DE1614479A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE1614479A1
DE1614479A1 DE19671614479 DE1614479A DE1614479A1 DE 1614479 A1 DE1614479 A1 DE 1614479A1 DE 19671614479 DE19671614479 DE 19671614479 DE 1614479 A DE1614479 A DE 1614479A DE 1614479 A1 DE1614479 A1 DE 1614479A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing part
semiconductor
soldered
plate
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671614479
Other languages
English (en)
Inventor
Herbert Vogt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE1614479A1 publication Critical patent/DE1614479A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

  • Halbleiterbauelement Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem metallischen, eine vorzugsweise zylindrimhe, gerändete Mantelfläche aufweisenden Gehäuseteil.
  • Derartige Gehäuseteile werden in andere,Kühlkörper, beispielsweise in Sammelschienen oder in Teile eines Lagerschildes einer elektrischen Maschine eingedrückt und gehen dabei eine Strom und 'Järme gut leitende Verbindung mit diesen Konstruktionsteilen.ein.
  • Solche Bauelemente wurden bisher jedoch nur mit einem einzigen Halb-
    ausgLaführt. In sehr vielen Anaendungsfällen mUssen
    jedoch ,-le#lbleiterkörper mit mindestens einem pn-Übergang
    ,Gle.-L'chs--#n.nit- - z. B. in zwei Brückenzweigen - oder gegensinnig
    zur Bilu-ung einer lZittellpuriLtschaltung - in -Reihe geschaltet
    eerden.
    für
    E--fiiidun,- betrifft eine konstruktive Gestaltung eines f
    solche Zwecke besonders geeigneter, Halbleiterbauelementes. Die
    Er:'--'nu2un--. ist dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei Halb-
    leiter'r-.,*.#irl)er rilu- mindestens je einem pn-Übergang mit einem einzigen
    Gehäu,--a-V3il mit gerändelter i;.aritelfläche Wärme und Strom gut
    leitend v erbund-en sind.
    Z--'e sind direkt oder über zusätzliche Elektroden-
    körper mit dem GehLaseteil vaarlötet, und zwar entweder so, da ß
    oder daß gegensinnig dotierte Bereiche an den Gehäuse-
    an.zrenzen.
    .Le z,-#,1b:-c,-erelemente können auf derselben zwischen der gerändelten
    L H,
    sich erstreckenden Fläche des Gehäuseteiles befest - i g- t
    z;e-2n. Eine besonders günstilge Ausführungsform ergibt sich jedoch
    dann, wenn' man auf jede Seite des sich zwischen den gerändelten
    erstreckenden Steges einen Halbleiterkörper be-
    'es-Gigt. Die Abmessungen des Geha-useteiles werden dann im wesent-4
    .Li.c.,.en nur noch durch die Größe eines einzigen Halbleiterelementes
    best iL.,mt
    Eine andere Möglichkeit besteht darin, einen Gehäuseteil mit einer*
    darchgehenden Autnehmun£..zu.verwend(L%und die Halbleiterbauelemexite
    ä% »% ä% le d% JO
    --j-ens ein-er ebenen Begrenzungsfläche dieser Ausnehmung zu befe---,tt"igen. Der besondere Vorteil dieser Ausführungsform besteht d,trint da#-" die Gehäuseteile-von Strangpreßmaterial abgetrennt werden könneng das sowohl die Ausnehmung wie aach die äu2ere Rändelunc bereits aufweist. Die Anschlüsse der lialbleiterelemente können dabei auf der Zieichen Seite oder-auf verschiedenen Seiten aus dem Gehäuseteil herausragen.
  • Bei der zuletzt Cenannten Ausführungsform kann die Ausnehmung des Gehäuseteiles wenigstens auf einer Seite von einem Deckel abgeschlossen sein, der mit den Geha-useteil verklebt, verlötet oder verschwei.'.-t ist. Besonders vorteilhLt ist es, den Deckel aus Isollerstoff zu machen und diesen mit Metallisierungen nach Art ,gedruckter Schaltungen zu versehen. Uler solche L.-eta#llisierungen ist dann eine Verlötune- des Deckels mit dem Gehäuseteil einerseits und eine Abdichtung durch Verlötung mit einem durch diesen Deckel hindurch geführten Anschlußleiter möclich. Durch weitere sierunCen und Bohrungen können an einer solchen Platte andere Bauelemente, wie Kondensatoren und '.'liderstände- befestigt und unt-ereinander und/oder mit den Anschlüssen der Halbleiterbauelemente zu *größeren gchaltungseihheiten verbunden vierden.
  • ,Bei allen Ausführunesformen können die Halbleiterelemente #mit Kunstatoff ampreßt oder umeossen sein. Als Kunststoffe eignen sich insbesondere Thermoplaste oder Luroplaste, denen ein Härter und eeeebenenfalls ein 1.Yeichmacher zugesetzt sein kann. Ein vieiterer ;usatz von Siliconharz macht eolche Kunststoffe praktisch viasserundurchlKssig.
  • Ein Ausführungsbeispiel der ist- --*n d:er FiZur
    ijz ein im Querschnitt kreisförri.7"er Gehäuseteil m#t 10 be
    -149 fläche 16 zur
    --r trägt eine Rändelung eine Ring
    des Eiri-t)reCDdruckei und zwei gleichartig ausäeführte
    V'or-2--,r:u,'n,ge 115 mit Begrenzungsflächen, die etiva senkrecht zu der
    des Gehäuseteiles verlaufen. Auf diesen Grenz-
    flächen sind die eigentl ichen h'albleiterelemente 2 aufgelötet. S.Le Sind ebenfalls identisch ausgeführt und bestehen aus einem 'q-,!*o"e-terkörper 20 aus monokristallinem Silizium mit mindestens 0 n,#m --gang, der zwiscb.en zwei Elektrodenkörpern 21 , voraus Kupfer oder verble--tem Eisen eingelötet ist. Die ganze Ano.-dnung ist einerseits mit dem Gehäuseteil 10, andererseits einei21 -*..-.schluil.leiter 3 verlötet und lit einem Liantel 4 n aus Kunstz-:toff ui..g_ossen oder umpreZt. Die eine der beide Anschlußelekt.-oder. 21 ist dabei größer als der Vorsprung 15 ausg eführtg so daW,: sich, eine formschlüssige Verbindung zwischen dem L',antel 4 und der. Halbleiterelement 2 bzw. dem Gehäuseteil 10 ergibt.

