DE1590698A1 - Verfahren zum Herstellen von Widerstaenden vorgegebenen Flaechenwiderstandes mit hoher Genauigkeit - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Widerstaenden vorgegebenen Flaechenwiderstandes mit hoher Genauigkeit

Info

Publication number
DE1590698A1
DE1590698A1 DE19661590698 DE1590698A DE1590698A1 DE 1590698 A1 DE1590698 A1 DE 1590698A1 DE 19661590698 DE19661590698 DE 19661590698 DE 1590698 A DE1590698 A DE 1590698A DE 1590698 A1 DE1590698 A1 DE 1590698A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resistance
substrate
contact surfaces
contact
resistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19661590698
Other languages
English (en)
Inventor
Rudolf Heinecke
Arnold Ulisberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Publication of DE1590698A1 publication Critical patent/DE1590698A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/08Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

  • Verfahren zum Herstellen von Widerständen vorgegebenen 3lächenwiderstanden mit hoher Genauigkeit Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Widetstgaden vorgegebenen Flächenwiderstandes mit hoher Genauigkeit.
  • In der Technologie elektrotechnischer Bauelemente ist es bekaznt, Bauelemente, z. B. Widerstände, mit einer hohen Ge- nauigkeit herzustellen, z. B. dadurch, daß während des Herstellungsprozesses des Widerstanden mit Hilfe der bekannten Aufdampftechnik ein &eferenzwiderstand benutzt wird, wobei dann mit Hilfe einer elektronischen Regelungseinrichtung, wel- che z. B. einen VerschluB vor der Verdampfungaquelle in der Aufdampfvorrichtung betätigt, der gewünschte genaue Wert des Flächenwiderstandes hergestellt wird. Die genaue Herstel- lung des gewünschten Flächenwiderstandes - sein Wert ist durch die Dicke der aufgedampften Widerstandsschicht bestimmt -hängt also hierbei besonders von der Genauigkeit des Referenzwiderstandes ab, der z. B. zwischen zwei auf einem Substrat befindlichen Kontaktflächengemen wird. Die gebräuchlichen Verfahren zum Herstellen von Flächenwiderständen nach dem Stand der Technik besitzen jedoch den Nachteil, daß sich bei ihrer Anwendung der Referenzwiderstand nicht mit. der erforderlichen hohen Genauigkeit messen und einstellen läßt. Dies hat seine Ursache im Flächenwiderstand der Kontaktflächen und dem Auftreten von Übergangswiderständen zwischen Kontaktflächen und Meßkontakten. Referenzwiderstände werden in den bekannten Einrichtungen entweder auf dem Nutzsubstrat untergebracht (z. B. bei Maskenwechsleranordnungen) oder auf Glasstreifen neben einer Anzahl von Nutzsubstraten. Dies hat den Nachteil, daß bei Ausfall des Referenzwiderstandes (z. B. durch mangelhaften Kontakt) das Nutzsubstrat oder die Charge Ausschuß wird. Außerdem ist das Verfahren umständlich, wenn mit mehreren verschiedenen Flächenwiderständen gearbeitet werden soll. Die Referenzwiderstände auf den Nutzsubstraten vermindern deren Flächenausnutzung, wenn die Substrate nicht nachbearbeitet werden. Bei größerflächigen Anordnungen ist die Temperaturkontrolle schwierig.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen von Widerständen vorgegebenen Flächenwiderstandes mit hoher Genauigkeit anzugeben, welches die oben beschriebenen Nachteile vermeidet. