DE1519767A1 - Verfahren zur Herstellung von Trichiten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von TrichitenInfo
- Publication number
- DE1519767A1 DE1519767A1 DE19661519767 DE1519767A DE1519767A1 DE 1519767 A1 DE1519767 A1 DE 1519767A1 DE 19661519767 DE19661519767 DE 19661519767 DE 1519767 A DE1519767 A DE 1519767A DE 1519767 A1 DE1519767 A1 DE 1519767A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- moisture
- trichites
- traces
- transport gas
- muffle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/62227—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres
- C04B35/62231—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Trichiten, insbesondere feuerfesten Oxydtrichiten, in einem ein
gebrochenes Metll enthaltenden und von einem Transportgas durchströmten
Muffelofen mit Wärmekreislauf hoher Temperatur nach Patent (Patentanmeldung C 36 077 VIb/80 c).
Die derzeitigen und zukünftigen Bedürfnisse an Werkstoffen mit großer mechanischer Festigkeit bei hoher Temperatur und von
geringem spezifischen Gewicht führt zu der Bereitung zusammengesetzter Materialien, deren Verstärk£element von fadenförmigem
Aussehen und monokristallin ist. Die fadenförmigen Kristalle haben nämlich eine große mechanische Festigkeit gezeigt, die
PROP 3676/DTN
009827/H39
sank 1 Bayer. Hypeth. u. weehMl-Bank Mum Nr. ·Μ» · *—*·
t-K»nte: MüiwMn 4MOi
nahe dem theoretischen Wert liegt, der aus den Gitterkonstanten
errechenbar ist.
An (keramischen oder metallischen) feuerfesten Trichiten vorgenommene Messungen haben «azeigt, daß die Aluminiumoxydtrichite
bei gewöhnlicher Temperatur ebenso wie bei 1 5000C nie· den höchsten Zugfestigkeitswert von bisher sämtlichen bekannten
Materialien besitzen. Bei gewöhnlicher Temperatur liegt er etwa bei 1 000 bis 2 000 kg/mm , gegen 1 500°C beträgt dieser
Wert etwa 200 kg/mm .
Die bereits früher von verschiedenen Autoren dur ^geführten
theoretischen Arbeiten über den kristallinen Wachstum haben erwiesen,
daß das Wachstum in Form von Trichiten ein besonderer Fall ist. Diese Wachstumsart kann nur erfolgen, wenn gewisse
physikochemische Bedingungen berücksichtigt werden wie Übersättigungsgrad, Temperaturgradient/ Gleichgewicht in der Zwischenphase,
Anwesenheit von Katalysatoren, Oberflächenkräfte usw. Im übrigen ist gefunden worden, daß die Trichite am häufigsten
ihren Ursprung aus in Dampfphasen vorliegenden chemischen Reaktionen
nehmen.
Für die Bereitung metallischer Oxyde sind mehrere Reaktions-Schemen
wie beispielsweise die unmittelbare Reaktion zwischen Sauerstoff und dem Metall, die Hydrolyse von Halogenverbindungen
009827/U39
bei hoher Temperatur usw. möglich. Um Trichite in beachtlichen
Mengen zu erhalten, ist es jedoch notwendig, unter genau definierten physikoehemisehen Wachstumsbedingungen zuarbeiten,
was eine chemische Reaktion mit Kinetik und leicht regelbaren Faktoren notwendig macht. Eine solche chemische Reaktion herbeizuführen,
ist Aufgabe der Erfindung.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird hier vor allem ein Verfahren der eingangs genannten Art vorgeschlagen, bei dem erfindungsgemäß
das gebrochene Metall geschmolzen und durch die intern Reaktionsmedium vorhandenen Feuchtigkeitsspuren oxydiert
wird. Zweckmäßig wird hierbei die zur Oxydation des geschmolzenen Metalls notwendige Feuchtigkeit in erster Linie den im Transportgas
enthaltenen Feuchtigkeitsspuren und zum andern den von der Reaktion in den Bestandteilen des Ofens, insbesondere dessen
Näpfchen und Muffel enthaltener Oxyde herrührenden Feuchtigkeitsspuren
entnommen. Vorzugsweise wird dabei die zweite Feuchtigkeitsquelle durch die an dem reduzierenden Transportgas wie
Wasserstoff erfolgende Reaktion der in den Näpfchen und in der Muffel enthaltenen Oxyde mit geringer freier Bildungsenthalpie
gebildet. Bei Durchführung dieses Verfahrens unter Verwendung von Katalysatoren zur Begünstigung des Wachstums der Trichite
ist es nach einem weiteren Merkmal von Vorteil, wenn die Katalysatoren in dem Behandlungstemperaturintervall einen sehr ge-
009827/U39
ringen Partialdruok besitzen und fest oder gasförmig sind.
