DE1489172A1 - Elektronenvervielfachungselektrode und mit einer solchen Elektrode versehene Elektronenroehre - Google Patents
Elektronenvervielfachungselektrode und mit einer solchen Elektrode versehene ElektronenroehreInfo
- Publication number
- DE1489172A1 DE1489172A1 DE19641489172 DE1489172A DE1489172A1 DE 1489172 A1 DE1489172 A1 DE 1489172A1 DE 19641489172 DE19641489172 DE 19641489172 DE 1489172 A DE1489172 A DE 1489172A DE 1489172 A1 DE1489172 A1 DE 1489172A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- light
- electrode according
- cathode
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/023—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof secondary-electron emitting electrode arrangements
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Description
- "Elektronenvervielfachungselektrode und mit einer solchen Elektrode versehene Elektronenrührei'
Die Erfindung betrifft eine Elelitronenvervie3.fachLtr@selelrtrode für einen elektronischen Bildwandler und eine i-it einer solchen L@Fl@trode versebene elektronische Jildrölire. Eine Elektronenvervielfachurir-,seleictrode, die zur Verstärkung eines -#..l ektronenstronis von einer 2aektronenquelle, @;. B. einer photoelektrischen Kathode, nach einem Auffangschirm aus Leucht- stoff dient, besteht aus einer dlinnen Blatte aus Glas oder eineri anderen L-ihnlichen :tIaterial;mit hohem elek-trisclieni iii- dertand, die auf beiden Seiten i:iit leitenden Flächen über- zogen Lund mit einem Netzwerk aneinander iiahelieJender, enger i@an@@le versehen ist, die sich zwischen den beiden Seiten er- strechen. Die Elektronenvervielfachung erfolgt in den Kanälen uizä ::ird durch Zunahme der Elelltronengesch@:.rindigkeit und durch Sekundäremission an den Stellen, 2.n denen die Elektronen die '7axidfll,chen im Innern der Kanäle treffen, hervorgerufene Die Sekunt-i,_remigsion kann durch Anbringung eines sekundäremittie.. renden Materials auf den Innenflächen gefördert werden. In einer Elektronenstrahlröhre für Bildwandlung oder Bildver- stiarkung wird eine solche Elektronenvervielfachungselektrode gemeinsam reit einer Elektronen emittierenden Kathode benutzt, die in einem kurzen Abstand parallel zu dieser Elektrode ange- ordnet ist, wobei die Elektronen emittierende Oberfläche auf der Röhrenwand oder auf einem getrennten Träger " angebracht ist. Bei der Herstellung der Röhre vrird diese Anordnung durch getrennte i=er,@-tellung der photoelektrischen ILathode, eile in der Röhre .auf der i'iDrzd angebracht werden soll, oder durch An- bringung der Kathode auf einem `lr@',,ger erhalten, der aachtri.g- lich in der Rülire untergebracht wird. Die Erfindung bezweckt, eine Verbesserung zu schaffen, die eine wesentliche Verein- fachung der ^.rbeitsvorgri@e mit sich bringt, die bei der I:er- stellung eines solcho-li Dildwandlers durchgeführt @rrerdeii missen. uemUß der Erfindung ist die Elektronenv,#rvi -:af a.cliun,,_;2el ektrode leichzeiti- der Trci-er der j:riotoel ektriscr.en i,athode. Die die photoele?Ltri:;crie Kathode tr;genden Oberfläcr._en können eine der Setenfl-'cticii uu:L' der der Strahlenquelle zugewandten Seite, die Inncnfläcrieli der l@Enö,le ode-@ sowohl eine Seiten- fläche und die Iiirie_zflcl chen der Llekt°oiLenvervic:lfacriungselek- trode sein. Es sind versch."leize Ausführunsformen ri;j@;lich, bei denen eine wirl.-same Urvriiidlun" Jer eiiL -#llenden Strahlung in Photoemission erzielt wird; die Einzelheiten werden in der nachfolgenden Beschreibung der Figuren ii':her erläutert. In der Zeichnung zeigen Fig. 1 einen elektronischen Bildwandler mit einer Llektronen- vervi elf achun Esel ekt ro de nach der Erfindung, Fig. 2 einen Schnitt dieser Elektrode, Fig. 3 die photoelektrische Kathode als Überzug einer Außen- fläche, Fib. 4 die photoelektrische Kathode auf der Innenfläche der Kanäle, - Die stark vereinfachte Ausführungsform eines elektrischen Bild-Wandlers nach Fig. 1 hat eine gewöhnlich aus Glas hergestellte Hülle 1, die zwei ebene Stirnwände 2 und 3 besitzt. Die Iüille umfaßt einen entlüfteten Rau.,n, in dem die Elektronenvervielfac'=ungselektrode 4 untergebracht ist. Die Stirnwand 2 der Hülle ist mit einer leitenden Schicht 5 überzogen, die für Strahlung durchlässig ist, d. h. für sichtbares oder unsichtbares Licht oder :'ür aridere bilderzeugende Strahlung. Die Strahlung des Gegenstandes 6 wird mittels der Linse 7 gebündelt und auf eine Seitenflüche 8 der Elektrode 4 geworfen.