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß ein. Verfahren vorgeschlagen wird, bei welchem in einer Verdampfungsanlage auf einem mit Kontaktflächen versehenen Substrat, sowohl diese Widerstände als auch ein zusätzlicher Referenzwiderstand durch Aufdampfen eines Widerstandsmaterials erzeugt werden, während dieses Aufdampero-$esses der Widerstände der jeweilige Wert des Flächenwiderstandes durch Aufsetzen von MeBkontakten auf die Kontaktflächen des Referenzwiderstandes mit Hilfe einer angeschlossenen MeBeinrichtung gemessen wird und nach Erreichen eines in dieser Meßeinrichtung vorgegebenen Sollwertes des Flächenwiderstandes die Verdampfungsquelle abgeschaltet wird, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daB bei der Erzeugung der Widerstände vorgegebenen Flächenwiderstandes die Übergangwiderstände und die Widerstände der Kontaktflächen am Referenzwiderstand gemessen werden und die so ermittelten Werte zur Korrektur des einzustellenden Sollwertes des Flächenwiderstandes benutzt werden. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens werden der Widerstand der Kontaktflächen und der Übergangswiderstand Kontaktfläche/Meßkontakt der hergestellten Widerstände erfaßt; der ermittelte Wert wird dann zur Korrektur des genau einzustellenden Referenzflächenwiderstandswertes benutzt, so daß sich ein gewünschter Flächenwiderstand mit einer sehr hohen Genauigkeit herstellen läßt. In Experimenten konnte unter Zuhilfenahme eines entsprechenden elektronischen Aufwandes eine Genauigkeit < 5 %o im Widerstandswert erzielt werden.
  • Weitere Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens bestehen darin, daß die Unterlage, auf welche der Referenzwiderstand aufgebracht wird, zwar räumlich dicht neben den Nutzsubstraten bzw. dem Substratwechsler, jedoch mechanisch von diesem getrennt angeordnet wird und daß eine große Zahl von Referenzwiderständen auf diese Unterlage aufgebracht werden kann, wobei diese Referenzwiderstände z. B. durch ein Schrittschaltwerk nacheinander an eine Schaltelektronik angeschlossen werden. Durch radiale Anordnung der Referenzwiderstände auf einer kreisförmigen Unterlage werden kleine Abmessungen der Unterlage ermöglicht. So lassen sich beispielsweise auf einer Unterlage 12 Referenzwiderstände unterbringen. Weist einer der aufgedampften Referenzwiderstände einen mangelhaften Kontakt auf, so ist ohne weiteres ein schneller Wechsel der Teststelle möglich. Im Zusammenhang hiermit steht der Vorteil der Möglichkeit schneller Reihenuntersuchungen von aufgedampften Widerständen mit Hilfe der Erfindung. Durch die kleine Ausbildung der Unterlage wird eine genaue Temperaturkontrolle sämtlicher aufgebrachter Referenzwiderstände ermöglicht. Das erfindungsgemäße Verfahren &ei anhand der folgenden Ausführungsbeispiele erläutert,. Figur 1 zeigt schematisch eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Herstellen von Widerständen. 1 ist der Vakuumraum einßr Verdampfungsanlage, in dem sich eine Verdampfungsquelle 2, ein Substrat 3 zur Aufbringung des Referenzwiderstandes, ein Substrat 3' zur Aufbringung gewünschter Widerstände mit einer hohen Genauigkeit im Flächenwiderstand und ein z. B. magnetisch betätigter Verschluß 5 befinden. 4 stellt schematisch eine elektronische Regelungseinrichtung dar. Im Betriebsfall treten Teilchenstrahlen aus der Verdampfungsquelle 2 aus und kondensieren auf den Substraten 3 und 3'. Der Flächenwiderstand dieser aufgedampften Schichten wird in der elektronischen Einrichtung 4 gemessen. Er nähert sich während des Verdampfungsvorganges von Unendlich kommend seinem Sollwert, der ebenfalls in der Einrichtung 4 eingestellt ist; letzterer ist in der Figur 1 durch den Pfeil 4' angedeutet. Wird dieser Sollwert erreicht, so unterbricht die Einrichtung 4 über den magnetisch betätigten Verschluß 5 den Bedampfungsvorgang. Die genaue Einstellung des Sollwertes des Flächenwiderstandes ist nun mit der Schwierigkeit verbunden, daß die auf den Substraten 3 und 3' angebrachten Kontaktflächen einen bestimmten Widerstand besitzen und außerdem bei der Messung ein Übergangswiderstand Kontaktflächen/Meßkontakt auftritt. Erfindungsgemäß sind daher in einer Vorrichtung, welche das Substrat 3 enthält, zwei Kontaktfederpaare enthalten, welche auf die Kontaktflächen auf dem Substrat aufdrücken und zur Messung des Widerstandes und des Übergangswiderstandes der Kontaktflächen dienen.
