DE1806467A1 - Transistorschaltung mit Gleichspannungsstabilisierung - Google Patents
Transistorschaltung mit GleichspannungsstabilisierungInfo
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- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 title claims description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 title claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036461 convulsion Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
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- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Amplifiers (AREA)
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Description
6679-68/KÖ/E
RCA 57 428
Convention date:
November 3, 1967
RCA 57 428
Convention date:
November 3, 1967
Radio Corporation of America New York N.Y. (V.St.A.)
Transistorschaltung mit Gleichspannungsstabilisierung
Die Erfindung betrifft eine Transistorschaltung mit Gleichspannungsstabilisierung, insbesondere in integrierter
Form, mit einem Transistorverstärker in Emitterschaltung und einem Transistorverstärker in Kollektorschaltung, bei welcher
die beiden Transistoren durch zwei Impedanzelemente mit vorbestimmten Impedanzverhältnis gegengekoppelt sind, derart, daß
die Emitterschaltungsstufe zusätzlich eine stabilisierte Bezugsgleichspannung für die Kollektorschaltungsstufe liefert.
Je nach der Art ihrer Verschaltung mit anderweitigen Schaltungsanordnungen kann diese Anordnung zahlreiche verschiedenartige
Aufgaben erfüllen, darunter z.B. als geregelte Betriebsspannungs· quelle, als Übertragungsstufe zum Einstellen eine Ausgangssignales
in Bezug auf eine Gleichspannung, die von derjenigen Gleichspannung abweicht, in Bezug auf weihe das entsprechende
Eingangssignal eingestellt ist, sowie als Verstärkerstufe, bei welcher die Signalverstärkung und die Ausgangsgleichspannung
unabhängig voneinander geregelt werden können.
Der Aasdruck "integrierte Schaltung" bezeichnet
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etwa in Form eines Plattchens, der das Äquivalent eines Netzwerkes
aus untereinander verschalteten aktiven und passiven Schaltungselementen darstellt.
Die Ausdrücke "Widerstand", "Kondensator", "Gleich richter" usw. bezeichnen hier, außer wenn anders angegeben, das
jeweils äquivalente Bau- oder Schaltungselement in oder auf einem integrierten Schaltungsbaustein. Wie sich diese Schaltungselement!
in einem solchen Baustein realisieren lassen, ist bekannt.
In der Zeichnung zeigen: Fig. 1 das Schaltschema einer geregelten Betriebsspannungsquelle
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 das Schaltschema einer Übertragungsstufe zum Einstellen eines Ausgangssignals in Bezug auf eine Gleichspannung,
die von derjenigen Gleichspannung abweicht, in Bezug welche das entsprechende Eingangssignal eingestellt ist, gemäß
einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 3 das Schaltschema einer Verstärkerstufe,
bei welcher die Signalverstärkung und die Ausgangsgleichspannung unabhängig voneinander geregelt werden können, gemäß einer weiteren
Ausführungsform der Erfindung; und
Fig. 4 das Schaltschema einer abgewandelten Ausführungsform der Betriebsspannungsquelle nach Fig. 1.
Die geregelte Betriebsspannungsquelle oder Betriebsspannungsversorungsstufe,
die in Fig. 1 der Zeichnung, in der gleiche Elemente jeweils mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet
sind, gezeigt ist, enthält zwei Transistoren 12 und Ik.
Der eine Transistor 12, der in Emitterschaltung ausgelegt ist, ist mit seinem Kollektor über einen Widerstand 18 an eine Speisespannungsklemme
l6 und mit seinem Emitter an einen Bezugspotentialpunkt 20, im vorliegenden Fall Masse angeschlossen.
Der andere Transistor 14, der in Kollektorschaltung
ausgelegt ist, ist mit seinem Kollektor an die Speisespannungsklemme 16 und mit seinem Emitter über die Reihenschaltung
zweier Widerstände 22 und 24 an den Bezugspotentialpunkt 20 angeschlossen.