Claims (1)

  1. ent- an spr -, ü ehe 1 H 1,0 1 1 t e r b u e e :,#ie -nt mit e--*Lnern metallischeng eine vorzilgs-""ieise n den Geh,;-%,.tiseteil, dadurch da-') mindestens zwei Halbleiterkörper. (2) mit mindestens ic einem mit deni Gehäuseteil (10) #lärrae Lind --ut leitond verbunden sind. n--ach Anspruch l# dadurch gekennzeichnet, -r-per r.,it gleichartig doti -Bereichen mit die e rt en verbunden sind. nach'Anspruch d,-,Idurch -gekennzeichnet &ie Hil "b-c-itiDrkö2.,per m-t un#-leichartig dotierten Bere-;6che,.i de##n Gehätiseteil verbunden sind. -"erbat#e'Ler##etit näch, einem-der Ansprüche 1 bis 3, d'.adurch kennzeichne", -ek d.-a;;-! die beideh Halbleiterkörpe:# a,(f den beiden einer sicii zvii.schen der. 2. ii--elfläclle er-streckenden Fläche- Sind. -a- b- ei:j e,b>tt#-e,#.ew.ent- nach einem de.- Ans-oriielie bis 3, da-du-#ch ,g,el.Cenn2e2Lehnet, da:", der Gehäuseteil eine durche.ehende :i:isneii.,i.in.--3r 14.Indestens einer ebenen Begrenzungsfläche aufweist, auf der die 112.11)leiterbat:elenente befestig-t -sind to erbau a"Lez-ent- n ich Inspra ch 5 dadurch. gekennzeichnet
    die Ansc'J#aüssre der beiden Halbleiterkörper auf verschiedene Se.-L-Gen das Gehäuseteiles herausragen. 7. hal"ileiterbaueleraent nach AnsPruch 5s dadurch gekennzeichnet, die Anschlüsse auf der gleichen Seite des Gehäuseteilos heraus. ragen, 8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet 9 daß die Halbleiterkörper mit einem Kunstharz umgossen oder um-,orer-,t sind. g. Hall-L-iterba-uelernent nach einem der AnsprUche 5 bis' 8, dadurch gekennzeichnet , daß d-ie Ausnehmung wenigstens auf einer Seite durch einen mit dem Gehäuseteil verklebten, -verlöteten oder»verschweißten Deckel abgeschlossen ist, der gegebenenfalls Öffnungen für Anschluäleiter aufweist. 10. Haibleiterbauelement nach Ansprüch 9, daduräh gekennzeichnet,# daß der Deckel au.s Isolierstoff besteht Und Metallisierungen nach, . trt einer gedruckten Schaltung aufweist,iiber die die Platte mit d#cm Gehäuseteil Ünd mit --Anachlußleitern verlötet ist. 11. Halbleiterbauelement nach Anspr%h 10$-daduech gekennzeichnetr# Gaß die Platte weitere Metallisierungen zur elektrischen Verbindung der Halbleiterbauelemente untereinander und/oder mit weiteren an der Platte verlötete-n Bauelementen aufweist.
DE19671614479 1967-04-03 1967-04-03 Halbleiterbauelement Pending DE1614479A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0109157 1967-04-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1614479A1 true DE1614479A1 (de) 1970-07-16