  • Anhand der Figur la sei die Erfindung näher erläutert. Sie zeigt das Substrat 15 in Aufsicht und die zugehörige MeB-an.ordnung zur Me$zu4g von Schichtwiderstand, Kontaktflächen-und Übergangswiderstand.22 sind einander gegenüberliegende aufgedampfte Kontaktflächen z. B. aus Gold auf dem Substrat 15. 23 ist die wirksame Fläche der aufgedampften Widerstandsschicht, welche vorzugsweise quadratisch ausgebiedet ist - der MeBwert stellt dann unmittelbar den Flächenwiderstand dar. Die genaue Messung des Flächenwiderstandes der aufgedampften Widerstandsschicht geschieht dann auf folgende Weise. Zwischen den Punkten A-A' bzw. B-B' wird der Widerstand der Kontaktflächen 22 und der Übergangswiderstand Kontaktflächen 22/Kontaktfedern 11 gemessen. Zwischen 1B - ÄTV wird der Wert des aufgedampften Flächenwiderstandes 23 zuzüglich des Kontaktflächen- und Übergangswiderstandes gemessen. Auf diese Weise ist es möglich, den Flächenwiderstand 23 sehr genau zu messen bzw. den ermittelten Wert dann zur Korrektur des genau einzustellenden Sollwertes des Flächenwiderstandes zu benutzen. Ein Ausführungsbeispiel einer vorteilhaften Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist im Querschnitt in der Figur 2 dargestellt. Diese Vorrichtung ist gemäß- dem Schema der Figur 1 - sie entspricht hier dem Kasten 3 - über eine Zwischenplatte an der Innenwandung der Verdampfungsänlage befestigt. In der Figur 2 ist 6 ein Hubmagnet, 7 ein Zählblock, 8 eine Heizspirale, 9 eine Heizglocke, 10 ein Wälzlager; 11 sind Kontaktfederpaare, z. B. Blattfederpaare, und 12 Aaschlußdrähte, die von einem jeden göntaktfederpaar aus der Verdampfungsanlage herausgeführt und zur elektronischen Einrichtung 4 der Figur 1 geführt werden. 13 ist die Trägerplatte für die Kontaktfederpaare 11, die Messer 14 dienen als Bedampfungsmaske; 15 ist das Substrat, z. B. ein kreisförmiges Glassubstrat von 20 mm Durchmesser und 0,8 mm Dicke, 16 die Substrathalterung, 17 ein Magnet, 18 ein Schrittschaltwerk, 19 ein Federspannring und 20 eine Spiralfeder. Die Pfeile 21 deuten die Bedampfungsrichtung im Hinblick auf das Substrat 15 an. Das Substrat 15 ist in Form einer kreisförmigen Scheibe ausgebildet. 22 sind einander gegenüberliegende aufgedampfte Kontaktflächen, auf die jeweils ein Widerstandsstreifen 23 in radialer Anordnung auf der Scheibe aufgedampft wird, wie dies in einem Einzelfall in der Figur 3 dargestellt ist. Während der Aufdampfung.der Widerstandsschicht 23 ist die Begrenzung der Fläche 23 gegeben durch die einander gegenüberliegenden niederohmigen Kontaktflächen 22 und die rechtwinklig dazu stehende Messermaske 14, deren Kanten schneidenförmig angeschliffen sind und die gemäß der i"igur 2 dicht unter dem Substrat '! 5 angeordnet ist. Das kreisförmige Substrat 15 kann in einzelnen Schaltschritten, welche äine Drehung des Substrates um je 30° bewirken, über den Kontaktfedern 11 vorbeigedreht werden., Die einzelenen Schaltschritte werden durch den Magneten 1? ausgelöst, die 30o-Drehung erfolgt dann über das durch die Spiralfeder 20 getriebene'. Schrittschaltwerk 18. Ein beschleunigtes Abkühlen des Heizeinsatzes 8/9 nach dem Verdampfungsvorgang gewährleistet der Kühlblock `7, der eine kegeli.ge Ausdehnung besitzt, gegen welche die Heizglocke 9 durch den Hubmagneten 6 gezogen wird.