Der Emitter des Transistors 14 ist mit einer ersten
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Ausgangsklemme 26 verbunden 3 während der Verbindungspunkt der
Widerstände 22 und 24 über einen Leiter 27 mit der Basis des
Transistors 12 verbunden ist.
Der Kollektor des Transistors 12 ist außerdem über einen Leiter 29 mit der Basis des Transistors 14 sowie mit
einer zweiten Ausgangsklemme 28 verbunden. Zwischen die beiden Ausgangsklemmen 26 und 28 einerseits und den Bezugspunkt 20 andererseits
sind je eine Last- oder Verbraucherschaltung 30 bzw. 32 geschaltet. An die Spannungsklemme 16 und die Bezugsklemme
20 ist eine Spannungsquelle (nicht gezeigt) in entsprechender Polung anschließbar.
Im Betrieb der Anordnung nach Fig. 1, d.h. bei zwischen die Klemmen 16 und 20 geschalteter Spannungsquelle
entsprechender Polung, wird ein Gleichgewichtspunkt erreicht, bei welchem an den Basis-Emitterübergängen der beiden Transistoren
12 und 14 Spannungsabfalle von je IVbe herrschen, wobei
Vbe als *r am Ba-sis-Eroifcterübergang eines Transistors erzeugte
Spannungsabfall definiert ist. Jedoch liegt die Reihenschaltung des Basis-Emitterübergangs des Transistors 14 und des Widerstandes
22 über die Leiter 27 und 2+ parallel zum Kollektor-Basisübergang des Transistors 12. Die zwischen Kollektor und Emitter
des Transistors 12 herrschende Ruhespannung ist daher gleich der Summe der Vbe-Spannungsabfälle der Transistoren 12 und 14 und
des Spannungsabfalls am Widerstand 22.
Bei über die Klemme 20 geerdetem Emitter des
Transistors 12 herrscht am Verbindungspunkt der Widerstände 22 und 24 gegenüber dem Masseanschluß 20 eine Spannung, die gleich
ist dem Vbe-Spannungsabfall des Transistors 12, während an der
Ausgangsklemme 26 eine Spannung gegenüber Masse herrscht, die gleich ist der Spannung Vbe plus dem Spannungsabfall am Widerstand
22. Ist, wie in der Zeichnung angedeutet, der Widerstand 24 klein gegenüber der Eingangsimpedanz des Transistors 12 bemessen,
so ist dieser letztere Spannungsabfall im wesentlichen gleich NVfee, wobei N das Widerstandsverhältnis zwischen den Widerständen
22 und 24 mit dem Wert des Widerstands 22 im Zähler und dem Wert des Widerstands 24 im Nenner bedeutet. Die an der
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Ausgangsklemme 26 in Bezug auf Masse herrschende Spannung beträgt somit (N+1)V. . Wenn die Transistoren 12 und 14 aus dem gleichen
Halbmaterial bestehen, wie etwa bei einer monolithischen integrierten Siliciumanordnung, ist die Spannung an der Ausgangsklemme
28 in Bezug auf den Anschluß 20 gleich (N^V^. Bei den
in der Zeichnung angegebenen beispielsweisen Bemessungswerten herrschen an den Ausgangsklemmen 26 und 28 Spannungen von 3Vbe
bzw. 4V, . Wenn die Klemme 20 statt Nullpotential irgendeinen
Gleichspannungspegel führt, erhöhen sich die genannten Ausgangsspannungen um je den Betrag dieses Gleichspannungspegels.
Die geregelte Spannungsversorgungsstufe nach Fig. 1 stellt eine stabilisierte Schaltung dar, indem die durch den
Kollektor- Basisübergang des Transistors 12, die Leitung 29, den Basis-Emitterübergang des Transistors 14, den Widerstand 22 und
die Leitung 27 gebildete Gegenkopplungsschleife etwaige Schwankungen der Ausgangsspannung, die sich durch Änderungen der zwisdaen
den Klemmen 16 und 20 liegenden Betriebsspannung ergeben, auskompnsiert.
