DE1489172A1 - Elektronenvervielfachungselektrode und mit einer solchen Elektrode versehene Elektronenroehre - Google Patents

Elektronenvervielfachungselektrode und mit einer solchen Elektrode versehene Elektronenroehre

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DE1489172A1
DE1489172A1 DE19641489172 DE1489172A DE1489172A1 DE 1489172 A1 DE1489172 A1 DE 1489172A1 DE 19641489172 DE19641489172 DE 19641489172 DE 1489172 A DE1489172 A DE 1489172A DE 1489172 A1 DE1489172 A1 DE 1489172A1
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/023Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof secondary-electron emitting electrode arrangements

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Description

  • "Elektronenvervielfachungselektrode und mit einer solchen Elektrode versehene Elektronenrührei'
    Die Erfindung betrifft eine Elelitronenvervie3.fachLtr@selelrtrode
    für einen elektronischen Bildwandler und eine i-it einer solchen
    L@Fl@trode versebene elektronische Jildrölire.
    Eine Elektronenvervielfachurir-,seleictrode, die zur Verstärkung
    eines -#..l ektronenstronis von einer 2aektronenquelle, @;. B. einer
    photoelektrischen Kathode, nach einem Auffangschirm aus Leucht-
    stoff dient, besteht aus einer dlinnen Blatte aus Glas oder
    eineri anderen L-ihnlichen :tIaterial;mit hohem elek-trisclieni iii-
    dertand, die auf beiden Seiten i:iit leitenden Flächen über-
    zogen Lund mit einem Netzwerk aneinander iiahelieJender, enger
    i@an@@le versehen ist, die sich zwischen den beiden Seiten er-
    strechen. Die Elektronenvervielfachung erfolgt in den Kanälen
    uizä ::ird durch Zunahme der Elelltronengesch@:.rindigkeit und durch
    Sekundäremission an den Stellen, 2.n denen die Elektronen die
    '7axidfll,chen im Innern der Kanäle treffen, hervorgerufene Die
    Sekunt-i,_remigsion kann durch Anbringung eines sekundäremittie..
    renden Materials auf den Innenflächen gefördert werden.
    In einer Elektronenstrahlröhre für Bildwandlung oder Bildver-
    stiarkung wird eine solche Elektronenvervielfachungselektrode
    gemeinsam reit einer Elektronen emittierenden Kathode benutzt,
    die in einem kurzen Abstand parallel zu dieser Elektrode ange-
    ordnet ist, wobei die Elektronen emittierende Oberfläche auf
    der Röhrenwand oder auf einem getrennten Träger " angebracht
    ist. Bei der Herstellung der Röhre vrird diese Anordnung durch
    getrennte i=er,@-tellung der photoelektrischen ILathode, eile in
    der Röhre .auf der i'iDrzd angebracht werden soll, oder durch An-
    bringung der Kathode auf einem `lr@',,ger erhalten, der aachtri.g-
    lich in der Rülire untergebracht wird. Die Erfindung bezweckt,
    eine Verbesserung zu schaffen, die eine wesentliche Verein-
    fachung der ^.rbeitsvorgri@e mit sich bringt, die bei der I:er-
    stellung eines solcho-li Dildwandlers durchgeführt @rrerdeii missen.
    uemUß der Erfindung ist die Elektronenv,#rvi -:af a.cliun,,_;2el ektrode
    leichzeiti- der Trci-er der j:riotoel ektriscr.en i,athode.
    Die die photoele?Ltri:;crie Kathode tr;genden Oberfläcr._en können
    eine der Setenfl-'cticii uu:L' der der Strahlenquelle zugewandten
    Seite, die Inncnfläcrieli der l@Enö,le ode-@ sowohl eine Seiten-
    fläche und die Iiirie_zflcl chen der Llekt°oiLenvervic:lfacriungselek-
    trode sein. Es sind versch."leize Ausführunsformen ri;j@;lich,
    bei denen eine wirl.-same Urvriiidlun" Jer eiiL -#llenden Strahlung
    in Photoemission erzielt wird; die Einzelheiten werden in der
    nachfolgenden Beschreibung der Figuren ii':her erläutert.
