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Die vorliegende Erfindung betrifft eine logische Schaltung mit einer
Anzahl von als Kollektorstufen geschalteten Gattertransistoren gleichen Leitfähigkeitstyps,
deren Kollektor-Emitter-Strecken parallel geschaltet sind und deren Basiselektroden
getrennte Eingangssignale zugeführt werden, durch welche die Spannung am gemeinsamen
Verbindungspunkt ihrer Emitter sich zwischen zwei möglichen Werten ändert, deren
Emitter gemeinsam über einen Widerstand an einer Stromquelle mit festem Bezugspotential
liegen und über die Kollektor-Emitter-Strecke eines Pegelverschiebetransistors desselben
Leitfähigkeitstyps mit der Basis eines in Emitterschaltung arbeitenden Ausgangstransistors
derart verbunden sind, daß die Emitter der Gattertransistoren mit dem Emitter des
Pegelverschiebetransistors verbunden sind.
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Die verschiedenen logischen Stufen einer Datenverarbeitungsanlage
hoher Arbeitsgeschwindigkeit werden gewöhnlich mit Hochfrequenzleitungen verbunden,
um Impulsverformungen, Abstrahlung und übersprechen möglichst klein zu halten. Beim
Ansteuern von logischen Schaltungen durch solche Leitungen tritt jedoch die Schwierigkeit
auf, daß sie die Leitungen stark belasten, so daß unzulässig hohe Reflexionen, die
Störsignale zur Folge haben, auftreten können. Diese Schwierigkeiten lassen sich
zwar weitgehend vermeiden, wenn mit jeder einzelnen Leitung nur eine Schaltungsanordnung
gespeist wird und wenn die Eingangsimpedanz der Schaltungsanordnung konstant und
gleich dem Wellenwiderstand der Leitung ist. In der Praxis ist jedoch die Eingangsimpedanz
einer logischen Schaltung von anderen der Schaltung zugeführten Eingangssignalen
abhängig, außerdem würde die Anzahl der benötigten getrennten Leitungen unerwünscht
groß, wenn viele Schaltkreise durch die gleiche Quelle gespeist werden sollen. Es
hat sich gezeigt, daß man mit einer einzigen angezapften Leitung eine große Anzahl
von Schaltkreisen speisen kann, ohne daß störende Reflexionen auftreten, vorausgesetzt,
daß die Eingangsimpedanz der verschiedenen Kreise ziemlich groß im Vergleich zum
Wellenwiderstand der Leitung ist und die Leitung mit dem Wellenwiderstand abgeschlossen
wird.
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Eine logische Schaltung soll verhältnismäßig hohe Ausgangsströme zu
liefern vermögen, um die eine verhältnismäßig niedrige Impedanz darbietende Leitung
und den Verbraucher speisen zu können. Das aktive Element der Ausgangsstufe des
Kreises, z. B. ein Transistor, wird normalerweise zwischen Sperrung und Sättigung
ausgesteuert, um die Verlustleistung im Transistor möglichst klein zu halten. Die
Eingangssignale können im logischen Kreis gedämpft werden. Ein Betrieb des Ausgangstransistors
zwischen gesperrtem und gesättigtem Zustand gewährleistet, daß das Ausgangssignal
jeweils einen von zwei definierten festen Signalpegeln annimmt. Am Eingang des Ausgangstransistors
kann noch mal eine Pegelverschiebungsanordnung verwendet werden, die gewährleistet,
daß der Transistor entweder gesperrt ist oder voll leitet, je nachdem wie es die
Eingangssignalverhältnisse fordern.
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Die bekannten Pegelverschiebungsanordnungen enthalten a) ein Spannungsteilernetzwerk
mit einem Überbrückungskondensator im Kopplungsteil und b) Pegel- oder Niveauverschiebungsdioden.
Die Spannungsteileranordnung ist mit dem Nachteil behaftet, daß der Kondensator
eine Empfindlichkeit in bezug auf Störimpulse und eine Abhängigkeit von der Impulswiederholungsfrequenz
mit sich bringt, man benötigt außerdem häufig einen großen Spannungshub, die Widerstände
verbrauchen Leistung und entwickeln Wärme, und die Arbeitsweise des Netzwerkes wird
durch Schwankungen der Werte der Bestandteile im Spannungsteilernetzwerk und der
zugehörigen Vorspannungsquellen beeinflußt. In der Pegelverschiebungsdiodenanordnung
müssen enge Toleranzen hinsichtlich der Diodenerholungszeit und dem Flußspannungsabfall
eingehalten werden. Gewöhnlich werden mehrere in Reihe geschaltete Dioden verwendet,
um einen zuverlässigen Betrieb in einem weiten Temperaturbereich sicherzustellen.
Bei hohen Arbeitsgeschwindigkeiten müssen die Dioden außerdem in der Lage sein,
einem zu sperrenden Transistor einen Basissperrstrom ausreichender Größe zuführen
zu können.
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Es ist ferner aus der deutschen Auslegeschrift 1104 998 eine logische
Schaltung der eingangs genannten Art bekannt. Bei dieser Schaltung ist die Basis
des Pegelverschiebungstransistors jedoch geerdet; erst im Ruhezustand leitend und
im Arbeitszustand gesperrt. An den Kollektor des Kegelverschiebungstransistors ist
die Basis eines Ausgangstransistors entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps angeschlossen.
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Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Störunempfindlichkeit
und die Arbeitsgeschwindigkeit einer logischen Schaltung der eingangs genannten
Art zu verbessern.
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Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung bei einer logischen Schaltung
der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß eine weitere Stromquelle entgegengesetzter
Polarität vorgesehen ist, welche mit der Basis des Pegelverschiebetransistors verbunden
ist, und daß die Stromquelle und die weitere Stromquelle derart bemessen sind, daß
zur Sperrung des Ausgangstransistors ein Strom über die Basis-Emitter-Strecke und
zur vollen Aufsteuerung des Ausgangstransistors ein Strom über die Basis-Kollektor-Strecke
des Pegelverschiebetransistors fließt.
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Die Unteransprüche betreffen Weiterbildungen und eine bevorzugte Anwendung
dieser logischen Schaltung.
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Bei der logischen Schaltung gemäß der Erfindung steht ein starker
Basissperrstrom zur Verfügung, der eine rasche Sperrung des Ausgangstransistors
ermöglicht, da die mit den Emitterelektroden verbundene Stromquelle einen stärkeren
Strom zu liefern vermag als die mit der Basis des Pegelverschiebungstransistors
verbundene weitere Stromquelle. Ein weiterer Vorteil der Erfindung beruht darauf,
daß die Ausgangsspannung der Gattertransistoren so bemessen ist, daß im einen Betriebszustand
des Gatters der Emitter-Basis-übergang des Pegelverschiebungstransistors derart
in Flußrichtung vorgespannt ist, daß die Kollektorspannung dieses Transistors niedrig
ist, um eine weitgehende Unempfindlichkeit gegen Störsignale zu ermöglichen, während
im anderen Betriebszustand des Gatters der Emitter-Basis-übergang des Pegelverschiebungstransistors
so weit in Sperrichtung vorgespannt ist, daß eine weitgehende Unempfindlichkeit
gegen Störsignale, die die Emitter-Basis-Strecke in Flußrichtung vorspannen und
den Ausgangstransistor auftasten könnten, gewährleistet ist.