Ein weiteres Merkmal der Anordnung nach Fig. 1 besteht darin, daß keine Kondensatoren verwendet werden. Dies
macht die Anordnung besonders geeignet für integrierte Schaltungen,
da die beim Einbau von Kondensatoren in integrierte Schaltungen sich ergebende Probleme entfallen.
Ein weiteres Merkmal besteht darin, daß die Widerstände 18, 22 und 24 klein bemessen werden können (in der
Größenordnung von 5000 0hm oder kleiner), so daß nur wenig Platz auf dem integrierten Schaltungsplättchen benötigt wird.
Ein weiteres Merkmal besteht darin, daß die Schaltung an den Klemmen 26 und 28 niedrige Ausgangswiderstände, und
zwar in der Größenordnung von 100 0hm und weniger, aufweist. Ein weiteres Merkmal besteht darin, daß die erzeugten Ausgangsspannungen
auf Nullpotential bezogen und daher weitgehend frei von etwaigen willkürlichen Schwankungen sind, die an der Spannungsklemme lödurch gemeinsame Impedanzkopplung von den verschiedenen
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anderen Einheiten der integrierten Schaltung auf diese Klemme erzeugt werden·
Eine erhöhte Stabilität gegen Schwingen kann gewünschtenfalls z.B. dadurch erzielt werden, daß man in die
Leitungsverbindung 27 einen Widerstand einschaltet, der zusammen mit der Miller-Kapazität des Transistors 12 eine dominierende
oder Grundzeitkonstante herstelle. Oder aber man kann eine oder mehrere in der Durchlaßrichtung gespannte und/oder Lawinendioden
in Reihe mit dem Arbeitswiderstand 18 schalten, um die
Transkonduktanz oder Steilheit (gm) des Transistors 12 und folglich
die die Gegenkopplung umgehende Verstärkung zu erniedrigen. Eine Schaltungsanordnung, bei der für diese ^-Erniedrigung
und Erhöhung der Gleichstromstabilität eine Zenerdiode 70 verwendet wird, ist in Fig. 4 gezeigt.
Die in Pig. 2 gezeigte Gleichstrom-Rucktfeferenzierungsstufe
entspricht in ihrem allgemeinen Schaltungsaufbau der geregelten Spannungsversorgungsstufe nach Fig. 1, Sie unterscheidet
sich von letzterer jedoch darin, daß der Verbindungspurtt
der Widerstände 22 und 24 über einen Widerstand 40 an die Basis des Transistors 12 angeschlsosen ist. Ferner ist das vom Transistor
12 entfernte Ende des Widerstands 18 statt an die Spannungsklemme 16 an den Emitter eines dritten Transistors 42 angeschlossen.
Der Transistor 43 ist mit seinem Kollektor an die
Klemme 16 und mit seiner Basis an eine Eingangssignalquelle, dargestellt durch die Klemme 44, angeschlossen.
Außerdem ist zum Unterschied von der Anordnung nach Fig. 1 z.B. in der Gegenkopplungsschleife ein Ableitkondensator
46 vorgesehen, der die Basis des Transistors 12 mit Masse koppelt. Bei einer integrierten Schaltung kann, je nach
dem verfügbaren Platz, der Kondensator 46 außerhalb des Schaltungsplättchens
angeordnet und an dieses über eine Klemme 48 angeschlossen sein.
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Im Betrieb der Anordnung werden Eingangssignale s
die auf einen ersten Gleichspannungspegel bezogen oder referenziert sind 9 über die Klemme 44 der Basis des Transistors 42 zugeführt.
Diese Signale, die z.B. auf einen Bruchteil der an der Klemme 16 liegenden Betriebsspannung referenziert sein können ,
werden über den Basis-Emitterübergang des Transistors 42 und den Widerstand 18 auf die Basis des Transistors 14 übertragen.