- Die andere Stirnwand 3 der Hülle L ist mit einem Leuchtschirm 9 überzogen, in dem Bleä@tronenenereie in lumineszierendes Zi-ht umgewaxidelt wird, das von der Außenseite her beobach tot ;erden kanni dies ist durch den t?feil 10 angedeutet.
- Der mittlere Teil der Röhre wird von der Elektronenvervielfachungselektrode 4 eingenommen, die auf beiden Seiten mit :letallbelägen 11 und 12 überzogen ist.
- Eine S,@annungsc.uelle 13 erteilt dem Belag 11 ein höheres Potential als das der leitenden Schicht 5 auf der Yland 2 der hülle 1, und die Spannungsquelle 14 führt dem Belag 12 ein höheres Potential zu. Z-;iischen dem Belag 12 und einer durch.-
sicli,igen leitenden *Unt(z-;rl@";e des l@cuchtsc-iiriiies 9 lieft eine15. In de--.i Ausf;lirungsbeis#,)iel nach I'1.-.. ` ist die leitende 1'1ä- c@le 11 ?#it einer r@@otoelel@ tri scl en t@Jtliode 8 überzogen. Die .hoto'_lathode 6 ist eine lioinoge_e Schicht, welche die Oberfl-,che 11 Mit AusnaLT,-,e C!er Üffnungen in dem Belag 11 überdeckt, die ihrerseits zu den il-anä,len in.cia liöry@er der Elehtrode führen. Die beim l.ro jizieren eines Lichtbildes auf die Photokathode an c:er 1d t1lodenoberfläche ausgelösten rllotoeleltr onerl treten in ei-"12r c'_-tiulg her@.us, die von den 1%a11,len abgewandt ist. Auf dieser. Seite ist auf üie --'liotoh:3.tiode #3 ein elektrisches Felderic':.tet, das die Elelztrciien in Richtung r.uf die Xar?@le ablenkt. Der Feldverlauf an den Eingän;@en der Kanäle infolge der elektrischen Spannung zwischen den Belägen 11 und 12 1Lann mehr oder weniger ausreichend sein, um "ie Elel:tronenb,a-nen abzulenken; in diesem falle können nötigenfalls die leitende Schicht 5 auf der VTwld 2 und die S7oaianungsquelle 13 wegge- lassen vierden. Für einige der unter der Wirkung der einfallen- den Strahlung 16 ausgelösten Elei,-tronen sind die Bahnen 17 dargestellt. Die Elektronenvervielfachung in den Kanälen 18 wird durch üie heraustretenden Pfeilbündel 19 angedeutete Das Richtfeld an den Eingängen der Kanäle hat keine Wirkung, wenn gemäß Fig. 5 die Innenflächen der Kanäle mit photoemittie- rendem r"Lathoden.material überzogen sind. Ein solches Feld und der leitende Belag 5 mit der Spannungsquelle 13 können dann. weggelassen werden. Eine photoelektrische Kathode, die sowohl die Seitenfläche 11 als auch die Innenflächen der Kanäle wenigstens teilweise ab-* deckt, (siehe Fig. 4) wird nachstehend weiter erläutert. Einige Einzelheiten. können den Erscheinungen der Photoemission elltnoliimen werden, die wichtige sind .für die `;eise, in der ein l;lilichst grot@er Teil der einfallenden Lichtstrahlen in Pho- toelektronen =gewandelt wird. Die Umwandlung von Licht in M_zotoemission bringt init sich, daß aus der photoelektriscj'len Schient Photoelektronen beim Eindringen der Lichtstrahlen in die Schicht G.us@elöst werden. Ain meisten LIblicl-: sind Photo- k,-,,thoden, ciiie der Austrittseite des Lichtes emittieren und @:uf einem durchsicIlti@en Glasträger anJebracht sind. Sie 'Laben eine Dicke von einigen Iundert @. Eine solche Photo- kathode hat eine Quantenausbeute von etwa 10 %, so daß viele Lichtstrahlen ungenutzt die Ehotokathoeie ve.