DE1519393A1 - Verfahren zum Abloesen eines Photolackes - Google Patents
Verfahren zum Abloesen eines PhotolackesInfo
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D9/00—Chemical paint or ink removers
- C09D9/005—Chemical paint or ink removers containing organic solvents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Description
-
"Verfahren zum Ablösen eines Photolackes" Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ablösen eines auf einer Unterlage, insbesondere der Oberfläche eines Halbleiterkörpers befindlichen Photolackes durch mechanische Bearbeitung unter Verwendung eines Lö- sungsmittels. In der Halbleitertechnik werden bekanntlich Photolacke zum Maskieren und selektiven fitzen von Halbleiter- körpern oder von auf deren Oberfläche befindlichen Oxydschichten verwendet. Dies gilt vor allem f är die Herstellung von Mesa- oder Planarstrukturen. Bei der Entfernun-- des Photolackes ist darauf zu achten, daß dieser möglichst schonend entfernt wird, damit die Halb- . 9i.rteroberfläche oder eine auf der Halbleireroberfl.i3lze @=:_' Lxi-? iche Oxydociiclit n:ctit bes c'ri:äciigt wi..-: - Die belichteten Photolacke lassen sich meistens in organischen Lösungsmitteln_nicht lösen, da sie in diesen nur aufquellen. Nach einem bekannten Verfahren erfolgt die Ablösung der Photolacke dadurch, daß man den Lack in einem Lösungsmittel aufquellen läßt und anschließend mit einem Pinsel oder Wattebausch, welcher zuvor in einem Lösungsmittel getränkt worden ist, abreibt. Dabei verhaken sich die Haare des Pinsels beziehungsweise die Fasern der Watte mit Unebenheiten oder Rändern der Photolackschicht, die dadurch. vom Pinsel oder Wattebausch
beiui Abreiben mitgenowmen wird. Da beim. Abpinseln ein starker Druck auf den k'Iri:e1 oaeryatt@ek@@au:,cli =.usge@ibr - Zur Vermeidung dieser Nachteile wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß dem Lösungsmittel ein Stoff zugegeben wird, der die Viskosität der Lösung erhöht. Untersuchungen haben nämlich ergeben, daß der Lack viel schonender abgelöst*werden kann, wenn die zum Ablösen notwendigen Schubkräfte durch die innere Reibung einer hochviskosen Flüssigkeit übertragen werden. Da die Lackschicht aufgrund der inneren Reibung dieser Flüssigkeit auch an den Stellen mitgenommen wird, an denen die Pinselhaare den Lack nicht berühren, ist bei Verwendung einer hochviskosen Flüssigkeit nach der Erfindung der erforderliche Pinseldruck wesentlich kleiner. Ausserdem ist die Lackentfernung nach der Erfindung auch bei empfindlichen Strukturen ohne mikroskopische Beobachtung möglich. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß*die Entfernung des Lacke weniger Zeit in Anspruch nimmt, da durch die beanspruchte Lösung die Lackentfernung bei einem Wafer mit beispielsweise 8oo Systemen von über 2 Stunden auf nunmehr 2 Minuten reduziert werden kann.
- Besonders vorteilhaft ist es, wenn gemäß einer .
- Weiterbildung der Erfindung das Lösungsmittel, in das der die Viskosität erhöhende Zusatzstoff eingebracht wird, aus einer leicht flüchtigen Flüssigkeit besteht. Dies hat den Vorteil, saß die Lösung beim Aufbringen noch dünnflüssig ist, während sie im Verlauf des Abpinselns durch Verflüchtigung des Lösungsmittel immer zäher wird.
- Der dem Lösungsmittel zugesetzte Stoff ist so zu wählen, saß er keine im Lösungsmittel unlöslichen Bestandteile enthält und saß er keine Rückstände auf der Unterlage nach dem Spülen mit dem Lösungsmittel hinterläßt.
