DE1558644C - Verwendung von Übergangsmetall-Silizium-Legierungen als Kontaktstücke für thermoelektrische Anordnungen und Verfahren zur Herstellung der Kontaktstücke - Google Patents
Verwendung von Übergangsmetall-Silizium-Legierungen als Kontaktstücke für thermoelektrische Anordnungen und Verfahren zur Herstellung der KontaktstückeInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf die Verwendung von Legierungen der Ubergangsmetalle mit Silizium
als Kontaktstücke für thermoelektrische Anordnungen.
Kontaktstücke, die als Anschlußstück für eine elektrische Leitung oder beim Aufbau von thermoelektrischen
Anordnungen als Teil einer Kontakt^ brücke für die Thermoelementschenkel dienen, müssen
wenigstens annähernd den gleichen Ausdehnungskoeffizienten wie das Halbleitermaterial haben, damit
bei einer Temperaturänderung des Kontaktes keine zu großen mechanischen Spannungen entstehen. Das
Kontaktstück muß eine hohe Bruchfestigkeit und eine hohe Temperatur- und Temperaturwechselbeständigkeit
besitzen. Gegenüber einer aggressiven Atmosphäre muß das Kontaktstück korrosionsbeständig
sein. Soll das Kontaktstück als Kontaktbrücke in einem Thermogenerator verwendet werden, so muß
es eine große elektrische und thermische Leitfähigkeit besitzen, weil der Wirkungsgrad eines Thermogenerators
wesentlich von diesen Größen abhängt. Weiterhin muß das Kontaktstück elektrisch neutral
sein, damit durch die Kontaktierung des Halbleiterkörpers mit dem Kontaktstück keine Umdotierung
erfolgt.
Für Thermoelementschenkel aus einer Silizium enthaltenden Legierung können nach der belgischen
Patentschrift 681655 die Kontaktbrücken aus Molybdän-Silizium- oder Wolfram-Silizium-Legierungen
hergestellt sein. Diese Kontaktbrücken erfüllen die genannten Forderungen an ein Kontaktstück
weitgehend.
Nachteilig wirkt sich jedoch beim Herstellungsprozeß
dieser Legierungen der hohe Schmelzpunkt des Molybdäns und des Wolframs aus. Beim Legieren
des Siliziums mit Molybdän oder Wolfram verdampft ein Teil Silizium. Eine eindeutige Zusammensetzung
der Legierung ist deshalb nur unter großen Schwierigkeiten zu erhalten. Damit bleibt aber auch die Anpassung
des Ausdehnungskoeffizienten des Kontaktstückes an den Ausdehnungskoeffizienten des Halbleitermaterials
ungenau, und die Kontaktierung ist durch mechanische Spannungen, die bei einem Temperaturwechsel
auftreten können, gefährdet.
Es ist schon vorgeschlagen worden, für Thermogeneratoren mit Silizium enthaltenden Schenkeln
eine Siliziumlegierung als Kontaktstück zu verwenden, die aus einer Mischung von Kobaltsilizid mit
Mangandisilizid (britische Patentschrift 967 888) oder auch aus einer Mischung von Kobaltsilizid mit Chromdisilizid
(britische Patentschrift 952 114) besteht. Jeweils eines der beiden Metalle der Mischung ist
Bestandteil eines der beiden Schenkel des entsprechenden Thermoelements. Diese Kontaktstücke sind
gegenüber den Schenkeln elektrisch neutral, wenn die Metallanteile etwa gleich groß sind. Dann ist aber
ίο der Siliziumanteil verhältnismäßig gering. Ein zu
geringer Siliziumgehalt ergibt aber einen abweichenden Ausdehnungskoeffizienten; es können somit gefahrliche
mechanische Spannungen entstehen. Eine Zerstörung des Thermogenerators durch diese Spannungen
soll bei den bekannten Anordnungen durch ein besonderes Kontaktierungsverfahren verhindert
werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Kontaktstück aus einem Material zu schaffen, das
die erwähnten Forderungen erfüllt und dessen Kontakt mit den Thermoelementschenkeln für eine Temperaturwechselbeanspruchung
mit hohen Temperaturdifferenzen geeignet ist.