Für die Durchführung des hier vorgeschlagenen Verfahrens lassen sich etwa folgende Versuchsbedingungen annehmen: Eine
gewisse Menge gebrochenen Metalls wird in ein Näpfchen aus feuerfestem keramischem Stoff (vorzugsweise Aluminium) eingebracht. Dieses Näpfehen wird in einen zwischen 1 200 und 1 60O0C
fc gehaltenen Ofen eingeführt; der Temperaturanstieg dieses Näpfchens beträgt hierbei etwa einige zehn Grad pro Minute. Der
Temperaturanstieg des Näpfchens ist nicht zwangsläufig an den Wärmeumlauf des Ofens geknüpft. Während der gesamten Dauer des
Versuchs läßt man ein Transportgas mit gewählter Feuchtigkeit auf das Näpfchen mit einer Leistung zwischen 50 und 1 000 cm/min
unter den gewöhnlichen Bedingungen strömen. Am Ende der Versuche beobachtet man an den Wänden des Näpfchens und der Muffel
Trichiten oder Plättchen. Diese wachsen vor allem an den Kanten und an den heißesten Wänden. Eine Prüfung im Mikroskop oder
™ durch Diffraktion zeigt, daß diese Fäden monokristallin sind.
Da übrigens diese Trichite in einem gewissen Abstand von der Metallquelle wachsten, kann man diese Tatsache der Bildung metastabiler flüchtiger Bestandteile zuschreiben.
Die Metallquelle könnte entsprechend gebrochenes Aluminium oder Beryllium sein; das Näpfchen soll eine solche Form
besitzen, daß es eine möglichst große Kristallisationefläche
009827/U39
bieten kann. Die erhaltene Trichitenmenge ist nämlich proportional
der Kristallisationsfläche. Die für die Oxydation des Aluminiums notwendige und zunächst die Suboxyde und anschließend
die Eisenhydroxyde bildende Feuchtigkeit stammt
von zwei Quellen, nämlich
a) den Feuchtigkeitsspuren der Transportgase (ursprünglich oder durch von selbst eintretende Verunreinigung, indem
man in einem unter Partlaldruck von Wasserdampf stehendes Medium des zuvor gereinigten Transportgases strömen läßt);
b) Feuchtigkeitaspuren, die aus der Reduktion von Oxyden unter
freier Bildungsenthalpie sich ergeben, die in den N^fchen und der Muffel enthalten und mit dem Pulver der Metallquelle
gut gemischt sind. Diese Reduktion erfolgt gleichzeitig durch das Transportgas, wenn es sich um ein Reduktionsmittel
(Wasserstoff, Methan usw.) handelt.
Die durch das Aluminium und den Wasserstoff zwischen . 1200 und l600°C reduzierbaren Oxyde können Siliziumoxyd,
Silikate, Zirkon, Titanoxyde usw. sein. Femer ist es zweckmäßig, daß die Oxyde in flüchtige Suboxyde reduziert werden,
was eine Übertragung des Materials auf Stellen hin ermöglicht, in denen der Übersättigungsgrad für das Wachstum der Trichite
begünstigt ist. Praktisch ist es möglich, Aluminiumtiegel zu
verwenden, die einen gewissen Prozentsatz an Siliziumoxyd ent-
- 6 0 0 9827/H39
halten, ebenso Tiegel aus Alumlniumsilikat usw. Eine Porösität
ist notwendig, um die Zersetzung der flüchtigen Suboxyde zu steigern und um als Beschleunigungsquellen für das Wachstum
der Trichite zu dienen.
Schließlich werden Kristallisationskatalysatoren verwendet; dies sind Oxydmetalle, die weniger feuerfeste Eutektika
liefern. Um ferner den Gehalt an diesen fließenden Oxydmitteln zu beschränken, ist es von Vorteil, nur diejenigen auszuwählen,
die Partialdrüoke in der Größenordnung von 0,01 bis 0,1 mmHg in dem Temperaturintervall von 1 200 bis 1 600°C besitzen. Die vorteilhaftesten
Metalle zur Katalyse der Kristallisation an Trichiten sind folgende: Ti, Si, Zr, Ta usw. Übrigens kann die
Kristallisation noch durch gasförmige Katalysatoren wie Feuchtigkeit, Salzsäure, Chlor usw. gesteigert werden. Die beiden letzteren
Gase bilden flüchtige Bestandteile der Metallquelle und bewirken ihren Transport. Durch Hydrolyse an geeigneten Stellen
werden die Halogenverbindungen in Oxydtrichite umgewandelt.
