DE1489283B2 - Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn - Google Patents

Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn

Info

Publication number
DE1489283B2
DE1489283B2 DE19651489283 DE1489283A DE1489283B2 DE 1489283 B2 DE1489283 B2 DE 1489283B2 DE 19651489283 DE19651489283 DE 19651489283 DE 1489283 A DE1489283 A DE 1489283A DE 1489283 B2 DE1489283 B2 DE 1489283B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact piece
contact
silicon
oxides
contacting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651489283
Other languages
English (en)
Other versions
DE1489283A1 (de
Inventor
Szabo Eugen de Dr.-Ing. 8520 Erlangen; Oesterhelt Gerhard; Pietsch Doris; 85OO Nürnberg. HOIv Bucs
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE1489283A1 publication Critical patent/DE1489283A1/de
Publication of DE1489283B2 publication Critical patent/DE1489283B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

bei einer Temperaturänderung des Kontaktes keine io körper unmittelbar oder nach Entfernung der Oxydzu großen mechanischen Spannungen entstehen. schicht an den Kontaktstellen auflegier- bzw. auf-Ferner muß das Kontaktstück gegenüber .einer schmelzbar, so daß zum Verbinden kein zusätzliches aggressiven Atmosphäre beständig sein. Lot verwendet werden muß, das die elektrischen
Aus, dem »Journal of Applied' Physics«, Bd. 35, Eigenschaften des Halbleiters im ungünstigen Sinne 1964, Nr. 1, S. 247 und. 248, ist es bekannt, daß Kon- 15 beeinflussen kann. Das mit der Oxydschicht übertaktstücke für Thermoelementschenkel aus Molybdän zogene Kontaktstück besitz eine sehr große Tempebestehen können. Die; Temperaturbeständigkeit von ratur- und Temperaturwechselbeständigkeit, eine Molybdän ist jedoch verhältnismäßig gering. Es ver- große Härte und eine große Bruchfestigkeit. DerKonzundert bereits bei Temperaturen zwischen 700 und takt ist deshalb in besonderer Weise für Thermo-800° C. Derartige Kontaktstücke sind somit für Ther- 20 generatoren geeignet. Versuche haben ergeben, daß mogeneratoren, deren Heißseite auf einer Temperatur die Kontaktstelle ohne weiteres bis über 1000° C oberhalb 1000° C gehalten werden soll, nicht ver- betrieben werden. kann, so daß bei Thermowendbar. generatoren ein besserer Wirkungsgrad als bei
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 200 905 ist den bisher bekannten Kontaktstückmaterialien mögferner bekannt, daß zur Kontaktierung am heißen 25 lieh ist.
Ende der Thermoelementschenkel auch Wolfram ver- Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungs-
wendet werden kann. Wolfram neigt jedoch dazu, mit beispieles näher erläutert.
den Dotierungsstoffen der Thermoelementschenkel, In der Figur ist ein Thermogenerator 1 dargestellt
insbesondere mit Bor, Legierungen zu bilden. Durch mit einem Wärmeaustauscher 2 für ein gasförmiges solche Legierungen kann die mechanische Belastbar- 30 Medium an der heißen Kontaktstelle und einem keit der Kontaktzonen erheblich vermindert werden. Wärmeaustauscher 3 für ein flüssiges Medium an der