Family

ID=7529323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671614479 Pending DE1614479A1 (de) 1967-04-03 1967-04-03 Halbleiterbauelement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1614479A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2755404A1 (de) * 1977-12-13 1979-06-21 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung
FR2412166A1 (fr) * 1977-12-13 1979-07-13 Bosch Gmbh Robert Dispositif a semi-conducteurs apte a servir de redresseur
FR2446541A1 (fr) * 1979-01-12 1980-08-08 Sev Alternateurs Diode de puissance destinee notamment a equiper un pont redresseur d'alternateur

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2755404A1 (de) * 1977-12-13 1979-06-21 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung
FR2412166A1 (fr) * 1977-12-13 1979-07-13 Bosch Gmbh Robert Dispositif a semi-conducteurs apte a servir de redresseur
FR2446541A1 (fr) * 1979-01-12 1980-08-08 Sev Alternateurs Diode de puissance destinee notamment a equiper un pont redresseur d'alternateur

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2653833A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102008030105A1 (de) Elektrische Anschlussdose und Verfahren zum Herstellen derselben
DE2828146A1 (de) Elektrische leiterplatte
DE1614479A1 (de) Halbleiterbauelement
DE19960013A1 (de) Gehäuse für Hochstrom-Bauleiterteile
DE1764455A1 (de) Monolithische Darlington-Transistorschaltung
DE69634816T2 (de) Methode zur herstellung eines halbleiterbauteils für oberflächenmontage, geeignet für vergleichsweise hohe spannungen und ein solches halbleiterbauteil
DE2534111C3 (de) Koaxialer Winkelstecker
DE2845587C2 (de) Auf einer Tragschiene montierbare elektrische Reihenklemme
DE102014112217B4 (de) Gegossenes Halbleitergehäuse mit steckbarer Leitung
DE3614087A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur verbesserten verkapselung von halbleitervorrichtungen
DE1973009U (de) Halbleiterbauelement.
DE3321666A1 (de) Anordnung zum verbinden von schaltungsplatinen
DE1589862A1 (de) Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente
DE2618026A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE1973011U (de) Halbleiterbauelement mit einem als kuehlkoerper dienenden gehaeuseteil.
DE2108645C (de) Halbleiterbauelement
DE1589441C (de) Fotoelement
DE3129287A1 (de) "halbleiterelement"
DE1909834A1 (de) Gehaeuse zum Einkapseln einer Halbleitervorrichtung
DE7624921U1 (de) Schaltgeraet, insbesondere elektronisches, beruehrungslos arbeitendes schaltgeraet
DE102016218610A1 (de) Steuermodul für ein Fahrzeug
DE1490590C (de) Steckverbindung fur Gerate und Einrichtungen der elektrischen Nachrich ten und Meßtechnik
DE6753346U (de) Elektrische baugruppe
DE8317500U1 (de) Anordnung zum Verbinden von Schaltungsplatinen