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Die Erfindung soll nun an Hand von Ausführungsbeispielen in Verbindung
mit der Zeichnung näher
erläutert werden, in der entsprechende Teile
mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. Es zeigt F i g. 1 ein Schaltbild einer
logischen Schaltung gemäß der Erfindung, die ein einzelnes Eingangsgatter, das von
verschiedenen Hochfrequenzleitungen gespeist wird, einen einzigen Pegelverschiebungstransistor
und einen einzigen Ausgangstransistor, der eine Kombination von angezapften und
radialen Ausgangshochfrequenzleitungen speist, enthält, F i g. 2 ein Schaltbild
einer anderen logischen Schaltung gemäß der Erfindung, bei der eine Anzahl von Ausgangstransistoren
und zugeordneten Pegelverschiebungstransistoren einem einzigen Eingangsgatter zugeordnet
ist, um die Ausgangsleistung zu erhöhen, F i g. 3 ein teilweise in Blockform gehaltenes
Schaltbild einer zweistufigen logischen Schaltung gemäß der Erfindung, F i g. 4
ein Schaltbild einer anderen Ausführungsform einer zweistufigen logischen Schaltung
gemäß der Erfindung, bei welcher die Ausgänge einer Anzahl erster Diodengatter verschiedenen
Eingängen eines zweiten als Emitterverstärker geschalteten Gatters zugeführt sind
und Dioden im Ausgangskreis des zweiten Gatters eine Trennung für eine größere Anahl
von Eingängen und/oder zusätzliche Pegelverschiebungen gewährleisten, F i g. 5 ein
Schaltbild einer anderen Ausführungsform eines Oder-Gatters, das in der in F i g.
4 dargestellten Anordnung verwendet werden kann, und F i g. 6 ein Schaltbild einer
einstufigen logischen Schaltung, die PNP-Transistoren enthält.
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Die in F i g. 1 dargestellte Schaltungsanordnung enthält eine Anzahl
von NPN-Transistoren 10 a ...
10 c, die in Kollektorschaltung arbeiten und
deren Kollektorelektroden 12a ... 12c gemeinsam an eine Klemme einer Spannungsquelle
angeschlossen sind, die eine Spannung von -I- V, Volt liefert. Die Emitterelektroden
14a ... 14c sind direkt an einen gemeinsamen Schaltungspunkt 16 angeschlossen,
so daß also die Kollektor-Emitter-Strecken aller Transistoren 10a ... 10
c parallel geschaltet sind. Zwischen die Basiselektroden 20a bis 20c und zugehörigen
Eingangsklemmen 22 a bis 22 c des logischen Gatters sind getrennte Eingangswiderstände
18 a bis 18 c geschaltet. Zwischen den Schaltungspunkt 16 und eine
Spannungsquelle, die eine in Flußrichtung gepolte Emittervorspannung -V3 liefert,
ist ein gemeinsamer Emitterwiderstand 26 geschaltet, so daß die Gattertransistoren
10 a bis 10 c als Emitterverstärker arbeiten. Diese Emitterverstärker
bilden ein Exklusives-Oder-Gatter.
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Die Ausgangsspannung des in F i g. 1 dargestellten logischen Schaltkreises
wird von der Kollektorelektrode 32 eines NPN-Transistors 34 abgenommen, der in Emitterschaltung
arbeitet. Bei einer digitalen Anlage hoher Arbeitsgeschwindigkeit kann es zweckmäßig
oder notwendig sein, daß die verschiedenen logischen Kreise durch Hochfrequenzleitungen
verbunden sind, um Verzerrungen der Ausgangsimpulse, Abstrahlungen und übersprechen
zwischen den verschiedenen Kreisen möglichst klein zu halten. Die verschiedenen
Ausgangsbelastungen oder Verbraucher, die aus anderen logischen Gattern 28 der beschriebenen
Art bestehen können, können an Abgriffe der Leitungen 40, 42, 44 angeschlossen sein,
welche jeweils mit einem Eingangsende an die Kollektorelektrode 32 angeschlossen
sind. Die Leitungen 40, 42, 44 sind durch individuelle Widerstände 46, 48 bzw. 50
mit ihrem Wellenwiderstand abgeschlossen. Die freien Enden der Abschlußwiderstände
46, 48, 50
sind mit einer Kollektorspannungsquelle +Vc verbunden. Die in F
i g. 1 dargestellte Schaltungsanordnung eignet sich zwar besonders zur Ansteuerung
logischer Kreise mit hoher Arbeitsgeschwindigkeit über Hochfrequenzleitungen, wie
z. B. Koaxialleitungen, der Kreis läßt sich jedoch für niedrigere Arbeitsgeschwindigkeiten
verwenden, bei denen keine Hochfrequenzleitungen erforderlich sind. In diesem Fall
kann dann die Kollektorelektrode 32 direkt über einen gestrichelt gezeichneten Kollektorwiderstand
52 mit der Kollektorspannungsquelle -f- VC verbunden sein. Die Verbraucher können
in diesem Fall dann entweder direkt oder über eine geeignete Verdrahtung an die
Kollektorelektrode 32 angeschlossen werden.
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In manchen Transistorkreisen tritt eine Signalabschwächung auf, insbesondere
wenn der betreffende Transistor nicht zwischen dem gesperrten und dem gesättigten
Zustand ausgesteuert wird. Bei dem Emitterfolgergatterkreis 28 unterscheidet
sich beispielsweise die Spannung am gemeinsamen Schaltungspunkt 16 von der Spannung
an der positivsten Basiselektrode 20a bis 20c um den Spannungsabfall an dem zugehörigen
Emitter-Basis-übergang. Der Ausgangstransistor 34 bewirkt nicht nur eine hohe Stromverstärkung,
die es möglich macht, viele Verbraucher zu speisen, er normiert außerdem noch die
Ausgangssignale auf die für die Anlage vorgeschriebenen Sollwerte. Aus diesem Grund
wird der Ausgangstransistor 34 zwischen dem gesperrten und dem gesättigten Zustand
ausgesteuert und die verschiedenen Vorspannungspegel im Ausgangskreis sind so gewählt,
daß die Spannung an der Kollektorelektrode 32 immer einem der beiden Pegelsollwerte
der Anlage entspricht. Eine Aussteuerung des Ausgangstransistors zwischen dem gesperrten
und dem gesättigten oder nahezu gesättigten Zustand hat außerdem noch den Vorteil,
daß die Verlustleistung im Transistor klein bleibt, was besonders bei hohen Strompegeln
von Bedeutung ist.
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An die Basiselektrode 36 des Ausgangstransistors 34 ist eine Pegelverschiebungsanordnung
angeschlossen, die gewährleistet, daß der Transistor 34 auch bei schwankenden Eingangssignalbedingungen
entweder im gesperrten oder im gesättigten Zustand arbeitet und unempfindlich gegen
Störsignale ist. Die in F i g. 1 und den noch zu beschreibenden Figuren verwendete
Pegelverschiebungsanordnung enthält einen NPN-Transistor 60 mit Emitter 66 und Kollektor
68, dessen Kollektor-Emitter-Strecke zwischen den gemeinsamen Schaltungspunkt 16
und die Basiselektrode 36 des Ausgangstransistors 34 geschaltet ist. Zwischen die
Basiselektrode 64 des Pegelverschiebungstransistors 60 und den -f- V2 bezeichneten
positiven Pol einer Vorspannungsquelle ist ein Widerstand 62 geschaltet.
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Die Eingangssignale der logischen Schaltung 28
können Eingangsklemmen
22 a bis 22 c über getrennte Hochfrequenzleitungen 94, 96 bzw. 98 zugeführt werden,
die ihrerseits durch Ausgangstransistoren 70, 72 bzw. 74 anderer logischer Kreise
gespeist werden.