- Diese Forderung sowie die Forderung nach Erhöhung der Viskosität des Lösungsmittel erfüllt beispiels-weise Picein, vor allem wenn es in Verbindung mit Tetrahydrofuran als Lösungsmittel verwendet wird. Untersuchungen haben nämlich ergeben, saß das Ab-
lösen des Photolackes viel schneller und müheloser vor sich geht, wenn dem Tetrahydrofuran zur Erhöhung der Viskosität Picein zugesetzt wird. Yorallem ist es dann nicht mehr erforderlich, das Ablösen des Photolackes unter dem Mikroskop vorzunehmen, sondern es genügt, das Ablösen unter dem Mikroskop lediglich zu überwachen. Hie Erfindung soll an einem AusfÜhrungabeispiel in Verbindung mit der Figur näher erläutert werden. Die Figur zeigt einen Hal bleitdrkörper 1 aus Germa- nium oder Silizium, auf dessen Oberfläche zur Kontak- tierung von im Halbleiterkörper befindlichen Zonen die Metallschichten 2 und 3 abzuscheiden sind. Um die Metallabacheidung auf ganz bestimmte Bereiche der Halbleiteroberfläche zu beschränken, wird die gesamte leiteroberfiäche zunächst mit einem Photolack 4 abgedeckt. Als Photolacke können beispielsweise die im del erhältlichen. Kodak.acke "Resifaa A" und "Orthflreaiat" verwendet werden. Nach dem Aufbringen der Photolackschicht wird derjenige Teil dieser Schicht belichtet, der bei der M%tallabseheidung auf der Halbleiteroberfläche verbleibt und eine Metall- abecbeidung verhindern soll. Die bekannten Photolacke - In der Praxis wird beispielsweise so verfahren, daß das Picein in dem Lösungsmittel gelöst-, der Pinsel in diese Lösung eingetaucht und dqr Photolack mit Hilfe den Pinsele von der Halbleiteroberfläche entfernt wird. Da die Systeme sehr kleine Abmessungen haben, wird mit Hilfe eines Mikroskopes überprüft, ob der Photolack auch tatsächlich vollkommen von der Halbleiteroberfläche entfernt worden ist. Die Verwendung des Zusatzstoffes Picein macht es. jedoch überflüssig, das Ablösen des Photolackes ständig unter dem Mikroskop zu überwachen.
Claims (4)
- P a t e n t ä n s p r ü c h e 1) Verfahren zum Ablösen eines auf einer Unterläget insbesondere der Oberfläche eines Halbleiterkörpers befindlichen Photolackes durch mechanische Bearbeitung unter Verwendung eines Lösungsmittels, dadurch gekennzeichnet, daß dem Lösungsmittel ein Stoff zugegeben wird, der die Viskosität der ijösung erhöht.
- 2) Verfahren nach Anspruch 'I ! dadurch gekennzeichnet, daß dem Lösungsmittel Picein zugegeben wird.
- 3) Verfahren nach Anspruch ') oder 29 dadurch Bekennzeichnet, daß das Lösungsmittel aus Tetrahydröfuran besteht.
- 4) Anwendung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche beim Abreiben des 1hotoiackes mit Hilfe eines Pinsels oder eines 'Nahebausches, 5) Verfahren nach Anspruch 41 dadurch gekennzeichnet-, daß ein Pinsel. in die Lösung getaucht und anschließend der Photolack von der Unterlage mit Hilfe eineb Pinsele abgtrieben wird:
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0025737 | 1964-03-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1519393A1 true DE1519393A1 (de) | 1970-12-23 |
Family
ID=7552274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19641519393 Pending DE1519393A1 (de) | 1964-03-03 | 1964-03-03 | Verfahren zum Abloesen eines Photolackes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1519393A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0103808A1 (de) * | 1982-09-07 | 1984-03-28 | J.T. Baker Chemical Co. | Entschichtungsmittel und Verfahren zum Entschichten einer Photoresistschicht |
EP0382032A2 (de) * | 1989-02-09 | 1990-08-16 | Bayer Ag | Mikrostrukturierung von Polymer-Metallverbundschichten |
-
1964
- 1964-03-03 DE DE19641519393 patent/DE1519393A1/de active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0103808A1 (de) * | 1982-09-07 | 1984-03-28 | J.T. Baker Chemical Co. | Entschichtungsmittel und Verfahren zum Entschichten einer Photoresistschicht |
EP0382032A2 (de) * | 1989-02-09 | 1990-08-16 | Bayer Ag | Mikrostrukturierung von Polymer-Metallverbundschichten |
EP0382032A3 (de) * | 1989-02-09 | 1991-12-04 | Bayer Ag | Mikrostrukturierung von Polymer-Metallverbundschichten |
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