--lassen. Eine Zu- nahme der Lichtabsorption durch Vergrößerurls: der Schichtdicke bietet =wenig Vorteil, da weniger Ele'ttronen llit einer zum Austreten ausreiclhenden Energie die Oberf15che erreichen. Eine höhere Quantenausbeute ergibt sich, wenn die in die Photo- katiiode eindringende Stra'ilung reflektiert und -Nieder durch äie #Oirltrittsflä ehe geführt wird. Die Strl-""lilen 20 und 21 in lösen Photoelektronen aus der E#intrittsf-L;3che aus, der Lichtstrahl 22 hat die öleiche Folge, aber hat dann infolge der Reflexion an der Oberfläche der leitenden Schicht 11, auf der c.>," Photokathodenmwterial Lerngebracht ist, die photoeleli- trische Schicht 8 bereits zweimal durchquert. Eine Erhöhung der Ausbeute ergibt sich weiter, wenn die Photo- ka.tr_odenfl=.che bis in die 1ianalöffnungen (siehe Fig. 4) ausge- dehnt wird. Von dem einfallenden Licht geht ein Teil in den @,anälen verloren und deren Wände werden auch von einer Viel- zahl @4n Strahlen getroffen, die sehr-g einfallen, ixia,s bei nahezu allen Strahlen zutrifft, die aurcl= eine Zinse fokus- siert werden. Eine partielle Abdeckung der Innenflächen der Lande mit einer 1-)hotokathode 23 erhöht die Photoemission er- heblich, Ein wesentlicher Beitrag zur Erhöhung der photoelektrischen Au-.beute kann dusch Erhöhung der Anzahl der Reflexionen er- zie?t werden. Lichtstrai?len, die nach Reflexion an der Trä- öerfläcr?e der i'hotokathode, also an der FMche der leitenden Scrlicht 11 die 1"vlotokathode noch verlassen, gehen verloren; zur Herabsetzung @_ieses Lichtverlustes können bestimmte Vor- kehrungen getro O=fen werden. Dies wird an -2Li"and der Fit,- 5 rr.äher erläutert. In dieseln Ausf'-ihrungsbeispiel pflanzt sich das auf der Vorder- seite ein-_1^llenäe Licht in dem Trägerkörper der Vervielfa- chungselektrode fort. Um diesen Körper erreichen zu können, muß die leitende Sc=icht 11 auf der Eintrittsseite durchsich- tig sein. Die Vlirkung einer Photokathode a iLf dieser Seite, die durch Reflexion an der leitenden Schicht verst@:rkt wird, rieht somit verloren. Der_Igegenüber können alle durchgehenden Lichtstrahlen zur hirotoemission beitragen. Zu diesem Zwech besteht der Trägerkörper 4 aus durchsichtigem 'aterial und sind die -`fände der Kanäle 18 über die ganze Länge mit einer photoelektrischen Schicht 23 überzogen, An allen Stellen, an denen diese Sc_'_-icht von Lichtstrahlen getroffen :vird, kann Photoemission auftreten. Die Bahnen 24 der in den Figuren dargestellten Lichtstrahler, weisen eine oder mehrere Re- flexionen auf. Eine Erhöhung der mittleren Anzahl von Reflexionen pro Licht- strahl bringt eine Streutund und einen Lichtverlust durch Absorption in dem "L'rä,.`er_-raterial mit sich. Die Stirnwand, in die die Kanäle 18 münden, kann mit einer reflektierenden, leitenden Schicht 1 2 versehen werden, so daß die die ganze Dicke des TräVers durchquerenden lichtstra'_,-,1en zurückgestrahlt werden, wodurch der i@eg der Photoemission weiter verlängert wird. In diesem Falle muß jedoch die Streuung etwas beschrankt werden. Dies ",rird bei einem bestimmten Herstellungsverfahren des den mit den Kanälen 18 versehenen Trägers erhalten. Fig. veranschaulicht 6^.s Zusanmenfügen gesonderter Glasröhrchen 25, die je einen Kanal des Ti-L:gers bilden und rlittel, eines niedrig- schmelzenden Glases 26 zusar-mengeschmolzen sind. Fig. 7 zeigt diese Schicht z--!ischen den !!enden der Kanäle 18, und einige Li- nier. 27 deuten den Verlauf der lichtstral@:leri als, die das ;@ate- rial 711 ver chiederLen Stellen und in verec:-iederen Richtungen durchdringen. Der leitende Belag 11 zaif der Seite des einfallen- den Lichtes ist durchsichtig und rixf xiicr durch . eine dicke ge- strichelte Yjinie dargestellt. Die dünne gestrichelte Linie 8 stellt den Überzug des photoelektrischen 1.athodenmaterials in d e 11 i'anö,len 18 und an der Eintrittsfläche 11 dar. Das dazwischenliegende Glws 26 kann undurcisichtig sein; dies ist Jedoch nicht günstig für die Erhöhung der Lichtausbeute des Photokathodenteiles durch Reflexion. Ist dieses Glas durch- sichtig, kann durch geeignete Wahl der Brechungsindizes beider Glassorten der ',iirkunüsgrad günstig beeinflußt werden. Wenn die Brechungszahl des Glases 26 höher ist als die des Rohr- glases 259 werden durch die Stirnflüche 11 eintretende Licht- strahlen'auf den Tre,ulflächen reflektiert, so daß sie das da- zwischenliegende Glas nicht verlassen und somit nicht zur Photoemission beitragen könnet'. Die Brechungsza:zzl des dazwi- schenliegenden Glases 26 muß somit vorzugsweise niedriger als die des Rohrglases 25 sein. Dies kann. insbesondere dann er- reicht werden, wenn die Fhotokathodenschicht über die ganze Kanallänge angebracht und außerdem als Widerstandschicht be- nutzt wird, so daß an den Widerstand des Rohrmaterials in Hin- sicht auf die gleichmäßige Spannungsverteilung längs der Wand keine besonderen Anforderungen gestellt werden. Im vorstehenden wurde die Erhöhung des photoelektrischen Wir- b i kungsgrades beschri eben,%eder außerdem die Llektronenverviel- - Die vorstehend geschilderte Llektronenvervielfachungselektrode kann dadurch hergestellt werden, daß als Träger mit den Kanälen ein Glas mit einem verhältnismäßig großen Anteil an Blei (etwa 40 bis 50 Gewichtsprozent) benutzt wird. Die leitende Fläche auf der Eintrittsseite kann durch Aufdampfen von Zinnsulfid unter einem kleinen Winkel zur Fläche erhalten werden, so daß kaum Material in die Öffnungen gelangt.