Die Erfindung besteht in der Verwendung einer Legierung der allgemeinen Zusammensetzung
Die Erfindung besteht in der Verwendung einer Legierung der allgemeinen Zusammensetzung
wobei Me1 und Me" zwei verschiedene Metalle der
Gruppen IVa, Va, Via, VIIa und VIII des Periodischen Systems mit Ausnahme des Technetiums,
y = 0,5 bis 0,9 und χ = 0,05 bis 0,35 ist, als elektrisch neutrale Kontaktstücke für thermoelektrische
Anordnungen aus Halbleiterlegierungen zwischen Mangan und Silizium, Eisen und Silizium oder
Germanium und Silizium.
Eine Legierung, die in den Bereich der genannten Zusammensetzung fällt, ist an sich bekannt. Sie kann
nach der deutschen Patentschrift 912 633 als Teil, insbesondere als Kolben, für Brennkraftmaschinen
verwendet werden, weil sie mit einem niedrigen Ausdehnungskoeffizienten bis herab zu 7 ·'1(T6-5C'"1 hergestellt werden kann.
Die Erfindung beruht nun auf der Erkenntnis, daß durch die Wahl des Mischungsverhältnisses der Legierungskomponenten
ein vorbestimmter Ausdehnungskoeffizient erreicht werden kann. Vorzugsweise entspricht
das Mischungsverhältnis der Legierungskomponenten Me' und Me" wenigstens angenähert einem
eutektischen Punkt des Schmelzdiagramms.
Das Kontaktstück erfüllt alle genannten Forderungen. Insbesondere besitzt es wegen seiner metallischen
Komponenten eine große Härte und Bruchfestigkeit. Dystektika können vorteilhaft sein, wenn das Kontaktstück
einen höheren Schmelzpunkt besitzen soll. Die Kontaktstücke sind in besonderer Weise für Thermogeneratoren
geeignet. Thermoelementschenkel, die mit dem Kontaktstück kontaktiert sind, können bis
über 10000C betrieben werden. Da der Wirkungsgrad
eines Thermogenerators auch von der Temperatur der Wärmequelle abhängt, ist mit dem Kontaktstück
ein hoher Wirkungsgrad erreichbar.
In den folgenden Tabellen 1 bis 3 sind geeignete
Kontaktstückmaterialien aufgeführt. Dabei ist unter
(1) in den Tabellen das Halbleitermaterial angeführt, an dessen Ausdehnungskoeffizienten der Ausdehnungskoeffizient
des jeweiligen Kontaktbrückenmaterials angepaßt ist.
| Geo,3Sio,7 | bcnmelz- | Linearer | Wärme | Elektrische | Oxydations- | |
| (Halbleiterlegierung) | punkt | Ausdehnungs | leitfähigkeit κ | Leitfähigkeit, | jeständigkeit bei | |
| (Τΐθ,55·^°0,45)θ,18^1ο,82 | [0C] | koeffizient α | [cal · | bezogen auf | 1000°C | |
| (Zl"o,9 W0 ,ι)ο,35^|ο,65 | ~1330 | 1-,Q-So0-I-J | S-1Cm-10C"1] | Ge03Si0,, | ||
| (D | (Hfo,8lR-eO,19)o,33!3io,67 | 0,51 | 0,01 | ~ 1000[Ω · cm"1] | gut | |
| (Vo15IMOo149)O12Si018 | 1500 | = 100%" | ||||