In der Literatur ist bereits erklärt te worden, daß das Aussehen der abgesetzten Kristalle gleichzeitig von dem
Übersättigungsgrad und von dem Wärmegradienten zwischen der '
Quelle und den Kristallisationsstellen abhängt. Es wurde diesseits beobachtet, daß die günstigsten Näpfchen eine große
Kristallisationsfläche besitzen, die auf möglichst hoher Temperatur
- 7 009827/U39
gehalten wird. Demgegenüber muß die Metallquelle an einer gegen Leitung« Konvektion und Strahlung thermisch isolierten
Stelle angeordnet werden. Praktisch ist es nützlich, zylindrische Tiegel mit in der zu den Mantellinien senkrechten Ebene veränderlicher Wandstärke zu verwenden. Eine andere günstige Form
ist ein Plättchen mit einer Rinne, die in seiner Mitielebene
eingebracht ist, die mit der Ebene der Achse des Ofens zusammenfjfällt. Die Metallquelle ist in dieser Rinne vorgesehen, was
sie thermisch isoliert und einen günstigen Wärmegradienten herzustellen gestattet.
In den nachstehenden Beispielen sind einige Erfahrungen bei der Durchführung des hier vorgeschlagenen Verfahrene niedergelegt.
Beispiel 1; Ein Näpfeheiinit etwa 10£ chemisch gebundenem
oder freiem Siliziumoxyd wird mit 5g Aluminiumpulver beladen.
Dieses Näpfchen wird progressiv in einen auf 1 250°C gehaltenen
Ofen eingebracht und mit einem gereinigten Wasserstoffstrom
mit einer Leistung von 300 cm/min bespült. Am Ende von zwei Stunden wird dieses Näpfchen aus der Arbeltszone des Ofens zurückgezogen. Man beobachtet an den Rändern feine Aluminiumoxydtrichite,
deren Waohstumsachse mit der Achse 0001 zusammenfällt. OberhXäb des Metallpulvers in einem Abstand to η etwa lmm hat sich ein
Wuchs einer Art weißlicher Wolle eingestellt, die mit Trichiten
- 8 -009827/U39
äußerst geringer Abmessungen (Länge 10/L, Durchmesser 0
zusammengesetzt ist.
Beispiel 2; Bei einem weiteren Versuch wurde ein Plättchen
aus feuerfestem Aluminiumsilikat benutzt, auf dem j5 g einer
Al-,Ti-Legierung niedergeschlagen worden sind. Dieses Plättchen
wurde in einen auf 1 j55O°C gehaltenen Ofen während einer Stunde
eingeführt. Nach dem Versuch wurde es aus ihm wieder herausgezogen. Man hat in dem oberen Bereich eine Ansammlung von AIuminlumoxydkristallen
mit der Trichitform in feinsten Plättchen beobachtet, ebenso aber auch Dendrite in großer Menge. Nichtsdestoweniger
sah man einen gelbbronzenen Rest, der aus einer A 1,Ti-Legierung bestand, die nicht in Aktion getreten war.
Beispiel 3; Um den Wert des Wärmegradienten und die Kristallisationsfläche
zu verbessern, wurde auch wie folgt verfahren: Auf einem ebenen Träger aus feuerfestem Metall, vorzugs-.
weise Molybdän, wurde nacheinander ein Plättchen aus feuerfestem Aluminiumsilikat und zwei kleine Näpfchen aus gesintertem Aluminium
abgesetzt. Das eine dieser kleinen Näpfchen wurde mit 2 g Aluminiumpulver, das andere mit einer Mischung aus Siliziumoxyd
und Silizium beladen. Das Gesamte wurde dann in einem Ofen auf 1 575 C während vier Stunden gebradit. Am Ende des Versuches
konnte man einen bedeutenden Wuchs von Trichiten auf dem AIuminiumsilikatplättchen
beobachten.
- 9 009827/U39
Beispiel 4; Während dieses Versuches wurde in einen Kalten
Ofen ein Näjfchen der gleichen Art wie beim BeispM 1 eingebracht,
jedoch mit 5S einer Al^Zr-Legierung beladen. Der Tempera
turanstieg des. Näpfchen folgte dem des Qßns. Anschließend wurde der Ofen über 2k Stunden auf 1 4500C gehalten und sodann auf
die Umgebungstemperatur zurückgeführt. Nach Herausziehen des Näpfchens aus dem Ofen konnte man an seinen Rändern das Vorhandensein
von scharfen Plättchen beobachten, die mehrere Zentimeter
Länge erreichten. Bei diesem Versuch waren diese Plättchen und Dendritejii in geringen Mengen zerbrechlich.