Claims (5)

  1. P a t e n t a n s D r ü c h e 1, Verfahren zum Herstellen von Widerständen vorgegebenen Flächenwiderstandes mit hoher Genauigkeit, bei welchem in einer Verdampfungsanlage auf einem mit Kontaktflächen versehenen Substrat sowohl diese Widerstände als auch ein zusätzlicher Referenzwiderstand durch Aufdampfen eines Widerstandsmaterials erzeugt werden, während dieses Aufdampfprozesses der Widerstände der jeweilige Wert des Flächenwiderstandes durch Aufsetzen von MeBkontakten auf die Kontaktflächen des Referenzwiderstandes mit Hilfe einer angeschlossenen Meßeinrichtung gemessen wird und nach Erreichen eines in dieser Meßeinrichtung vorgegebenen Sollwertes des Flächenwiderstandes die Verdampfungsquelle abgeschaltet wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Erzeugung der Widerstände vorgegebenen Flächenwiderstandes die Übergangswiderstände und die Widerstände der Kontaktflächen am Referenzwiderstand gemt:ssen werden und die so ermittelten Werte zur Korrektur des einzustellenden Sollwertes des Flächenwiderstandes benutzt werden.
  2. 2, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch '!)bestehend aus einer Verdampfungsanlage mit darin enthaltener Verdampfungsquelle und Substraten mit darauf aufgebrachten Kontaktflächen und einer elektronischen Meßeinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erfassung von Widerständen der Kontaktflächeiund von Übergangswiderständen,. die zur Messung des Flächenwiderstandes auf die Kontaktflächen eines Substrates aufgesetzten Meßkontakte jeweils als Doppelkontakte, z. B. als Kontaktfederpaaxe ausgebildet sind.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat die Form einer kreisförmigen Scheibe besitzt, auf welche mehrere Kontaktflächen, z. B. aus Gold aufgebrächt sind, welche sich in radialer Richtung gegenüberstehen, und daß in der Vorrichtung ein Schrittschaltwerk untergebracht ist, mit dessen Hilfe das Substrat in einzelnen-Drehschaltschritten über die Kontaktfederpaare hinwegbewegbar ist.
  4. 4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 und 3, gekennzeichnet durch eine Heizglocke zur Erwärmung des Substrates durch Wärmeleitung während der Aufbringung der Flächenwiderstandsschicht.
  5. 5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, gekennzeichnet durch einen Kühlblock mit kegeliger Ausdrehung, gegen welche die Heizglocke nach dem Bedampfungsvorgang durch einen Hubgagneten gezogen wird.
DE19661590698 1966-02-15 1966-02-15 Verfahren zum Herstellen von Widerstaenden vorgegebenen Flaechenwiderstandes mit hoher Genauigkeit Pending DE1590698A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET0030451 1966-02-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1590698A1 true DE1590698A1 (de) 1970-05-06

Family

ID=7555588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661590698 Pending DE1590698A1 (de) 1966-02-15 1966-02-15 Verfahren zum Herstellen von Widerstaenden vorgegebenen Flaechenwiderstandes mit hoher Genauigkeit