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Um einen oder mehrere logische Schaltungen durch eine angezapfte Hochfrequenzleitung
speisen zu können, ohne daß störende Reflexionen in der Leitung auftreten, muß die
Eingangsimpedanz der logischen Schaltungen relativ hoch in bezug auf den Wellenwiderstand
der
Leitung sein. Wenn diese Bedingung nicht erfüllt ist, können durch die Reflexionen
Störimpulse auftreten, die unter Umständen die angesteuerten logischen Schaltungen
unbeabsichtigt auslösen. Die vorliegende Erfindung macht sich gewisse günstige Eigenschaften
der Emitterverstärkerschaltung zunutze. Bekanntlich hat ein Emitterverstärker (Kollektorschaltung)
eine sehr hohe Eingangsimpedanz, er benötigt einen verhältnismäßig kleinen Basissteuerstrom
und arbeitet von Natur aus schneller als ein Transistor in Emitterschaltung, da
ein Emitterverstärker gewöhnlich nicht in die Sättigung ausgesteuert wird.
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Die Kollektorspeisespannung für die Emitterverstärker wird größer,
also bei den hier beispielsweise verwendeten NPN-Transistoren positiver gewählt
als der größte, also positivste Eingangssignälpegel, so daß die Emitterfolger nicht
in den Sättigungsbereich ausgesteuert werden. Die Emitterspeisespannung wird negativer
gewählt als der am wenigsten positive Eingangssignalpegel, so daß immer mindestens
ein Emitterverstärker leitet, d. h. im aktiven Bereich vorgespannt ist, da hierdurch
die Auftastzeit herabgesetzt wird. Unter Annahme von Eingangssignalpegeln von 0
und +3 Volt können die verschiedenen Vorspannungsquellen, beispielsweise Batterien,
folgende, nicht einschränkend auszulegende Spannungen. liefern: V1 = 4 Volt, V2
= 4 Volt, - V3 = 3 Volt, Va = 0 Volt, V, = 3 Volt.
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Emitterverstärker wurden bisher in logischen Kreisen von Datenverarbeitungsanlagen
wenig verwendet, da sie zu Schwingungen neigen. Diese Schwingneigung wird durch
die Eingangswiderstände 18 a bis 18 c verringert, die die Rückkopplung, die in einem
Emitterverstärker von Natur aus vorhanden ist, herabsetzt. Die Schwingneigung kann,
wenn nötig, dadurch weiter herabgesetzt werden, daß man zwischen einen allen Kollektorelektroden
12a bis 12c gemeinsamen Schaltpunkt und die Spannungsquelle + V1 einen nicht dargestellten
Widerstand einschaltet und die Vorspannungsquelle so bemißt, daß ein Emitterverstärkertransistor
nahe der Sättigung arbeitet, wenn das ihm zugeführte Eingangssignal seinen positivsten
Wert hat. Das Auftreten von Schwingungen in einem Emitterverstärker wird hauptsächlich
durch große Belastungsschwankungen verursacht. Solche Belastungsschwankungen werden
bei dem Kreis der F i g. 1 und anderen noch zu beschreibenden Kreisen weitestgehend
vermieden, da der Ausgangstransistor 34 und der Pegelverschiebungstransistor
60 die Verbraucher von den Emitterverstärkern trennen.
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Der gemeinsame Emitterwiderstand 26 ist so bemessen, daß er in Verbindung
mit der - v3-Volt-Spannungsquelle im wesentlichen als Stromsenke wirkt. Der Widerstand
62 im Basiskreis des Pegelverschiebungstransistors 60 ist so bemessen, daß er in
Verbindung mit der + V2 Volt-Spannungsquelle als Stromquelle arbeitet. Aus Gründen,
auf die noch näher eingegangen wird, werden die Parameter der Stromsenke vorzugsweise
so gewählt, daß die Stromsenke bei gegebenen Eingangsbedingungen mehr Strom aufzunehmen
vermag als von der Stromquelle geliefert wird. Die in F i g. 1 dargestellte logische
Schaltung arbeitet folgendermaßen: Die Spannung am gemeinsamen Schaltungspunkt 16
ist immer dann relativ hoch, wenn an einer oder mehreren Eingangsklemmen 22a bis
22c Eingangssignale mit maximal positivem Pegel liegen. Die Spannung am Punkt 16
ist andererseits nur dann niedrig, wenn alle Eingänge auf niedriger, also am wenigsten
positiver Spannung liegen, so daß das Gatter 28 die Oder-Funktion ausführt. Unter
der Voraussetzung, daß die Spannungsquellen die obenerwähnten Spannungen liefern
und daß die Eingangssignalpegel 0 und +3 Volt sein können, sind die entsprechenden
Spannungen am Verbindungspunkt 16 etwa -0,7 bzw. -I-2,3 Volt, wenn als Gattertransistoren
10 a bis 10 c Siliciumtransistoren verwendet werden. Der Spannungsabfall an dem
in Flußrichtung vorgespannten Emitter-Basis-Übergang eines Siliciumtransistors beträgt
nämlich etwa 0,7 Volt.
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Der Emitter-Basis-Übergang des Pegelverschiebungstransistors 60 ist
in Flußrichtung vorgespannt, wenn die Spannung am Verbindungspunkt 16 den Wert -
0,7 Volt hat. Nach Abklingen der beim Schalten anfänglich auftretenden Einschwingvorgänge
fließt der ganze Strom von der Stromquelle (Widerstand 62 und +V2 Volt-Spannungsquelle)
über den Übergang zwischen Basis 64 und Emitter 66 zur Stromsenke (Widerstand 26
mit - V.-Volt-Quelle). In den Kollektor 68 fließt dann nur ein etwa vorhandener
Isolations- oder Sperrstrom, und die Kollektorelektrode 68 hat kein definiertes
Potential. Der Pegelverschiebungstransistor 60 arbeitet praktisch wie ein gesättigter
oder nahezu gesättigter Transistor, und die Spannung am Kollektor 68 ist dann etwa
0,05 Volt positiver als die Spannung am Emitter 66, also etwa -0,65 Volt, da der
in die Basis 64 fließende Strom hoch ist. Die Basis-Emitter-Strecke des Ausgangstransistors
34 ist auf jeden Fall in Sperrichtung vorgespannt, und die Ausgangsspannung an der
Kollektorelektrode 32 beträgt etwa +3 Volt. Die Sperrspannung hat einen solchen
Wert, daß ins Positive gehende Störimpulse bis zu einer Amplitude von 1 Volt ohne
Einfluß sind, d. h. also, daß die Spannung am Verbindungspunkt 16 oder der Emitterelektrode
66 infolge von Störimpulsen um 1 Volt ansteigen kann, ohne daß der Ausgangstransistor
34 dadurch aufgetastet würde.
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Wenn eines der dem Gatter 28 zugeführten Eingangssignale auf den hohen
Pegel, also +3 Volt, ansteigt, steigt die Spannung am Verbindungspunkt 16 auf etwa
+2,3 Volt. Der Basis-Emitter-Übergang des Ausgangstransistors 34 wird jedoch in
Flußrichtung vorgespannt, bevor die Spannung am Verbindungspunkt 16 diesen Wert
erreicht. Die Spannung an der Basiselektrode 64 klemmt dann auf die Spannung +VB
gleich der Summe der Spannungsabfälle am Basis-Emitter-Übergang des Ausgangstransistors
34 und dem Kollektor-Basis-Übergang des Pegelverschiebungstransistors 60. Wenn die
Spannung am Verbindungspunkt 16 positiver wird als + VB, wird der Übergang
zwischen Basis 64 und Emitter 66 in Sperrichtung vorgespannt, und der ganze Strom
von der Stromquelle wird als in Flußrichtung gepolter Basisstrom über den Übergang
zwischen Basis 64 und Kollektor 68 dem Ausgangstransistor 34 zugeführt. Der Ausgangstransistor
34 leitet dann stark, und die Ausgangsspannung an der Kollektorelektrode 32 sinkt
auf etwa 0 Volt ab.
Die innere Kapazität zwischen Emitter 66 und
Kollektor 68 des Pegelverschiebungstransistors 60 spielt bei den Schalteinschwingvorgängen
eine günstige Rolle, da sie ein rasches Auftasten des Ausgangstransistors 34 unterstützt.