    In der Zeichnung zeigen
    Fig. 1 einen elektronischen Bildwandler mit einer Llektronen-
    vervi elf achun Esel ekt ro de nach der Erfindung,
    Fig. 2 einen Schnitt dieser Elektrode,
    Fig. 3 die photoelektrische Kathode als Überzug einer Außen-
    fläche,
    Fib. 4 die photoelektrische Kathode auf der Innenfläche der
    Kanäle,
    Fig. 5 die photoelektrische Kathode als Überzug einer Seite und eines Teiles der Innenflächen der Kanäle, Fig. 6 schematisch die 'Ü'usammeiisetzuizg eines Elektrodenkörpers :aus Glasröhrchen, Fig. 7 eine Anzahl von Lichtstrahlen und deren Verlauf bei Reflexion.
  • Die stark vereinfachte Ausführungsform eines elektrischen Bild-Wandlers nach Fig. 1 hat eine gewöhnlich aus Glas hergestellte Hülle 1, die zwei ebene Stirnwände 2 und 3 besitzt. Die Iüille umfaßt einen entlüfteten Rau.,n, in dem die Elektronenvervielfac'=ungselektrode 4 untergebracht ist. Die Stirnwand 2 der Hülle ist mit einer leitenden Schicht 5 überzogen, die für Strahlung durchlässig ist, d. h. für sichtbares oder unsichtbares Licht oder :'ür aridere bilderzeugende Strahlung. Die Strahlung des Gegenstandes 6 wird mittels der Linse 7 gebündelt und auf eine Seitenflüche 8 der Elektrode 4 geworfen.
  • Die andere Stirnwand 3 der Hülle L ist mit einem Leuchtschirm 9 überzogen, in dem Bleä@tronenenereie in lumineszierendes Zi-ht umgewaxidelt wird, das von der Außenseite her beobach tot ;erden kanni dies ist durch den t?feil 10 angedeutet.
  • Der mittlere Teil der Röhre wird von der Elektronenvervielfachungselektrode 4 eingenommen, die auf beiden Seiten mit :letallbelägen 11 und 12 überzogen ist.
  • Eine S,@annungsc.uelle 13 erteilt dem Belag 11 ein höheres Potential als das der leitenden Schicht 5 auf der Yland 2 der hülle 1, und die Spannungsquelle 14 führt dem Belag 12 ein höheres Potential zu. Z-;iischen dem Belag 12 und einer durch.-
    sicli,igen leitenden *Unt(z-;rl@";e des l@cuchtsc-iiriiies 9 lieft
    eine15.
    In de--.i Ausf;lirungsbeis#,)iel nach I'1.-.. ` ist die leitende 1'1ä-
    c@le 11 ?#it einer r@@otoelel@ tri scl en t@Jtliode 8 überzogen. Die
    .hoto'_lathode 6 ist eine lioinoge_e Schicht, welche die Oberfl-,che
    11 Mit AusnaLT,-,e C!er Üffnungen in dem Belag 11 überdeckt, die
    ihrerseits zu den il-anä,len in.cia liöry@er der Elehtrode führen.
    Die beim l.ro jizieren eines Lichtbildes auf die Photokathode
    an c:er 1d t1lodenoberfläche ausgelösten rllotoeleltr onerl treten
    in ei-"12r c'_-tiulg her@.us, die von den 1%a11,len abgewandt ist.
    Auf dieser. Seite ist auf üie --'liotoh:3.tiode #3 ein elektrisches
    Felderic':.tet, das die Elelztrciien in Richtung r.uf die Xar?@le
    ablenkt. Der Feldverlauf an den Eingän;@en der Kanäle infolge
    der elektrischen Spannung zwischen den Belägen 11 und 12 1Lann
    mehr oder weniger ausreichend sein, um "ie Elel:tronenb,a-nen
    abzulenken; in diesem falle können nötigenfalls die leitende
    Schicht 5 auf der VTwld 2 und die S7oaianungsquelle 13 wegge-
    lassen vierden. Für einige der unter der Wirkung der einfallen-
    den Strahlung 16 ausgelösten Elei,-tronen sind die Bahnen 17
    dargestellt. Die Elektronenvervielfachung in den Kanälen 18
    wird durch üie heraustretenden Pfeilbündel 19 angedeutete
    Das Richtfeld an den Eingängen der Kanäle hat keine Wirkung,
    wenn gemäß Fig. 5 die Innenflächen der Kanäle mit photoemittie-
    rendem r"Lathoden.material überzogen sind. Ein solches Feld und
    der leitende Belag 5 mit der Spannungsquelle 13 können dann.
    weggelassen werden.
    Eine photoelektrische Kathode, die sowohl die Seitenfläche 11
    als auch die Innenflächen der Kanäle wenigstens teilweise ab-*
    deckt, (siehe Fig. 4) wird nachstehend weiter erläutert.
    Einige Einzelheiten. können den Erscheinungen der Photoemission
    elltnoliimen werden, die wichtige sind .für die `;eise, in der ein
    l;lilichst grot@er Teil der einfallenden Lichtstrahlen in Pho-
    toelektronen =gewandelt wird. Die Umwandlung von Licht in
    M_zotoemission bringt init sich, daß aus der photoelektriscj'len
    Schient Photoelektronen beim Eindringen der Lichtstrahlen in
    die Schicht G.us@elöst werden. Ain meisten LIblicl-: sind Photo-
    k,-,,thoden, ciiie der Austrittseite des Lichtes emittieren
    und @:uf einem durchsicIlti@en Glasträger anJebracht sind. Sie
    'Laben eine Dicke von einigen Iundert @. Eine solche Photo-
    kathode hat eine Quantenausbeute von etwa 10 %, so daß viele
    Lichtstrahlen ungenutzt die Ehotokathoeie ve.--lassen. Eine Zu-
    nahme der Lichtabsorption durch Vergrößerurls: der Schichtdicke
    bietet =wenig Vorteil, da weniger Ele'ttronen llit einer zum
    Austreten ausreiclhenden Energie die Oberf15che erreichen. Eine
    höhere Quantenausbeute ergibt sich, wenn die in die Photo-
    katiiode eindringende Stra'ilung reflektiert und -Nieder durch
    äie #Oirltrittsflä ehe geführt wird. Die Strl-""lilen 20 und 21 in
    lösen Photoelektronen aus der E#intrittsf-L;3che aus, der
    Lichtstrahl 22 hat die öleiche Folge, aber hat dann infolge
    der Reflexion an der Oberfläche der leitenden Schicht 11, auf
    der c.>," Photokathodenmwterial Lerngebracht ist, die photoeleli-
    trische Schicht 8 bereits zweimal durchquert.
    Eine Erhöhung der Ausbeute ergibt sich weiter, wenn die Photo-
    ka.tr_odenfl=.che bis in die 1ianalöffnungen (siehe Fig. 4) ausge-
    dehnt wird. Von dem einfallenden Licht geht ein Teil in den
    @,anälen verloren und deren Wände werden auch von einer Viel-
    zahl @4n Strahlen getroffen, die sehr-g einfallen, ixia,s bei
    nahezu allen Strahlen zutrifft, die aurcl= eine Zinse fokus-
    siert werden. Eine partielle Abdeckung der Innenflächen der
    Lande mit einer 1-)hotokathode 23 erhöht die Photoemission er-
    heblich,
    Ein wesentlicher Beitrag zur Erhöhung der photoelektrischen
    Au-.beute kann dusch Erhöhung der Anzahl der Reflexionen er-
    zie?t werden. Lichtstrai?len, die nach Reflexion an der Trä-
    öerfläcr?e der i'hotokathode, also an der FMche der leitenden
    Scrlicht 11 die 1"vlotokathode noch verlassen, gehen verloren;
    zur Herabsetzung @_ieses Lichtverlustes können bestimmte Vor-
    kehrungen getro O=fen werden. Dies wird an -2Li"and der Fit,- 5
    rr.äher erläutert.
    In dieseln Ausf'-ihrungsbeispiel pflanzt sich das auf der Vorder-
    seite ein-_1^llenäe Licht in dem Trägerkörper der Vervielfa-
    chungselektrode fort. Um diesen Körper erreichen zu können,
    muß die leitende Sc=icht 11 auf der Eintrittsseite durchsich-
    tig sein. Die Vlirkung einer Photokathode a iLf dieser Seite,
    die durch Reflexion an der leitenden Schicht verst@:rkt wird,
    rieht somit verloren. Der_Igegenüber können alle durchgehenden
    Lichtstrahlen zur hirotoemission beitragen. Zu diesem Zwech
    besteht der Trägerkörper 4 aus durchsichtigem 'aterial und
    sind die -`fände der Kanäle 18 über die ganze Länge mit einer
    photoelektrischen Schicht 23 überzogen, An allen Stellen, an
    denen diese Sc_'_-icht von Lichtstrahlen getroffen :vird, kann
    Photoemission auftreten. Die Bahnen 24 der in den Figuren
    dargestellten Lichtstrahler, weisen eine oder mehrere Re-
    flexionen auf.
    Eine Erhöhung der mittleren Anzahl von Reflexionen pro Licht-
    strahl bringt eine Streutund und einen Lichtverlust durch
    Absorption in dem "L'rä,.`er_-raterial mit sich. Die Stirnwand, in
    die die Kanäle 18 münden, kann mit einer reflektierenden,
    leitenden Schicht 1 2 versehen werden, so daß die die ganze
    Dicke des TräVers durchquerenden lichtstra'_,-,1en zurückgestrahlt
    werden, wodurch der i@eg der Photoemission weiter verlängert
    wird. In diesem Falle muß jedoch die Streuung etwas beschrankt
    werden. Dies ",rird bei einem bestimmten Herstellungsverfahren
    des den mit den Kanälen 18 versehenen Trägers erhalten. Fig.
    veranschaulicht 6^.s Zusanmenfügen gesonderter Glasröhrchen 25,
    die je einen Kanal des Ti-L:gers bilden und rlittel, eines niedrig-
    schmelzenden Glases 26 zusar-mengeschmolzen sind. Fig. 7 zeigt
    diese Schicht z--!ischen den !!enden der Kanäle 18, und einige Li-
    nier. 27 deuten den Verlauf der lichtstral@:leri als, die das ;@ate-
    rial 711 ver chiederLen Stellen und in verec:-iederen Richtungen
    durchdringen. Der leitende Belag 11 zaif der Seite des einfallen-
    den Lichtes ist durchsichtig und rixf xiicr durch . eine dicke ge-
    strichelte Yjinie dargestellt. Die dünne gestrichelte Linie 8
    stellt den Überzug des photoelektrischen 1.athodenmaterials in
    d e 11 i'anö,len 18 und an der Eintrittsfläche 11 dar.
    Das dazwischenliegende Glws 26 kann undurcisichtig sein; dies
    ist Jedoch nicht günstig für die Erhöhung der Lichtausbeute
    des Photokathodenteiles durch Reflexion. Ist dieses Glas durch-
    sichtig, kann durch geeignete Wahl der Brechungsindizes beider
    Glassorten der ',iirkunüsgrad günstig beeinflußt werden.
    Wenn die Brechungszahl des Glases 26 höher ist als die des Rohr-
    glases 259 werden durch die Stirnflüche 11 eintretende Licht-
    strahlen'auf den Tre,ulflächen reflektiert, so daß sie das da-
    zwischenliegende Glas nicht verlassen und somit nicht zur
    Photoemission beitragen könnet'. Die Brechungsza:zzl des dazwi-
    schenliegenden Glases 26 muß somit vorzugsweise niedriger als
    die des Rohrglases 25 sein. Dies kann. insbesondere dann er-
    reicht werden, wenn die Fhotokathodenschicht über die ganze
    Kanallänge angebracht und außerdem als Widerstandschicht be-
    nutzt wird, so daß an den Widerstand des Rohrmaterials in Hin-
    sicht auf die gleichmäßige Spannungsverteilung längs der Wand
    keine besonderen Anforderungen gestellt werden.
    Im vorstehenden wurde die Erhöhung des photoelektrischen Wir-
    b i
    kungsgrades beschri eben,%eder außerdem die Llektronenverviel-
    fachung durch Sekundäre::.ission vergrößert wird. In jedem der Kanäle werden durch 1'llotoemission ausgelöste Elektronen unter der Wirkung des elektrischen Feldes zwischen den leitenden Be-: lägen ari beiden Stirnflächen des Trägers, dessen Feldlinien praktisch parallel zu den Kanalachsen verlaufen, in Richtung auf die Ausgänge beschleunigt; sie durchlaufen Zickzackbahnen,. wodurch die Elektronen die Stellen 28 auf den Innenflächen treffen und Sekundäremission erfolz;to Wenn die Innenflächen nur teilweise mit photoelektri schein Material überzogen sied, ist ihr übriger Teil mit sekundäremittierendem iääterial abgedeckt. Die Erhöhung des photoelektrischen Wirkungsgrades wird größtenteils durch den _L';berzugteil der Kanalwände auf der Eintrittsseite der Elektronen -eliefert, der sich über etwa 20 % der Kanallänge. erstreckt.
  • Die vorstehend geschilderte Llektronenvervielfachungselektrode kann dadurch hergestellt werden, daß als Träger mit den Kanälen ein Glas mit einem verhältnismäßig großen Anteil an Blei (etwa 40 bis 50 Gewichtsprozent) benutzt wird. Die leitende Fläche auf der Eintrittsseite kann durch Aufdampfen von Zinnsulfid unter einem kleinen Winkel zur Fläche erhalten werden, so daß kaum Material in die Öffnungen gelangt.
  • Auf der Austrittsseite kann auf der Oberfläche Chrom niedergeschlagen werden. Das Aufdampfen kann unter einem kleinen Winkel zur Fläche erfolgen; wird dieser Winkel hinreichend groß gewählt, so bildet sich in den Öffnungen längs der Ränder ein schmaler Kragen aufgedampften s'etalles, der in einem umlaufenden Überzug endet, wenn die Quelle des Metalldampfes um eine in der Mitte des Trägers senkrechte Acl,se gedreht wird. Das Zinnsulfid wird darauf durch Erwärmung in Luft bis zu der
    gerade unterhalb der Erweichungstemperatur des Glases lie-
    genden Temperatur in Zinnoxyd umgewandelt.
    Tlach dem Anbringen der leitenden Überzüge wird die ?Lnbringung
    der rihotoelektrischen Xathodenschicht angefangen. :gis wird An-
    timon aus einer Da@;ipfnuelle verdamr;ft, die einen Winkel finit
    der zur Oberfläche senkrechten Achse in der ,`iitte des Trge ra
    auf der Eintrittsseite einschließt. Dieser @linkel wird derart
    gewählt, daß der Darpf strahl nicht nur die Oberfl^ che be-
    streicht, sondern auch bis zu einer gewissen Tiefe in die
    Kan..le eindringtp z. B. über 20 ;ö der -anallänge.
    Die erforderliche Aktivierunä des Antimons mit Cäsium erfolgt
    i@ü V@:@uum. Zu diesem Zweck wird der Trüfer in eine Hülle einge-
    bracht. Im Innern der Hülle wird Cäsium verfr_ipft, wodurch
    nicht nur das Antimon zum Erzielen einer effektiven photo-
    elektrischen Kathode aktiviert wird, sondern auch die dann
    noch nicht bedeckten Teile der Kanalwände durch Cäsium abge-
    deckt werden, wobei einberzug hohen elektrischen Widerstan-
    des und hinreichender Leitfähigkeit entsteht, wodurch eine
    --lcichmäßige rotentialverteilung längs den Oberflächen beim
    Anlegen elektrischer Sp-axinung an die leitenden Überzüge auf
    der Ein- und der Austrittsseite des Trägers erzielt wird. Der
    Cäsiumniederschlag auf dem. Glas der Wand hat einen hinreichend
    hohen Sekundäremissionskoeffizienten.
    Solche 1älektronenvervielfachun-selektroden dienen für Bild-
    wandler und Bildverstärker oder Für den Bildwandlungsteil in
    Fernsehaufnahmeröhren. Andere Anwendungsmöglichkeiten liegen
    vor, bei denen die Anforderungen in Bezug auf Bildpunktschir-
    fe weniger hoch oder weniger Kanäle erforderlich sindp z. B.
    bei :Lichtverstärkern und Elektronenröhren, bei denen nur ein
    einziger Kanal ausreicht, z. B. Bhot o z ell en, 2hotovervi e1 fa-
    chungsröhren und dergleichen.

Claims (1)

  1. Patentansprüche: 1. Elektronenvervielfachungselektrode für elektrische Bild- wandler, Licrltverstärker und dergleichen, die aus einer dünnen Platte aus Glas oder einem anderen --hnlichen Haterial mit einem hohen elektrischen @diderstand bestellt, die auf beiden Seiten eine elektrisch leitende Plz-iche besitzt und mit eiziem @etzvaerk nahe aneinander liegender enger Kanäle zwischen den beiden Außenflächen versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Flektronenvervielfachungselektrode den Träger einer 1)hotoele'-,- trischen :atliode bildet, welche die durch einfallendes Licht getroffenen Oberflächen ganz oder größtenteils abdeckt. 20 Llehtrode nac1-i Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische II.athode die der @uel_le des einfallenden 1,ich- tes zugewandte Oberfläche abdeckt. 3. Elektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische Kathode die Innenflächen (!er Kanäle, von äer Eintrittsseite des einfallenden Lichtes her gesehen, wenigstens über einen Teil der Kanallänge abdeckt. 4. Elektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische Kathode eine Seitenfläche und die Innenfläche der Kanäle über einen Teil ihrer h=öe abdeckt. 5. Elektrode nach Anspruch 1, 2 oder 4., dadurch gekennzeich- net, daß die leitende Schicht auf c_er mit der photoelektri-- sehen Kathode abgedeckten Seite eine lichtreflektierende Ober- fläche besitzt. 6. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial für Licht durchlässig istc
    7. Elektrode nach hnsrruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper aus Glasröhrchen zusammengesetzt ist und ein dazwischenliegendes Material mit einem niedrigeren Brechungsindex die Röhrchen miteinander verbindet. B. Elektronischer Dildwandler mit einer Elektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 70
DE19641489172 1963-08-19 1964-08-17 Bildwandler oder Bildverstärker mit einer der Elektronenvervielfachung dienenden Platte Expired DE1489172C3 (de)

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DE1489172B2 DE1489172B2 (de) 1973-08-09
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DE19827094A1 (de) * 1998-06-18 1999-12-23 Treo Elektrooptik Gmbh Bildwandler- bzw. Bildverstärkerröhre und Photokathode dafür

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