| (2) | (Nb0167Pd0133)O11Si019 | 1940 | 0,51 | 0,20 | 120 | gut |
| (3) | (Ta016Ni014)O11Si019 | 1650 | 0,51 | 0,15 | 300 | mäßig |
| (4) | (Cr016Mo014)Q135Si0165 | 1700 | 0,51 | 0,16 | 200. | mäßig |
| (5) | ■ (Mo0155Ti0145)O12Si018 | 1620 | 0,51 | 0,20 | 170 | mittel |
| (6) | (Mo0178Nb0122)O12Si018 | 1620 | 0,51 | 0,19 | 120 | gut |
| (7) | (Wo151Ni0149)Q11Si019 | 1560 | 0,51 | 0,20 | 120 | gut |
| (8) | (Fe0i63Mo0>37)0ilSioi9 | 1600 | 0,51 | 0,21 | 400 | gut |
| (9) | (Co0i54Woi46)0ilSiqi9 | 1700 | 0,51 | 0,20 | 120 | gut |
| (10) | (Nlo,72^-e0,28)o,l^10,9 | 1475 | 0,51 | 0,22 | 550 | gut |
| (H) | (R11OJiTa0129)O111SiO1S9 | 1560 | 0,51 | 0,21 | 200 | gut |
| (12) | (Rho.esMoo.ssta.isSio.si | 1300 | 0,51 | 0,20 | 140 | mittel . |
| (13) | (Pd0158Mo0142)O11Si019 | 1580 | 0,51 | 0,21 | 200 | gut |
| (14) | (Iro,6Ti0j4)o,i7Si033 | 1520 | 0,51 | 0,20 | 100 | gut |
| (15) | (Ρ^Ο,δδΣΤίο^Ιδίο,ΙΙ^^,βθ | 1830 | 0,51 | — | 190 | mittel |
| (16) | (Mo0167Zr033)O135Si0165 | 1590 | 0,51 | 0,23 | 400 | gut |
| (17) | (Mo0167Hf0133)O133Si0167 | 1820 | 0,51 | 0,20 | 190 | gut |
| (18) | (Cr09V01)Q25Si0175 | 1600 | 0,51 | 0,21 | 130 | gut |
| (19) | (Cr0187Ta013)O26Si01^ | 1980 | 0,51 | 0,19 | 100 | gut |
| (20) | (Co0i545Cr0455)0 ^Si09 | 1650 | 0,51 | 0,22 | 500 | mäßig |
| (21) | (Co0,54Mo0i46)0ilSioi9 | 1480 | 0,51 | 0,21 | 400 | mäßig |
| (22) | (PcWi5W01I85)O11Si019 | 1470 | 0,51 | 0,19 | 250 | mäßig |
| (23) | (Vo185Mn015)O11Si019 | 1400 | 0,51 | 0,19 | 250 | gut |
| (24) | (Fe0i6Re0i4)0ilSioi9 | 1575 | 0,51 | 0,20 | 110 | gut |
| (25) | (Nb0176Fe0124)O111Si0189 | 1640 | 0,51 | 0,20 | 200 | gut |
| (26) | (Hfo,762Co0i238)0il3Sloi87 | 1600 | 0,51 | 0,20 | 120 | gut |
| (27) | (Zro,67Nioi33)o,14Sioi86 | 1600 | 0,51 | — | 80 | mittel |
| (28) | (Mo0i584RU0,416)o,18Sio>82 | 1600 | 0,51 | 0,20 | 110 | mittel |
| (29) | (Mo0161Rh0139)O121Si0179 | 1300 | 0,51 | 0,19 | 110 | mittel |
| (30) | (Cr016Pd04)O112Si088 | 1570 ' | 0,51 | 0,18 | 90 | mittel |
| (31) | (Tao,52 Os0,48)o,35 Slo,6S | 1780 | 0,51- | 0,19 | 100 | mittel |
| (32) | (Tlo,8lIr0il9)o,1.2Slo,88 | 1780 | . 0,51 | — | 300 | mittel |
| (33) | (Zr079Pt021)O35Si065 · | 1550 | 0,51 | 0,23 | 400 | gut |
| (34) | 1800 | 0,51 | 0,20 | 110 | gut | |
| (35) | 1550 | 0,51 | — | 300 | gut | |
| (36) | 1360 | 0,51 | 0,19 | 90 | gut | |
| (37) | 0,51 | 0,16 | 300 | gut | ||
| FeSi2 | Schmelzpunkt | Linearer Aus dehnungskoeffizient α |
Wärmeleitfähigkeit κ | Oxydationsbeständig keit bei 10000C |
|