kalten Kontaktstellen. Der Thermogenerator enthält zwei Thermoelementschenkel 4 und 5 aus Germanium-Silizium-Halbleitermaterial, von denen der eine durch 35 eine Dotierung mit z. B. Bor, Gallium oder Indium p-leitend, der andere durch eine Dotierung mit z. B. Phosphor, Arsen oder Antimon η-leitend gemacht ist. Die Kontaktstücke 6, 7 und 8 des Thermogenerators, von denen das letztere als Brücke ausgebildet haben aber im wesentlichen die gleichen Eigen- 40 ist, bestehen aus Titandisilizid. Sie besitzen mit Ausschaften wie Wolfram. nähme der Kontaktstellen einen Überzug 9, 10 bzw. Thermogeneratoren mit Thermoelementschenkeln 11 aus Mischoxyden. Zwischen den Halbleiterkörpern aus Germanium-Silizium-Legierungen mit hohem und den Kontaktstücken sind den Halbleitermaterial-Wirkungsgrad sind deshalb mit den bekannten Kon- fluß in das Kontaktstück hinein behindernde Schichtaktstücken nicht herstellbar, weil diese Kontakt- 45 ten 12, 13, 14 bzw. 15 aus Wolfram vorgesehen. Die stücke nur eine geringe Oxydationsbeständigkeit auf- Kontaktstücke 6 und 7 besitzen elektrische Zuleiweisen und die Bruchfestigkeit der Kontaktzone her- tungen 16 und 17. abgesetzt und deren elektrischer Widerstand erhöht Durch den elektrisch isolierenden Überzug aus
wird. : .. ,, . ,.-' Mischoxyden kann bei einer Thermobatterie die elek-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein 50"irische Schaltung unabhängig vom Wärmestromweg Kontaktstück der genannten Art anzugeben, das alle gemacht werden. So können beispielsweise die Thereingangs genannten Forderungen erfüllt. moschenkel elektrisch in Reihe und thermisch par-
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- allel angeordnet werden.
löst, daß das Kontaktstück aus Titandisilizid oder Der Kontakt wird auf die folgende Weise herge-
einer siliziumreicheren Variante dieses Materials be- 55 stellt. Die entsprechend vorgeformten Kontaktstücke steht. ■ r:■■■■■ ■■■;.·■ ■.-....·· ■ aus Titandisilizid oder siliziumreicheren Varianten
Vorzugsweise besitzt das Kontaktstück mit.Aus- dieser Materialien werden auf eine Temperatur ernahme der Kontaktstellen einen Überzug aus einer hitzt, die möglichst dicht unterhalb der Schmelztem-Mischung von Siliziumoxyden und Titanoxyden. peratur des Titandisilizid liegt. Hierbei bilden sich an
Ein derartiges Kontaktstück ist elektrisch isoliert 60 der Oberfläche des Körper Oxyde (Siliziumoxyde und kann beispielsweise zu Kühlzwecken an einen und Titanoxyde),· die zu einer Glasur verschmelzen, metallischen Wärmeaustauschkörper angepaßt wer- Nach dem Abkühlen werden die zu kontaktierenden den. Flächen mechanisch von der Glasur befreit. Auf die
Ein Überzug aus diesen Mischoxyden ist bei dem bearbeiteten Stellen werden die Halbleiterschenkel genannten Kontaktstückmaterial in bekannter Weise 65 aufgeschmolzen. Die Zwischenschichten 12 bis 15 erdurch Erhitzen zu erreichen. Wird beispielsweise hält man, wenn man vor dem Aufschmelzen der Titandisilizid in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre, Halbleiterschenkel eine Folie oder ein Netz aus z. B. Luft, auf eine Temperatur erhitzt, die möglichst Molybdän bzw. Wolfram einlegt.
Außerdem wird der elektrische Widerstand der Kontaktzonen vergrößert und damit der Wirkungsgrad der Thermogeneratoren entsprechend verkleinert.
Nach der französischen Patentschrift 1389 727 kann neben Wolfram auch Tantal sowie Rhenium und Niobium zur Kontaktierung von Thermoelementschenkeln verwendet werden. Diese Materialien

