DE1489283B2 - Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn - Google Patents
Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeInInfo
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- DE1489283B2 DE1489283B2 DE19651489283 DE1489283A DE1489283B2 DE 1489283 B2 DE1489283 B2 DE 1489283B2 DE 19651489283 DE19651489283 DE 19651489283 DE 1489283 A DE1489283 A DE 1489283A DE 1489283 B2 DE1489283 B2 DE 1489283B2
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021352 titanium disilicide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012803 melt mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/81—Structural details of the junction
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
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- H01L2924/01005—Boron [B]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01029—Copper [Cu]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01032—Germanium [Ge]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
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- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
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- H01L2924/01074—Tungsten [W]
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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Description
bei einer Temperaturänderung des Kontaktes keine io körper unmittelbar oder nach Entfernung der Oxydzu
großen mechanischen Spannungen entstehen. schicht an den Kontaktstellen auflegier- bzw. auf-Ferner
muß das Kontaktstück gegenüber .einer schmelzbar, so daß zum Verbinden kein zusätzliches
aggressiven Atmosphäre beständig sein. Lot verwendet werden muß, das die elektrischen
Aus, dem »Journal of Applied' Physics«, Bd. 35, Eigenschaften des Halbleiters im ungünstigen Sinne
1964, Nr. 1, S. 247 und. 248, ist es bekannt, daß Kon- 15 beeinflussen kann. Das mit der Oxydschicht übertaktstücke
für Thermoelementschenkel aus Molybdän zogene Kontaktstück besitz eine sehr große Tempebestehen
können. Die; Temperaturbeständigkeit von ratur- und Temperaturwechselbeständigkeit, eine
Molybdän ist jedoch verhältnismäßig gering. Es ver- große Härte und eine große Bruchfestigkeit. DerKonzundert
bereits bei Temperaturen zwischen 700 und takt ist deshalb in besonderer Weise für Thermo-800°
C. Derartige Kontaktstücke sind somit für Ther- 20 generatoren geeignet. Versuche haben ergeben, daß
mogeneratoren, deren Heißseite auf einer Temperatur die Kontaktstelle ohne weiteres bis über 1000° C
oberhalb 1000° C gehalten werden soll, nicht ver- betrieben werden. kann, so daß bei Thermowendbar.
generatoren ein besserer Wirkungsgrad als bei
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 200 905 ist den bisher bekannten Kontaktstückmaterialien mögferner
bekannt, daß zur Kontaktierung am heißen 25 lieh ist.
Ende der Thermoelementschenkel auch Wolfram ver- Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungs-
wendet werden kann. Wolfram neigt jedoch dazu, mit beispieles näher erläutert.
den Dotierungsstoffen der Thermoelementschenkel, In der Figur ist ein Thermogenerator 1 dargestellt
insbesondere mit Bor, Legierungen zu bilden. Durch mit einem Wärmeaustauscher 2 für ein gasförmiges
solche Legierungen kann die mechanische Belastbar- 30 Medium an der heißen Kontaktstelle und einem
keit der Kontaktzonen erheblich vermindert werden. Wärmeaustauscher 3 für ein flüssiges Medium an der
kalten Kontaktstellen. Der Thermogenerator enthält zwei Thermoelementschenkel 4 und 5 aus Germanium-Silizium-Halbleitermaterial,
von denen der eine durch 35 eine Dotierung mit z. B. Bor, Gallium oder Indium p-leitend, der andere durch eine Dotierung mit z. B.
Phosphor, Arsen oder Antimon η-leitend gemacht ist. Die Kontaktstücke 6, 7 und 8 des Thermogenerators,
von denen das letztere als Brücke ausgebildet haben aber im wesentlichen die gleichen Eigen- 40 ist, bestehen aus Titandisilizid. Sie besitzen mit Ausschaften
wie Wolfram. nähme der Kontaktstellen einen Überzug 9, 10 bzw.
