMOS-Schaltung für Überspannungsschutz |
RU191748U1 (ru) * | 2018-12-29 | 2019-08-20 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет" | Компенсационный стабилизатор постоянного напряжения |
Also Published As
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