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Kontaktstück zur Kontaktierung von Thermoelementschenkeln aus einer Germanium-Silizium-Legierung in Thermogeneratoren, dadurchgekennzeichnet, daß es aus Titandisilizid oder einer siliziumreicheren Variante dieses Materials besteht.
2. Kontaktstück nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es mit Ausnahme der Kontaktstellen einen Überzug (9, 10, 11) aus einer Mischung von Siliziumoxyden und Titanoxyden besitzt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19651489283 1965-06-11 1965-12-11 Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn Pending DE1489283B2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0097564 1965-06-11
DES0100912 1965-12-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1489283A1 DE1489283A1 (de) 1970-02-26
DE1489283B2 true DE1489283B2 (de) 1970-10-15

Family

ID=25998118

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651483298 Pending DE1483298B1 (de) 1965-06-11 1965-06-11 Elektrische Kontaktanordnung zwischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkoerper und einem Kontaktstueck und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19651489283 Pending DE1489283B2 (de) 1965-06-11 1965-12-11 Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651483298 Pending DE1483298B1 (de) 1965-06-11 1965-06-11 Elektrische Kontaktanordnung zwischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkoerper und einem Kontaktstueck und Verfahren zur Herstellung derselben

Country Status (7)

Country Link
US (2) US3441812A (de)
BE (2) BE681655A (de)
DE (2) DE1483298B1 (de)
FR (1) FR1504284A (de)
GB (2) GB1106287A (de)
NL (2) NL6607137A (de)
SE (1) SE321723B (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3664874A (en) * 1969-12-31 1972-05-23 Nasa Tungsten contacts on silicon substrates
US3989546A (en) * 1971-05-10 1976-11-02 Arco Medical Products Company Thermoelectric generator with hinged assembly for fins
DE2739242C2 (de) * 1977-08-31 1979-10-04 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Hochleistungsstromrichter
AU555193B2 (en) * 1980-11-10 1986-09-18 Edwin James Freeburn Cooling device
US5028988A (en) * 1989-12-27 1991-07-02 Ncr Corporation Method and apparatus for low temperature integrated circuit chip testing and operation
GB9015687D0 (en) * 1990-07-17 1990-09-05 Global Domestic Prod Ltd Peltier devices
JP2002518989A (ja) * 1996-12-02 2002-06-25 ラリガン，パスカル わずかな温度差から低消費電力の自立型装置に電気を供給することを可能にする熱出力変換器
US20060021648A1 (en) * 1997-05-09 2006-02-02 Parise Ronald J Device and method to transmit waste heat or thermal pollution into deep space
US5936193A (en) * 1997-05-09 1999-08-10 Parise; Ronald J. Nighttime solar cell
JP4446064B2 (ja) * 2004-07-07 2010-04-07 独立行政法人産業技術総合研究所 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
RU2515969C2 (ru) 2007-08-21 2014-05-20 Члены Правления Университета Калифорнии Наноструктуры с высокими термоэлектрическими свойствами
US20110114146A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Alphabet Energy, Inc. Uniwafer thermoelectric modules
US9240328B2 (en) 2010-11-19 2016-01-19 Alphabet Energy, Inc. Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof
US8736011B2 (en) 2010-12-03 2014-05-27 Alphabet Energy, Inc. Low thermal conductivity matrices with embedded nanostructures and methods thereof
US9051175B2 (en) 2012-03-07 2015-06-09 Alphabet Energy, Inc. Bulk nano-ribbon and/or nano-porous structures for thermoelectric devices and methods for making the same
US9257627B2 (en) 2012-07-23 2016-02-09 Alphabet Energy, Inc. Method and structure for thermoelectric unicouple assembly
US9082930B1 (en) 2012-10-25 2015-07-14 Alphabet Energy, Inc. Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same
WO2015157501A1 (en) 2014-04-10 2015-10-15 Alphabet Energy, Inc. Ultra-long silicon nanostructures, and methods of forming and transferring the same
DE102016209683A1 (de) * 2016-06-02 2017-12-07 Mahle International Gmbh Thermoelektrisches Modul