Andererseits vergrößert diese Kapazität anscheinend weder die Störempfindlichkeit,
noch führt sie bei den in der Praxis verwendeten Arbeitsgeschwindigkeiten zu Schwierigkeiten
hinsichtlich der Wiederholungsfrequenz. Wenn der Ausgangstransistor 34 voll aufgetastet
ist, liegt an der Sperrschicht zwischen Basis 64 und Emitter 66 eine so hohe Sperrspannung,
daß eine Unempfindlichkeit gegen negative Störimpulse bis zu einer Amplitude von
etwa 1 Volt gewährleistet ist.
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Der Pegelverschiebungstransistor 60 leitet praktisch von der Stromquelle
entweder zur Stromsenke oder Basis 36 des Ausgangstransistors 34. Durch die Kombination
aus Widerstand 62 und Vorspannungsquelle -I- V" wird ein Strom für die Basis 36,
der leicht errechenbar und weitgehend unabhängig von Bauteiltoleranzen ist, geliefert,
wenn die Spannung am Verbindungspunkt 16 hoch ist. Dieser Strom In
wird durch
die folgende Gleichung bestimmt:
dabei bedeutet Roden Widerstandswert des Widerstandes 62 und VB die Spannung an
der Basis 64. Da VB die Summe von V", dem relativ konstanten Spannungsabfall am
Übergang zwischen Basis 64 und Kollektor 68 des Pegelverschiebungstransistors 60
und dem Spannungsabfall an der Basis-Emitter-Strecke des Ausgangstransistors 34
ist und -f- V2 gewöhnlich das Drei- oder Vierfache von Va beträgt, ist dieser Auftaststrom
für die Basis 36 relativ konstant. Die prozentuale Änderung ist in erster Linie
die Summe der Schwankungen des Wertes des Widerstandes 62 und der Spannung der +VSpannungsquelle.
Bei vielen anderen Pegelverschiebungsanordnungen, z. B. Widerstandsspannungsteilernetzwerken,
wird der Basisauftaststrom als kleine Differenz zwischen zwei großen Strömen gewonnen,
was den Nachteil hat, daß prozentual kleine Änderungen eines der Ströme große Basisstromänderungen
zur Folge haben.
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Bei richtiger Bemessung der Werte von V", und des Widerstandes 62
kann der Basiselektrode 36 ein bestimmter Strom zugeführt werden, der die Aussteuerung
des Ausgangstransistors bestimmt. Dies hat den Vorteil, daß sich die Schaltungsanordnung
relativ leicht für den ungünstigsten Fall auslegen läßt. Bedingt durch die Eigenschaften
eines Transistors wird der Basiselektrode 36 noch zusätzlich Strom über die Strecke
zwischen Kollektor 68 und Emitter 66 des Pegelverschiebungstransistors 60 zugeführt.
Dieser Strom kann jedoch dadurch relativ klein gehalten werden, daß man einen Pegelverschiebungstransistor
mit einem sehr kleinen inversen Betawert verwendet. Auf alle Fälle kann der betreffende
Strom bei Auslegung der Schaltung für den ungünstigsten Fall in Rechnung gesetzt
werden.
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Wenn der Ausgangstransistor 34 bei hohem Eingangspegel im Sättigungsbereich
arbeitet, werden in seiner Basiszone Minoritätsladungsträger gespeichert. Beim Abfallen
der Spannung am Verbindungspunkt 16 auf den niedrigen Pegel wird also der Emitter-Basis-Übergang
des Transistors 34 erst dann in Sperrrichtung vorgespannt, wenn der Transistor 34
aus der Sättigung herausgebracht worden ist. Ein großer in Sperrichtung gepolter
Basisstrom, der ein rasches Sperren des Ausgangstransistors 34 bewirkt, ist verfügbar,
wenn man die Parameter der Stromsenke so bemißt, daß diese mehr Strom aufzunehmen
vermag, als die Stromquelle liefert, wenn die Spannung am Verbindungspunkt 16 -0,7
Volt beträgt. Die Stromdifferenz steht über die Emitter-Kollektoj-Strecke des Pegelverschiebungstransistors
60 als Sperrstrom für die Basis 36 zur Verfügung. Wenn der Widerstand 26 einen kleinen
Wert hat, kann der Basissperrstrom ziemlich groß werden, ohne daß die Eingangssteuertransistoren
70, 72, 74 stark belastet werden, da die an den Eingängen der Gattertransistoren
10 ca bis 10 c erforderlichen Steuerströme um den Faktor Beta kleiner sind. Die
Eigenkapazität zwischen Emitter 66 und Kollektor 68 unterstützt ebenfalls eine rasche
Sperrung des Ausgangstransistors 34.
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Die zum Umschalten des Ausgangstransistors 34 vom gesperrten in den
voll leitenden Zustand erforderliche Zeit hängt zum Teil von der Größe des der Basis
36 während des Umschaltens zugeführten Steuerstromes ab. Es ist manchmal wünschenswert,
den Grad der Sättigung im Ausgangstransistor zu begrenzen oder eine Sättigung ganz
zu vermeiden, ohne die Auftaststeuerung der Basis zu beeinträchtigen. Bei der in
F i g. 1 dargestellten Schaltungsanordnung kann dies dadurch erreicht werden, daß
man die Basis 80 und den Ernitter 82 eines Transistors 84 mit der Basiselektrode
64 des Pegelverschiebungstransistors 60 bzw. der Kollektorelektrode 32 des Ausgangstransistors
34 verbindet. Der Kollektor des Transistors 84 bleibt unbeschaltet. Eine andere
Möglichkeit besteht darin, zwischen die erwähnten Elektroden eine Diode zu schalten.
Der Transistor 84 kann im Bedarfsfall entfallen.
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Wenn die Spannung am Verbindungspunkt 16 niedrig ist oder etwa -0,7
Volt beträgt, ist der Ausgangstransistor 34 gesperrt, und die Ausgangsspannung an
der Kollektorelektrode 32 beträgt etwa -i-3,0 Volt. Der Übergang zwischen Basis
80 und Emitter 82 des Transistor 84 ist dementsprechend in Sperrichtung vorgespannt.
Der ganze Strom von der Stromquelle fließt dann über den Übergang zwischen Basis
64 und Emitter 66 zur Stromsenke.
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Wenn die Spannung am Verbindungspunkt 16 auf -I-2,3 Volt steigt, wird
der Übergang zwischen Basis 64 und Emitter 66 in Sperrichtung vorgespannt. Der ganze
Strom von der Stromquelle wird während des Schaltvorganges der Basiselektrode 36
des Ausgangstransistors 34 zugeführt und gewährleistet eine hohe Aussteuerung in
Flußrichtung. Wenn der Ausgangstransistor 34 jedoch leitet, fällt die Spannung am
Kollektor 32 nach 0 Volt ab. Der Übergang zwischen Basis 80 und Emitter 82 des Transistors
84 wird in Flußrichtung vorgespannt, wenn die Spannung am Kollektor 32 weniger positiv
wird als das Potential der Basis 64. Ein Teil des Stromes von der Stromquelle wird
dann über den Übergang zwischen Basis 80 und Emitter 82 abgeleitet,
und der Strom zur Basis 36 des Ausgangstransistors wird entsprechend herabgesetzt,
wodurch entweder der Sättigungsgrad verringert oder der Ausgangstransistor aus dem
Sättigungsbereich gebracht wird.
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Wenn der Ausgangstransistor 34 voll leitet, ist die Spannung an seiner
Basis 36 um den Flußspannungsabfall an der Sperrschicht zwischen Basis 64 und Kollektor
68 weniger positiv als die Spannung an der Basis 64 des Pegelverschiebungstransistors
60.