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1590698A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3027114A1 (de) * 1980-07-17 1982-02-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur serienmaessigen herstellung von schichtwiderstaenden, insbesondere in widerstandsnetzwerken, mit geringer streuung der widerstandswerte
EP0154696A1 (de) * 1984-02-16 1985-09-18 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Kontrolle und Regelung der Zusammensetzung und der Schichtdicke von metallisch leitenden Legierungsschichten während ihrer Herstellung
WO2018229250A1 (de) * 2017-06-15 2018-12-20 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Verfahren und anlage zur herstellung eines elektrischen bauteils sowie computerprogramm

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3027114A1 (de) * 1980-07-17 1982-02-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur serienmaessigen herstellung von schichtwiderstaenden, insbesondere in widerstandsnetzwerken, mit geringer streuung der widerstandswerte
EP0154696A1 (de) * 1984-02-16 1985-09-18 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Kontrolle und Regelung der Zusammensetzung und der Schichtdicke von metallisch leitenden Legierungsschichten während ihrer Herstellung
WO2018229250A1 (de) * 2017-06-15 2018-12-20 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Verfahren und anlage zur herstellung eines elektrischen bauteils sowie computerprogramm

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0132790B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Teststreifens
DE1300616B (de) Pruefgeraet zur aufeinanderfolgenden Pruefung einer Anzahl von auf einem Halbleiterkristallplaettchen ausgebildeten elektronischen Bauelementen
CH364631A (de) Einrichtung zur Toleranzprüfung wenigstens einer Abmessung eines Werkstückes
DE1964522A1 (de) Messeinrichtung zur Bestimmung des Dotierungsprofils eines Messobjekts aus Halbleitermaterial
DE1590698A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Widerstaenden vorgegebenen Flaechenwiderstandes mit hoher Genauigkeit
DE1273214B (de) Verfahren und Vorrichtung zur statistischen Qualitaetskontrolle von Erzeugnissen derMassenfertigung und zur Regelung der Massenfertigung
DE2447358C3 (de)
DE2812995A1 (de) Rueckstreuungsmessvorrichtung zur dickenmessung an einer schicht
EP0019017B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trimmen mindestens eines temperaturabhängigen Widerstands
DE925682C (de) Verfahren und Vorrichtung zum selbsttaetigen Summieren von Messwerten
DE858316C (de) Verfahren zur UEberwachung von zeitlich in veraenderlicher Staerke verlaufenden Vorgaengen
DE608773C (de) Vorrichtung zur Bestimmung von Merkmalen eines Kollektivs
DE3109056C2 (de)
DE1921875A1 (de) Verfahren und Aufzeichnungstraeger zur Speicherung von Information
DE864744C (de) Verfahren zur UEberwachung von zeitlich in veraenderlicher Staerke verlaufenden Vorgaengen
DE642598C (de) Vorrichtung fuer Mikroskope zum Bestimmen der relativen Mengenverhaeltnisse von Gemengeteilen einer zu untersuchenden Schicht
DE1250347B (de)
DE2001311C3 (de) Vorrichtung zur automatischen Entnahme von Flüssigkeitsproben
DE1549598C3 (de) Programmrechner für die Holztrocknung
DE1448915C (de) Gerat zur Darstellung der Haufigkeits verteilung
DE2114711A1 (de) Maschine zum Überprüfen und Korrigieren von Elementen hybrider integrierter Schaltungen
DE750434C (de) Verfahren und Einrichtung zur Erfassung zeitlich in veraenderlicher Staerke verlaufender Vorgaenge
DE976571C (de) Mengenregistriergeraet mit veraenderlicher Vorschubgeschwindigkeit des Registrierstreifens
DE888286C (de) Einrichtung zur Voreinstellung der Aufnahmewerte fuer Diagnostik-Roentgenapparate
DE1524652C (de) Kontrollmarke mit Markierungen und Vorrichtung zum Abtasten derselben