Thermogeneratoren mit Thermoelementschenkeln 11 aus Mischoxyden. Zwischen den Halbleiterkörpern
aus Germanium-Silizium-Legierungen mit hohem und den Kontaktstücken sind den Halbleitermaterial-Wirkungsgrad
sind deshalb mit den bekannten Kon- fluß in das Kontaktstück hinein behindernde Schichtaktstücken
nicht herstellbar, weil diese Kontakt- 45 ten 12, 13, 14 bzw. 15 aus Wolfram vorgesehen. Die
stücke nur eine geringe Oxydationsbeständigkeit auf- Kontaktstücke 6 und 7 besitzen elektrische Zuleiweisen
und die Bruchfestigkeit der Kontaktzone her- tungen 16 und 17. abgesetzt und deren elektrischer Widerstand erhöht Durch den elektrisch isolierenden Überzug aus
wird. : .. ,, . ,.-' Mischoxyden kann bei einer Thermobatterie die elek-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein 50"irische Schaltung unabhängig vom Wärmestromweg
Kontaktstück der genannten Art anzugeben, das alle gemacht werden. So können beispielsweise die Thereingangs
genannten Forderungen erfüllt. moschenkel elektrisch in Reihe und thermisch par-
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- allel angeordnet werden.
löst, daß das Kontaktstück aus Titandisilizid oder Der Kontakt wird auf die folgende Weise herge-
einer siliziumreicheren Variante dieses Materials be- 55 stellt. Die entsprechend vorgeformten Kontaktstücke
steht. ■ r:■■■■■ ■■■;.·■ ■.-....·· ■ aus Titandisilizid oder siliziumreicheren Varianten
Vorzugsweise besitzt das Kontaktstück mit.Aus- dieser Materialien werden auf eine Temperatur ernahme
der Kontaktstellen einen Überzug aus einer hitzt, die möglichst dicht unterhalb der Schmelztem-Mischung
von Siliziumoxyden und Titanoxyden. peratur des Titandisilizid liegt. Hierbei bilden sich an
Ein derartiges Kontaktstück ist elektrisch isoliert 60 der Oberfläche des Körper Oxyde (Siliziumoxyde
und kann beispielsweise zu Kühlzwecken an einen und Titanoxyde),· die zu einer Glasur verschmelzen,
metallischen Wärmeaustauschkörper angepaßt wer- Nach dem Abkühlen werden die zu kontaktierenden
den. Flächen mechanisch von der Glasur befreit. Auf die
Ein Überzug aus diesen Mischoxyden ist bei dem bearbeiteten Stellen werden die Halbleiterschenkel
genannten Kontaktstückmaterial in bekannter Weise 65 aufgeschmolzen. Die Zwischenschichten 12 bis 15 erdurch
Erhitzen zu erreichen. Wird beispielsweise hält man, wenn man vor dem Aufschmelzen der
Titandisilizid in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre, Halbleiterschenkel eine Folie oder ein Netz aus
z. B. Luft, auf eine Temperatur erhitzt, die möglichst Molybdän bzw. Wolfram einlegt.
Außerdem wird der elektrische Widerstand der Kontaktzonen vergrößert und damit der Wirkungsgrad
der Thermogeneratoren entsprechend verkleinert.
Nach der französischen Patentschrift 1389 727 kann neben Wolfram auch Tantal sowie Rhenium
und Niobium zur Kontaktierung von Thermoelementschenkeln verwendet werden. Diese Materialien
Claims (2)
1. Kontaktstück zur Kontaktierung von Thermoelementschenkeln aus einer Germanium-Silizium-Legierung
in Thermogeneratoren, dadurchgekennzeichnet, daß es aus Titandisilizid
oder einer siliziumreicheren Variante dieses Materials besteht.