Gleichzeitig ist die Spannung am Kollektor 32 um den Flußspannungsabfall
am Übergang zwischen der Basis 80 und dem Emitter 82 des Transistors 84 weniger
positiv als die Spannung an der Basis 64. Der Transistor 84 kann beispielsweise
so bemessen werden, daß er einen bestimmten Spannungsabfall relativ zum Spannungsabfall
am Übergang zwischen Basis 64 und Kollektor 68 bewirkt, um entweder den Sättigungsgrad
des Ausgangstransistors zu steuern oder einen Betrieb des Ausgangstransistors 34
außerhalb des Sättigungsbereichs zu gewährleisten.
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F i g. 2 zeigt eine Abwandlung der in F i g. 1 dargestellten Schaltung,
welche eine hohe Ausgangsleistung hat und eine große Anzahl von Verbrauchern zu
speisen gestattet. Das Emitterfolger-Oder-Gatter der F i g. 2 entspricht dem oben
beschriebenen der F i g. 1 mit der Ausnahme, daß ein Widerstand 90 zwischen die
Kollektorelektroden 12a ...
12 c der Gattertransistoren 10 a
... 10 c und die -f- Vi-Spannungsquelle geschaltet ist. Der Widerstand
90
dient, wie erwähnt, zur Unterdrückung von Störschwingungen in den Emitterverstärkern.
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Die Schaltungsanordnung enthält eine Anzahl von Ausgangstransistoren
34 a ... 34c (in F i g. 2 sind beispielsweise nur drei dargestellt), die
in Emitterschaltung geschaltet sind und jeweils eine Anzahl von durch Pfeile angedeutete
Verbraucher über getrennte Hochfrequenzleitungen speisen. Die einzelnen Leitungen
40a bis 40c sind durch Widerstände 46a ...
46 c, die zwischen das Ausgangsende
der Leitung und eine Kollektorspannungsquelle -I- Vc geschaltet sind, mit ihrem
Wellenwiderstand abgeschlossen.
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Für jeden der Ausgangstransistoren 30a ... 30c ist ein getrennter
Pegelverschiebungstransistor 60a
... 60c vorgesehen, und die Kollektor-Emitter-Strecke
der einzelnen Pegelverschiebungstransistoren ist zwischen den Verbindungspunkt 16
des Eingangsgatters und die Basiselektrode des zugehörigen Ausgangstransistors geschaltet.
So ist beispielsweise die Emitterelektrode 66a des Pegelverschiebungstransistors
60 an den gemeinsamen Verbindungspunkt 16 angeschlossen, und die Kollektorelektrode
68 a ist mit der Basiselektrode 36a des Ausgangstransistors 34 verbunden. Für jeden
einzelnen Pegelverschiebungstransistor 60 a ... 60 c ist eine getrennte Stromquelle
vorgesehen. Die Stromquelle für den Transistor 60a enthält einen Widerstand 62a
und eine Induktivität 92a, die in Reihe zwischen die Basiselektrode 64 a und die
Spannungsquelle +V, geschaltet sind. Die anderen Pegelverschiebungstransistoren
60b, 60c
sind an entsprechende Stromquellen angeschlossen.
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Die in F i g. 2 dargestellte Schaltungsanordnung arbeitet im wesentlichen
wie die vorher beschriebene Schaltungsanordnung der F i g. 1. Wenn die Spannung
am gemeinsamen Verbindungspunkt 16, relativ gesprochen, niedrig ist, sind die Emitter-Basis-übergänge
aller Pegelverschiebungstransistoren 60a bis 60 c in Flußrichtung vorgespannt.
Der Strom von den einzelnen Stromquellen der Pegelverschiebungssehaltungen fließt
über die Basis-Emitter-Strecke des zugehörigen Pegelverschiebungstransistors zur
Stromsenke (Widerstand 26 und Spannungsquelle -V.). Die Parameter der Stromsenke
sind so bemessen, daß, wenn die Spannung am Verbindungspunkt 16 niedrig ist, die
Stromsenke mehr Strom aufzunehmen vermag, als von allen Stromquellen geliefert wird.
Im Ruhezustand liefern außerdem einer oder mehrere Gattertransistoren
10 a ... 10 c Strom an die Senke. Die Emitter-Basis-übergänge aller
Pegelverschiebungstransistoren 60a ... 60c sind in Sperrichtung vorgespannt,
wenn die Spannung am gemeinsamen Verbindungspunkt 16, relativ gesprochen, hoch ist.
Die Ausgangstransistoren 34 a ... 34c sind dann alle aufgetastet, und die
Ströme von den den einzelnen Pegelverschiebungstransistoren zugeordneten Stromquellen
werden den Basiselektroden der zugehörigen Ausgangstransistoren zugeführt. Die Basiselektroden
64a ... 64c sämtlicher Pegelverschiebungstransistoren 60 a ... 60
c können auch mit einer einzigen Stromquelle verbunden werden. Die Verwendung getrennter
Stromquellen ist jedoch vorzuziehen, damit eine Übersteuerung der Basiselektrode
des die geringste Impedanz darbietenden Ausgangstransistors vermieden wird.
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Die Induktivitäten in den Basiskreisen der Pegelversehiebungstransistoren
60a. . . 60c unterstützen ein rasches Auftasten und Sperren der Ausgangstransistoren
34 a ... 34c, indem sie während des Schaltvorganges einen starken Stromfluß
aufrechterhalten. Angenommen, die Spannung am Verbindungspunkt 16 betrage
im unteren Betriebszustand etwa -0,7 Volt, so sind die Potentiale an den einzelnen
Basiselektroden 64a ... 64 c um den Spannungsabfall an dem in Flußrichtung
vorgespannten Basis-Emitterübergang des zugeordneten Pegelverschiebungstransistors
höher als dieser Wert. Bei den angegebenen Werten kann das Basispotential irgendwo
in der Nähe von 0 Volt liegen. Andererseits sind die Potentiale an den Basiselektroden
64a . . . 64c positiver als der angegebene Wert, wenn die Spannung am Verbindungspunkt
16 hoch ist. Das Potential an einer Basiselektrode 64a kann beispielsweise in der
Größenordnung von -I-1,5 Volt liegen, nämlich der Summe der Spannungsabfälle an
der in Flußrichtung vorgespannten Basis-Emitter-Sperrschicht des Ausgangstransistors
34a und der in Flußrichtung vorgespannten Basis-Kollektor-Sperrschicht des Pegelverschiebungstransistors
60a. Man sieht also, daß der Basisstrom eines Pegelverschiebungstransistors höher
ist, wenn die Spannung am gemeinsamen Verbindungspunkt 16 niedrig ist. Dies bedeutet,
daß ein Pegelverschiebungstransistor mehr Strom an den gemeinsamen Verbindungspunkt
16 liefert als an die Basis des zugehörigen Ausgangstransistors.
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Die Induktivitäten 92a ... 92c in den Basiskreisen der Pegelverschiebungstransistoren
60a ... 60 c halten diesen relativ großen Basisstrom in den Transistoren
60a ... 60c während des anfänglichen Schaltvorganges aufrecht, wenn
die Spannung am Verbindungspunkt 16 von --0,7 auf -I-2,3 Volt ansteigt. Dieser hohe
Strom wird der Basiselektrode des zugehörigen Ausgangstransistors während der Schaltdauer
zugeführt und bewirkt eine verstärkte Übersteuerung beim Auftasten des Ausgangstransistors,
so daß dieser Vorgang sehr rasch abläuft. Nach dem vorübergehenden Schaltvorgang
fällt der Basisstrom der einzelnen Pegelverschiebungstransistoren 60a
...
60c auf seinen niedrigen Wert ab. Wenn die Spannung am Verbindungspunkt
16 von -I-2,3 Volt auf -0,7 Volt abfällt, halten die Induktivitäten 92a
...