| (Halbleiterlegierung) | [0C] | [-JQ-So0-I-] | [CaI-S-1Cm-10C"1] | ||
| (1) | (Wo1S1Ni0149)O113Si0187 | ||||
| (Tio,55Mo0i45)0i234Sioi766 | 1210 | 0,67 | —: ■ | mäßig | |
| (2) | (Mo0i78Nb0i22)0i26Sioi74 | 1500 | . 0,67 | 0,21 · | gut |
| (3) | 1530 | 0,67 | 0,19 | gut | |
| (4) | 1750 | 0,67 | 0,22 | gut | |
10
| MnSi | Schmelzpunkt | T infhn rf*T" Δ 1IC | Wärmeleitfähigkeit χ | Oxydationsbeständig | |
| (Halbleiterlegierung) | [0C] | LJIlCdl Cl AUS dehnungskoeffizient α |
[CaI-S-1Cm-10C"1] | keit bei 10000C |
|
| (Pdo.ssMoo^o^Sio.gg | [10-50C-1] | ||||
| (1) | (COo154W046)O32Si0-68 | 1275 | — | ||
| ( "0,51Nl0 4Q)032Sl0 68 | 1600 | 1,63 | 0,21 | mittel | |
| (2) | 1500 | 1,63 | 0,22 | gut | |
| (3) | 1550 | 1,63 | 0,24 | gut | |
| (4) | 1,63 | gut | |||
Zur Demonstration der Vorteile der erfindungsgemäß verwandten Kontaktstückmaterialien ist in
den Tabellen 1 bis 3 der Schmelzpunkt, der lineare Ausdehnungskoeffizient a, die Wärmeleitfähigkeit κ
und eine Aussage über die elektrische Leitfähigkeit und die Oxydationsbeständigkeit enthalten. Die angegebenen
Werte können um ungefähr 5% schwanken. Beim Ausdehnungskoeffizienten liegen die Schwankungen
jedoch unter 1%. Für die Halbleiterlegierung Ge03Si07 wurde als elektrische Leitfähigkeit ein
Mittelwert angegeben, der von der Dotierung abhängt. Es ist der Tabelle 1 zu entnehmen, daß die elektrische
Leitfähigkeit der erfindungsgemäßen Materialien zum Teil erheblich besser als die der verwendeten Halbleiterkörper
ist.
Zur Herstellung eines Kontaktstückes aus erfindungsgemäß verwandten Legierungen werden die
Metalle Me1 und Me" im entsprechenden Mischungsverhältnis
zusammengeschmolzen und anschließend
die Dimetall-Legierung wenigstens einmal mit Silizium im · entsprechenden Mischungsverhältnis erschmolzen.
Von der erstarrten Schmelze können Kontaktstücke der geforderten Form mechanisch
abgetrennt werden. Es kann auch die erstarrte Schmelze zerkleinert und Kontaktstücke der geforderten
Form in einem Pulverpreß- und Sinterverfahren gewonnen werden.
Der Vorteil des geschilderten Herstellungsverfahrens liegt in dem Erschmelzen der Dimetall-Legierung.
Der Schmelzpunkt dieser Dimetall-Legierungen ist im allgemeinen dem Schmelzpunkt des Siliziums angenähert.
Diese Tatsache wird durch die Tabelle 4 demonstriert, in der die Schmelzpunkte der in den
Tabellen 1, 2 unü 3 als Legierüngskomponenten aufgeführten
Dimetall-Legierungen angegeben sind. Die Nummern der Beispiele in Tabelle 4 stimmen mit
den Nummern der Beispiele in Tabelle 1 überein.