2. Kontaktstück nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es mit Ausnahme der Kontaktstellen
einen Überzug (9, 10, 11) aus einer Mischung von Siliziumoxyden und Titanoxyden besitzt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0097564 | 1965-06-11 | ||
DES0100912 | 1965-12-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1489283A1 DE1489283A1 (de) | 1970-02-26 |
DE1489283B2 true DE1489283B2 (de) | 1970-10-15 |
Family
ID=25998118
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19651483298 Pending DE1483298B1 (de) | 1965-06-11 | 1965-06-11 | Elektrische Kontaktanordnung zwischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkoerper und einem Kontaktstueck und Verfahren zur Herstellung derselben |
DE19651489283 Pending DE1489283B2 (de) | 1965-06-11 | 1965-12-11 | Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19651483298 Pending DE1483298B1 (de) | 1965-06-11 | 1965-06-11 | Elektrische Kontaktanordnung zwischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkoerper und einem Kontaktstueck und Verfahren zur Herstellung derselben |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3441812A (de) |
BE (2) | BE681655A (de) |
DE (2) | DE1483298B1 (de) |
FR (1) | FR1504284A (de) |
GB (2) | GB1106287A (de) |
NL (2) | NL6607137A (de) |
SE (1) | SE321723B (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3664874A (en) * | 1969-12-31 | 1972-05-23 | Nasa | Tungsten contacts on silicon substrates |
US3989546A (en) * | 1971-05-10 | 1976-11-02 | Arco Medical Products Company | Thermoelectric generator with hinged assembly for fins |
DE2739242C2 (de) * | 1977-08-31 | 1979-10-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Hochleistungsstromrichter |
AU555193B2 (en) * | 1980-11-10 | 1986-09-18 | Edwin James Freeburn | Cooling device |
US5028988A (en) * | 1989-12-27 | 1991-07-02 | Ncr Corporation | Method and apparatus for low temperature integrated circuit chip testing and operation |
GB9015687D0 (en) * | 1990-07-17 | 1990-09-05 | Global Domestic Prod Ltd | Peltier devices |
JP2002518989A (ja) * | 1996-12-02 | 2002-06-25 | ラリガン,パスカル | わずかな温度差から低消費電力の自立型装置に電気を供給することを可能にする熱出力変換器 |
US20060021648A1 (en) * | 1997-05-09 | 2006-02-02 | Parise Ronald J | Device and method to transmit waste heat or thermal pollution into deep space |
US5936193A (en) * | 1997-05-09 | 1999-08-10 | Parise; Ronald J. | Nighttime solar cell |
JP4446064B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2010-04-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
RU2515969C2 (ru) | 2007-08-21 | 2014-05-20 | Члены Правления Университета Калифорнии | Наноструктуры с высокими термоэлектрическими свойствами |
US20110114146A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Alphabet Energy, Inc. | Uniwafer thermoelectric modules |
US9240328B2 (en) | 2010-11-19 | 2016-01-19 | Alphabet Energy, Inc. | Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof |
US8736011B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-05-27 | Alphabet Energy, Inc. | Low thermal conductivity matrices with embedded nanostructures and methods thereof |
US9051175B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-06-09 | Alphabet Energy, Inc. | Bulk nano-ribbon and/or nano-porous structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
US9257627B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-02-09 | Alphabet Energy, Inc. | Method and structure for thermoelectric unicouple assembly |
US9082930B1 (en) | 2012-10-25 | 2015-07-14 | Alphabet Energy, Inc. | Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same |
WO2015157501A1 (en) | 2014-04-10 | 2015-10-15 | Alphabet Energy, Inc. | Ultra-long silicon nanostructures, and methods of forming and transferring the same |