92c die Basisströme während des vorübergehenden Schaltvorganges wenigstens
anfänglich auf dem niedrigen Wert. Die Spannung am Verbindungspunkt 16
fordert
dabei jedoch einen höheren Strom von den Pegelverschiebungstransistoren, und der
zusätzliche Strombedarf wird während des vorübergehenden
Schaltvorganges
durch den in Sperrichtung gepolten Basisstrom von den Ausgangstransistoren 34a
...
34c geliefert. Dies bewirkt seinerseits wiederum ein sehr plötzliches
Sperren der Ausgangstransistoren 34a ... 34 c.
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Die in F i g. 2 dargestellte Schaltung kann beispielsweise folgendermaßen
bemessen werden:
F i g. 3 zeigt ein teilweise in Blockform gehaltenes Schaltbild einer zweistufigen
logischen Anordnung. Eine Anzahl von Eingangsgattern 28a ... 28 c sind durch
gestrichelt gezeichnete Blöcke dargestellt, sie können wie die Gatter 28 der F i
g. 1 aufgebaut sein. Das Ausgangssignal der Anordnung wird vom Kollektor 32 eines
NPN-Ausgangstransistors 34 abgenommen, der in Emitterschaftung arbeitet.
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Für jedes Eingangsgatter ist ein Pegelverschiebungstransistor 60 a
... 60c vorgesehen. Die einzelnen Pegelverschiebungstransistoren sind mit
der Kollektorelektrode an die Basiselektrode 36 des Ausgangstransistors 34 und mit
der Emitterelektrode an den gemeinsamen Schaltungspunkt am Ausgang der verschiedenen
Eingangsgatter angeschlossen. So ist beispielsweise die Emiterelektrode 66a des
Pegelverschiebungstransistors 60a an den Verbindungspunkt 16 a des Eingangsgatters
28 a angeschlossen. Die Pegelverschiebungstransistoren 60 a ... 60 c dienen
nicht nur zur Pegelverschiebung, sondern üben außerdem auch zusammen die Funktion
eines Und-Gatters aus und stellen damit die zweite Logikstufe der Anordnung dar.
Die Basiselektroden 64 a ... 64 c sind gemeinsam an eine Klemme eines Widerstandes
62 angeschlossen. Das andere Ende des Widerstandes 62 ist an die Vorspannungsquelle
-f- V@ angeschlossen. Der Widerstand 62 und die die Spannung -f- V2 Volt liefernde
Vorspannungsquelle bilden eine Stromquelle wie die entsprechenden Elemente in F
i g. 1.
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Die Eingangsgatter 28 a ... 28c sind jeweils Emitterverstärkergatter,
die die logische Oder-Funktion ausführen. Die Spannung an dem gemeinsamen Verbindungspunkt
eines Gatters, z. B. dem Verbindungspunkt 16a, ist dann relativ hoch, wenn eines
oder mehrere der den Klemmen 100, 102, 104 ... zugeführten Eingangssignale
einen hohen Wert hat. Die Klemmen 100, 102, 104 ... können Eingangsklemmen
entsprechend den Klemmen 22a ... 22 c oder Abgriffe an verschiedenen,
nicht dargestellten Hochfrequenzleitungen sein. Der Übergang zwischen dem Emitter
66 a und der Basis 64 a des Pegelverschiebungstransistors 60a ist in Sperrichtung
vorgespannt, wenn die Spannung an dem gemeinsamen Verbindungspunkt 16a hoch ist.
In entsprechender Weise sind die Basis-Emitter-Übergänge der Pegelverschiebungstransistoren
60 b, 60 c in Sperrichtung vorgespannt, wenn die Spannungen an den entsprechenden
gemeinsamen Verbindungspunkten 16b bzw. 16c hoch sind. Es ist leicht einzusehen,
daß der Emitter-Basis-Übergang eines Pegelverschiebungstransistors in Flußrichtung
vorgespannt ist, wenn die Spannung am gemeinsamen Verbindungspunkt des zugehörigen
Eingangsgatters relativ niedrig ist, und daß dies nur dann der Fall ist, wenn alle
dem betreffenden Eingangsgatter zugeführten Eingangssignale einen niedrigen Wert
haben.
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Der Strom von der Stromquelle in den Basiskreisen der Pegelverschiebungstransistoren
60 a ... 60 c wird entweder zu einem oder mehreren gemeinsamen Verbindungspunkten
16 a ... 16c oder zu der Basis 36 des Ausgangstransistors 34 geleitet, je
nachdem, welchen Wert die Spannungen an den gemeinsamen Verbindungspunkten 16a
... 16c haben. Der Strom von der erwähnten Stromquelle fließt über einen
Emitter-Basis-übergang, wenn die Spannung an dem zugehörigen Verbindungspunkt 16a
... 16c niedrig ist. Der Basis 36 des Ausgangstransistors 34 wird von der
betreffenden Stromquelle kein Strom zugeführt, wenn irgendeine oder mehrere der
Basis-Emitter-Übergänge in Flußrichtung vorgespannt ist. Wenn jedoch die Spannung
an allen gemeinsamen Verbindungspunkten 16a ... 16c ihren hohen Wert annimmt,
werden die Basis-Emitter-Übergänge sämtlicher Pegelverschiebungstransistoren 60
a ... 60 c in Sperrichtung vorgespannt, und der Strom von der Stromquelle
wird dann über die in Flußrichtung vorgespannten Basis-Kollektor-Übergänge sämtlicher
Pegelverschiebungstransistoren der Basis 36 des Ausgangstransistors 34 zugeführt.
Man sieht also, daß die Pegelverschiebungstransistoren die logische Und-Funktion
ausführen.
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Die an die gemeinsamen Verbindungspunkte 16 a ... 16c in den
Eingangsgattern angeschlossenen Stromsenken sollten so ausgebildet sein, daß jede
von ihnen mehr Strom aufzunehmen vermag als durch die einzelne Stromquelle geliefert
wird, wenn die Spannung an dem zugehörigen Verbindungspunkt 16a ...
16c niedrig
ist. Der Grund hierfür liegt darin, daß der ganze Strom vom Pegelverschiebungsnetzwerk
zu der Senke in einem Eingangsgatter fließt, wenn die Spannung an dem gemeinsamen
Verbindungspunkt des betreffenden Eingangsgatters niedrig ist und die Spannungen
an den gemeinsamen Verbindungspunkten der verbleibenden Eingangsgatter gleichzeitig
hoch sind. Wenn man das Stromaufnahmevermögen der Stromsenken derart bemißt, kann
vom Ausgangstransistor 34 ein großer Basissperrstrom gezogen werden, der
diesen Transistor sehr rasch sperrt, wie oben in Verbindung mit F i g. 1 erläutert
wurde.
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F i g. 4 zeigt eine andere Ausführungsform eines zweistufigen logischen
Kreises gemäß der Erfindung. Dieser Kreis enthält eine Anzahl von Dioden-Und-Gattern
110 a, 110 b, 110 c . . ., in der Zeichnung
sind
beispielsweise nur drei dargestellt. Das Gatter 110a, das für die anderen
Gatter typisch ist, enthält eine Anzahl von Dioden 112 a, 112 b, 112 c (auch hier
sind beispielsweise nur drei Dioden dargestellt), deren Anoden gemeinsam an einen
Verbindungspunkt 114 angeschlossen sind. Die Kathoden der Dioden 112 a . . .112
c sind mit getrennten Eingangsklemmen 116a ... 116c verbunden. Diesen Eingangsklemmen
können Eingangssignale über getrennte, angezapfte Hochfrequenzleitungen zugeführt
werden. Zwischen den Verbindungspunkt 114 und eine Klemme -I- V4 einer Vorspannungsquelle
ist ein Widerstand 120 geschaltet.