Die Gleichstromkomponente der am Emitterausgang des Transistors 14 erzeugten Signale würde normalerweise einen
Spannungspegel haben, der um lVfe Volt unter dem Spannungspegel
am Basiseingang dieses Transistors liegt. Wegen der über die Leitung 27, den Kollektor-Basisübergang des Transistors 1-2 m den
Basis-Emitterübergang des Transistors 14 und die Widerstände 22 und 40 bewirkten Gegenkopplung ist jedoch dieser Pegel auf
im wesentlichen den Wert (N+1)V, , wobei N und V. die oben angegebene Bedeutung haben, beschränkt. Ferner werden etwaige
Schwankungstendenzen des Eingangsgleichstrompegels (etwa infolge von Betriebsspannungsschwankungen) durch die Gegenkopplung
wegkompensiert s so daß die Ausgangsgleichstromkomponente
gegen solche Schwankungen stabilisiert ist.
Dagegen wird die Wechselstromkomponente der Signale am Emitter des Transistors 14 durch den Kondensator 46
nach Masse abgeleitet und folglich durch die Gegenkopplung nicht beeinträchtigt. Diese Komponente erzeugt mithin aufgrund von
Emitterfolgerwirkung ein Abgangs signal an der Klemme 26. Die sich ergebende Rückreferenzierung der Gleichstromkomponente
des Eingangssignals ohne nennenswerte Beeinflussung der Wechselstromkomponente
ist besonders vorteilhaft in solchen Fällen, wo über die Klemme 26 zusätzlich eine nachgeschaltete Stufe
vorgespannt wird t die mit Vorspannungen von mehreren V. statt
mit der bruchteiligen Eingangsbetriebsspannung arbeitet.
Aufgrund der obenbeschriebenen Vorgänge ist die Gleichspannung am Emitter des Transistors 14 unabhängig von
Schwankungen der Spannung an der Klemme 16. Das heißts da diese
Spannung hauptsächlich von V. -Spannungsabfällen abhängt s än-
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dert sie sich nicht in Abhängigkeit von der Betriebsspannung, sondern in Abhängigkeit von der Temperatur. Dies ist jedoch
bei integrierten Schaltungen u.U. kein Problem, sondern ein Vor teil, z.B. in solchen Fällen, wo die Gleichspannung die Basis-Emittervorspannung
einer nachgeschalteten . an die Klemme 26 angeschlossenen Transistorverstärkerstufe einstellt. In diesem
Fall erfolgen die Gleichspannungsänderungen in einer solchen Richtung, daß gleichartige temperaturbedingte Änderungen des
Basis-Emitterspannungsabfalls im nachgeschalteten Transistor kompensiert werden und dadurch der Stromfluß in diesem Transistor
konstanter gehalten wird.
Die Anordnung der Widerstände und Transistoren in einer Schaltungsstufe nach Art der Fig. 2 ist bei integrierten
Schaltungen häufig schon dadurch gerechtfertigt , daß eine der zwei Anschlußklemmen , die bei Verwendung eines herkömmlichen
Koppelkondensators für die Rückreferenzierung benötigt
würden β gespart wird, wenn nämlich die Anzahl der verfügbaren
Anschlußklemmen oder -kontakte auf dem Schaltungsplättchen sehr beschränkt ist (der Masseanschluß 20, der auf jeden Fall benötigt
wird, zählt dabei nicht mit).
Andererseits ist beim derzeitigen Stand der Technologie der integrierten Schaltungen der Platz, der für diese
zusätzlichen Schaltungselemente auf dem monolithischen Plätt_ chen benötigt wird . ziemlich gering. Wie bei der Anordnung nach
Fig. 1 kann auch in Fig. 2 die Basis des Transistors 12 statt über den Widerstand 40 direkt mit dem Verbindungspunkt der Widerstände
22 und 24 verbunden sein \ ohne daß dadurch die Arbeitsweise
der Anordnung beeinträchtigt wird.
Die in Fig. 3 gezeigte Verstärkerstufe ist weit,
gehend gleich ausgebildet wie die Anordnung nach Fig. 1 s wobei
wie in Fig. 1 der Aujchspannungspegel, auf den in diesem
Falle die verstärkten Signale bezogen werden, hauptsächlich durch die Wahl des Widerstandsverhältnisses der Widerstände
und 24 bestimmt ist. Zusätzlich zu den in Fig. 1 vorhandenen
Schaltungselementen enthält der Verstärker eine Quelle 50 von
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Eingangswechselstromsignalen, die über einen Kondensator 52 an die Basis des Transistors 12 angekoppelt ist.