DE102016209683A1 (de) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | Mahle International Gmbh | Thermoelektrisches Modul |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH328594A (fr) * | 1954-07-03 | 1958-03-15 | Csf | Dispositif électronique comportant un élément semi-conducteur |
NL190331A (de) * | 1954-08-26 | 1900-01-01 | ||
DE1080313B (de) * | 1954-09-18 | 1960-04-21 | Siemens Planiawerke Ag | Molybdaendisilizid enthaltende Werkstuecke fuer hohe Temperaturen, insbesondere elektrisches Heizelement |
US2902392A (en) * | 1954-09-18 | 1959-09-01 | Siemens Planiawerke Ag | Work pieces for high temperature operation and method of making them |
DE1189282B (de) * | 1954-12-28 | 1965-03-18 | Siemens Planiawerke Ag | Verwendung einer Sinterlegierung aus Kohlenstoff, Silizium und Molybdaen als Werkstoff zur Herstellung von warmfesten, elektrisch leitenden Teilen |
NL109558C (de) * | 1955-05-10 | 1900-01-01 | ||
US2898743A (en) * | 1956-07-23 | 1959-08-11 | Philco Corp | Electronic cooling device and method for the fabrication thereof |
DE1155609B (de) * | 1956-12-04 | 1963-10-10 | Union Carbide Corp | Ausgangsmaterial zur Herstellung oxydationsbestaendiger und hochtemperaturfester Gegenstaende, insbesondere selbst regenerierende Schutzueberzuege fuer Metallkoerper |
US2952786A (en) * | 1957-04-12 | 1960-09-13 | Minnesota Mining & Mfg | Temperature compensated crystal device |
DE1120154B (de) * | 1958-04-29 | 1961-12-21 | Union Carbide Corp | Gesinterte feuerfeste Hartmetallegierung auf der Grundlage von Molybdaendisilicid |
US3086886A (en) * | 1958-06-04 | 1963-04-23 | Schwarzkopf Dev Co | Process of providing oxidizable refractory-metal bodies with a corrosion-resistant surface coating |
US2955145A (en) * | 1958-07-16 | 1960-10-04 | Kanthal Ab | Thermo-electric alloys |
SE175893C1 (de) * | 1958-07-16 | 1961-07-04 | Kanthal Ab | |
US2994203A (en) * | 1960-01-14 | 1961-08-01 | Westinghouse Electric Corp | Thermoelectric cooling device |
US3127287A (en) * | 1961-06-09 | 1964-03-31 | Thermoelectricity | |
US3256699A (en) * | 1962-01-29 | 1966-06-21 | Monsanto Co | Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy |
US3192065A (en) * | 1962-06-01 | 1965-06-29 | North American Aviation Inc | Method of forming molybdenum silicide coating on molybdenum |
US3342567A (en) * | 1963-12-27 | 1967-09-19 | Rca Corp | Low resistance bonds to germaniumsilicon bodies and method of making such bonds |
-
1965
- 1965-06-11 DE DE19651483298 patent/DE1483298B1/de active Pending
- 1965-12-11 DE DE19651489283 patent/DE1489283B2/de active Pending
-
1966
- 1966-05-24 NL NL6607137A patent/NL6607137A/xx unknown
- 1966-05-26 BE BE681655D patent/BE681655A/xx unknown
- 1966-06-13 GB GB26335/66A patent/GB1106287A/en not_active Expired
- 1966-12-07 US US599934A patent/US3441812A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-12-07 BE BE690811D patent/BE690811A/xx unknown
- 1966-12-09 NL NL6617324A patent/NL6617324A/xx unknown
- 1966-12-09 FR FR86935A patent/FR1504284A/fr not_active Expired
- 1966-12-09 SE SE16915/66A patent/SE321723B/xx unknown
- 1966-12-12 GB GB55640/66A patent/GB1106260A/en not_active Expired
-
1969
- 1969-06-09 US US834595A patent/US3523832A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6617324A (de) | 1967-06-12 |
NL6607137A (de) | 1966-12-12 |
GB1106260A (en) | 1968-03-13 |
FR1504284A (fr) | 1967-12-01 |
US3441812A (en) | 1969-04-29 |
BE690811A (de) | 1967-05-16 |
GB1106287A (en) | 1968-03-13 |
BE681655A (de) | 1966-10-31 |
DE1489283A1 (de) | 1970-02-26 |
SE321723B (de) | 1970-03-16 |
US3523832A (en) | 1970-08-11 |
DE1483298B1 (de) | 1971-01-28 |
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