| Si | Schmelzpunkt | Schmelzpunkt Me1 | Schmelzpunkt Me" | |
| Ti01J5MOc45 | 0C | °C | 0C | |
| (1) | Zr019W04 | 1415 | ||
| (2) | Hf0-8IRe019 | 2080 | 1690 (Ti) | 2610 (Mo) |
| (3) | V0,51M°0,49 | 1660 | 1852 (Zr) | 3380 (W) |
| (4) | Nb0167Pd0-33 | 1880 | 2222 (Hf) | 3180 (Re) |
| (5) | Ta0-6Ni014 | 2000 | 1857 (V) | 2610 (Mo) |
| (6) | Cr06Mo0-4 | 1970 | 2497 (Nb) | 1550(Pd) |
| (7) | Mo0155Ti0145 | 2000 | 2997 (Ta) | 1452 (Ni) |
| (8) | Mo0i78Nb0>22 | 2060 | 1903 (Cr) | 2610 (Mo) |
| (9) | W0-51Ni0149 | 2170 | 2610 (Mo) | 1690(Ti) |
| (10) | Fe063Mo0-37 | 2345 | 2610 (Mo) | 2497 (Nb) |
| (H) | Co0-54W0-46 | 1800 | 3380 (W) | 1452 (Ni) |
| (12) | Ni0-72Re0-28 | 1540 | 1539 (Fe) | 2610 (Mo) |
| (13) | RUo1TiTa0-29 | 2080 | 1495 (Co) | 3380 (W) |
| (14) | Rh0-65Mo0135 | 1600 | 1452 (Ni) | 3180 (Re) |
| (15) | Pd058Mo0142 | 1970 | 2427 (Ru) | 2997 (Ta) |
| (16) | Iro,6Tiö,4 | 2075 | 1966 (Rh) | 2610 (Mo) |
| (17) | Ρ*Ο,582Τΐο,4ΐ8 | 1740 | 1550 (Pd) | 2610 (Mo) |
| (18) | Mo0-67Zr0-33 | 2000 | 2454 (Ir) | 1690(Ti) |
| (19) | Mo0-67Hf0-33 | 1780 | 1770(Pt) | 1690(Ti) |
| (20) | Cr0^V01 | 2070 | 2610 (Mo) | 1852 (Zr) |
| (21) | 2280 | 2610 (Mo) | 2222 (Hf) | |
| (22) | • 1765 | 1903 (Cr) | 1857 (V) | |
| ^0,87-Ta01J3 | Schmelzpunkt | Schmelzpunkt Me1 | Schmelzpunkt Me" | |
| ^-°Ο,545^-Γο,455 | 0C | 0C | 0C | |
| "" (23) | Co0,54Mo0i46 | 1700 | 1903 (Cr) | 2997 (Ta) |
| (24) | Pd0815W0485 | 1400 | 1495 (Co) | 1903 (Cr) |
| (25) | VOi85 Mn045 | 1550 | 1495 (Co) | 2610(Mo) |
| (26) | Feo,6Reo>4 | 2175 | 1550 (Pd) | 3380 (W) |
| (27) | Nbo,76FeOi24 | 1800 | 1857(V) | 1314(Mn) |
| (28) | Ηΐο,762^00 238 | 1800 | 1539 (Fe) | 3180 (Re) |
| (29) | Zr0,67Nio,33 | 1680 | 2497 (Nb) | 1539 (Fe) |
| (30) | Mo0584Ru0416 | 1212 | 2222 (Hf) | 1495 (Co) |
| (31) | Mo061Rh039 | 1200 | 1852 (Zr) | 1452 (Ni) |
| (32) | Cro,6Pdo,4 | 1945 | 2610 (Mo) | 2427 (Ru) |
| (33) | Tao,52 Os048 | 1940 | 2610 (Mo) | 1966(Rh) |
| (34) | Tio,81^r0,19 | 1398 | 1903 (Cr) | 1550(Pd) |
| (35) | Zr0,79^^0,21 | 2360 | 2997 (Ta) | 2700 (Os) |
| (36) | 1475 | 1690 (Ti) | 2454 (Ir) | |
| (37) | 1185 | 1852 (Zr) | 1770 (Pt) | |
In den letzten beiden Spalten der Tabelle sind die Schmelzpunkte der Metalle Me1 und Me" angegeben.
Als Beispiel (1) ist zum Vergleich der Schmelzpunkt von Silizium angeführt. Der Tabelle ist zu entnehmen,
daß der Schmelzpunkt der Dimetall-Legierungen immer wesentlich kleiner als der höchste Schmelzpunkt
des entsprechenden Metalls Me1 oder Me" ist. In den Beispielen (3), (4) und einigen weiteren ist der
Schmelzpunkt der Dimetall-Legierung sogar kleiner als der Schmelzpunkt der beiden Metalle. Da der
Schmelzpunkt der Dimetall-Legierung und der Schmelzpunkt des Siliziums nicht mehr allzusehr
verschieden sind, wird beim Zusammenschmelzen die Siliziumkomponente sich nicht verflüchtigen. Es
ist daher bei den erfindungsgemäßen Kontaktstückmaterialien eine exakte Anpassung des Ausdehnungskoeffizienten
des Kontaktstückmaterials an den Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterkörpers ohne
besondere Schwierigkeit im Herstellungsverfahren möglich. Durch das mehrmalige Erschmelzen der
Dimetallkomponente mit dem Silizium wird die Dimetallsilizium-Legierung homogenisiert, was sich vor
allem auf die Größe der elektrischen Leitfähigkeit auswirkt, die durch die Homogenisierung optimiert
wird. Zu erwähnen ist hierbei noch, daß die Anpassung des Ausdehnungskoeffizienten durch die Dimetallsilizium-Legierung
insofern noch begünstigt ist, als die drei Komponenten eine große Variationsmöglichkeit im Mischungsverhältnis bieten.
An Hand eines Ausführungsbeispiels, das in der Figur dargestellt ist, wird die Erfindung näher erläutert.
Die Figur zeigt einen Thermogenerator, bei dem p- und η-leitende Thermoelementschenkel 1 an ihrer
kalten und warmen Lötstelle mittels Kontaktbrükken 3 elektrisch so leitend verbunden sind, daß sie
elektrisch in Reihe und thermisch parallel und jeweils ihre kalten oder warmen Lötstellen in einer Ebene,
nämlich der Kalt- oder Warmseite des Thermogenerators liegen. Auf die Kontaktbrücken der KaIt-
und Warmseite des Thermogenerators ist eine thermisch leitende und elektrisch isolierende Materialschicht
5 aufgebracht, die z. B. aus Aluminiumoxyd oder Berylliumoxyd hergestellt sein kann. Auf die
Warmseite des Thermogenerators ist ein Wärmeaustauscher 7 aufgesetzt, der mit einem Durchfluß 8 für
ein heißes, flüssiges Wärmeaustauschmedium versehen ist. Auf die Kaltseite des Thermogenerators
ist ein Wärmeaustauscher 6 für ein gasförmiges Wärmeaustauschmedium aufgesetzt.
Die Thermoelementschenkel 1 können aus einer Germanium-Silizium-Legierung, aus Eisendisilizid
oder aus einer Mangan-Silizium-Legierung hergestellt sein. Bei einer Germanium-Silizium-Legierung ist
beispielsweise der p-leitende Thermoelementschenkel durch eine Dotierung mit Bor, Gallium oder
Indium und . der η-leitende Thermoelementschenkel durch eine Dotierung mit Phosphor, Arsen oder
Antimon hergestellt. Die Thermoelementschenkel 1 sind mit Kontaktstücken 2 und 3 aus erfindungsgemäß
verwandten Legierungen kontaktiert, deren Mischungsverhältnis an den Ausdehnungskoeffizienten
des betreffenden Halbleitermaterials angepaßt ist.
Dabei ist das Kontaktstück 3 als Kontaktbrücke zur elektrischen Verbindung zweier Thermoelementschenkel
1 ausgebildet, über die Kontaktstücke 2 wird aus dem Thermogenerator die elektrische Energie
entnommen. Das Material der Kontaktstücke bzw. -brücken ist nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
hergestellt, dabei können die Dimetall-Legierung und dieJDmetallsilmum^Legierung im HF-Feld
und/oder im Elektronenstrahlofen erschmolzen sein.
Die Thermoelementschenkel 1 können auf die Kontaktstücke 2 oder 3 aufgeschmolzen sein. Vorteilhaft
ist es jedoch, eine Lotschicht 4 zur Verbindung des Thermoelementschenkels mit den Kontaktstücken 2
bzw. 3 vorzusehen. Besonders vorteilhaft ist es hierbei, ein Lot zu verwenden, bei dem Palladium
und Silizium Legierungskomponenten sind, und das eine dritte Legierungskomponento enthält, die als
Metall Me1 oder Me in der Legierung des Kontaktbrückenmaterials
enthalten ist. Mit diesem Lot erhält man eine Kontaktzone 4, in der das Kontaktbrückenmaterial
kontinuierlich in das HalbleitermateriaL der Thermoelementschenkel 1 übergeführt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (46)
1. Verwendung einer Legierung der allgemeinen Zusammensetzung
wobei Me1 und Me" zwei verschiedene Metalle der
Gruppen IVa, Va, Via, VIIa und VIII des Periodischen Systems mit Ausnahme des Technetiums,
y = 0,5 bis 0,9 und χ = 0,05 bis 0,35 ist, als elekfrisch
neutrale Kontaktstücke für thermoelektrische Anordnungen aus Halbleiterlegierungen zwischen
Mangan und Silizium, Eisen und Silizium oder Germanium und Silizium.