Bei Ausführung des Verstärkers nach Fig. 3 als integrierte Schaltung sind die Quelle 50 und der Kondensator
52 außerhalb des monolithischen Schaltungsplättchens angeordnet und an dieses über eine Klemme 5.4 angeschlossen. EtE Quelle
50 und der Kondensator 52 sind so bemessen _ daß ihre Impedanz
bei der Eingangssignalfrequenz erheblich kleiner als der Widerstandswert der Parallelschaltung der Widerstände 22 und 24 ist.
Bei einer derartigen Anordnung ist die Ausgangsgleichspannung an der Ausgangsklemme 26 wiederum durch die Wahl
der Widerstandswerte der Widerstände 22 und 24 bestimmt. Und zwar wird aufgrund der Gegenkopplung zwischen Kollektor und Basis
des Transistors 12 die Gleichspannung an der Klemme 26 auf den zuvor definierten Pegel (N+l)Vbe eingestellt. Dagegen ist
der Gegenkopplungsweg für Wechselstromsignale effektiv überbrückt, indem im wesentlichen die gesamte Wechselstromsignalspannung
am Widerstand 22 abfällt, da die Impedanz des Widerstands 22 um viele Male größer ist als die ffektive Impedanz,
die an der Basis des emittergeschalteten Transistors 12 erscheint .
Die Signalverstärkung der Verstärkerstufe ergibt sich somit aus dem Produkt der Transkonduktanz (gm) des Transistors
12 und dem Wert des Arbeitswiderstands 18, der unabhängig von der durch die Wahl der Widerstände 22 und 24 gegebenen Ausgangsgleichspannung ist. Bei den in der Zeichnung angegebenen
Bemessungswerten ergibt sich ein Spannungsverstärkungsfaktor von annähernd 150, und die Signale an der Ausgangsklemme
126 sind je auf einen Pegel von 6Vfee bezogen oder referenziert.
Die verstärkten Signale können stattdessen auch von der Ausgangsklemme 28 abgenommen werden, in welchem Falle sie auf
einen Pegel von 7Vbe referenziert sind, wobei die zusätzliche
Größe von lVbe Volt sich aus dem Spannungsabfall von 0,7 Volt
am Basis-Emitterübergang des Transistors 14 ergibt.
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Diese verstärkten Signale können auf einen Eingang z.B. eines Differenzverstärkers (nicht gezeigt) als Verbraucher
gekoppelt werden, der ebenfalls auf einen entsprechenden Pegel 6Vbe bzw. 7Vbe referenziert ist. Bei einem Eingangssignal
von etwa 1 Volt kann eine solche Schaltung dann gewünsch, tenfalls für Begrenzungszwecke verwendet werden.
Die erfindungsgemäßen Schaltungsanordnungen eignen sich ganz besonders für die Anwendung in integrierten Schaltungen.
Beispielsweise hängt das Arbeiten der Anordnung jeweils vom Widerstandsverhältnis der beiden Impedanzelemente ab , das
bei einer integrierten Schaltung relativ stabil ist, obwohl die Absolutwerte der Impedanzen infolge der Herstellungstoleranzen
schwanken können. Im Falle der geregelten Spannungsversorgungseinheit
wirkt sich die Tatsache, daß die Vfee-Spannungen in Abhängigkeit
von der Temperatur etwas schwanken können, dann nicht nachteilig aus, wenn die Einheit dazu verwendet wird, Verstärkerstufen
vorzuspannen, die mit Transistoren in integrierter Schaltung arbeiten, deren Basis-EmitterSpannungsabfälle sich in Abhängigkeit
von der Temperatur in der gleichen Weise und Richtung ändern.
