DE1280326B - Elektromechanischer Wandler mit einem Halbleiter-Plaettchen - Google Patents

Elektromechanischer Wandler mit einem Halbleiter-Plaettchen

Info

Publication number
DE1280326B
DE1280326B DES93231A DES0093231A DE1280326B DE 1280326 B DE1280326 B DE 1280326B DE S93231 A DES93231 A DE S93231A DE S0093231 A DES0093231 A DE S0093231A DE 1280326 B DE1280326 B DE 1280326B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
junction
pin
type
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES93231A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Tadashi Matsumotor
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of DE1280326B publication Critical patent/DE1280326B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R23/00Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
    • H04R23/006Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Obtaining Desirable Characteristics In Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
DES93231A 1963-09-19 1964-09-18 Elektromechanischer Wandler mit einem Halbleiter-Plaettchen Pending DE1280326B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5017963 1963-09-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1280326B true DE1280326B (de) 1968-10-17

Family

ID=12851956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES93231A Pending DE1280326B (de) 1963-09-19 1964-09-18 Elektromechanischer Wandler mit einem Halbleiter-Plaettchen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3480740A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE1280326B (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1051550A (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5520388B1 (enrdf_load_stackoverflow) * 1970-08-12 1980-06-02

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE815493C (de) * 1948-08-19 1951-11-19 Western Electric Co Elektromechanisches UEbertragungssystem
FR1295244A (fr) * 1960-07-18 1962-06-01 Western Electric Co Dispositifs semiconducteurs
DE1231033B (de) * 1963-09-13 1966-12-22 Siemens Ag Druckempfindliches Halbleiterbauelement mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetztenLeitungstyps und einem Stempel auf einer Zone

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2632062A (en) * 1949-06-15 1953-03-17 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor transducer
US3119947A (en) * 1961-02-20 1964-01-28 Clevite Corp Semiconductive electron emissive device
BE630360A (enrdf_load_stackoverflow) * 1962-03-30
US3241931A (en) * 1963-03-01 1966-03-22 Rca Corp Semiconductor devices
US3312790A (en) * 1963-05-23 1967-04-04 Bell Telephone Labor Inc Stress-responsive semiconductor transducers
US3295085A (en) * 1963-09-03 1966-12-27 Raytheon Co Semiconductor strain transducer device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE815493C (de) * 1948-08-19 1951-11-19 Western Electric Co Elektromechanisches UEbertragungssystem
FR1295244A (fr) * 1960-07-18 1962-06-01 Western Electric Co Dispositifs semiconducteurs
DE1231033B (de) * 1963-09-13 1966-12-22 Siemens Ag Druckempfindliches Halbleiterbauelement mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetztenLeitungstyps und einem Stempel auf einer Zone

Also Published As

Publication number Publication date
US3480740A (en) 1969-11-25
GB1051550A (enrdf_load_stackoverflow)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT247482B (de) Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1282196B (de) Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge
DE1197549B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht
DE1514254B2 (de) Halbleiterbauelement
DE1215269B (de) Verfahren zur Herstellung einer lichtempfindlichen Halbleiteranordnung
DE1924726A1 (de) Feldeffektvorrichtung mit steuerbarem pn-UEbergang
DE1912177A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1194500B (de) Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von eingesetzten streifenfoermigen Zonen eines Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum Herstellen
DE102015105801A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE1280326B (de) Elektromechanischer Wandler mit einem Halbleiter-Plaettchen
DE3151212A1 (de) Halbleiterelement
DE1239871B (de) Druckempfindliche Halbleiteranordnung
DE1489193B2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
DE1210490B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement mit einer pnpn- oder npnp-Zonenfolge und Verfahren zum Herstellen
DE7605242U1 (de) Integrierte monolithische anordnung mit leistungstransistor- und signaltransistorbereichen
DE1639176A1 (de) Integrierte Festkoerperschaltung mit lediglich zwei Elektrodenzuleitungen
DE1090326B (de) Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit drei Zonen aus verschiedenen Halbleitermaterialien abwechselnden Leitungstyps
DE1293899C2 (de) Planar- oder Mesatransistor und Verfahren zur Herstellung des Planartransistors
DE1168118B (de) Dehnungsmesselement aus Halbleitermaterial
DE1250654B (enrdf_load_stackoverflow)
DE1295237B (de) Druckempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE977618C (de) Verfahren zur Herstellung eines Transistors der Schichtenbauart mit zwischen Emitterund Kollektor befindlicher duenner Basisschicht
DE1639176C3 (de) Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung in Form einer Halbleiterschaltung
DE1285625B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE1966243C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen