DE1519393A1 - Verfahren zum Abloesen eines Photolackes - Google Patents

Verfahren zum Abloesen eines Photolackes

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DE1519393A1
DE1519393A1 DE19641519393 DE1519393A DE1519393A1 DE 1519393 A1 DE1519393 A1 DE 1519393A1 DE 19641519393 DE19641519393 DE 19641519393 DE 1519393 A DE1519393 A DE 1519393A DE 1519393 A1 DE1519393 A1 DE 1519393A1
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DE
Germany
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photoresist
solvent
brush
semiconductor
paint
Prior art date
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Pending
Application number
DE19641519393
Other languages
English (en)
Inventor
Froeschle Dipl-Phys Dr Ernst
Wolf Dipl-Phys Josef
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Publication date
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Publication of DE1519393A1 publication Critical patent/DE1519393A1/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D9/00Chemical paint or ink removers
    • C09D9/005Chemical paint or ink removers containing organic solvents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

  • "Verfahren zum Ablösen eines Photolackes"
    Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ablösen eines
    auf einer Unterlage, insbesondere der Oberfläche eines
    Halbleiterkörpers befindlichen Photolackes durch
    mechanische Bearbeitung unter Verwendung eines Lö-
    sungsmittels.
    In der Halbleitertechnik werden bekanntlich Photolacke
    zum Maskieren und selektiven fitzen von Halbleiter-
    körpern oder von auf deren Oberfläche befindlichen
    Oxydschichten verwendet. Dies gilt vor allem f är die
    Herstellung von Mesa- oder Planarstrukturen. Bei der
    Entfernun-- des Photolackes ist darauf zu achten, daß
    dieser möglichst schonend entfernt wird, damit die Halb-
    . 9i.rteroberfläche oder eine auf der Halbleireroberfl.i3lze
    @=:_' Lxi-? iche Oxydociiclit n:ctit bes c'ri:äciigt wi..-:
    Noch empfindlicher als Halbleiteroberflächen oder oxydierte Halbleiteroberflächen sind in Dünnf ilmtectinik hergestellte Schaltelemente wie Leitbahnen, Kondensatoren oder Widerstände, die mit Hilfe einer Photolackmäskierung galvanisch, chemisch oder durch Aufdampfen auf Halbleiterkörper oder aus Isoliermaterial bestehende Trägerkörper aufgebracht werden. Solche metallische Strukturen besitzen meist eine sehr geringe Haftfestigkeit, sodaß sie durch mechanische Beanspruchung beim Entfernen des Photolackes beschädigt werden können.
  • Die belichteten Photolacke lassen sich meistens in organischen Lösungsmitteln_nicht lösen, da sie in diesen nur aufquellen. Nach einem bekannten Verfahren erfolgt die Ablösung der Photolacke dadurch, daß man den Lack in einem Lösungsmittel aufquellen läßt und anschließend mit einem Pinsel oder Wattebausch, welcher zuvor in einem Lösungsmittel getränkt worden ist, abreibt. Dabei verhaken sich die Haare des Pinsels beziehungsweise die Fasern der Watte mit Unebenheiten oder Rändern der Photolackschicht, die dadurch. vom Pinsel oder Wattebausch
    beiui Abreiben mitgenowmen wird. Da beim. Abpinseln ein
    starker Druck auf den k'Iri:e1 oaeryatt@ek@@au:,cli =.usge@ibr
    unter dem Lack befindlichen Oberfläche beschädigt oder die letzten Lackreste nicht entfernt. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn das Abpinseln nicht unter dem Mikroskop bei starker Vergrösserung Überwacht wird.
  • Zur Vermeidung dieser Nachteile wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß dem Lösungsmittel ein Stoff zugegeben wird, der die Viskosität der Lösung erhöht. Untersuchungen haben nämlich ergeben, daß der Lack viel schonender abgelöst*werden kann, wenn die zum Ablösen notwendigen Schubkräfte durch die innere Reibung einer hochviskosen Flüssigkeit übertragen werden. Da die Lackschicht aufgrund der inneren Reibung dieser Flüssigkeit auch an den Stellen mitgenommen wird, an denen die Pinselhaare den Lack nicht berühren, ist bei Verwendung einer hochviskosen Flüssigkeit nach der Erfindung der erforderliche Pinseldruck wesentlich kleiner. Ausserdem ist die Lackentfernung nach der Erfindung auch bei empfindlichen Strukturen ohne mikroskopische Beobachtung möglich. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß*die Entfernung des Lacke weniger Zeit in Anspruch nimmt, da durch die beanspruchte Lösung die Lackentfernung bei einem Wafer mit beispielsweise 8oo Systemen von über 2 Stunden auf nunmehr 2 Minuten reduziert werden kann.
  • Besonders vorteilhaft ist es, wenn gemäß einer .
  • Weiterbildung der Erfindung das Lösungsmittel, in das der die Viskosität erhöhende Zusatzstoff eingebracht wird, aus einer leicht flüchtigen Flüssigkeit besteht. Dies hat den Vorteil, saß die Lösung beim Aufbringen noch dünnflüssig ist, während sie im Verlauf des Abpinselns durch Verflüchtigung des Lösungsmittel immer zäher wird.
  • Der dem Lösungsmittel zugesetzte Stoff ist so zu wählen, saß er keine im Lösungsmittel unlöslichen Bestandteile enthält und saß er keine Rückstände auf der Unterlage nach dem Spülen mit dem Lösungsmittel hinterläßt.
  • Diese Forderung sowie die Forderung nach Erhöhung der Viskosität des Lösungsmittel erfüllt beispiels-weise Picein, vor allem wenn es in Verbindung mit Tetrahydrofuran als Lösungsmittel verwendet wird. Untersuchungen haben nämlich ergeben, saß das Ab-
    lösen des Photolackes viel schneller und müheloser
    vor sich geht, wenn dem Tetrahydrofuran zur Erhöhung
    der Viskosität Picein zugesetzt wird. Yorallem ist
    es dann nicht mehr erforderlich, das Ablösen des
    Photolackes unter dem Mikroskop vorzunehmen, sondern
    es genügt, das Ablösen unter dem Mikroskop lediglich
    zu überwachen.
    Hie Erfindung soll an einem AusfÜhrungabeispiel in
    Verbindung mit der Figur näher erläutert werden.
    Die Figur zeigt einen Hal bleitdrkörper 1 aus Germa-
    nium oder Silizium, auf dessen Oberfläche zur Kontak-
    tierung von im Halbleiterkörper befindlichen Zonen
    die Metallschichten 2 und 3 abzuscheiden sind. Um
    die Metallabacheidung auf ganz bestimmte Bereiche der
    Halbleiteroberfläche zu beschränken, wird die gesamte
    leiteroberfiäche zunächst mit einem Photolack 4
    abgedeckt. Als Photolacke können beispielsweise die
    im del erhältlichen. Kodak.acke "Resifaa A" und
    "Orthflreaiat" verwendet werden. Nach dem Aufbringen
    der Photolackschicht wird derjenige Teil dieser
    Schicht belichtet, der bei der M%tallabseheidung auf
    der Halbleiteroberfläche verbleibt und eine Metall-
    abecbeidung verhindern soll. Die bekannten Photolacke
    haben nämlich die Eigenschaft, daß sich die nicht ' belichteten Teile des Lackes bei dem auf die Belichtung folgenden Entwickeln von der Unterlage lösen. Dadurch wird es möglich, daß der Metallbelag nur an vorgegebenen Stellen, nämlich da, wo der Photolack beim Entwickeln herausgelöst worden ist, mit der Halbleiteroberfläche in Berührung kommt und an ihr haften bleibt. -Nach der Metallabscheidung ist schließlich noch der .auf der Halbleiteroberfläche verbliebene Photolack zu entfernen. Zu diesem Zweck wird die Photolack-schicht in einem beispielsweise aus Tetrahydrofuran bestehenden Lösungsmittel aufgeweicht, indem der Halbleiterkörper in dieses Lösungsmittel eingetaucht Wird. Nachdem Aufweichen wird die Lackschicht durch Abreiben mit einem Pinsel entfernt.
  • In der Praxis wird beispielsweise so verfahren, daß das Picein in dem Lösungsmittel gelöst-, der Pinsel in diese Lösung eingetaucht und dqr Photolack mit Hilfe den Pinsele von der Halbleiteroberfläche entfernt wird. Da die Systeme sehr kleine Abmessungen haben, wird mit Hilfe eines Mikroskopes überprüft, ob der Photolack auch tatsächlich vollkommen von der Halbleiteroberfläche entfernt worden ist. Die Verwendung des Zusatzstoffes Picein macht es. jedoch überflüssig, das Ablösen des Photolackes ständig unter dem Mikroskop zu überwachen.