Im Falle der Gleichspannungs-Rückreferenzierungseinheit, wo der Ableitkondensator normalerweise außerhalb des
integrierten Schaltungsplättchens angeordnet ist, wird für den
Anschluß dieses Kondensators eine Klemme weniger benötigt als bei Verwendung der herkömmlichen kapazitiven Kopplung zwischen
den Stufen, was besonders dann von großer Wichtigkeit ist, wenn die Anzahl der verfügbaren Anschlüsse an das Plättchen begrenzt
ist. Im Falle der Verstärkereinheit kann ferner sowohl die Signalverstärkung als auch der Pegel der Ausgangsruhegleichspannung
unabhängig eingestellt werden, so daß ein optimales Arbeiten · nachgeschalteter Verstärkerstufen oder dgl. möglich wird. Im
Hinblick auf die genannten Merkmale sei noch erwähnt, daß Kondensatoren selbst bei relativ kleinen Kapazitätswerten in einer
integrierten Schaltung ziemlich viel Platz auf dem SdBltungsplättchen
einnehmen.
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Claims (10)
1. Transistorschaltung mit Gleichspannungsstabilisierung, mit einem ersten Transistor in Emitterschaltung und
einem zweiten Transistor in Kollektorschaltung, dadurch
gekennzeichnet, daß die beiden Transistoren (12 , 14) über einen Gegenkopplungsweg mit zwei Impedanzelementen (22,
24) mit vorbestimmtem Impedanzverhältnis untereinander verbunden sind, derart, daß vom emittergeschalteten Transistor (12) ein
Bezugsgleichspannungspegel für den kollektorgeschalteten Transistor (14) hergestellt wird, der gegen Speisespannungsschwankungen
stabilisiert ist.
2. Transistorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter
des ersten Transistors (12) direkt an einem Bezugspotential (Massepotential) führenden Punkt (20) liegtj daß die beiden
Impedanzelemente (22, 24) in Reihe zwischen den Emitter des zweiten Transistors (14) und den Bezugspotentialpunkt (20) geschaltet
sind; daß der Kollektor des ersten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors gekoppelt ist; daß der Verbindungspunkt
der beiden Impedanzelemente mit der Basis des ersten Transistors gekoppelt ist, derart, daß die Gleichspannungen
am Emitter und an der Basis des zweiten Transistors gegenüber dem Bezugspotential im wesentlichen von dem vorbestimmten Impedanzverhältnis
abhängen; und daß an den Emitter und/oder die Basis des zweiten Transistors ein Verbraucher (30 und/oder 28)
angekoppelt ist.
3. Transistorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß mittels der Kopplung
zwischen der Basis des ersten Transistors und dem Verbindungspunkt der beiden Impedanzelemente am Emitter des zweiten
Transistors eine Gleichspannung eingestellt wird, die im wesentlichen
gleich (N+l)-mal dem Basis-Emitterspannungsabfall des ersten Transistors ist, wobei N das vorbestimmte Impedanzverhältnis
, und zwar mit dem Wert des näher beim Emitter des
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zweiten Transistors befindlichen Impedanzelements (22) im Zähler
und dem Wert des näher beim Bezugspotential befindlichen Impedanzelements (24) im Nenner, bedeutet.
4. Transistorschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß mittels der
genannten Kopplung außerdem an der Basis des zweiten Transistors eine Gleichspannung eingestellt wird , welche die Gleichspannung
am Emitter des zweiten Transistors um einen Betrag übersteigt, der im wesentlichen gleich dem Basis-Emitterspannungsabfall des
zweiten Transistors ist.
5. Transistorschaltung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, daß als Impedanzelemente zwei in Reihe geschaltete Widerstände
dienen, wobei das vorbestimmte Impedanzverhältnis durch das Verhältnis des Wertes des näher beim Emitter des zweiten Transistors
befindlichen Widerstands zum Wert des näher beim Bezugspotential befindlichen Widerstands gegeben ist.
6. Transistorschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß sie als integrierte
Schaltung ausgebildet ist, und daß die Gleichspannungen am Emitter und an der Basis des zweiten Transistors gegenüber
dem Bezugspotential im wesentlichen gleich (N+l)- und (N+2)-mal dem Basis-Emitterspannungsabfall des ersten Transistors sind,
wobei N das Verhältnis des erstgenannten (22) zum zweitgenannten (24) Widerstand bedeutet.
7. Transistorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie über zwei
Anschlußklemmen (16, 20) an eine Speisespannungsquelle anschließbar ist; daß der erste Transistor (12) mit seinem Kollektor mit
der einen Anschlußklemme (16) verbunden und mit seinem Emitter direkt an die zweite Anschlußklemme (20) angeschlossen ist;
daß der zweite Transistor (14) mit seinem Kollektor direkt an die erste Anschlußklemme (16) angeschlossen ist; daß als Impe-
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danzelemente zwei Widerstände (22, 24) in Reihe zwischen den
Emitter des zweiten Transistors und die zweite Anschlußklemme (20) geschaltet sind; und daß zwischen dem Emitter und/oder
der Basis des zweiten Transistors und der zweiten Anschlußklemme eine Gleichspannung abnehmbar ist, deren Wert im wesentlichen
vom Verhältnis der b-eiden Widerstände (22, 24) abhängt.
8. Transistorschaltung nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor
des ersten Transistors über einen dritten Widerstand (18) mit der ersten Anschlußklemme (16) verbunden ist und daß die
Kopplungen zwischen einerseits dem Kollektor und der Basis des ersten Transistors (12) und andererseits der Basis des zweiten
Transistors (14) und dem Verbindungspunkt der beiden Widerstände (22, 24) galvanisch sind.
9. Transistorschaltung nach Anspruch 7> dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor
des ersten Transistors (12) über einen dritten Widerstand (18) und die Kollektor-Emitterstrecke eines dritten Transistors (42)
mit der ersten Anschlußklemme (16) verbundn ist; daß der Basis des dritten Transistors (42) auf eine erste Gleichspannung bezogene
Eingangssignale zuführbar sind (44), und daß im Kopplungsweg zwischen der Basis des ersten Transistors (12) und dem
Verbindungspunkt des ersten und des zweiten Widerstands (22^24) ein vierter Widerstand (40) liegt, der an seinem einen Ende
über einen Signalableitkondensator (46) mit der zweiten Anschluß klemme (Masse) verbunden ist (Fig. 2).
10. Transistorschaltung nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kollektor des ersten Transistors (12) über einen dritten Widerstand (18)
mit der ersten Anschlußklemme (16) verbunden ist; daß die beiden Kopplungen zwischen einerseits Kollektor und Basis des ersten
Transistors und andererseits Basis des zweiten Transistors (14) und dem Verbindungspunkt der beiden ersten Widerstünde
(22, 24) galvanisch ausgebildet sind; und daß zwischen die zweite Anschlußklemme (Masse) und die Basis des ersten Transistors
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(12) eine Eingangssignalquelle (50) und ein Koppelkondensator
(52) in Reihe geschaltet sind, wobei die Impedanz dieser Reihenschaltung für Signalfrequenzen wesentlich kleiner als der Widerstandswert der Parallelschaltung der beiden ersten Widerstände
(22, 24) ist, und wobei am Emitter des zweiten Transistors verstärkte Ausgangssignale (bei 26) abnehmbar sind (Fig. 3).
(52) in Reihe geschaltet sind, wobei die Impedanz dieser Reihenschaltung für Signalfrequenzen wesentlich kleiner als der Widerstandswert der Parallelschaltung der beiden ersten Widerstände
(22, 24) ist, und wobei am Emitter des zweiten Transistors verstärkte Ausgangssignale (bei 26) abnehmbar sind (Fig. 3).