2. Verwendung einer Legierung der Zusammen-Setzung nach Anspruch 1, die für einen .Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
io
15
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
3. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
4. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
30
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
5. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach. Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
6. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Ta0-6Ni0-4)O11Si019
hat, fur den Zweck nach Anspruch 1.
7. Verwendung einer Legierung der Zusammen- 45'
setzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Cr0-6Mo0i4)0i35Sioi65
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
8. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
55 hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
9. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
60
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
10. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(W0-51Ni0-49)O-1Si0-9 '
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
11. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Fe0:63Mo0i37)0il Si0-9 ...
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
12. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Co0-54W046)O1Si09
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
13. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Ni0-72Re0 ^)01Si09
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
14. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung
nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
15. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung
nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Rh0-65Mo0-35)O-18Si0-82
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
16. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung
nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Pd0-58Mo0-42)O-1Si0-9
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
17. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
18. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung
nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
2TIo14Is)O1IiS1O .89
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
19. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung
nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Mo0-67Zr0 33)o ^5Si065
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
20. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
21. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Cr0-9V0 J0-25Si0 75
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
22. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
23. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
24. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(CoO,54M°0,46)o,lSi0.9
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
25. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
15
20
"t),9
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
26. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(V0,85MnO,ls)o,lSiO,9
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
27. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
V* ®0,6 ^O,4/0,1^^0,9
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
28. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
29. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
0,87
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
30. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
31. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
5°
55
60
1,82
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
32. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
33. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
)012Si0
88
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
34. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
0,65
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
35. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
36. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
37. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen FeSi2-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
38. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen FeSi2-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
39. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen FeSi2-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
40. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen MnSi-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Pd0158Mo0142)O132Si0168
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
41. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen MnSi-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
(Co054W046)0i32Si0i68
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
42. Verwendung einer Legierung der Zusammensetzung nach Anspruch 1, die für einen MnSi-Halbleiterkörper
die Zusammensetzung
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
hat, für den Zweck nach Anspruch 1.
43. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktstückes aus Legierungen der Zusammensetzung
nach einem der Ansprüche 1 bis 42, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Metalle Me1
und Me" zusammengeschmolzen werden und .daß anschließend diese Zweistofflegierpng und das
Silizium wenigstens einmal erschmolzen werden.
44. Herstellungsverfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, daß das Mischungsverhältnis
der Metalle Me1 und Me" so gewählt wird, daß es einem eutektischen Punkt des
Schmelzdiagramms entspricht.
45. Herstellungsverfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, daß von der erstarrten
. Schmelze Kontaktstücke der geforderten Form mechanisch abgetrennt werden.
46. Herstellungsverfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, daß die erstarrte
Schmelze zerkleinert und Kontaktstücke der geforderten Form in einem Pulverpreß- und Sinterverfahren
gewonnen werden.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19671558644 DE1558644C (de) | 1967-07-01 | 1967-07-01 | Verwendung von Übergangsmetall-Silizium-Legierungen als Kontaktstücke für thermoelektrische Anordnungen und Verfahren zur Herstellung der Kontaktstücke |
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| GB30813/68A GB1213026A (en) | 1967-07-01 | 1968-06-27 | Thermoelectric devices |
| BE717322D BE717322A (de) | 1967-07-01 | 1968-06-28 | |
| US741078A US3582324A (en) | 1967-07-01 | 1968-06-28 | Contact piece for a semiconductor |
| NL6809288A NL6809288A (de) | 1967-07-01 | 1968-07-01 | |
| JP43045532A JPS4939315B1 (de) | 1967-07-01 | 1968-07-01 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0110630 | 1967-07-01 | ||
| DE19671558644 DE1558644C (de) | 1967-07-01 | 1967-07-01 | Verwendung von Übergangsmetall-Silizium-Legierungen als Kontaktstücke für thermoelektrische Anordnungen und Verfahren zur Herstellung der Kontaktstücke |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1558644A1 DE1558644A1 (de) | 1972-02-17 |
| DE1558644B2 DE1558644B2 (de) | 1972-12-14 |
| DE1558644C true DE1558644C (de) | 1973-07-05 |
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