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Der gemeinsame Verbindungspunkt 114 des Eingangsgatters 110a, der
die Ausgangsklemme darstellt, ist direkt an die Basiselektrode 20 a eines ersten
Emitterverstärker- oder -folgertransistors 10a angeschlossen. Die Emitterelektrode
14 a dieses Transistors ist mit einem gemeinsamen Verbindungspunkt 16 über eine
Diode 124 a verbunden, die von einem in Flußrichtung fließenden Emitterstrom
ebenfalls in Flußrichtung gepolt ist. Die Ausgänge der anderen beiden Diodengatter
110b, 110c werden Basiselektroden 20 b bzw. 20 c anderer Emitterverstärkertransistoren
10b bzw. 10c direkt zugeführt. Die Emitterelektroden 14b bzw. 14c
der letzterwähnten Transistoren sind mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt 16 über
Dioden 124b bzw. 124c verbunden und zwischen den Verbindungspunkt 16 und eine Klemme
-V. einer Vorspannungsquelle ist ein gemeinsamer Emitterwiderstand 26 geschaltet.
Die drei Transistoren 10 a . . .10 c führen die Oder-Funktion aus.
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Wie bei der in F i g.1 dargestellten Schaltung können die Eingangssignale
des Kreises entweder 0 oder -h 3 V sein. Die Spannung am Verbindungspunkt
14 des ersten Diodengatters 110 a ist immer dann niedrig, also etwa
0 Volt, wenn die Eingangssignale an einer oder mehreren Eingangsklemmen 116 a
... 116 c 0 Volt sind, der Spannungsabfall an den Dioden ist dabei vernachlässigt.
Die Spannung am Verbindungspunkt 114 steigt andererseits immer dann auf -I-3 Volt
an, wenn die Eingangssignale an allen Klemmen 116 a ... 116 c den Wert 3
Volt haben. Um zu verhindern, daß sich der zugehörige Emitterverstärkertransistor
10a sättigt, wenn die Eingangsspannungen über 3 Volt steigen, kann eine Klemmdiode
130 zwischen den Verbindungspunkt 114 und eine Spannungsquelle -I- V, für eine Klemmspannung
geschaltet sein, die bei den hier verwendeten Signalpegeln -f-3 V beträgt.
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Es ist erforderlich, daß die von einer der Eingangsklemmen
116 a ... 116 c in Richtung des Gatterkreises gesehenen Eingangsimpedanzen
hoch im Vergleich zum Wellenwiderstand der an die betreffenden Klemmen angeschlossenen
Hochfrequenzleitun- ; gen sind, da sonst übermäßige Reflexionen in den Leitungen
auftreten können, die unter Umständen zu einer fälschlichen Auslösung anderer an
die betreffenden Leitungen angeschlossener logischer Gatter führen. Im vorliegenden
Fall werden die sehr hohe t Eingangsimpedanz und die relativ geringen Anforderungen
bei der Ansteuerung der Basis eines Emitterverstärkertransistors nutzbar gemacht.
Aus diesen Gründen müssen die Diodeneingangsgatter nur kleine Ströme an die Basis
des zugehörigen Emitterverstär- f kertransistors liefern. Der Widerstand
120 kann daher ziemlich groß gewählt werden, um den durch die Dioden 112
a ... 112c fließenden Strom auf einen so kleinen Wert zu begrenzen, daß die
speisenden Hochfrequenzleitungen nicht stark belastet werden.
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Der Ausgang der logischen Schaltung kann einen einzigen Transistor
34a enthalten, der als Emitterverstärker geschaltet ist. Die Verbraucher können
an Anzapfungen einer Hochfrequenzleitung 40 a angeschlossen sein, welche
mit ihrer.-, Eingangsende an die Kollektorelektrode des Transistors 34a angeschlossen
und durch einen Widerstand 46 a, der zwischen das Ausgangsende der Leitung
40a und eine Kollektorspannungsquelle -1-Vc geschaltet ist, mit dem Wellenwiderstand
abgeschlossen ist. Zwischen die Basiselektrode 36 a des Ausgangstransistors 34 a
und den gemeinsamen Verbindungspunkt 16 am Ausgang des Emitterverstärkergatters
kann eine Pegelverschiebungsanordnung (Transistor 60 a und zugehörige Schaltungsanordnung)
der erwähnten Art geschaltet werden. Wenn im Bedarfsfall eine große Anzahl von Verbrauchern
zu speisen ist, kann die Ausgangsleistung dadurch erhöht werden, daß man an den
gemeinsamen Verbindungspunkt 16 noch einen oder mehrere zusätzliche Ausgangstransistoren
über ge= trennte Pegelverschiebungsanordnungen (Transistor 60 b und zugehörige Schaltung)
anschließt. In F i g. 4 ist ein solcher zusätzlicher Ausgangstransistor 34 b gestrichelt
eingezeichnet.
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In der Praxis tritt an den Dioden 112 a ... 112 c der einzelnen
Eingangsgatter 110 a ... 110 c ein Spannungsabfall auf, der ohne die
Dioden 124a ... 124c zur Folge haben würde, daß die Spannung am gemeinsamen
Verbindungspunkt 16 über die oben angegebenen Werte ansteigt. Die Spannungen
am Verbindungspunkt 16 sind dann also nicht entweder -0,7 oder -f-2,3 Volt, sondern
um einen dem Flußspannungsabfall an einer Diode in einem Eingangsgatter entsprechenden
Betrag höher. Nimmt man beispielsweise an, daß der Spannungsabfall an einer Diode
etwa 0,7 Volt beträgt, so kann es unter gewissen Umständen eintreten, daß der Ausgangstransistor
34a auch dann Strom zu führen beginnt, wenn die Spannung am Verbindungspunkt 16
ihren niedrigen Wert hat. Auch sonst wird durch diese Spannungserhöhung am Verbindungspunkt
16 die Empfindlichkeit des Kreises gegen positive Störimpulse verringert, die dazu
neigen, den Ausgangstransistor 34 a aufzutasten, wenn die Spannung am Verbindungspunkt
16 niedrig ist. Dies wird bei der in F i g. 4 dargestellten Schaltung durch die
Dioden 124a bis 124c in den Emitterkreisen der Gattertransistoren 10a bis
10c
verhindert. Nimmt man an, daß der Flußspannungsabfall an einer der zuletzt
genannten Dioden gleich dem Flußspannungsabfall an einer Eingangsdiode 112a bis
112c ist, so heben sich die Spannungsabfälle gegenseitig auf, und die Spannung am
Verbindungspunkt 16 ändert sich zwischen praktisch den gleichen Werten wie bei der
Schaltungsanordnung der F i g.1.
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Die Dioden 124a ... 124c erfüllen noch eine andere wichtige
Funktion, sie erhöhen nämlich die Anzahl der anschließbaren Eingänge. Bei jedem
einzelnen Emitterverstärkertransistor 10a ... 10c ist zwischen Emitter- und
Basiselektrode eine Kapazität vorhanden. Diese Kapazität muß beim Umschalten eines
Emitterverstärkertransistors vom stark leitenden Zustand in den schwach leitenden
Zustand entladen werden, und der Entladestrom dieser Kapazität muß in die Stromsenke
fließen, die mit dem Verbindungspunkt 16 verbunden ist. Bei einer großen Anzahl
von Eingangskreisen wird ein beträchtlicher Teil
des Stromaufnahmevermögens
der mit dem Verbindungspunkt 16 verbundenen Stromsenke für die Entladung der Kapazitäten
in Anspruch genommen, und man erreicht bald eine Grenze, bei deren Überschreiten
ein optimales Arbeiten des Kreises nicht mehr gewährleistet ist.
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Die einzelnen Dioden 124 a . . .124 c trennen die Emitterelektrode
des zugehörigen Transistors 10a ...