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US68048367A | 1967-11-03 | 1967-11-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1806467A1 true DE1806467A1 (de) | 1969-06-26 |
| DE1806467B2 DE1806467B2 (de) | 1975-08-14 |
Family
ID=24731296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1806467A Ceased DE1806467B2 (de) | 1967-11-03 | 1968-10-31 | Schaltungsanordnung zum Erzeugen von gegen Betrfebsspannungsänderungen stabilisierten Ausgangsspannungen |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3555309A (de) |
| AT (1) | AT300962B (de) |
| BE (1) | BE723169A (de) |
| BR (1) | BR6803645D0 (de) |
| DE (1) | DE1806467B2 (de) |
| ES (1) | ES359795A1 (de) |
| FR (1) | FR1587583A (de) |
| GB (1) | GB1229274A (de) |
| MY (1) | MY7300386A (de) |
| NL (1) | NL6815612A (de) |
| SE (1) | SE369011B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2550636A1 (de) * | 1974-11-12 | 1976-05-20 | Sony Corp | Vorspannungskreis fuer einen feldeffekttransistor |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3942046A (en) * | 1970-07-24 | 1976-03-02 | Rca Corporation | Low output impedance voltage divider network |
| US3651347A (en) * | 1970-09-28 | 1972-03-21 | Rca Corp | Signal translating stage providing direct voltage translation independent of supplied operating potential |
| JPS5436286B2 (de) * | 1972-06-06 | 1979-11-08 | ||
| US4160201A (en) * | 1978-06-08 | 1979-07-03 | Rca Corporation | Voltage regulators |
| DE2838171C2 (de) * | 1978-09-01 | 1986-04-17 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Konstantstrom-Schalter |
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| US9531210B2 (en) * | 2013-01-30 | 2016-12-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Monitor and control module and method |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3069617A (en) * | 1958-08-01 | 1962-12-18 | Motorola Inc | Voltage regulated power supply |
| US3300658A (en) * | 1958-11-12 | 1967-01-24 | Transitron Electronic Corp | Semi-conductor amplifying device |
| US3105187A (en) * | 1959-01-20 | 1963-09-24 | Valor Electronics Inc | Transistorized electronically regulated power supply |
| BE614781A (fr) * | 1962-03-07 | 1962-07-02 | Anciens Etablissements Supli | Amplificateur miniature à transistors |
| US3201606A (en) * | 1962-12-21 | 1965-08-17 | Itt | Overload protection in transistorized power regulating circuits |
| US3317818A (en) * | 1963-06-03 | 1967-05-02 | Ampex | Regulated power supply |
-
1967
- 1967-11-03 US US680483A patent/US3555309A/en not_active Expired - Lifetime
-
1968
- 1968-10-14 SE SE13816/68A patent/SE369011B/xx unknown
- 1968-10-30 BE BE723169D patent/BE723169A/xx not_active IP Right Cessation
- 1968-10-30 FR FR1587583D patent/FR1587583A/fr not_active Expired
- 1968-10-31 DE DE1806467A patent/DE1806467B2/de not_active Ceased
- 1968-10-31 BR BR203645/68A patent/BR6803645D0/pt unknown
- 1968-10-31 ES ES359795A patent/ES359795A1/es not_active Expired
- 1968-11-01 GB GB1229274D patent/GB1229274A/en not_active Expired
- 1968-11-01 NL NL6815612A patent/NL6815612A/xx unknown
- 1968-11-04 AT AT1072168A patent/AT300962B/de not_active IP Right Cessation
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1973
- 1973-12-30 MY MY386/73A patent/MY7300386A/xx unknown
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| DE2550636A1 (de) * | 1974-11-12 | 1976-05-20 | Sony Corp | Vorspannungskreis fuer einen feldeffekttransistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES359795A1 (es) | 1970-06-16 |
| DE1806467B2 (de) | 1975-08-14 |
| US3555309A (en) | 1971-01-12 |
| BE723169A (de) | 1969-04-01 |
| AT300962B (de) | 1972-08-10 |
| NL6815612A (de) | 1969-05-06 |
| BR6803645D0 (pt) | 1973-01-04 |
| FR1587583A (de) | 1970-03-20 |
| SE369011B (de) | 1974-07-29 |
| GB1229274A (de) | 1971-04-21 |
| MY7300386A (en) | 1973-12-31 |
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|---|---|---|---|
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