0 09827/143 9
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von Trichiten, Insbesondere feuerfesten
Oxydtriohiten, in einem ein gebrochenes Metall enthaltenden und von einem Transportgas durchströmten Muffelofen
mit Wärmekreislauf hoher Temperatur nach Patent ..... (Patentanmeldung G 36 077 VIb/80c), dadurch gekennzeichnet,
daß das gebrochene Metall geschmolzen und durch die in dem Reaktionsmedium vorhandenen Feuchtigkeitsspuren oxydiert wird,
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Oxydation des geschmolzenen Metalls notwendige Feuchtigkeit
in erster Linie den im Transportgas enthaltenen Feuchtigkeitsspuren und zum anderen den von der Reaktion in den
Bestandteilen des Ofens, insbesondere dessen Näpfchen und Muffel enthaltener Oxyde herrührenden Feuchtigkeitsspuren entnommen wird»
Bestandteilen des Ofens, insbesondere dessen Näpfchen und Muffel enthaltener Oxyde herrührenden Feuchtigkeitsspuren entnommen wird»
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Feuchtigkeitsquelle durch die an dem reduzierenden
Transportgas erfolgende Reaktion der in den Näpfchen und
in der Muffel enthaltenen Oxyde gebildet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 unter Verwen-
- 11 -
009827/U39
dung von Katalysatoren zur Begünstigung des Wachstums der Trichite, dadurch gekennzeichnet, daß der Katalysator
in dem Behandlungstemperaturintervall einen sehr geringen Partialdruck besitzen und fest oder gasförmig
sind.
ORIGINAL INSPECTED
009827/U39
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8402A FR87529E (fr) | 1965-03-09 | 1965-03-09 | Perfectionnements à la fabrication des trichites |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1519767A1 true DE1519767A1 (de) | 1970-07-02 |
Family
ID=8573229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661519767 Pending DE1519767A1 (de) | 1965-03-09 | 1966-03-09 | Verfahren zur Herstellung von Trichiten |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE677107A (de) |
DE (1) | DE1519767A1 (de) |
FR (1) | FR87529E (de) |
NL (1) | NL6603001A (de) |
-
1965
- 1965-03-09 FR FR8402A patent/FR87529E/fr not_active Expired
-
1966
- 1966-02-28 BE BE677107D patent/BE677107A/xx unknown
- 1966-03-08 NL NL6603001A patent/NL6603001A/xx unknown
- 1966-03-09 DE DE19661519767 patent/DE1519767A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE677107A (de) | 1966-08-29 |
NL6603001A (de) | 1966-09-12 |
FR87529E (fr) | 1966-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1667657C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbidwhiskers | |
WO2019011358A1 (de) | Verfahren zur herstellung von nicht oxidischen, keramischen pulvern | |
DE3390374T1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Erzeugung von Silizium aus Fluorkieselsäure | |
DE2736861C3 (de) | Polykohlenstofffluoride und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE2528869C3 (de) | Sinterkörper auf der Basis von Siliziumnitrid und ein Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1471035B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines feuerfesten Formkoerpers | |
DE3719515A1 (de) | Oxidationsbeständiger Körper aus Kohlenstoff und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DD159764A5 (de) | Verfahren zur herstellung eines siliciumdioxid und kohlenstoff enthaltenden vorproduktes fuer die silicium-und/oder siliciumcarbiderze ugung | |
DE2833909C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von aktivem Borcarbid enthaltendem Siliziumcarbidpulver | |
DE1769322A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbid-Whiskerkristallen | |
Mukhanov et al. | Self-propagating high-temperature synthesis of boron subphosphide B 12 P 2 | |
DE3100554A1 (de) | Hochreines siliciumnitrid und verfahren zu seiner herstellung | |
DE1519767A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Trichiten | |
DE2160670A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Halbleiterkörpern | |
DE2461821C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von hexagonalem Bornitrid | |
DE3013045A1 (de) | Verfahren zur herstellung massiver, perfekter einkristallbirnen aus gadolinium-gallium-granat | |
DE2129167A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von SiIi ciumcarbid Whiskern | |
DE1955683C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von faserförmigem Siliciumcarbid | |
EP0423345A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines hochschmelzenden anorganischen überzuges auf der werkstückoberfläche | |
DE1433101B2 (de) | Verfahren zur Bildung von Hydriden in einem Legierungsteil, das aus Zirkonium und Uran besteht | |
DE1592114A1 (de) | Herstellungsverfahren fuer Fasern aus Spinell | |
DE1667761B2 (de) | Verfahren zur herstellung von graphit extrem hoher reinheit | |
DE2617288C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Aluminatspinell-Fadeneinkristallen und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE1667761C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Graphit extrem hoher Reinheit | |
DE1567959C (de) | Verfahren zur Herstellung von dichtem hochreinem Natriumcarbonat |