10c vom gemeinsamen Verbindungspunkt
16, wenn der Transistor in den schwach leitenden Zustand geschaltet wird.
Diese Trennwirkung der Dioden ermöglicht, daß eine größere Anzahl von Eingangsgattern
und Emitterverstärkertransistoren in den Kreis geschaltet werden kann.
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Der Rest der Schaltungsanordnung arbeitet entsprechend, so daß auf
eine ins einzelne gehende Beschreibung verzichtet werden kann. Die Schaltungsanordnung
der F i g. 4 hat dieselben vorteilhaften Eigenschaften wie die in F i g. 1 dargestellte
Schaltungsanordnung, nämlich unter anderem: der Ausgangstransistor 34 wird
beim Sperren stark übersteuert; der Basissteuerstrom für den Ausgangstransistor
34 wird in gewünschter Weise gesteuert; der Einfluß von Änderungen der Schaltungsparameter
ist ziemlich klein und läßt sich außerdem leicht errechnen und übersehen; die Ausgangsleistung
ist hoch und die Empfindlichkeit gegen Störungen ist klein. Dasselbe gilt natürlich
auch für die Schaltungen der F i g. 2 und 3.
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Wenn die Anzahl der Eingangsgatter nicht zu groß ist, kann auf getrennte
Dioden 124a ... 124 c im allgemeinen verzichtet werden. Das Oder-Gatter
der F i g. 4 kann dann durch das in F i g. 5 dargestellte Oder-Gatter ersetzt werden.
Bei F i g. 5 ist eine einzige Diode 136 mit ihrer einen Klemme an den gemeinsamen
Verbindungspunkt 16 und mit der anderen Klemme an alle Emitterelektroden
14a bis 14c der Gattertransistoren 10a ... 10 c angeschlossen.
Die Diode 136 kompensiert die Spannungsverschiebung an den Basiselektroden
20a ... 20 c, die auf die Diodeneingangsgatter zurückzuführen ist,
und bringt die Spannungspegel am Verbindungspunkt 16 wieder auf die Sollwerte.
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Statt der in F i g. 1 bis 4 dargestellten NPN-Transistoren können
selbstverständlich natürlich auch PNP-Transistoren verwendet werden, wenn man, wie
äblich, die verschiedenen Spannungsquellen und Dioden (F i g. 4) umpolt. Wenn PNP-Transistoren
verwendet werden, arbeiten der Widerstand und die Spannungsquelle im Emitterkreis
eines Eingangsgatters als Stromquelle anstatt als Stromsenke, und der Widerstand
und die Vorspannungsquelle im Basiskreis eines Pegelverschiebungstransistors arbeiten
als Stromsenke anstatt als Stromquelle.
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Um ein Beispiel für die Verwendung von PNP-Transistoren zu geben,
ist in F i g. 6 ein Schaltbild einer F i g. 1 entsprechenden, jedoch vereinfachten
Ausführungsform dargestellt, die NPN-Transistoren der F i g. 1 sind also durch PNP-Transistoren
ersetzt, und die Spannungsquellen sind umgepolt. Eingangsgatter 150 enthalten beispielsweise
drei PNP-Transistoren 152 a ... 152c, deren Kollektor-Emitter-Strekken
parallel zwischen eine gemeinsame Kollektorspannungsquelle - V, und einen gemeinsamen
Emitterverbindungspunkt 16 geschaltet sind. Eine Stromquelle ist an den gemeinsamen
Emitterkreis angeschaltet und enthält einen Widerstand 26 und eine Vorspannungsquelle
-I- V3. Die Strecke zwischen Emitter 156 und Kollektor 158 eines PNP-Pegelverschiebungstransistors
160 ist zwischen den Verbindungspunkt 16 und eine Basiselektrode 166 eines PNP-Ausgangstransistors
168 geschaltet. Die Emitterelektrode 170 des Ausgangstransistors 168 ist
direkt an eine, gegebenenfalls Masse entsprechende, Klemme - VQ einer Vorspannungsquelle
geschaltet, und eine Kollektorelektrode 172 ist über einen Widerstand 52 an eine
Kollektorspeisespannungsquelle - V, angeschlossen. Eine Stromsenke ist in den Basiskreis
162 des Pegelverschiebungstransistors geschaltet und enthält einen Widerstand
62 und eine Vorspannungsquelle - V2.
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Die den Eingangsklemmen 22 a ... 22c des Gatters 150 zugeführten
Eingangssignale haben als Sollwerte entweder 0 oder -3 Volt. Wegen des Spannungsabfalls
an einer Emitter-Basis-Diode ist die Spannung am Verbindungspunkt 16 etwa
0,7 Volt positiver als die negativste Eingangsspannung. Wenn also alle Eingangssignale
hohe Werte haben, ist die Spannung am Verbindungspunkt 16 hoch, nämlich etwa
-l-0,7 Volt, und wenn irgendein Eingangssignal einen niedrigen Wert, also etwa -3
Volt, hat, ist die Spannung am Verbindungspunkt 16 niedrig, also etwa -2,3 Volt.
Das Eingangsgatter 150 führt also die Und-Funktion aus.
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Wenn die Spannung am Verbindungspunkt 16
hoch (0,7 V) ist, ist
der Übergang zwischen Basis 162 und Emitter 156 des Pegelverschiebungstransistors
160 in Flußrichtung vorgespannt, und von der Stromquelle (Widerstand
26 und Spannungsquelle -f- V.;) fließt Strom über den Übergang zwischen Basis
162
und Emitter 156 zur Stromsenke (Widerstand 62 und Vorspannungsquelle -
V2). Bei einer gegebenen Stromquelle wird der von der Stromsenke aufgenommene Strom
in erster Linie durch die Werte des Widerstandes 62 und der Spannungsquelle - V2
bestimmt. Der Übergang zwischen Basis 166 und Emitter 170 des Ausgangstransistors
168 ist dann in Sperrichtung vorgespannt, und die Spannung an der Ausgangsklemme
174 beträgt -3 V. Die Sperrspannung hat einen solchen Wert, daß negativ gerichtete
Störimpulse bis zu einer Amplitude von 1 Volt und sogar noch etwas mehr mit Sicherheit
ohne Einfluß bleiben.
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Wenn irgendein Eingangssignal des Eingangsgatters 150 auf -3
V abfällt, sinkt die Spannung am Verbindungspunkt 16 auf etwa -2,3 V ab. Der Übergang
zwischen Basis 166 und Emitter 170 des Ausgangstransistors 168 wird dabei
in Flußrichtung vorgespannt, bevor die Spannung am Verbindungspunkt 16 den Endwert
von-2,3 Volt annimmt, und legt die Spannung an der Basis 162 des Pegelverschiebungstransistors
160 auf einen Wert fest, der eine ausreichende Sperrspannung für den Übergang
zwischen Basis 162 und Emitter 156 gewährleistet. Der Basisflußstrom des Ausgangstransistors
168 wird durch die Stromsenke im Kreis der Basis 162 des Pegelverschiebungstransistors
aufgenommen. Die Spannung an der Ausgangsklemme 174 beträgt dann 0 Volt. Wie bei
der in F i g. 1 dagestellten Schaltung läßt sich der Basisstrom des Ausgangstransistors
168 leicht errechnen, und er ist weitgehend unabhängig von Schaltungsparametern,
da er in erster Linie durch den Wert des Widerstandes 62 und der Vorspannung - V2
der Stromsenke bestimmt wird. Der Ausgangstransistor wird beim Sperren stark angesteuert
und übersteuert, wenn die Parameter der Stromquelle so
gewählt
sind, daß die Stromquelle mehr Strom zu liefern vermag als die Stromsenke für die
speziellen Spannungen am gemeinsamen Punkt 16 aufzunehmen vermag.