- Auf der Austrittsseite kann auf der Oberfläche Chrom niedergeschlagen werden. Das Aufdampfen kann unter einem kleinen Winkel zur Fläche erfolgen; wird dieser Winkel hinreichend groß gewählt, so bildet sich in den Öffnungen längs der Ränder ein schmaler Kragen aufgedampften s'etalles, der in einem umlaufenden Überzug endet, wenn die Quelle des Metalldampfes um eine in der Mitte des Trägers senkrechte Acl,se gedreht wird. Das Zinnsulfid wird darauf durch Erwärmung in Luft bis zu der
gerade unterhalb der Erweichungstemperatur des Glases lie- genden Temperatur in Zinnoxyd umgewandelt. Tlach dem Anbringen der leitenden Überzüge wird die ?Lnbringung der rihotoelektrischen Xathodenschicht angefangen. :gis wird An- timon aus einer Da@;ipfnuelle verdamr;ft, die einen Winkel finit der zur Oberfläche senkrechten Achse in der ,`iitte des Trge ra auf der Eintrittsseite einschließt. Dieser @linkel wird derart gewählt, daß der Darpf strahl nicht nur die Oberfl^ che be- streicht, sondern auch bis zu einer gewissen Tiefe in die Kan..le eindringtp z. B. über 20 ;ö der -anallänge. Die erforderliche Aktivierunä des Antimons mit Cäsium erfolgt i@ü V@:@uum. Zu diesem Zweck wird der Trüfer in eine Hülle einge- bracht. Im Innern der Hülle wird Cäsium verfr_ipft, wodurch nicht nur das Antimon zum Erzielen einer effektiven photo- elektrischen Kathode aktiviert wird, sondern auch die dann noch nicht bedeckten Teile der Kanalwände durch Cäsium abge- deckt werden, wobei einberzug hohen elektrischen Widerstan- des und hinreichender Leitfähigkeit entsteht, wodurch eine --lcichmäßige rotentialverteilung längs den Oberflächen beim Anlegen elektrischer Sp-axinung an die leitenden Überzüge auf der Ein- und der Austrittsseite des Trägers erzielt wird. Der Cäsiumniederschlag auf dem. Glas der Wand hat einen hinreichend hohen Sekundäremissionskoeffizienten. Solche 1älektronenvervielfachun-selektroden dienen für Bild- wandler und Bildverstärker oder Für den Bildwandlungsteil in Fernsehaufnahmeröhren. Andere Anwendungsmöglichkeiten liegen vor, bei denen die Anforderungen in Bezug auf Bildpunktschir- fe weniger hoch oder weniger Kanäle erforderlich sindp z. B. bei :Lichtverstärkern und Elektronenröhren, bei denen nur ein einziger Kanal ausreicht, z. B. Bhot o z ell en, 2hotovervi e1 fa- chungsröhren und dergleichen.
Claims (1)
- Patentansprüche:
1. Elektronenvervielfachungselektrode für elektrische Bild- wandler, Licrltverstärker und dergleichen, die aus einer dünnen Platte aus Glas oder einem anderen --hnlichen Haterial mit einem hohen elektrischen @diderstand bestellt, die auf beiden Seiten eine elektrisch leitende Plz-iche besitzt und mit eiziem @etzvaerk nahe aneinander liegender enger Kanäle zwischen den beiden Außenflächen versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Flektronenvervielfachungselektrode den Träger einer 1)hotoele'-,- trischen :atliode bildet, welche die durch einfallendes Licht getroffenen Oberflächen ganz oder größtenteils abdeckt. 20 Llehtrode nac1-i Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische II.athode die der @uel_le des einfallenden 1,ich- tes zugewandte Oberfläche abdeckt. 3. Elektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische Kathode die Innenflächen (!er Kanäle, von äer Eintrittsseite des einfallenden Lichtes her gesehen, wenigstens über einen Teil der Kanallänge abdeckt. 4. Elektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische Kathode eine Seitenfläche und die Innenfläche der Kanäle über einen Teil ihrer h=öe abdeckt. 5. Elektrode nach Anspruch 1, 2 oder 4., dadurch gekennzeich- net, daß die leitende Schicht auf c_er mit der photoelektri-- sehen Kathode abgedeckten Seite eine lichtreflektierende Ober- fläche besitzt. 6. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial für Licht durchlässig istc