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH328594A (fr) * 1954-07-03 1958-03-15 Csf Dispositif électronique comportant un élément semi-conducteur
NL190331A (de) * 1954-08-26 1900-01-01
DE1080313B (de) * 1954-09-18 1960-04-21 Siemens Planiawerke Ag Molybdaendisilizid enthaltende Werkstuecke fuer hohe Temperaturen, insbesondere elektrisches Heizelement
US2902392A (en) * 1954-09-18 1959-09-01 Siemens Planiawerke Ag Work pieces for high temperature operation and method of making them
DE1189282B (de) * 1954-12-28 1965-03-18 Siemens Planiawerke Ag Verwendung einer Sinterlegierung aus Kohlenstoff, Silizium und Molybdaen als Werkstoff zur Herstellung von warmfesten, elektrisch leitenden Teilen
NL109558C (de) * 1955-05-10 1900-01-01
US2898743A (en) * 1956-07-23 1959-08-11 Philco Corp Electronic cooling device and method for the fabrication thereof
DE1155609B (de) * 1956-12-04 1963-10-10 Union Carbide Corp Ausgangsmaterial zur Herstellung oxydationsbestaendiger und hochtemperaturfester Gegenstaende, insbesondere selbst regenerierende Schutzueberzuege fuer Metallkoerper
US2952786A (en) * 1957-04-12 1960-09-13 Minnesota Mining & Mfg Temperature compensated crystal device
DE1120154B (de) * 1958-04-29 1961-12-21 Union Carbide Corp Gesinterte feuerfeste Hartmetallegierung auf der Grundlage von Molybdaendisilicid
US3086886A (en) * 1958-06-04 1963-04-23 Schwarzkopf Dev Co Process of providing oxidizable refractory-metal bodies with a corrosion-resistant surface coating
US2955145A (en) * 1958-07-16 1960-10-04 Kanthal Ab Thermo-electric alloys
SE175893C1 (de) * 1958-07-16 1961-07-04 Kanthal Ab
US2994203A (en) * 1960-01-14 1961-08-01 Westinghouse Electric Corp Thermoelectric cooling device
US3127287A (en) * 1961-06-09 1964-03-31 Thermoelectricity
US3256699A (en) * 1962-01-29 1966-06-21 Monsanto Co Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy
US3192065A (en) * 1962-06-01 1965-06-29 North American Aviation Inc Method of forming molybdenum silicide coating on molybdenum
US3342567A (en) * 1963-12-27 1967-09-19 Rca Corp Low resistance bonds to germaniumsilicon bodies and method of making such bonds

Also Published As

Publication number Publication date
NL6617324A (de) 1967-06-12
NL6607137A (de) 1966-12-12
GB1106260A (en) 1968-03-13
FR1504284A (fr) 1967-12-01
US3441812A (en) 1969-04-29
BE690811A (de) 1967-05-16
GB1106287A (en) 1968-03-13
BE681655A (de) 1966-10-31
DE1489283A1 (de) 1970-02-26
SE321723B (de) 1970-03-16
US3523832A (en) 1970-08-11
DE1483298B1 (de) 1971-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1489283B2 (de) Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn
DE2101609C3 (de) Kontaktanordnung für ein Halbleiterbauelement
DE2703831C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Thermobatterie
DE2300847A1 (de) Schmelzbare verbindung fuer integrierte schaltungen
DE2514922A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2754397A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes
DE1180015C2 (de) Mittel zur elektrischen Isolierung und ther-mischen Kontaktierung bei einer nach dem Seebeck- oder Peltier-Effekt arbeitenden thermoelektrischen Batterie
DE2151632A1 (de) Halbleiterbauteil mit schmelzbaren Verbindungen
DE1539282A1 (de) Elektronisches Material
DE1489283C (de) Kontaktstuck zur Kontaktierung von Thermoelementschenkeln
US3306784A (en) Epitaxially bonded thermoelectric device and method of forming same
DE1573720A1 (de) Elektro-mechanischer Wandler
DE2054542A1 (en) Tin-rich brazing alloy - for joining thermocouple members
EP2181465B1 (de) Thermoelektrischer generator
DE1489276A1 (de) Thermoelektrischer Generator
DE1539321C (de) Kontaktstuck zur Kontaktierung von Thermoelementschenkeln
DE1539333B1 (de) Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10259292B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines gleichmäßigen Kontaktes und damit hergestellter gleichmäßiger Kontakt
DE1483298C (de) Elektrische Kontaktanordnung zwi sehen einem Germanium Silizium Halbleiter korper und einem Kontaktstuck und Ver fahren zur Herstellung derselben
US3372469A (en) Method and materials for obtaining low-resistance bonds to thermoelectric bodies
DE463726C (de) Thermo-Element
US3238614A (en) Method of connecting contacts to thermoelectric elements
DE3616185C2 (de)
US3203772A (en) Electric conductive element bonded to thermoelectric element
DE1533375C (de) Kontaktstück aus einer Silizium-Vanadium-Legierung für einen Germanium-Silizium- Halbleiterkörper und Verfahren zur Kontaktierung des Halbleiterkörpers