Claims (4)

  1. P a t e n t ä n s p r ü c h e 1) Verfahren zum Ablösen eines auf einer Unterläget insbesondere der Oberfläche eines Halbleiterkörpers befindlichen Photolackes durch mechanische Bearbeitung unter Verwendung eines Lösungsmittels, dadurch gekennzeichnet, daß dem Lösungsmittel ein Stoff zugegeben wird, der die Viskosität der ijösung erhöht.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 'I ! dadurch gekennzeichnet, daß dem Lösungsmittel Picein zugegeben wird.
  3. 3) Verfahren nach Anspruch ') oder 29 dadurch Bekennzeichnet, daß das Lösungsmittel aus Tetrahydröfuran besteht.
  4. 4) Anwendung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche beim Abreiben des 1hotoiackes mit Hilfe eines Pinsels oder eines 'Nahebausches, 5) Verfahren nach Anspruch 41 dadurch gekennzeichnet-, daß ein Pinsel. in die Lösung getaucht und anschließend der Photolack von der Unterlage mit Hilfe eineb Pinsele abgtrieben wird:
DE19641519393 1964-03-03 1964-03-03 Verfahren zum Abloesen eines Photolackes Pending DE1519393A1 (de)

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DET0025737 1964-03-03

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DE1519393A1 true DE1519393A1 (de) 1970-12-23

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ID=7552274

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19641519393 Pending DE1519393A1 (de) 1964-03-03 1964-03-03 Verfahren zum Abloesen eines Photolackes

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DE (1) DE1519393A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0103808A1 (de) * 1982-09-07 1984-03-28 J.T. Baker Chemical Co. Entschichtungsmittel und Verfahren zum Entschichten einer Photoresistschicht
EP0382032A2 (de) * 1989-02-09 1990-08-16 Bayer Ag Mikrostrukturierung von Polymer-Metallverbundschichten

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0103808A1 (de) * 1982-09-07 1984-03-28 J.T. Baker Chemical Co. Entschichtungsmittel und Verfahren zum Entschichten einer Photoresistschicht
EP0382032A2 (de) * 1989-02-09 1990-08-16 Bayer Ag Mikrostrukturierung von Polymer-Metallverbundschichten
EP0382032A3 (de) * 1989-02-09 1991-12-04 Bayer Ag Mikrostrukturierung von Polymer-Metallverbundschichten

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