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB32722/63A GB1090406A (en) | 1963-08-19 | 1963-08-19 | Improvements in or relating to image intensifiers and the like |
GB3675863 | 1963-09-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1489172A1 true DE1489172A1 (de) | 1969-04-30 |
DE1489172B2 DE1489172B2 (de) | 1973-08-09 |
DE1489172C3 DE1489172C3 (de) | 1974-03-14 |
Family
ID=26261528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19641489172 Expired DE1489172C3 (de) | 1963-08-19 | 1964-08-17 | Bildwandler oder Bildverstärker mit einer der Elektronenvervielfachung dienenden Platte |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT248507B (de) |
DE (1) | DE1489172C3 (de) |
NL (1) | NL6409308A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4177487A (en) * | 1977-04-11 | 1979-12-04 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Facsimile scanner |
DE19827094A1 (de) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Treo Elektrooptik Gmbh | Bildwandler- bzw. Bildverstärkerröhre und Photokathode dafür |
-
1964
- 1964-08-13 NL NL6409308A patent/NL6409308A/xx unknown
- 1964-08-17 DE DE19641489172 patent/DE1489172C3/de not_active Expired
- 1964-08-17 AT AT706064A patent/AT248507B/de active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1489172B2 (de) | 1973-08-09 |
DE1489172C3 (de) | 1974-03-14 |
NL6409308A (de) | 1965-02-22 |
AT248507B (de) | 1966-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2909066C2 (de) | ||
DE1089895B (de) | Elektronischer Bildverstaerker | |
DE1908395A1 (de) | Scintillations-Ionendetektor | |
DE1514255C3 (de) | Röntgenbildverstärker | |
DE1489172A1 (de) | Elektronenvervielfachungselektrode und mit einer solchen Elektrode versehene Elektronenroehre | |
DE2049127C3 (de) | Bildverstärker | |
DE1030939B (de) | Bildverstaerker mit einem zwischen dem ein Elektronenbild aussendenden Eingangsschirm und dem Phosphoreszenzschirm angeordneten Elektronenverstaerkungsschirm | |
DE968667C (de) | Bildwandler | |
DE934358C (de) | Elektrische Entladungsroehre zur Verstaerkung von mittels Roentgenstrahlen hergestellten Durchleuchtungsbildern | |
DE1639365A1 (de) | Fuer Roentgen- und Gammastrahlen empfindliche Bildverstaerkerroehre | |
DE2442491C3 (de) | Eingangsschirm für eine Röntgenbildverstärkerröhre | |
DE1589580C3 (de) | Bildwandler- oder Bildverstärkerröhre | |
DE864133C (de) | Elektronenoptischer Bildverstaerker | |
DE954071C (de) | Fernsehsenderoehre mit elektronenoptischer Bildverstaerkung | |
DE1439096A1 (de) | Elektronenoptischer Roentgenbildwandler | |
DE2306575A1 (de) | Roentgenbildverstaerker | |
DE915252C (de) | Elektronenstrahlroehre mit einer photoelektrischen Kathode zur Umwandlung eines Lichtbildes in ein Elektronenbild | |
DE2553507A1 (de) | Leuchtschirm, insbesondere fuer eine bildverstaerkerroehre | |
DE2321869A1 (de) | Roentgenbildverstaerker | |
DE765082C (de) | Photoelektrische Zelle, bei der Photo- und Sekundaeremissionskathode als Vollflaechenelektroden einander gegenueber angeordnet sind | |
DE902761C (de) | Sekundaerelektronenvervielfacher mit einer aus einem Bueschel von emisssionsfaehigenFaeden bestehenden Kathode und einer Anode | |
DE743480C (de) | Bildzerlegerroehre mit Photoelektronenabtastung einer einseitigen Mosaikelektrode | |
AT203563B (de) | Kathodenstrahlröhre | |
DE1281056C2 (de) | Dioden-bildverstaerkerroehre mit einer relativ grossflaechigen photokathode | |
DE1489716C (de) | Verstarkereinheit fur elektro nenoptische Bildverstärker |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |